新型近紫外激發(fā)單一基質(zhì)熒光粉Sr2V2O7：Ln(Ln=Eu3+, Dy3+, Sm3+, Tb3+)的研究

何景祺，羅 莉

（廣東工業(yè)大學(xué) 物理與光電工程學(xué)院，廣東 廣州 510006）

發(fā)光二極管(LED)是21世紀(jì)引人矚目的綠光光源，它廣泛地應(yīng)用于各類(lèi)照明領(lǐng)域，如日常照明，農(nóng)業(yè)種植和液晶顯示等[1-3]. 隨著全球的電能消耗量的不斷增加，市場(chǎng)對(duì)照明光源的要求也在不斷提升，具備高功率、長(zhǎng)壽命和節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)的固態(tài)照明白光發(fā)光二極管(WLED)應(yīng)運(yùn)而生. 白光通常是通過(guò)近紫外LED激發(fā)一種或者多種熒光粉、藍(lán)光LED黃光熒光粉或由三基色LED芯片混合得到. 由于熒光粉發(fā)射的光譜比單一的LED芯片寬，且轉(zhuǎn)換效率更高，所以一直被用于顏色轉(zhuǎn)換器. 故WLED實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射的常用方法就是將熒光粉覆蓋于LED芯片上，用紫光或藍(lán)光LED芯片激發(fā)熒光粉發(fā)射熒光，形成白光發(fā)射. 其中藍(lán)光InGaN芯片激發(fā)YAG：Ce3+黃光熒光粉得到白光的組合已經(jīng)廣泛商用，由于Ce3+離子的5d→4f電子躍遷，藍(lán)光芯片激發(fā)下YAG：Ce3+熒光粉在400～600 nm有一個(gè)寬帶的發(fā)射. 然而它無(wú)法滿足室內(nèi)照明對(duì)暖色溫和良好的顯色指數(shù)的要求，并且這種基質(zhì)的發(fā)光效率低、化學(xué)穩(wěn)定性和抵抗潮濕性能較差. 為解決顯色指數(shù)的問(wèn)題，常見(jiàn)的方法是摻雜具備紅綠藍(lán)三基色的本征發(fā)射的稀土離子，如Dy3+-Eu3+共摻等[4]. 這種方式加入紅光發(fā)射后，會(huì)產(chǎn)生暖色溫和高顯色指數(shù)的白光發(fā)射. 因此在紅光波長(zhǎng)范圍也有發(fā)射峰的單一基質(zhì)的白光熒光粉吸引了很多學(xué)者的研究[5]，所以它們是WLED熒光粉的最佳候選.

釩酸鹽是一種常見(jiàn)的熒光粉基質(zhì)，因其熱穩(wěn)定性高，紫外光光轉(zhuǎn)換率高等優(yōu)點(diǎn)而被應(yīng)用于WLED領(lǐng)域. 其中，SVO的熒光粉具有潛在應(yīng)用價(jià)值，其優(yōu)異的發(fā)光性質(zhì)吸引了許多關(guān)注[6-8]. 相對(duì)于其他無(wú)機(jī)熒光粉，SVO熒光粉不僅具備優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，而且在紫外激發(fā)下具備較寬的可見(jiàn)光發(fā)射，這些優(yōu)點(diǎn)無(wú)疑使它成為最佳白光熒光粉的熱門(mén)候選材料之一. 此外，由于稀土元素狹窄的發(fā)光譜和豐富的發(fā)光顏色，在白光熒光粉的制備中也起到非常重要的地位，因此，我們可以利用稀土元素如Eu3+、Sm3+等，摻入釩酸鹽SVO，提高紅光發(fā)射成分，以補(bǔ)充釩酸鹽自身可見(jiàn)光發(fā)射帶所缺乏的紅光(612 nm)或橙光(560 nm、599 nm、644 nm)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)色坐標(biāo)的調(diào)節(jié)[6,9-10]. 同時(shí)稀土元素也具備敏化劑的作用，在能量傳遞中對(duì)材料的熒光特性有重要影響.

由于Eu3+的5D0→7F2躍遷，發(fā)射在波長(zhǎng)λ= 610 nm附近，對(duì)比其他長(zhǎng)波長(zhǎng)的紅光發(fā)射，這種波段的紅光更利于WLED的顯色性和流明功率，是WLED合適的紅光成份[11]. 同時(shí)Eu3+的ff特征吸收峰7F0→5D4在紫外區(qū)區(qū)域，與基質(zhì)SVO的激發(fā)區(qū)相互匹配，故可以利用基質(zhì)加強(qiáng)對(duì)Eu3+的激活. 同理，Sm3+的躍遷在橙光區(qū)域，Dy3+躍遷在綠黃光區(qū)域，故可在研究范圍之內(nèi).在前人對(duì)M2V2O7報(bào)道中，都發(fā)現(xiàn)SVO和Ba2V2O7等基質(zhì)都存在到Eu3+、到Sm3+的能量傳遞[6,8-9]，而關(guān)于Dy3+的摻雜卻甚少提及[12]. 此外，雖然稀土元素Tb3+的特征發(fā)射峰不在紅光區(qū)域，但與基質(zhì)SVO存在光譜重疊的關(guān)系，故Tb3+與SVO之間也有可能存在能量轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象，而至今仍未有Tb3+摻雜報(bào)道. 為了解各類(lèi)稀土離子在基質(zhì)SVO的熒光發(fā)射中所起的作用，本文將系統(tǒng)地研究4種稀土摻雜離子(Eu3+、Dy3+、Sm3+、Tb3+)對(duì)SVO熒光性能的影響以及能量傳遞現(xiàn)象.

本文采用傳統(tǒng)的高溫固相反應(yīng)分別制備了4種稀土單摻的SVO：Ln3+(Ln=Eu3+, Dy3+, Sm3+, Tb3+)熒光粉. 通過(guò)熒光光譜分析后發(fā)現(xiàn)VO43-釩氧基團(tuán)均與Eu3+、Dy3+、Sm3+、Tb3+存在能量傳遞的現(xiàn)象. 稀土離子Eu3+和Sm3+的摻入導(dǎo)致熒光的紅色成分得以提高，使熒光粉的發(fā)射光更接近白光. 而Dy3+和Tb3+的摻入，雖然無(wú)法提供紅光發(fā)射，卻能一定程度上提高基質(zhì)SVO的熒光強(qiáng)度.

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 樣品制備

采用高溫固相反應(yīng)法制備稀土摻雜的SVO白光熒光粉，制備方法請(qǐng)參考文獻(xiàn)[13]. 原料為SrCO3(99.5%)、NH4VO3(99.9%)、Ln2O3、Eu2O3(99.9%)、Tb4O7(99.9%)、Sm2O3(99.9%)、Dy2O3(99.9%). 將SrCO3：NH4VO3：Ln2O3按照1-x：1：x/2的化學(xué)計(jì)量比例，對(duì)每樣粉末進(jìn)行精確稱(chēng)量，然后將對(duì)應(yīng)的反應(yīng)物放在石英坩堝中用瑪瑙棒研磨20 min以上，直至粉末均勻研碎后，置于高溫馬克爐以5 ℃/min升至1 000 ℃并煅燒3 h，然后自然冷卻. 四組熒光粉：SVO：Eu3+、SVO：Tb3+、SVO：Sm3+、SVO：Dy3+采用相同的步驟制備.

1.2 樣品測(cè)試

物相用MSAL XD-2/3型粉末X射線衍射儀(XRD)測(cè)量，取值范圍10°～70°，步長(zhǎng)0.02，采用Cu靶K輻射線(波長(zhǎng)λ= 0.154 nm)，測(cè)試電壓36 kV.

熒光光譜儀使用Hitachi F-7000光譜儀測(cè)試樣品的激發(fā)和發(fā)射光譜，發(fā)射光譜波長(zhǎng)范圍400～675 nm，掃描為1 200 nm/min. 所有測(cè)試均在室溫進(jìn)行.

2 結(jié)果與討論

2.1 樣品物相分析

圖1是在相同摻雜濃度下，單摻不同稀土(Eu3+、Dy3+、Sm3+、Tb3+)SVO白光熒光粉的XRD衍射圖.XRD譜圖顯示，所有的衍射峰都吻合無(wú)機(jī)化合物SVO的標(biāo)準(zhǔn)卡片PDF#23-0556，說(shuō)明樣品粉末形成純相的SVO，為三斜晶系, 屬于群aP/44. 根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，樣品SVO：Ln的XRD圖譜并未因稀土元素的摻入而增加衍射峰，表明稀土元素的摻入沒(méi)有改變基質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu).

圖1 熒光粉的XRD衍射圖樣Fig.1 X-ray patterns of phosphors

2.2 光譜分析

圖2分別是SVO、SVO：Eu3+、SVO：Dy3+、SVO：Sm3+、SVO：Tb3+熒光粉的激發(fā)(左)和發(fā)射光譜(右). 從圖2(a)中可見(jiàn), SVO熒光粉的激發(fā)光譜(左)在250～400 nm范圍出現(xiàn)了一個(gè)中心波長(zhǎng)為350 nm的寬激發(fā)帶，對(duì)應(yīng)四面體釩氧基團(tuán)中O2-離子2p到V5+離子3d的電子躍遷[9]，其峰值350 nm對(duì)應(yīng)著基態(tài)1A1至1T1/2T1能帶的躍遷. 發(fā)射譜(右)顯示，釩氧基團(tuán)自發(fā)輻射出寬光譜的發(fā)射帶，可知，3T1與3T2之間有多個(gè)能級(jí)，組成能帶3Tj(j=1, 2)，以中心波長(zhǎng)為502 nm的黃綠光寬發(fā)射峰(450～600 nm)對(duì)應(yīng)著能帶3Tj(j=1, 2)到基態(tài)1A1的躍遷.

圖2(b)是SVO：0.01Eu3+的激發(fā)和發(fā)射光譜，從圖中可以看出，發(fā)射光譜有兩個(gè)明顯的發(fā)射峰，分別是以中心波長(zhǎng)為502 nm的黃綠光寬帶(450～600 nm)和以中心波長(zhǎng)為612 nm的紅光尖峰，對(duì)應(yīng)Eu3+電子躍遷5D0→7F2，相應(yīng)也有Eu3+的587 nm發(fā)射峰(Eu3+：5D0→7F0)，強(qiáng)度較微弱，故不在考慮范圍之內(nèi).通過(guò)圖中SVO：0.01Eu3+的激發(fā)譜(左)發(fā)現(xiàn)，在監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)為502 nm (：3Tj→1A1)和612 nm (Eu3+：5D0→7F2)下，除激發(fā)強(qiáng)度不同外，中心波長(zhǎng)皆處于350 nm，皆對(duì)應(yīng)于能級(jí)1A1→1T1/2T1的電子躍遷，這表明，基團(tuán)有可能吸收350 nm的光子能量并且有效地將能量傳遞給Eu3+使其激活，導(dǎo)致其發(fā)射587 nm和612 nm的紅光.

圖2(c)是SVO：0.01Dy3+的激發(fā)譜和發(fā)射光譜，從發(fā)射光譜(右)可見(jiàn)，有3組發(fā)射峰，以490 nm(Dy3+：4F9/2→6H13/2)，570 nm(Dy3+：4F9/2→6H13/2)為峰值的尖發(fā)射峰和以502 nm(：3T1/3T2→1A1)為中心波長(zhǎng)的寬發(fā)射帶，三者對(duì)應(yīng)的激發(fā)峰(左)皆以350 nm為中心波長(zhǎng)的寬激發(fā)帶. 值得注意的是，Dy3+在監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)λem= 490 nm的激發(fā)峰比的本征激發(fā)峰強(qiáng)，可見(jiàn)Dy3+的熒光發(fā)射不僅來(lái)自于自身的自發(fā)躍遷同時(shí)還有一部分來(lái)自于基質(zhì)的能量轉(zhuǎn)移，對(duì)應(yīng)Dy3+基態(tài)6H15/2到6P7/2的躍遷.

圖2(d)(右)是熒光粉SVO：0.01Sm3+的發(fā)射譜，如圖所見(jiàn)，發(fā)射峰除了基質(zhì)的發(fā)射峰外還有3個(gè)屬于Sm3+的特征峰566 nm(4G5/2→6H5/2)，599 nm(4G5/2→6H7/2)，644 nm(4G5/2→6H9/2). 激發(fā)譜(左)顯示，Sm3+的監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)分別為566 nm，599 nm，644 nm，對(duì)應(yīng)的激發(fā)峰位置不變，相對(duì)強(qiáng)度依次為Iλem()＞Iλem=566 nm＞Iλem=599 nm＞Iλem=644 nm. 可見(jiàn)，到Sm3+之間的能量傳遞類(lèi)似于→Eu3+，在能量傳遞過(guò)程中，電子自基團(tuán)的能級(jí)2T1躍遷到Sm3+的4D3/2能級(jí)上，然后以無(wú)輻射躍遷的形式至能級(jí)4G5/2，經(jīng)過(guò)自發(fā)輻射在550～650 nm的可見(jiàn)光范圍內(nèi)有多組發(fā)射峰.

最后圖2(e)是SVO：0.01Tb3+的發(fā)射譜(右)和激發(fā)譜(左)，當(dāng)監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)為T(mén)b3+的特征峰λem=494 nm(5D4→7F6)和λem=543 nm(5D4→7F5)時(shí)，激發(fā)譜顯示，SVO：Tb3+的激發(fā)峰與SVO基質(zhì)的激發(fā)峰一致，表明了Tb3+的特征峰發(fā)射來(lái)自于基質(zhì)自發(fā)躍遷的能量，Tb3+高效地吸收的能量后將電子泵至能級(jí)5D3，并弛豫至Tb3+的5D3能級(jí). Tb3+以非輻射遷移形式停留在5D4能級(jí)，然后以光子發(fā)射形式釋放能量回到基態(tài)，形成特征峰4 9 4 n m和5 4 3 n m. 可見(jiàn)SVO：0.01Tb3+熒光粉也存在從基質(zhì)到Tb3+的能量傳遞.

圖3(a)是不同Eu3+濃度下所得SVO：xEu3+發(fā)射光譜圖. 從圖中可知熒光粉發(fā)射峰的熒光強(qiáng)度隨Eu3+濃度變化呈先增后減的趨勢(shì)，當(dāng)Eu3+摻雜濃度小于0.01時(shí)，隨著摻雜濃度提高，基質(zhì)發(fā)光逐漸減弱，Eu3+特征峰發(fā)射逐漸變強(qiáng)，說(shuō)明了和Eu3+之間存在能量轉(zhuǎn)移，對(duì)應(yīng)(1T1/2T1)→Eu3+(5H6). 當(dāng)Eu3+摻雜濃度為0.01時(shí)，Eu3+特征發(fā)射峰(λem=612 nm)的熒光強(qiáng)度最大. 當(dāng)Eu3+摻雜濃度大于0.01時(shí)，Eu3+特征峰發(fā)射強(qiáng)度不斷減弱，這是Eu3+離子過(guò)量摻雜的濃度帶來(lái)的濃度猝滅效應(yīng)，自x從0.01后不斷提高，Eu3+與Eu3+之間距離變小，相互的離子作用變強(qiáng)，導(dǎo)致釩氧傳遞到Eu3+離子的電子能量在Eu3+離子之間的傳遞而產(chǎn)生損耗，另外，晶格失配也是主要的原因.所以，就總體的熒光強(qiáng)度而言，Eu3+最佳摻雜濃度為0.01.

圖3(b)是不同Dy3+濃度下所得SVO：xDy3+發(fā)射光譜圖. 由于Dy3+離子的摻入，熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度有所提高，當(dāng)Dy3+的摻雜濃度小于3%時(shí)，Dy3+特征峰λem=490 nm和λem=570 nm的熒光強(qiáng)度隨Dy3+濃度不斷提高. 相對(duì)地，在x＞0.01后，釩氧基團(tuán)的發(fā)射峰隨Dy3+濃度而減弱. 可見(jiàn)，樣品SVO：xDy3+在350 nm紫外光激發(fā)下，Dy3+與釩氧基團(tuán)同時(shí)激發(fā)，但由于兩者光譜重疊的原因，存在著→Dy3+能量轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象，導(dǎo)致Dy3+特征峰變強(qiáng). 通過(guò)對(duì)各樣品SVO：xDy3+(x=0, 0.01, 0.03, 0.05)的熒光強(qiáng)度進(jìn)行積分并對(duì)比，發(fā)現(xiàn)在Dy3+濃度為0.01時(shí)，熒光粉發(fā)射黃綠光且熒光強(qiáng)度最大.

圖2 熒光粉的激發(fā)和發(fā)射光譜Fig.2 PL and PLE spectra of sample phosphors

圖3(c)是一系列SVO：xSm3+在350 nm紫外光激發(fā)下的發(fā)射光譜圖. 可以看出釩氧基團(tuán)的發(fā)射峰強(qiáng)度隨Sm3+摻雜濃度提高而明顯下降，而Sm3+特征峰λem=560 nm，λem=599 nm和λem=644 nm隨Sm3+摻雜濃度提高而增強(qiáng). 結(jié)果表明，存在到Sm3+能量傳遞，電子受激發(fā)躍遷至的2T1與1T1之間的能帶后，電子自基團(tuán)的能級(jí)2T1躍遷到Sm3+的4D3/2能級(jí)上，然后以無(wú)輻射躍遷的形式至4G5/2能級(jí).

圖3(d)是SVO：xTb3+的發(fā)射光譜圖. 實(shí)驗(yàn)證明，稀土元素Tb3+的摻入有利于熒光粉的自發(fā)發(fā)射. 在x=0.01時(shí)，基質(zhì)的熒光強(qiáng)度有了明顯的增強(qiáng)，同時(shí)Tb3+的特征峰λem=494 nm和λem=543 nm的熒光強(qiáng)度達(dá)到最大值. 當(dāng)x＞0.01時(shí)，濃度猝滅效應(yīng)導(dǎo)致基質(zhì)的熒光強(qiáng)度隨著Tb3+摻雜量的提高而減弱. 可以看出Tb3+的最佳摻雜濃度為0.01.

圖3 各熒光粉SVO:xLn發(fā)射光譜強(qiáng)度與Ln濃度的關(guān)系曲線Fig.3 Emission intensity of SVO:xLn phosphors as function of Ln concentration

Dexter理論[14]指出，熒光強(qiáng)度I與摻雜離子百分比濃度x之間關(guān)系為式中，k和β均為常數(shù)，為實(shí)現(xiàn)線性擬合，換算lg(I/x)- lg(x)曲線：

式(1)的參數(shù)中，c是常數(shù)，θ= 6, 8, 10，分別對(duì)應(yīng)電偶極-電偶極，電偶極-電四極和電四極-電四極作用.根據(jù)圖4的熒光光譜，Eu3+選取0.01, 0.02；Dy3+選取0.01, 0.03, 0.05；Sm3+選取0.01, 0.03；Tb3+取0.01, 0.03,0.05；通過(guò)線性擬合計(jì)算得出各函數(shù)對(duì)應(yīng)的的斜率n=θ/3，其斜率n分別為-1.04(Eu3+), -1.2(Sm3+),-1.02(Dy3+), -1.17(Tb3+)，計(jì)算結(jié)果對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)θ=3.12(Eu3+), 3.6(Sm3+), 3.06(Dy3+), 3.41(Tb3+)；4組數(shù)據(jù)皆接近6. 可見(jiàn)，SVO:Ln(Ln= Eu3+, Dy3+, Sm3+,Tb3+)的發(fā)光濃度猝滅機(jī)理為電偶極-電偶極作用.

為進(jìn)一步了解SVO:Ln (Ln=Dy3+, Eu3+, Sm3+,Tb3+)發(fā)光機(jī)制，圖5給出各摻雜離子Ln3+在基質(zhì)中的能級(jí)示意圖[6,8,15-17]，可見(jiàn)在紫外激發(fā)下，釩氧基團(tuán)吸收能量，電子從基態(tài)1A1被泵至的1T1和2T1之間的能帶上，后以非輻射躍遷停留在能級(jí)3T1和能級(jí)3T2之間的寬能帶3Tj(j=1, 2)，所以基質(zhì)的寬光譜發(fā)射來(lái)自于能帶3Tj(j=1, 2)到基態(tài)1A1的電子躍遷，以輻射的形式釋放能量. 此外，如圖5所示，釩氧基團(tuán)與Eu3+、Dy3+、Sm3+、Tb3+之間存在能量傳遞，高效激發(fā)下的電子從釩氧基團(tuán)弛豫到稀土離子的激發(fā)態(tài)并最終以光子發(fā)射形式回到基態(tài)，表現(xiàn)在各自對(duì)應(yīng)的特征峰，如Eu3+離子發(fā)射分別以587 nm和612 nm為中心波長(zhǎng)的特征峰，Dy3+離子發(fā)射490 nm和570 nm的特征峰等.

圖4 樣品SVO:0.01Ln(Ln=Eu3+, Dy3+, