銪離子摻雜七鋁酸十二鈣藍(lán)光發(fā)射導(dǎo)電熒光粉的制備及其光學(xué)特性

高 旭， 楊 健， 張 猛， 劉春光， 祝漢成， 嚴(yán)端廷， 徐長(zhǎng)山， 劉玉學(xué)

(東北師范大學(xué) 物理學(xué)院， 吉林 長(zhǎng)春 130024)

1 引 言

近年來(lái)，在平板顯示領(lǐng)域，低壓場(chǎng)發(fā)射顯示器因其響應(yīng)速度快、尺寸大、視角寬及能耗低等優(yōu)點(diǎn)，引起了科研工作者的廣泛研究興趣[1-4]。然而，在低壓電子束激發(fā)下，由于絕緣熒光粉出現(xiàn)的電荷積累效應(yīng)，大大降低了熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度。為了消除該效應(yīng)的影響，硫化物基低壓導(dǎo)電熒光粉的制備首先引起人們的重視。然而，Y2O2S∶Eu、SrGa2S4∶Ce3+、ZnS∶Ag/Al/Au等熒光粉在電子束轟擊下易分解，且易揮發(fā)出的硫會(huì)污染周圍環(huán)境[5-7]。因此，制備化學(xué)及物理穩(wěn)定性較好的低壓場(chǎng)發(fā)射氧化物基導(dǎo)電熒光粉逐漸成為了低壓場(chǎng)發(fā)射顯示器研究中的熱點(diǎn)。其中，稀土摻雜七鋁酸十二鈣(C12A7)導(dǎo)電熒光粉的研究近期取得了一系列進(jìn)展。例如，采用燃燒法或固相燒結(jié)法結(jié)合氫氣氣氛下熱處理的技術(shù)，通過(guò)Sm、Dy、Pr、Ce和Gd等三價(jià)稀土離子的摻雜，實(shí)現(xiàn)了對(duì)C12A7基質(zhì)中Ca離子格位的取代[8-12]，獲得了紅色、黃色、藍(lán)色和紫外發(fā)射的導(dǎo)電熒光粉。其導(dǎo)電特性與C12A7具有的特殊的籠狀結(jié)構(gòu)有關(guān)，即C12A7的單胞由具有12個(gè)亞納米籠子的框架和游離于框架外的束縛在籠子中的兩個(gè)自由氧離子(O2-)組成[13]。其導(dǎo)電能力起源于C12A7籠中電子的產(chǎn)生(C12A7籠中的O2-離子在氫氣氣氛下生成的H-在紫外光照射下轉(zhuǎn)變?yōu)榛\中電子)[14-15]。但上述導(dǎo)電熒光粉都是只含有f-f禁戒躍遷發(fā)光中心，如何獲得具有d-f允許躍遷發(fā)光中心的稀土摻雜C12A7導(dǎo)電熒光粉是目前面臨的挑戰(zhàn)。

眾所周知，Eu2+的5d-4f躍遷屬于電偶極允許躍遷，發(fā)光效率高，且在C12A7∶Eu2+中，Eu2+的發(fā)射波長(zhǎng)在藍(lán)光區(qū)[16]，可用于制備藍(lán)光發(fā)射導(dǎo)電熒光粉。我們的前期工作表明，對(duì)燃燒法制備的Eu3+摻雜的C12A7樣品在氫氣氣氛下熱處理，由于Eu3+還原成Eu2+的反應(yīng)過(guò)程需要消耗大量籠中O2-，抑制了高溫下H2(gas)+O2-(cage)→OH-(cage)+H-(cage)正向反應(yīng)的進(jìn)行?；\中H離子的減少導(dǎo)致了籠中電子減少，即氫氣氣氛下熱處理?xiàng)l件只能實(shí)現(xiàn)Eu3+還原成Eu2+，抑制了籠中電子的產(chǎn)生[17-18]。因此，目前迫切需要尋找新的方法制備具有藍(lán)光發(fā)射的C12A7∶Eu2+導(dǎo)電熒光粉，對(duì)開發(fā)應(yīng)用于低壓場(chǎng)發(fā)射顯示器的新型高效導(dǎo)電熒光粉具有重要的實(shí)際意義。

