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      小尺寸金石墨納米顆粒的合成與表征

      2019-06-27 09:40:10劉芳張魯鳳董倩陳卓
      物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2019年6期
      關(guān)鍵詞:曼光譜二氧化硅拉曼

      劉芳,張魯鳳,董倩,陳卓

      湖南大學(xué)化學(xué)生物傳感與計(jì)量學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,長沙 410082

      1 引言

      表面增強(qiáng)拉曼散射(SERS)自發(fā)現(xiàn)以來,已被廣泛應(yīng)用在單分子檢測1,2、生物醫(yī)學(xué)診斷3,4、環(huán)境監(jiān)控5,6等領(lǐng)域。等離子體納米顆粒,如金、銀納米粒子,因?yàn)槠涔逃薪殡姾瘮?shù),納米級尺寸和等離子體振蕩特性展現(xiàn)出獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì)7,被廣泛應(yīng)用在生物醫(yī)學(xué)納米技術(shù)中。在十到數(shù)百納米的尺寸范圍內(nèi),來自金屬納米顆粒表面的電子和來自入射光的光子耦合產(chǎn)生局域表面等離子體共振(LSPR)效應(yīng),增強(qiáng)了納米顆粒附近的電磁場,這種高的電磁場能極大的增強(qiáng)分析物的拉曼信號8。因此等離子體納米平臺被用作拉曼信號放大器,使SERS成為了超靈敏的檢測工具。等離子體金屬基底的制備一直是過去幾十年的研究熱點(diǎn)9-14,然而開發(fā)的金屬基底通常穩(wěn)定性和重現(xiàn)性差,因此制備穩(wěn)定的等離子體金屬納米基底仍是一個(gè)挑戰(zhàn)15。

      自從2004年Novoselov等16在石墨中分離出石墨烯以來,大量的研究工作一直致力于石墨烯和石墨烯復(fù)合材料的研究與應(yīng)用17,18。石墨烯是一種無限延伸的二維碳晶體,是由碳原子緊密排列形成的蜂窩網(wǎng)狀六角平面晶體19。石墨烯具有大的比表面積,高透明度,優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和柔韌性,良好的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性以及優(yōu)異的電子性能等20。除了這些優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)外,2009年報(bào)道發(fā)現(xiàn)其具有石墨烯增強(qiáng)拉曼散射(GERS)21,因此將它和等離子體納米粒子結(jié)合能夠有效地提高SERS性能。與等離子體金屬納米顆粒的SERS基底相比,除了化學(xué)增強(qiáng)作用,石墨烯同時(shí)具備表面分子富集、猝滅熒光、表面高度均勻、強(qiáng)的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)。因此石墨金屬復(fù)合納米材料制備的SERS基底,受到各國研究人員的關(guān)注22-25。

      本文通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法合成小尺寸的具有核殼結(jié)構(gòu)的金石墨納米顆粒(Au@G),其粒徑約為17 nm。Au@G中內(nèi)核的Au NP具有拉曼增強(qiáng)作用,石墨化的外層保證了材料的穩(wěn)定性并且其大的比表面積又具有很強(qiáng)的富集功能,是一種較理想的SERS基底。通過CVD法制備得到的Au@G表面潔凈,拉曼光譜峰獨(dú)特,在分子檢測與細(xì)胞內(nèi)的成像分析等領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛能。

      2 實(shí)驗(yàn)部分

      2.1 試劑與儀器

      正硅酸乙酯(TEOS)購于阿拉??;十四烷基三甲基溴化銨(TTAB)、硼氫化鈉(NaBH4)購于國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;氫氧化鈉(NaOH)、氯金酸(HAuCl4)、氫氟酸(HF)、乙醇購于長沙試劑公司;結(jié)晶紫(CV)、C18-PEG購于Sigma Aldrich。所有試劑均為分析純,實(shí)驗(yàn)用水均來自Milli-Q Integral System的超純水(電阻率> 18 M?·cm)。

      JEOL 2010透射電子顯微鏡(日本電子株式會社),Zeta sizer Nano ZS90激光粒度儀(英國馬爾文儀器有限公司),UV 2450紫外分光光度計(jì)(日本島津公司),Invia-reflex激光共聚焦拉曼光譜儀(英國雷尼紹公司)。

      2.2 實(shí)驗(yàn)部分

      2.2.1 合成TTAB穩(wěn)定的金溶膠

      TTAB溶液(12.5 mL,100 mmol·L-1)與29.5 mL水混合,室溫?cái)嚢钘l件下加入HAuCl4(5 mL,10 mmol·L-1)溶液,并繼續(xù)攪拌10 min。將溶液在攪拌條件下加熱到50 °C,緩慢加入冰的NaBH4溶液(3 mL,500 mmol·L-1),50 °C下攪拌反應(yīng)15 h。

