風(fēng)電變流器IGBT模塊通斷延遲時(shí)間結(jié)溫探測模型研究

姚?芳，馬?靜，張彧碩，唐圣學(xué)，黃?凱，李志剛

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風(fēng)電變流器IGBT模塊通斷延遲時(shí)間結(jié)溫探測模型研究

姚?芳1，馬?靜1，張彧碩2，唐圣學(xué)1，黃?凱1，李志剛1

(1. 省部共建電工裝備可靠性與智能化國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(河北工業(yè)大學(xué))，天津 300130；2. 河北工業(yè)大學(xué)實(shí)驗(yàn)實(shí)訓(xùn)中心，天津 300130)

針對(duì)風(fēng)電變流器中絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)開關(guān)，研究基于通斷延遲時(shí)間風(fēng)電變流器IGBT模塊結(jié)溫探測方法．首先，從半導(dǎo)體物理機(jī)理視角分析了通斷延遲時(shí)間的溫敏機(jī)理和溫敏特性，明確了本征載流子濃度、電流增益和載流子遷移率等影響通斷延遲時(shí)間的物理因素．然后，設(shè)計(jì)IGBT模塊的動(dòng)態(tài)測試試驗(yàn)，測試不同母線電壓或不同集電極電流條件下，通斷延遲時(shí)間與結(jié)溫的關(guān)系，并對(duì)試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分析．動(dòng)態(tài)測試試驗(yàn)采用雙脈沖法二極管鉗位電路，提高通斷過程?hào)艠O電壓和集電極電流的動(dòng)態(tài)特性測試精度，采用恒溫控制底板加熱設(shè)備，控制IGBT芯片溫度．再后，對(duì)IGBT模塊開關(guān)過程中不同結(jié)溫下集電極電流和柵極電壓波形進(jìn)行分析，考慮電壓電流影響的條件下，建立了基于開通及關(guān)斷延遲時(shí)間的結(jié)溫探測模型，并對(duì)比研究了模型精度．結(jié)果表明，基于關(guān)斷延遲時(shí)間的結(jié)溫探測精度較高、穩(wěn)定性更強(qiáng)，且母線電壓越高或者集電極電流越低，則關(guān)斷延遲時(shí)間越大．最后，建立了基于關(guān)斷延遲時(shí)間的IGBT結(jié)溫探測模型，該模型考慮電壓和電流影響，擬合精度高，平均相對(duì)誤差小，可用于熱平衡態(tài)風(fēng)電變流器的IGBT模塊的工作結(jié)溫探測．

風(fēng)電變流器；IGBT模塊；結(jié)溫；通斷延遲時(shí)間

近年來隨著可再生能源的大幅度推廣和發(fā)展，風(fēng)能成為技術(shù)相對(duì)成熟、有大規(guī)模開發(fā)條件且具有發(fā)展前景的可再生能源[1-2]，而風(fēng)電機(jī)組及其主要功率器件的可靠性問題得到廣泛的關(guān)注和研究[3-4]．

風(fēng)電變流器是風(fēng)電機(jī)組與電網(wǎng)連接的關(guān)鍵控制通道，其核心IGBT功率開關(guān)模塊的可靠性對(duì)變流器、風(fēng)電機(jī)組甚至整個(gè)風(fēng)電系統(tǒng)的安全運(yùn)行至關(guān)重?要[5]．而結(jié)溫是反映和影響功率半導(dǎo)體器件運(yùn)行安全性及健康狀態(tài)的關(guān)鍵因素．風(fēng)速不穩(wěn)定性、間歇性和準(zhǔn)周期性使風(fēng)電IGBT模塊承載復(fù)雜的功率應(yīng)力沖擊，進(jìn)而導(dǎo)致結(jié)溫往復(fù)波動(dòng)使得模塊各層結(jié)構(gòu)承受熱應(yīng)力循環(huán)[6]．由于模塊各層導(dǎo)熱系數(shù)不同，導(dǎo)致不同層材料往復(fù)膨脹收縮并不斷退化，最終使得IGBT模塊失效甚至對(duì)風(fēng)電變流系統(tǒng)產(chǎn)生破壞性影響[7]．因此，研究風(fēng)電工況IGBT模塊結(jié)溫探測方法對(duì)器件本身以及風(fēng)電變流器的健康狀態(tài)和可靠性有重要影響.

