文斌,葉繼倫, ,張旭,,袁懋結(jié),劉杰
1 深圳大學 醫(yī)學院 生物醫(yī)學工程系,深圳市,518060
2 廣東省生物醫(yī)學信號檢測與超聲成像重點實驗室,深圳市,518060
3 深圳市生物醫(yī)學重點實驗室,深圳市,518060
近年來,腦電在腦機接口領(lǐng)域以及腦疾病診斷中有著廣泛的應(yīng)用。這些領(lǐng)域的應(yīng)用離不開可靠的腦電信號。在采集腦電信號時,如果遇到接觸電極的松動或脫落,那么采集到的腦電信號受干擾大,這影響信號的質(zhì)量及檢測的可靠性,若不及時處理,很有可能造成誤診等一些不良影響。在采集過程中,及時判斷出有沒有出現(xiàn)接觸電極松動及脫落狀態(tài),給出報警很有必要。電極出現(xiàn)松動或脫落,電極與皮膚接觸阻抗也會相應(yīng)的變高。腦電電極-皮膚的接觸阻抗大小與腦電信號質(zhì)量好壞有著很大的關(guān)系。接觸阻抗越大,表示電極與皮膚接觸不好,采集的腦電信號質(zhì)量可靠低;接觸阻抗越小,表示電極與皮膚接觸良好,采集的腦電信號質(zhì)量可靠性高。因此,對腦電接觸阻抗的監(jiān)測在腦電信號采集中有著重要意義。
人體組成的基本單元是細胞,細胞主要由細胞內(nèi)液和細胞膜組成,細胞與細胞之間存在著大量的細胞外液和細胞間質(zhì)。在一定安全電流的刺激之下,生物組織和器官的電特性會呈現(xiàn)歐姆定律的變化規(guī)律,此方法具有無創(chuàng)、無害、實時和操作方便等優(yōu)點[1]。
根據(jù)ZHU等[2]提出的模擬理論,人體阻抗模型可以等效成圖1(a)。Ri表示電極與皮膚之間的接觸電阻,Rs表示皮膚電阻,Cin為皮膚與脂肪之間的電容,Cf、Rf表示脂肪中的阻抗和電容,Re表示細胞外液的阻抗,Cm、Rm表示細胞膜電容和細胞內(nèi)阻,Rb為骨骼電阻。在激勵信號頻率低于1 MHz時,細胞膜的導電性能較差,細胞內(nèi)液和細胞外液的介電特性弱。因此人體等效阻抗模型能夠進一步簡化為圖1(b)。根據(jù)頻散理論,激勵信號的頻率在10~100 kHz,激勵電流小于1 mA,人體組織會隨著刺激頻率的提高導電性能也隨著變好,并且人體內(nèi)部阻抗通常不到100 Ω,而人體的皮膚接觸電阻通常在5~50 kΩ[3]。相對于皮膚接觸阻抗,可以忽略不計人體內(nèi)部電阻對皮膚接觸電阻的影響。
圖1 人體阻抗等效圖Fig.1 The equivalent circuit model of body impedance
本文是將信號發(fā)生器芯片產(chǎn)生的頻率為50 kHz,電流為10 μA的方波作為激勵信號,使用模擬選擇開關(guān)循環(huán)將激勵信號注入測試電極;將反饋的信號進行濾波、放大、解調(diào)等處理,使用高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換AD進行采樣;將AD采集到的值進行轉(zhuǎn)換,利用歐姆定律,計算接觸阻抗[4]。由于產(chǎn)生的激勵信號的電流會有一定的誤差,同時腦電電極-皮膚接觸阻抗會隨著時間的變化而變化[5]。為減小這些因素帶來的誤差,在系統(tǒng)中加入了高精度、低溫漂精密電阻進行定標,每隔5 min重新進行定標和阻抗測量,這樣能夠更精確地測量電極-皮膚接觸阻抗,能夠很好地保證采集到可靠的腦電信號。
本接觸阻抗測量系統(tǒng)由高頻激勵模塊、反饋信號處理模塊、AD模塊、主控模塊、電源模塊等組成。系統(tǒng)的整體功能框圖如圖2所示。
圖2 接觸阻抗測量系統(tǒng)功能框圖Fig.2 The system of impedance detection acquisition system
本文中的高頻激勵信號使用美信MAX038芯片產(chǎn)生頻率為50 kHz,占空比為50%,幅值為±2 V的方波激勵信號。該芯片具有輸出信號頻率穩(wěn)定性好,波形分辨率高,失真度小,頻率和占空比可單獨調(diào)節(jié)等優(yōu)點。
在生物組織電阻抗測量系統(tǒng)中,為保證系統(tǒng)的測量安全,電流一般不超過1 mA[6]。為提高輸出阻抗,如圖3所示,使用改進型HOWLAND電路將方波激勵信號轉(zhuǎn)變成10 μA,頻率為50 kHz的恒流源激勵信號。其中圖3中的5個電阻必須構(gòu)成一個平衡電橋即:
此時輸出電流Io只與電阻R5有關(guān),即:
根據(jù)所需要的的恒流源激勵信號設(shè)置R3=R6=R7=1 MΩ,R4=900 kΩ,R5=100 kΩ。將產(chǎn)生的恒流源激勵信號通過模擬開關(guān)注入到需要測量阻抗的通道。
圖3 改進型Howland恒流源電路Fig.3 Improve Howland constant current source circuit
正常連接情況下,電極與皮膚的接觸阻抗一般在5~50 kΩ之間,此時反饋回來的電壓信號在毫伏級,需要將反饋的信號進行放大。由于反饋回來的電壓信號幅值在100~500 mV之間,運放采用雙電源供電,防止放大倍數(shù)過大信號出現(xiàn)失真現(xiàn)象,如圖4所示,這里R8=10 kΩ,R9=70 kΩ,放大倍數(shù)為8倍。
圖4 前級放大電路Fig.4 The front amplifier circuit
通過放大之后的信號幅值大約在1~4 V之間,信號頻率為50 kHz,為使得AD能夠正常采集信號,使用檢波二極管將信號進行解調(diào),解調(diào)后的信號經(jīng)過一個低通濾波器,之后進入24位AD進行采樣。本文采用的是二階低通濾波器,截止頻率大約為40 Hz,電路如5所示。
圖5 解調(diào)和低通濾波電路Fig.5 Demodulation and low pass filter circuits
在系統(tǒng)軟件配置方面,主要包括各模塊的硬件初始化以及定時中斷、串口、GPIO口等。使用定時器中斷進行AD采樣,讀取AD轉(zhuǎn)換的數(shù)字信號,通過計算判斷實際阻抗值是否大于閾值。為保證采集到腦電信號的可靠性,阻抗閾值設(shè)置為50 kΩ。若所測接觸阻抗大于50 kΩ,系統(tǒng)報警提示阻抗過大,此時需要人工干預調(diào)整電極狀態(tài),一直到阻抗通過測試為止。軟件流程圖如圖6所示。
圖6 軟件流程圖Fig.6 Software flow pattern
在整個系統(tǒng)自檢完成之后,將進行阻抗測量。將50 kHz、10 μA恒流源激勵通過模擬開關(guān)電路,注入需要測試的電極。系統(tǒng)測試示意圖,如圖7所示。
其中A、B、C、D為測量腦電的四個電極,ZA、ZB、ZC、ZD分別為四個位置所對應(yīng)的阻抗,Io為注入測試通道的激勵電流,S1、S2為開關(guān),S3為芯片內(nèi)部選擇開關(guān),R1、R2分別為精度為0.05%,阻值為10 kΩ、30 kΩ的高精密、低溫漂定標電阻。
圖7 系統(tǒng)測試示意圖Fig.7 Schematic diagram of system test
當MCU控制芯片內(nèi)部連接S3連接到3時,此時將S1閉合,S2斷開,激勵電流通過電極A到電極B形成回路,將采集到的信號進行放大、解調(diào)、濾波處理之后進入24位高精度AD進行轉(zhuǎn)換,此時得到電壓U3和激勵電流IO關(guān)系:
同理,通過閉合S1,S2斷開,激勵電流通過MCU控制芯片內(nèi)部開關(guān)分別注入到5,6得到:
此時將S2閉合,S1斷開,激勵電流通過MCU控制芯片內(nèi)部開關(guān)分別注入到5,6,可得到:
由于產(chǎn)生的恒流源激勵信號是使用模擬電路產(chǎn)生的,電阻電容均有誤差,產(chǎn)生的恒流源精確度并不高,如果直接進行計算誤差將會很大,為解決此問題,電路中引入R1和R2用于定標計算。
當MCU控制芯片內(nèi)部開關(guān)S3連接到1時,此時得到電壓U1和激勵電流IO關(guān)系:
同理當內(nèi)部開關(guān)連接2時,存在:
由于IO恒定不變,則測量電阻與定標電阻存在關(guān)系為:
電極與皮膚的阻抗正常范圍在5~50 kΩ,本系統(tǒng)為保證能夠測量到正常范圍的阻抗,設(shè)計阻抗測量范圍是2~150 kΩ。當阻抗值在0~30 kΩ之間,使用R1進行定標計算;當阻抗值大于30 kΩ時,使用R2進行定標計算。這樣避免了模擬電路產(chǎn)生恒流源精確度不高和系統(tǒng)噪聲對阻抗測量精度的影響。為減小系統(tǒng)的誤差,按照此方法每隔5 min進行一次阻抗測試。
由于U1、U2、U3、U4、U5、U6由外部AD轉(zhuǎn)換得到,是已知的,R1、R2也是已知的??梢酝ㄟ^聯(lián)立(3)~(10)方程組分別求出ZA,ZB,ZC,ZD。將計算得到的阻抗值與設(shè)置的閾值進行比較。如果小于50 kΩ,則表示此信號通道的電極-皮膚接觸阻抗通過測試,向上位機發(fā)送通過阻抗測試標志;反之,則表示電極-皮膚接觸阻抗測試不通過,向上位機發(fā)送未通過阻抗測試標志,系統(tǒng)進行報警提示阻抗過大,此時需要人工進行調(diào)整相應(yīng)的電極狀態(tài),一直到阻抗通過測試為止。
為了測試此系統(tǒng)的測量精度,使用了精度為0.1%阻值為2~150 kΩ之間的36個不同值的電阻,進行3次測量求平均值,測量數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)擬合曲線如圖8所示。表1顯示實測阻值與參考阻值的偏差,其中mean為實測阻值與參考阻值的平均偏差,SD是實測阻值與參考阻值的偏差的標準差。
圖8 數(shù)據(jù)擬合曲線圖Fig.8 The graph of data fitting
表1 測量阻值與參考阻值偏差Tab.1 The deviation between measured and actual resistance
由實測阻值和參考阻值中的平均誤差的絕對值為0.385 6 kΩ,標準差為0.624 5 kΩ,可以得出實測阻值與參考阻值的偏差很小。由數(shù)據(jù)擬合曲線圖可以看出,在2~50 kΩ時,實測阻抗值很接近參考阻值,數(shù)據(jù)擬合度很好;在50~100 kΩ時,雖然誤差有所增加,但是此時的數(shù)據(jù)擬合程度仍然較好;在100~150 kΩ時,由于電阻本身也有誤差,隨著阻值的增大,電阻的誤差也會相應(yīng)的增大,此時實測阻值與參考阻值偏差有所增加是正常的,導致數(shù)據(jù)擬合度相較于100 kΩ以下略有降低,但是仍然在誤差允許的范圍內(nèi),不影響系統(tǒng)對于接觸電阻狀態(tài)的定量判別。
本文基于生物電阻抗測量方法,設(shè)計出一種精確腦電電極-皮膚接觸系統(tǒng)。該系統(tǒng)大大地降低了由于使用模擬電路產(chǎn)生高頻激勵信號不精確和外界因素造成的誤差,提高了測量的精確性,可以實時、精確實現(xiàn)對腦電監(jiān)測過程中的電極接觸電阻監(jiān)測,從而評判電極的接觸狀態(tài),以保證腦電信號采集的可靠性。上述系統(tǒng)可以直接應(yīng)用在多導聯(lián)腦電采集系統(tǒng)中,進行電極接觸電阻的監(jiān)測,具有極好的應(yīng)用價值,目前已經(jīng)應(yīng)用在所開發(fā)的4通道腦電監(jiān)測系統(tǒng)中,后續(xù)將繼續(xù)開發(fā)16/32通道的腦電檢測系統(tǒng),為腦電診斷提供優(yōu)質(zhì)的檢測平臺。