      2.2.2 合成Au@m-SiO2

      Au@m-SiO2通過模板法合成26,取18 mL TTAB穩(wěn)定的金溶膠,加入TTAB溶液(162 mL,0.15 mmol·L-1),混合均勻,然后加入NaOH溶液(0.9 mL,1 mmol·L-1)調(diào)節(jié)pH至11.4,加入TEOS溶液(0.4-1.5 mL),在25 °C下攪拌反應(yīng)3 h。

      2.2.3 合成Au@G

      Au@m-SiO2溶液分別用水、乙醇離心洗滌(12000 r·min-1,5 min),洗去多余的TTAB,并在60 °C下干燥得到固體。將固體研磨成粉末并在550 °C下煅燒3 h。然后稱取適量粉末放入CVD管式爐中,于1000 °C下在CH4與H2氣氛下進(jìn)行化學(xué)氣相沉積,得到的產(chǎn)物冷卻至室溫后加入HF酸處理去除二氧化硅模板并用超純水洗至中性,最后加入C18-PEG超聲分散。

      2.2.4 TEOS濃度優(yōu)化

      在合成Au@m-SiO2這一步時(shí),改變加入TEOS的體積,TEOS濃度為7.7、6.2、5.1、3.1、2.1 mg·mL-1分別對應(yīng)加入TEOS的體積為1.5、1.2、1.0、0.6、0.4 mL。反應(yīng)其他條件不變。

      2.2.5 結(jié)晶紫(CV)分子的檢測

      CV的SERS光譜:取10 μL Au@G與CV混合溶液(CV,3 μmol·L-1)滴于玻片上,室溫干燥后進(jìn)行拉曼測試(532 nm,10%激光功率,曝光時(shí)間1 s,累積1次)。

      CV拉曼光譜:取10 μL CV水溶液(10μmol·L-1)滴于玻片上,室溫干燥后進(jìn)行拉曼測試(532 nm,10%激光功率,曝光時(shí)間1 s,累積5次)。

      3 結(jié)果與討論

      3.1 透射電子顯微鏡分析

      在TTAB作為保護(hù)劑條件下,利用NaBH4還原HAuCl4得到了粒徑在7 nm左右的Au NP,如圖1a、b,可以看出所合成的Au NP粒徑較為均一。

      在合成的TTAB保護(hù)的金溶膠中,以TEOS為原料,TTAB為模板,在Au NP上包覆了介孔二氧化硅層(Au@m-SiO2)。圖1c、d是Au@m-SiO2的透射電子顯微鏡(TEM)圖像,可以看出Au NP的尺寸沒有太大變化,在9 nm左右,包覆的介孔二氧化硅層的厚度約為45 nm。

      圖1 Au NP, Au@m-SiO2, Au@G的透射電子顯微鏡圖像Fig. 1 TEM images of Au NP, Au@m-SiO2,Au@G.(a, b) TEM images of Au NP; scale bar, (a) 50 nm, (b) 20 nm.(c, d) TEM images of Au@m-SiO2; scale bar, (c) 50 nm, (d) 20 nm.TEM (e) and HR-TEM (f) images of Au@G; scale bar, 20 nm and 5 nm.

      將得到的Au@m-SiO2通過CVD法在Au NP上生長石墨化的碳層,之后將得到的產(chǎn)物用HF刻蝕去掉二氧化硅模板,得到金石墨納米顆粒(Au@G)。圖1e是Au@G的TEM圖像,Au NP的尺寸明顯增大,尺寸約為17 nm。在CVD沉積石墨階段,反應(yīng)溫度達(dá)1000 °C,Au NP在此溫度下呈熔融狀態(tài),易與周圍金顆粒相互熔合導(dǎo)致尺寸變大,所以Au@m-SiO2盡管有外層介孔二氧化硅的保護(hù),但是尺寸上還是存在一定程度的增大。Au@G是由內(nèi)核的Au NP和外層的石墨殼構(gòu)成,如圖1f是Au@G的高分辨率透射電子顯微鏡(HR-TEM)圖像,可以看出Au NP外部包覆了較薄的石墨化碳層。

      3.2 Au@G的表征

      圖2a是Au NP和Au@G的紫外吸收光譜,Au NP的共振吸收峰在518 nm處,與其TEM上顯示的粒徑尺寸一致。相比Au NP,Au@G的共振吸收峰發(fā)生了紅移出現(xiàn)在523 nm處,說明Au@G的尺寸變大,這與TEM上的分析結(jié)果一致。Au@G的紫外吸收光譜在249 nm處出現(xiàn)了新的吸收峰,對應(yīng)芳香C=C的躍遷,與TEM上分析結(jié)果一致,進(jìn)一步說明石墨化碳層的成功包覆。圖2b是Au@G的Zeta電位測試,Au@G表面帶少量負(fù)電荷(-4.7 mV),其表面的負(fù)電荷可能是由于在石墨生長過程中引入了少量的含氧基團(tuán)。圖2c是Au@G的拉曼光譜,其中1350 cm-1為D峰,D峰為石墨中sp2雜化碳原子的環(huán)呼吸振動模式,表現(xiàn)的是碳晶格的無序和缺陷。G峰在1600 cm-1,G峰是石墨sp2雜化碳原子的面內(nèi)振動模式。

      圖2 所合成的Au@G的表征Fig. 2 Characterization of synthesized Au@G.(a) UV-Vis spectra of Au NP (red line) and Au@G (blue line). (b) Zeta potential of Au@G. (c) Raman spectrum of Au@G.

      3.3 TEOS濃度對合成Au@G的影響

      在制備Au@G過程中,為避免CVD高溫反應(yīng)過程中Au NP互相熔合,而導(dǎo)致其尺寸難以控制,我們在Au NP上包覆了一層介孔二氧化硅,但是二氧化硅層的厚度也會對石墨化碳層的沉積產(chǎn)生影響。二氧化硅層的厚度通過TEOS的濃度來控制,因此我們研究了TEOS的濃度對CVD生長過程中石墨化碳層沉積的影響。圖3a是不同濃度下TEOS所制得Au@G的紫外吸收光譜。從圖中可以看出,所有條件下合成的Au@G的共振吸收峰都在相同區(qū)域。說明在試驗(yàn)中所使用的濃度范圍內(nèi),不同濃度的TEOS條件下所形成的二氧化硅層都能夠?qū)u NP很好的包覆,在CVD反應(yīng)過程起到了保護(hù)尺寸的作用。圖3b是不同濃度TEOS所制得Au@G的拉曼光譜。從圖中看出,隨TEOS濃度的降低,所制得Au@G的G峰變得尖銳且G峰與D峰強(qiáng)度比值增加。而G峰對應(yīng)石墨結(jié)構(gòu)的峰,D峰為晶格的缺陷峰,說明TEOS的濃度降低,石墨化程度增高。TEOS濃度降低,導(dǎo)致所合成的二氧化硅層變薄,使Au@m-SiO2在CVD生長過程中,高溫裂解的C原子能更容易的接觸到金顆粒表面,最終得到石墨化程度高的Au@G。所以在試驗(yàn)所用的濃度范圍內(nèi),不同濃度的TEOS對Au@G的尺寸影響不大,但是TEOS濃度的降低有利于合成石墨化程度高的Au@G。

      3.4 結(jié)晶紫分子的檢測

      使用CVD法來生長石墨,這種高溫制備方法得到的金石墨納米顆粒幾乎沒有雜質(zhì),拉曼光譜中也只有石墨的特征峰,與直接使用Au NP來進(jìn)行SERS分析相比干擾更小。Au@G內(nèi)核是Au NP,具有LSPR效應(yīng),能夠作為SERS基底進(jìn)行分子檢測。Au@G的石墨化外殼還能進(jìn)行分析物的表面富集,能夠進(jìn)一步提高SERS檢測靈敏度。因此,我們利用Au@G作為SERS基底對結(jié)晶紫(CV)進(jìn)行了拉曼測試(圖4a)。Au@G能夠明顯增強(qiáng)CV的拉曼信號,除了石墨的D、G峰之外都是CV的特征峰(805、913、1171、1360 cm-1等),分析待測物的拉曼圖譜較為簡單。將CV位于1171 cm-1處的拉曼峰(圖4a中箭頭處)的強(qiáng)度進(jìn)行量化,得到圖4b,根據(jù)公式EF = (ISERS/IRaman) × (CRaman/CSERS)計(jì)算得到(I是CV在1171 cm-1處的拉曼峰強(qiáng)度,C代表CV濃度),Au@G對CV的增強(qiáng)超過200倍。

      圖3 TEOS濃度對Au@G合成的影響Fig. 3 Influence of TEOS concentration to the synthesis of Au@G.(a) UV-Vis spectra of Au@G synthesized with different concentrations of TEOS. (b) Raman spectra of Au@G synthesized with different concentrations of TEOS.

      圖4 CV分子的拉曼檢測Fig. 4 Raman detection of CV molecules.(a) Raman detection of 3 μmol·L-1 CV with Au@G (red line) and 10 μmol·L-1 CV without Au@G (black line).(b) Corresponding quantitative data analysis of (a).

      4 結(jié)論

      本文通過CVD法制備了小尺寸的Au@G,通過在Au NP上包覆介孔二氧化硅層,來控制Au@G的尺寸,最終得到的Au@G粒徑約為17 nm。此外,我們研究了反應(yīng)過程中TEOS的濃度對合成Au@G的影響。結(jié)果表明在試驗(yàn)所用TEOS濃度范圍內(nèi),TEOS的濃度變化對Au@G的粒徑影響不大,但是降低TEOS濃度能得到石墨化程度更高的Au@G。通過CVD制備得到的小尺寸Au@G表面潔凈,拉曼光譜峰簡單,具有內(nèi)核Au NP的增強(qiáng)作用,外層石墨化碳層保證了材料的穩(wěn)定性,是一種增強(qiáng)效果較好的SERS基底。利用Au@G作為SERS基底對CV進(jìn)行檢測,CV的信號有明顯增強(qiáng),表明Au@G在分子檢測與細(xì)胞內(nèi)的成像分析等方面具有很大的應(yīng)用潛力。

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