目前國內(nèi)外關(guān)于結(jié)溫探測方法的研究已經(jīng)有一定的成果，溫敏參數(shù)法因其無需拆封器件、可在線測量且精度較高得到廣泛的研究和應(yīng)用[8-10]．常用的溫敏參數(shù)有閾值電壓th、短路電流SC、集射極飽和壓降CEsat等[11]．文獻(xiàn)[12-13]研究了一種以集射極飽和壓降為溫敏參數(shù)建立實(shí)時(shí)結(jié)溫探測模型方法，詳細(xì)介紹了測試電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和探測方法．文獻(xiàn)[14]探討了一種基于IGBT模塊開通過程中米勒平臺(tái)電壓高度的結(jié)溫探測方法，并通過試驗(yàn)驗(yàn)證其可行性．文獻(xiàn)[15]建立了一種基于電壓對(duì)電流變化率的結(jié)溫在線監(jiān)測模型，發(fā)現(xiàn)電壓對(duì)電流變化率與結(jié)溫存在正相關(guān)關(guān)系．現(xiàn)階段以開通或關(guān)斷延遲時(shí)間進(jìn)行結(jié)溫探測的研究仍較少[16-17]．相關(guān)文獻(xiàn)并未對(duì)開通或關(guān)斷延遲時(shí)間兩種參數(shù)進(jìn)行充足的試驗(yàn)分析和對(duì)比研究，對(duì)于參數(shù)測試的影響因素分析不夠全面．

本文針對(duì)現(xiàn)階段仍存在的問題，從半導(dǎo)體物理機(jī)理角度分析了通斷延遲時(shí)間的溫敏特性，發(fā)掘參數(shù)與結(jié)溫之間的本質(zhì)關(guān)系．設(shè)計(jì)了通斷延遲時(shí)間動(dòng)態(tài)測試試驗(yàn)．在考慮電壓與電流因素的影響下，對(duì)比分析了開通或關(guān)斷延遲時(shí)間的結(jié)溫探測精度．研究了考慮電壓電流影響的關(guān)斷延遲時(shí)間結(jié)溫探測模型建模方法．

1 ?通斷延遲時(shí)間理論研究

根據(jù)國標(biāo)GB/T29332—2012，定義開通延遲時(shí)間don為柵極電壓上升至其幅值的10%的時(shí)刻開始至集電極電流上升至其幅值的10%的時(shí)間，上升時(shí)間r為集電極電流值從其幅值的10%上升到90%的時(shí)間．定義關(guān)斷延遲時(shí)間doff為從柵極電壓值下降至其幅值的90%的時(shí)刻開始至集電極電流值下降至其幅值的90%的時(shí)間，下降時(shí)間f為集電極電流值從其幅值的90%下降到10%的時(shí)間．通斷時(shí)間相關(guān)定義如圖1所示．

圖1? 通斷時(shí)間定義

開通時(shí)間on為開通延遲時(shí)間don與上升時(shí)間r的和，關(guān)斷時(shí)間off為關(guān)斷延遲時(shí)間doff與下降時(shí)間f之和，即

1.1 通斷時(shí)間溫敏機(jī)理

根據(jù)半導(dǎo)體物理機(jī)理，開通時(shí)間on和關(guān)斷時(shí)間off可以表示[18]為

式中：G為用戶定義的柵極電阻；GD為柵漏電容；S為電源電壓；F為MOSFET的正向電壓降；GEon為穩(wěn)態(tài)柵射極電壓；j為芯片結(jié)溫；miller(j)為米勒平臺(tái)；ISS為關(guān)斷延遲時(shí)刻的輸入電容；L為流過負(fù)載的穩(wěn)態(tài)電流；msat(j)為夾斷時(shí)的跨導(dǎo)；th(j)為閾值電壓．其中miller(j)、msat(j)及th(j)均為隨溫度變化的溫敏參數(shù)，可分別表示為

(6)

式中：為玻耳茲曼常量；i(j)為隨溫度變化的本征載流子濃度．

1.2?通斷延遲時(shí)間溫敏機(jī)理

根據(jù)半導(dǎo)體物理機(jī)理，開通延遲時(shí)間don可以表示[19]為

式中：GS為柵源電容；GS＋GD為開通延遲時(shí)刻的輸入電容ISS；g＋為用戶定義的柵極正壓．

根據(jù)半導(dǎo)體物理機(jī)理，關(guān)斷延遲時(shí)間doff可以表示[20]為

式中：fs為柵源跨導(dǎo)；GH為柵控電壓；dsmax為溝道電流最大值．

1.3?通斷過程時(shí)間參數(shù)溫敏特性關(guān)系

根據(jù)式(3)～(10)可知，溫度通過對(duì)本征載流子濃度i、電流增益pnp以及載流子遷移率等參量產(chǎn)生物化機(jī)理作用，進(jìn)而影響閾值電壓th和跨導(dǎo)msat，最終在外特性上表現(xiàn)為對(duì)通斷過程的時(shí)間參數(shù)產(chǎn)生影響．總結(jié)通斷時(shí)間on和off與通斷延遲時(shí)間don和doff的溫敏特性關(guān)系如圖2所示，其中變量均隨溫度變化．

圖2 ?通斷過程時(shí)間參數(shù)溫敏特性關(guān)系

2?通斷延遲時(shí)間試驗(yàn)研究

2.1?試驗(yàn)設(shè)計(jì)

2.1.1?試驗(yàn)電路和試驗(yàn)工序設(shè)計(jì)

為研究開通延遲時(shí)間don及關(guān)斷延遲時(shí)間doff與結(jié)溫j、母線電壓C和集電極電流c的關(guān)系，需要設(shè)計(jì)結(jié)溫、母線電壓和集電極電流可控的試驗(yàn)主電路，開通過程和關(guān)斷過程的瞬態(tài)集電極電流c和柵極電壓ge高速觸發(fā)測錄電路，試驗(yàn)工序及其控制器，以及主電路、控制電路和測錄電路間的接口電路．

試驗(yàn)采用帶恒溫控制的底板加熱設(shè)備，控制溫度恒定在設(shè)定值并加熱較長時(shí)間，以確保IGBT模塊3D溫度場各向零梯度、芯片結(jié)溫等于設(shè)定值．

圖3 ?試驗(yàn)電路

測錄設(shè)定結(jié)溫、母線電壓和集電極電流時(shí)通斷過程瞬態(tài)集電極電流c和柵極電壓ge的試驗(yàn)過程，由試驗(yàn)工序控制器按圖4所示工作時(shí)序進(jìn)行協(xié)調(diào)控制，試驗(yàn)工序程序如下：

(1) 設(shè)定結(jié)溫、母線電壓和集電極電流；

(2) 調(diào)節(jié)主電路電源電壓至設(shè)定的母線電壓，開啟底板加熱設(shè)備，加熱至IGBT底板保持設(shè)定的結(jié)溫；

(3) 驅(qū)動(dòng)IGBT和電源光耦開關(guān)SW2導(dǎo)通，電感充電；

(5) 試驗(yàn)電流比較電路輸出低電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)電源光耦開關(guān)W2導(dǎo)通，電感充電；

圖4? 試驗(yàn)控制時(shí)序圖

2.1.2?試驗(yàn)方案設(shè)計(jì)

分別給定50A集電極電流c和200V母線電壓C，設(shè)計(jì)結(jié)溫與母線電壓可控、結(jié)溫與集電極電流可控的兩種試驗(yàn)方案，如表1和表2所示．

表1? 試驗(yàn)方案1，集電極電流c＝50A

Tab.1 ?Test scheme 1，collector current Ic＝50A

表2?試驗(yàn)方案2，母線電壓C＝200V

Tab.2?Test scheme 2，bus voltage VC＝200V

2.2?試驗(yàn)結(jié)果分析

表1和表2所設(shè)計(jì)的24組試驗(yàn)方案下，測試得到開通及關(guān)斷過程的上下橋IGBT瞬態(tài)的集電極電流和柵極電壓．C＝200V、c＝50A試驗(yàn)方案下瞬態(tài)開通和關(guān)斷過程集電極電流c和柵極電壓ge如圖5和圖6所示．

圖5 ?不同結(jié)溫下ic測試波形

圖6? 不同結(jié)溫下vge測試波形

由圖5和圖6可見：開通過程?hào)艠O電壓ge上升至13V并保持一段時(shí)間，集電極電流c平緩上升至50A并趨于穩(wěn)定；關(guān)斷過程?hào)艠O電壓ge由15V快速下降至3V、產(chǎn)生米勒平臺(tái)、波動(dòng)后趨于0V，集電極電流c逐漸下降至0A并趨于穩(wěn)定；關(guān)斷過程ge米勒平臺(tái)高度隨結(jié)溫上升而增高，開通和關(guān)斷過程c隨結(jié)溫增大有規(guī)律性地移動(dòng)．

3?考慮電壓電流影響的結(jié)溫探測模型

3.1?基于開通延遲時(shí)間的結(jié)溫探測

根據(jù)開通延遲時(shí)間定義，從試驗(yàn)方案1(集電極電流50A，母線電壓100V、200V和300V)和試驗(yàn)方案2(母線電壓200V，集電極電流20A、35A和50A)的上下橋IGBT開通及關(guān)斷過程的瞬態(tài)集電極電流c和柵極電壓ge的測試數(shù)據(jù)提取開通延遲時(shí)間．上下橋IGBT開通延遲時(shí)間don與結(jié)溫j的關(guān)系分別如圖7和圖8所示．圖中虛線為實(shí)測曲線，實(shí)線為擬合曲線．

從圖7和圖8擬合曲線走向可知，相同電流不同電壓時(shí)，電壓越大則開通延遲時(shí)間don越??；相同電壓不同電流時(shí)，電流越大則開通延遲時(shí)間don越大．

另外，開通延遲時(shí)間don隨結(jié)溫j的增大而減小，為負(fù)相關(guān)關(guān)系．根據(jù)其擬合結(jié)果可知，所有曲線擬合精度最高為0.83，最低為0.09，12組數(shù)據(jù)平均擬合精度為0.61，說明擬合精度較低，don線性度較差．因此，開通延遲時(shí)間don不適合作為計(jì)算結(jié)溫的溫敏參數(shù)．

圖8 ?下橋IGBT開通延遲時(shí)間tdon與結(jié)溫tj的關(guān)系

3.2?基于關(guān)斷延遲時(shí)間的結(jié)溫探測

根據(jù)關(guān)斷延遲時(shí)間定義，從試驗(yàn)方案1和試驗(yàn)方案2的上下橋IGBT開通及關(guān)斷過程的瞬態(tài)集電極電流c和柵極電壓ge的測試數(shù)據(jù)提取關(guān)斷延遲時(shí)間．上下橋臂IGBT關(guān)斷延遲時(shí)間doff與結(jié)溫j的關(guān)系分別如圖9和圖10所示．

從圖9和圖10擬合曲線走向可知，相同電流不同電壓時(shí)，電壓越大則關(guān)斷延遲時(shí)間doff越大；相同電壓不同電流時(shí)，電流越大則關(guān)斷延遲時(shí)間doff越小.

另外，關(guān)斷延遲時(shí)間doff隨結(jié)溫j的增大而增大，為正相關(guān)關(guān)系．根據(jù)其擬合結(jié)果可知，所有曲線擬合精度最高為0.999，最低為0.990，12組數(shù)據(jù)平均擬合精度為0.995，說明擬合精度較高，doff線性度較好．因此，關(guān)斷延遲時(shí)間doff適合作為計(jì)算結(jié)溫的溫敏參數(shù)．

對(duì)比圖7和圖8、圖9和圖10可知，測試不同橋臂時(shí)，don或doff的測試結(jié)果將整體等量偏移．這是由于測試不同橋臂時(shí)接線長短不同，而導(dǎo)致線路中的雜散電感電容不同，引起don或doff的整體移動(dòng)．因此，只要保證在對(duì)比試驗(yàn)中每次測試的線路模塊位置及接線長短不變，即保證對(duì)比試驗(yàn)中雜散電感電容值一致，對(duì)每次時(shí)間參數(shù)的測量產(chǎn)生同樣的影響，即可保證don或doff與結(jié)溫關(guān)系的測試結(jié)果不受測試線路中雜散參數(shù)的影響．

圖9? 上橋IGBT關(guān)斷延遲時(shí)間tdoff與結(jié)溫tj的關(guān)系

圖10? 下橋IGBT關(guān)斷延遲時(shí)間tdoff與結(jié)溫tj的關(guān)系

3.3?關(guān)斷延遲時(shí)間結(jié)溫探測模型的構(gòu)建

3.3.1?考慮電壓影響的結(jié)溫探測模型的構(gòu)建

以上分析表明，不同電壓時(shí)關(guān)斷延遲時(shí)間doff精度較高，適合作為探測結(jié)溫?cái)?shù)值的溫敏參數(shù)．不同電壓下關(guān)斷延遲時(shí)間doff與結(jié)溫j的關(guān)系模型可表?示為

式中1、2、1、2為不同電壓下關(guān)斷延遲時(shí)間溫度相關(guān)系數(shù)．

對(duì)圖9和圖10中不同電壓下關(guān)斷時(shí)間doff與結(jié)溫j依據(jù)式(11)進(jìn)行擬合，為了驗(yàn)證模型的精確度，選取30～70℃對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合計(jì)算，90℃對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)進(jìn)行精度驗(yàn)證．得到上下橋臂溫度相關(guān)系數(shù)如表3所示．

表3? 不同電壓下溫度相關(guān)系數(shù)

Tab.3? Temperature coefficients under different voltages

表3中，上橋臂擬合精度為0.9951，下橋臂擬合精度為0.9979．根據(jù)該doff計(jì)算模型，可得90℃時(shí)不同電壓的doff，計(jì)算其平均相對(duì)誤差，可得上橋平均相對(duì)誤差為0.47%，下橋?yàn)?.51%．經(jīng)驗(yàn)證，該模型精度較高．不同電壓下doff與j的三維關(guān)系擬合圖如圖11所示．

構(gòu)建考慮母線電壓的結(jié)溫探測模型

圖11 ?不同電壓下tdoff與tj三維擬合圖

對(duì)圖9和圖10中不同電壓下關(guān)斷延遲時(shí)間doff與結(jié)溫j依據(jù)式(12)進(jìn)行擬合，得到上下橋臂溫度相關(guān)系數(shù)如表4所示．

表4? 不同電壓下結(jié)溫探測模型相關(guān)系數(shù)

Tab.4 Correlation coefficients of junction temperature detection model under different voltages

表4中，上橋臂和下橋臂的擬合精度分別為0.9794和0.9896，平均相對(duì)誤差分別為2.07%和1.66%，模型的探測精度較高，可用于結(jié)溫探測．

3.3.2 ?考慮電流影響的結(jié)溫探測模型的構(gòu)建

以上分析表明，不同電流時(shí)關(guān)斷延遲時(shí)間doff精度較高，適合作為探測結(jié)溫?cái)?shù)值的溫敏參數(shù)．不同電流下關(guān)斷延遲時(shí)間doff與結(jié)溫j的關(guān)系模型可表示為

式中1、2、1、2為不同電流下關(guān)斷延遲時(shí)間溫度相關(guān)系數(shù)．

對(duì)圖9和圖10中不同電流下關(guān)斷時(shí)間doff與結(jié)溫j依據(jù)式(13)進(jìn)行擬合，為了驗(yàn)證模型的精確度，選取30～70℃對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合計(jì)算，90℃對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)進(jìn)行精度驗(yàn)證．得到上下橋臂溫度相關(guān)系數(shù)如表5所示．

表5? 不同電流下溫度相關(guān)系數(shù)

Tab.5? Temperature coefficients under different currents

表5中，上橋臂擬合精度為0.9958，下橋臂擬合精度為0.9987．根據(jù)該doff計(jì)算模型，可得90℃時(shí)不同電壓的doff，計(jì)算其平均相對(duì)誤差，可得上橋平均相對(duì)誤差為0.43%，下橋?yàn)?.13%．經(jīng)驗(yàn)證，該模型精度較高．不同電流下doff與j的三維關(guān)系擬合圖如圖12所示．

圖12 ?不同電流下tdoff與tj三維擬合圖

構(gòu)建考慮集電極電流的結(jié)溫探測模型，即

對(duì)圖9和圖10中不同電流下關(guān)斷時(shí)間doff與結(jié)溫j依據(jù)式(14)進(jìn)行擬合，得到上下橋臂結(jié)溫探測模型相關(guān)系數(shù)如表6所示．

表6? 不同電流下結(jié)溫探測模型相關(guān)系數(shù)

Tab.6 Correlation coefficients of junction temperature detection model under different currents

表6中，上橋臂和下橋臂的擬合精度分別為0.9904和0.9962，平均相對(duì)誤差分別為1.02%和1.39%，模型的探測精度較高，可用于結(jié)溫探測．

3.4 ?IGBT模塊結(jié)溫探測模型在風(fēng)電工況的應(yīng)用

本文所建IGBT模塊結(jié)溫探測模型，用于風(fēng)電變流器IGBT模塊工作結(jié)溫探測時(shí)尚有幾點(diǎn)注意事項(xiàng)．以背靠背風(fēng)電變流器網(wǎng)側(cè)的電壓源型三相逆變器為例進(jìn)行說明．

(1) 鑒于所建IGBT模塊結(jié)溫探測模型的參數(shù)是根據(jù)IGBT模塊熱穩(wěn)態(tài)時(shí)數(shù)據(jù)辨識(shí)得到的，故必須保證變流器及其IGBT模塊處于熱平衡態(tài)，即保持IGBT模塊承載穩(wěn)定的電、熱應(yīng)力．某風(fēng)速值一般可持續(xù)幾秒甚至更久，遠(yuǎn)大于IGBT模塊幾十毫秒的熱時(shí)間常數(shù)，使變流器可保持至少幾秒的熱平衡態(tài)，結(jié)溫探測錄波需要的電熱應(yīng)力穩(wěn)態(tài)條件得以具備．

(2) 基于變流器輸入、輸出的可測電氣量可直接或間接檢測到IGBT的直流母線電壓C和集電極電流有效值c；根據(jù)電路模型和控制策略可復(fù)現(xiàn)集電極電流c的暫態(tài)波形，確定關(guān)斷電流c的值，該值等于集電極電流有效值c作為關(guān)斷過程ge和c的觸發(fā)條件錄波條件，錄波后再根據(jù)關(guān)斷過程ge和c的暫態(tài)波形提取關(guān)斷延遲時(shí)間．

(3) 為測量IGBT模塊的關(guān)斷延遲時(shí)間，需對(duì)幾十納秒時(shí)間尺度的ge和c的暫態(tài)波形進(jìn)行觸發(fā)錄波，無論是實(shí)驗(yàn)室條件還是實(shí)際工況下，均需要依賴高速數(shù)據(jù)采集技術(shù)．目前，一般選用探頭有隔離的、采樣速率不低于1GS/s的高速高精度記憶示波器．

風(fēng)電工況下電壓源型三相逆變器IGBT模塊結(jié)溫探測程序如圖13所示．

圖13? IGBT模塊工作結(jié)溫探測程序流程

4 ?結(jié)?論

(1) 從半導(dǎo)體物理機(jī)理角度分析，溫度通過本征載流子濃度i(j)對(duì)半導(dǎo)體本征能級(jí)與費(fèi)米能級(jí)之間的電勢差B(j)產(chǎn)生影響，進(jìn)而影響閾值電壓th(j)對(duì)通斷延遲時(shí)間產(chǎn)生不同程度的作用．

(2) 基于開通延遲時(shí)間進(jìn)行結(jié)溫探測精度較低，數(shù)據(jù)穩(wěn)定性較差．基于關(guān)斷延遲時(shí)間進(jìn)行結(jié)溫探測精度較高，數(shù)據(jù)穩(wěn)定性較好．因此，選用關(guān)斷延遲時(shí)間作為溫敏參數(shù)進(jìn)行結(jié)溫探測．

(3) 母線電壓C越高或集電極電流c越低則關(guān)斷延遲時(shí)間越長．考慮母線電壓或集電極電流影響，建立基于關(guān)斷延遲時(shí)間的結(jié)溫探測模型，該模型精度相對(duì)較高，可推廣用于風(fēng)電工況結(jié)溫探測．

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Study on Junction Temperature Detection Model Based on Turn-on and-off Delay Time of IGBT Modules in Wind Power Converters

Yao Fang1，Ma Jing1，Zhang Yushuo2，Tang Shengxue1，Huang Kai1，Li Zhigang1

(1. State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment，Hebei University of Technology，Tianjin 300130，China；2. Experimental Training Center，Hebei University of Technology，Tianjin 300130，China)

This study investigates the junction temperature detection method based on turn-on and-off delay time of insulated gate bipolar transistor(IGBT)modules for IGBT switches in wind power converters．The results are important in monitoring the thermal safety and reliability of wind power converters． First，the temperature-sensitive characteristics and mechanism of turn-on and-off delay time are analyzed by considering the physical mechanism of semiconductors．The physical factors that influence turn-on and-off delay time，such as intrinsic carrier concentration，current gain，and carrier mobility，were defined．Furthermore，the IGBT modules were tested to detect the dynamic characteristics and explore the relations between turn-on and-off delay time and junction temperature under various bus voltages or collector currents．Moreover，the test results were analyzed．Diode clamping circuit and double-pulse method were used in the test．Thus，the measurement accuracy of dynamic characteristics of gate voltage and collector current during the on-off process was improved．The constant temperature control floor was used to heat the module sample and maintain its thermal balance．In addition，the waveform of collector current and gate voltage under various junction temperatures in the switching process of the IGBT module were analyzed．Considering the influence of voltage and current，the junction temperature detection models based on turn-off delay time were established and the detection accuracy rates of these models were compared． The results showed that the junction temperature detection accuracy and stability based on turn-off delay time were higher． When the bus voltage was higher or the collector current was lower，the turn-off delay time was longer．Finally，a junction temperature detection model based on turn-off delay time was established by considering the influence of voltage or current．The validation showed that the IGBT module junction temperature detection model based on turn-on and-off delay time was characterized by high fitting accuracy and small average relative error．Furthermore，the model can be used to detect the working junction temperature of the IGBT module of the wind power converter when thermal balance is maintained．

wind power converter；IGBT module；junction temperature；turn-on and-off delay time

TM46

A

0493-2137(2019)08-0862-09

10.11784/tdxbz201809018

2018-09-07；

2019-02-03.

姚?芳（1972—），女，博士，教授，yaofang@hebut.edu.cn.

唐圣學(xué)，tsx@hebut.edu.cn.

國家科技支撐計(jì)劃資助項(xiàng)目(2015BAA09B01)；國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51377044)；河北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(E2017202284)；河北省教育廳青年基金資助項(xiàng)目(QN2017316).

the National Science and Technology Support Program(No.2015BAA09B01)，the National Natural Science Foundation of China (No.51377044)，the Natural Science Foundation of Hebei Province，China(No.E2017202284)，the Youth Foundation of Hebei Province，China(No.QN2017316).

(責(zé)任編輯：孫立華)