本文采用碳包埋方法制備了不同Eu2+摻雜濃度的C12A7∶Eu2+導(dǎo)電粉末樣品。在254 nm的紫外光激發(fā)下，當(dāng)Eu2+摻雜濃度為1.0%時(shí)，樣品位于444 nm的藍(lán)光發(fā)射峰具有最大的發(fā)光強(qiáng)度。計(jì)算C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品的困陷于籠中的電子濃度為3.40×1019cm-3。在空氣氣氛下對(duì)C12A7∶1.0%Eu2+樣品進(jìn)行熱處理，通過(guò)減少困陷于籠中的電子濃度，增加困陷于籠中的O2-離子濃度，進(jìn)一步提高了樣品的發(fā)光強(qiáng)度。對(duì)熱處理后的樣品進(jìn)行了陰極射線發(fā)光譜測(cè)試，結(jié)果表明，銪摻雜七鋁酸十二鈣藍(lán)光發(fā)射導(dǎo)電熒光粉在低壓場(chǎng)發(fā)射顯示器件中有潛在的應(yīng)用前景。

2 實(shí) 驗(yàn)

2.1 材料制備

碳包埋法所用原料為CaCO3(99.99%)、Al2O3(99.99%)、Eu2O3(99.9%)。首先，按照一定的化學(xué)計(jì)量比準(zhǔn)確量取初始原料，將其放入瑪瑙研缽中，加入適量的無(wú)水乙醇作為分散劑，充分研磨混合物。將研磨后的粉末樣品置于箱式爐，空氣氣氛下850 ℃煅燒6 h，冷卻至室溫后再次進(jìn)行研磨。然后將空氣中煅燒后的粉末樣品放入石墨坩堝內(nèi)，再將半密封的石墨坩堝放入氧化鋁坩堝中，并在石墨坩堝和氧化鋁坩堝的縫隙部分填入碳粉。將加蓋的氧化鋁坩堝放在高溫爐內(nèi)，1 600 ℃煅燒1 h；冷卻至室溫后取出燒結(jié)的陶瓷樣品，經(jīng)研磨后得到C12A7∶x%Eu2+粉末樣品。

2.2 樣品表征

采用日本理學(xué)公司生產(chǎn)的D/max-RA型X射線衍射儀表征樣品的結(jié)構(gòu)和組分。樣品的激發(fā)和發(fā)射光譜采用日本島津公司生產(chǎn)的RF-5301pc型熒光分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)試。采用FEI公司生產(chǎn)的The Quanta FEG型掃描電子顯微鏡表征樣品的尺寸和晶粒的表面形貌。采用裝配在掃描電子顯微鏡設(shè)備上的能譜儀進(jìn)行樣品的能譜和元素分析。樣品的漫反射吸收光譜采用日本島津公司生產(chǎn)的UV-3600型紫外可見近紅外分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)試。采用掃描電子顯微鏡設(shè)備的附件MonoCL4進(jìn)行樣品的陰極射線發(fā)光譜測(cè)試。所有測(cè)試均在室溫下進(jìn)行。

3 結(jié)果與討論

3.1 結(jié)構(gòu)表征

圖1給出了碳包埋方法制備的具有不同銪摻雜濃度的C12A7∶x%Eu2+(x=0.1,0.5,1.0,1.5)粉末樣品的XRD譜。由圖中可以看出，當(dāng)Eu2+的摻雜濃度小于等于1.5%時(shí)，C12A7∶x%Eu2+粉末樣品的XRD衍射峰皆與標(biāo)準(zhǔn)卡片的數(shù)據(jù)完全符合。在XRD譜中無(wú)相關(guān)稀土氧化物或其他雜質(zhì)峰的出現(xiàn)，表明所制備的不同Eu2+濃度的樣品皆為純相，Eu2+已均勻摻入到基質(zhì)晶格中。由于Eu2+離子半徑(0.117 nm，CN為6)與Ca2+離子半徑(0.099 nm，CN為6)相近，大于Al3+離子半徑(0.039 nm，CN為4)[19]，因此，Eu2+摻入晶格時(shí)，取代晶格中Ca2+的格位，這與其他已報(bào)道的結(jié)果相一致[20-21]。我們的前期工作表明[22-24]，當(dāng)三價(jià)稀土離子摻雜濃度大于1.0%時(shí)，將會(huì)出現(xiàn)與稀土氧化物相關(guān)的雜相。而C12A7∶Eu2+樣品的稀土離子摻雜濃度較大，這可能與摻雜的二價(jià)稀土離子(Eu2+)與Ca2+離子化合價(jià)相同、無(wú)電荷補(bǔ)償效應(yīng)有關(guān)。

圖1 不同銪摻雜濃度的C12A7∶x%Eu2+(x=0.1,0.5,1.0,1.5)粉末樣品的XRD譜

Fig.1 XRD patterns of C12A7∶x%Eu2+(x=0.1, 0.5, 1.0, 1.5) powders with different Eu2+concentrations

3.2 光譜分析及形貌表征

圖2為碳包埋方法制備的不同銪摻雜濃度的C12A7∶x%Eu2+(x=0.1, 0.5, 1.0, 1.5)粉末樣品的發(fā)射光譜和C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品的激發(fā)光譜。在254 nm的紫外光激發(fā)下，隨著銪摻雜濃度的增加，可以觀察到在444 nm附近出現(xiàn)一個(gè)較寬的強(qiáng)藍(lán)光發(fā)射峰，其對(duì)應(yīng)于Eu2+的4f65d1-4f7躍遷[25]。從圖中可以發(fā)現(xiàn)，藍(lán)光發(fā)射峰的發(fā)光強(qiáng)度隨銪摻雜濃度呈現(xiàn)先升高后降低的趨勢(shì)；當(dāng)銪摻雜濃度為1.0%時(shí)，發(fā)光強(qiáng)度最大；繼續(xù)增加摻雜濃度，由于發(fā)生濃度猝滅效應(yīng)，樣品的發(fā)光強(qiáng)度減弱。此外，在254 nm的紫外光激發(fā)下，在發(fā)射光譜中可觀察到位于586 nm和613 nm附近的兩個(gè)較銳利的紅光發(fā)射峰，其分別對(duì)應(yīng)于Eu3+的5D0-7F1和5D0-7F2躍遷[26]，這說(shuō)明碳包埋方法制備的C12A7∶Eu粉末樣品中仍然含有Eu3+離子。另外，來(lái)源于Eu2+的藍(lán)光發(fā)射的強(qiáng)度遠(yuǎn)大于來(lái)源于Eu3+的紅光發(fā)射的強(qiáng)度，這進(jìn)一步說(shuō)明大部分Eu3+離子在CO還原氣氛下已被還原成Eu2+離子。

當(dāng)監(jiān)測(cè)444 nm的藍(lán)光發(fā)射時(shí)，C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品的激發(fā)光譜在220～380 nm范圍內(nèi)存在兩個(gè)激發(fā)帶，峰值分別位于254 nm和320 nm附近，其對(duì)應(yīng)于Eu2+的4f7→4f65d1躍遷吸收。因?yàn)镋u2+占據(jù)了C12A7中Ca2+的八面體格位，所以上述兩個(gè)激發(fā)帶分別對(duì)應(yīng)于4f7(8S7/2)-4f65d1(eg)和4f7(8S7/2)-4f65d1(t2g)的躍遷[25]。綜上所述，依據(jù)碳包埋方法制備的粉末樣品的XRD譜和發(fā)射光譜的分析，選擇Eu2+摻雜濃度為1.0%的粉末樣品進(jìn)行隨后的進(jìn)一步性能優(yōu)化處理。

圖2 具有不同銪摻雜濃度的C12A7∶x%Eu2+(x=0.1,0.5,1.0,1.5)粉末樣品的發(fā)射光譜(λex=254 nm)和激發(fā)光譜(λem=444 nm)

Fig.2 Emission spectra (λex=254 nm) and excitation spectra (λem=444 nm) of C12A7∶x%Eu2+powders with different Eu2+concentrations(x=0.1, 0.5, 1.0, 1.5)

圖3(a)給出了碳包埋方法制備的C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品的掃描電子顯微鏡圖像。測(cè)試前，粉末樣品未進(jìn)行噴金處理，但仍然得到了清晰的電鏡圖像，說(shuō)明碳包埋方法制備的粉末樣品具有良好的導(dǎo)電性。研磨后，樣品的粒徑尺寸約為3～7 μm，這與已報(bào)道的結(jié)果相一致[27]。圖3(b)～(f)是C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品的能譜圖(b)以及氧(c)、鋁(d)、鈣(e)、銪(f)的元素mapping圖?？梢杂^察到，制備的粉末樣品中含有O、Al、Ca以及Eu的信號(hào)且各元素在樣品中均勻分布，計(jì)算得到的Eu含量為1.18%，和Eu的名義摻雜濃度1.0%比較接近。

圖3 C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品的掃描電子顯微鏡圖像(a)、能譜圖(b)以及氧(c)、鋁(d)、鈣(e)、銪(f)的元素mapping圖。

Fig.3 SEM image(a) and EDS(b) of C12A7∶1.0%Eu2+powders. Elemental mapping of O(c), Al(d), Ca(e) and Eu(f) of C12A7∶1.0%Eu2+powders.

圖4給出了碳包埋方法制備的C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品的吸收光譜。由吸收光譜可以發(fā)現(xiàn)，在2.80 eV附近存在一個(gè)明顯的吸收帶，其可歸因于C12A7基質(zhì)中存在的類F+色心，即游離于框架之外的氧離子被電子所取代，產(chǎn)生了困陷于籠中的電子。隨著困陷于籠中的電子濃度的增加，使得C12A7從絕緣體逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體或?qū)w，樣品的表面顏色也會(huì)由白色轉(zhuǎn)變?yōu)榫G色或黑色[14]。利用經(jīng)驗(yàn)公式，可以得到困陷于籠中的電子濃度Ne[15]：

(1)

困陷于籠中電子的產(chǎn)生是由于在高溫、碳包埋條件下會(huì)在晶粒的表面發(fā)生如下反應(yīng)[28]：

CO(gas)+O2-(cage)→2e-(cage)+CO2(gas),

(2)

即CO氣體與游離于C12A7晶格框架外的氧離子基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)生成了困陷于籠中的電子和CO2氣體。與此同時(shí)，Eu3+還原成Eu2+的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程如下[16]：

(3)

(4)

(5)

在碳包埋(還原氣氛)條件下，位于熒光粉晶粒表面籠中的O2-會(huì)反應(yīng)生成氧氣分子和困陷于籠中的電子，然后，生成的籠中電子會(huì)擴(kuò)散到晶粒內(nèi)部與位于Ca2+格位上的Eu3+離子發(fā)生反應(yīng)，生成Eu2+離子；同時(shí)，反應(yīng)生成的氧氣會(huì)與CO反應(yīng)，生成CO2氣體。

由此可見，碳包埋方法制備的C12A7∶Eu2+中可直接引入困陷于籠中的電子而不涉及更多互相競(jìng)爭(zhēng)的還原過(guò)程，由此解決了燃燒法或固相燒結(jié)法結(jié)合氫氣氣氛下熱處理技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)Eu2+與困陷于籠中的電子共存的問(wèn)題。

圖4 C12A7∶1.0%Eu2+樣品的漫反射吸收光譜及壓片樣品的照片(插圖)

Fig.4 Absorption spectrum of C12A7∶1.0%Eu2+powders and the photo of C12A7∶1.0%Eu2+pellet(in the inset)

3.3 空氣氣氛下熱處理對(duì)粉末樣品發(fā)光與導(dǎo)電性能的影響

我們的前期工作表明，當(dāng)三價(jià)稀土離子摻雜的C12A7的籠子中含有不同的籠中陰離子時(shí)，其籠子的畸變程度會(huì)不同，即位于畸變籠子近鄰的稀土離子的局域?qū)ΨQ性會(huì)發(fā)生改變。發(fā)光中心局域環(huán)境對(duì)稱性的變化將導(dǎo)致三價(jià)稀土離子的發(fā)光強(qiáng)度也發(fā)生改變，即當(dāng)籠中陰離子為電子時(shí)，發(fā)光中心局域環(huán)境對(duì)稱性變高，輻射躍遷速率較小，導(dǎo)致稀土離子發(fā)光相對(duì)較弱；相反，當(dāng)籠中陰離子為O2-離子時(shí)，發(fā)光中心局域環(huán)境對(duì)稱性變低，輻射躍遷速率增大，此時(shí)稀土離子發(fā)光相對(duì)較強(qiáng)[29]。由于Eu2+的d-f躍遷相對(duì)于三價(jià)稀土離子的f-f躍遷對(duì)外部環(huán)境更加敏感，可以預(yù)期：在空氣氣氛下對(duì)C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品進(jìn)行熱處理，即通過(guò)減少困陷于籠中的電子濃度(也就是增加困陷于籠中的O2-濃度)，可進(jìn)一步提高樣品的發(fā)光強(qiáng)度。

圖5給出了C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品在空氣氣氛下經(jīng)不同溫度熱處理10 min后的發(fā)射光譜。在254 nm的紫外光激發(fā)下，隨著退火溫度從150 ℃增加到225 ℃，可以觀察到位于444 nm的藍(lán)光發(fā)射峰的發(fā)光強(qiáng)度呈現(xiàn)一直增加的趨勢(shì)，這與困陷于籠中的電子數(shù)減少有關(guān)。即在空氣中對(duì)樣品進(jìn)行熱處理，將發(fā)生困陷于籠中的電子氧化，產(chǎn)生困陷于籠中的氧離子基團(tuán)，反應(yīng)如下[28]：

4e-(cage)+ O2(atmosphere) → 2O2-(cage).

(6)

根據(jù)相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道，當(dāng)熱處理溫度在125～225 ℃范圍內(nèi)時(shí)，隨著空氣氣氛下熱處理溫度的升高，樣品的導(dǎo)電性將降低[28,30]。我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)一步說(shuō)明，Eu2+的d-f躍遷對(duì)外部環(huán)境比較

圖5 在空氣氣氛下，在不同溫度下熱處理10 min的C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品的發(fā)射光譜(λex=254 nm)。

Fig.5 Emission spectra(λex=254 nm) of C12A7∶1.0%Eu2+powders annealed in air at different temperatures for 10 min

敏感。在空氣氣氛下熱處理后，隨著困陷于籠中的電子濃度的減少(即困陷于籠中的O2-離子濃度的增加)，與Eu2+的5d-4f躍遷相關(guān)的發(fā)光強(qiáng)度將會(huì)增大。此外，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)經(jīng)225 ℃熱處理10 min的樣品發(fā)光最強(qiáng)，說(shuō)明在該溫度下未發(fā)生Eu2+到Eu3+的氧化過(guò)程，因此將后續(xù)熱處理的溫度設(shè)定為225 ℃。

圖6為碳包埋方法制備的C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品在空氣氣氛下225 ℃溫度下經(jīng)不同時(shí)間熱處理后的發(fā)射光譜。從圖中可以看出，隨著熱處理時(shí)間從5 min增加到30 min，樣品的藍(lán)光發(fā)射強(qiáng)度逐漸增大。這說(shuō)明在空氣氣氛下225 ℃熱處理C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品，將繼續(xù)發(fā)生困陷于籠中的電子氧化，產(chǎn)生困陷于籠中的氧離子基團(tuán)。

圖6 在空氣氣氛下,225 ℃溫度下熱處理不同時(shí)間的C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品的發(fā)射光譜(λex=254 nm)。

Fig.6 Emission spectra (λex=254 nm) of C12A7∶1.0%Eu2+powders annealed in air at 225 ℃ for different times

3.4 空氣氣氛下熱處理?xiàng)l件對(duì)粉末樣品陰極射線發(fā)光性能的影響

圖7(a)給出了在空氣氣氛下225 ℃溫度下熱處理不同時(shí)間的C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品的陰極射線發(fā)光譜。從圖中可以觀察到，在5 kV的低壓電子束激發(fā)下，Eu2+的藍(lán)光發(fā)射峰的陰極射線發(fā)光強(qiáng)度隨著熱處理時(shí)間增加，呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì)。當(dāng)熱處理時(shí)間為10 min時(shí)，陰極射線發(fā)光強(qiáng)度最大?？梢园l(fā)現(xiàn)，陰極射線發(fā)光強(qiáng)度與光致發(fā)光強(qiáng)度對(duì)熱處理時(shí)間的依賴關(guān)系呈現(xiàn)不同的變化規(guī)律。這是因?yàn)椋簩?duì)于C12A7基質(zhì)材料，當(dāng)困陷于籠中的電子濃度超過(guò)1018cm-3時(shí)，在價(jià)帶、導(dǎo)帶之間將會(huì)出現(xiàn)一個(gè)新的能帶，即“籠腔導(dǎo)帶”。當(dāng)困陷于籠中的電子濃度降低時(shí)，導(dǎo)電熒光粉傳輸電子的能力也會(huì)減弱[28]，隨著熱處理時(shí)間的增加，導(dǎo)電熒光粉中困陷于籠中的電子濃度減少，電子的傳導(dǎo)能力變差，在低壓電子束激發(fā)下克服電荷積累效應(yīng)的能力降低，而電荷積累效應(yīng)的存在會(huì)導(dǎo)致陰極射線發(fā)光強(qiáng)度降低；同時(shí)隨著熱處理時(shí)間的增加，困陷于籠中的氧離子基團(tuán)的數(shù)目增加，使發(fā)光中心(稀土離子)局域環(huán)境對(duì)稱性變低，輻射躍遷速率增大，此時(shí)稀土離子發(fā)光相對(duì)較強(qiáng)[29]，這將導(dǎo)致陰極射線發(fā)光強(qiáng)度增大。兩種變化趨勢(shì)的綜合效果體現(xiàn)為在某一熱處理時(shí)間條件下，陰極射線發(fā)光強(qiáng)度最大。圖7(b)給出了在空氣氣氛下225 ℃溫度下熱處理10 min的C12A7∶1.0%Eu2+樣品的陰極射線發(fā)光色坐標(biāo)圖，其色坐標(biāo)值為(0.17, 0.08)，處于藍(lán)光區(qū)。我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，銪摻雜七鋁酸十二鈣藍(lán)光發(fā)射導(dǎo)電熒光粉在低壓場(chǎng)發(fā)射顯示器件中具有潛在的應(yīng)用前景。

圖7 (a)在空氣氣氛下，225 ℃溫度下熱處理不同時(shí)間的C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品的陰極射線發(fā)光譜;(b)在空氣氣氛下，225 ℃溫度下熱處理10 min的C12A7∶1.0%Eu2+樣品的色坐標(biāo)圖。

Fig.7 (a) CL spectra of C12A7∶1.0%Eu2+powders annealed in air at 225 ℃ for different times. (b) CIE of C12A7∶1.0%Eu2+powders annealed in air at 225 ℃ for 10 min.

4 結(jié) 論

本文采用碳包埋方法制備了不同Eu2+摻雜濃度的七鋁酸十二鈣(C12A7∶x%Eu2+)導(dǎo)電熒光粉，研究了空氣氣氛下熱處理?xiàng)l件對(duì)導(dǎo)電熒光粉的光致發(fā)光強(qiáng)度和陰極射線發(fā)光強(qiáng)度的影響。在254 nm的紫外光激發(fā)下，觀察到Eu2+摻雜濃度為1.0%的樣品位于444 nm的藍(lán)光寬帶發(fā)射峰具有最大的發(fā)射強(qiáng)度。計(jì)算C12A7∶1.0%Eu2+粉末樣品困陷于籠中的電子濃度為3.40×1019cm-3。在空氣氣氛下對(duì)C12A7∶1.0%Eu2+樣品進(jìn)行熱處理，通過(guò)減少困陷于籠中的電子濃度，即增加困陷于籠中的O2-離子濃度，可進(jìn)一步提高樣品的發(fā)光強(qiáng)度。對(duì)熱處理后的樣品進(jìn)行了陰極射線發(fā)光譜測(cè)試，結(jié)果表明，銪摻雜七鋁酸十二鈣藍(lán)光發(fā)射導(dǎo)電熒光粉可克服電荷積累效應(yīng)，在低壓場(chǎng)發(fā)射顯示器件中有潛在的應(yīng)用前景。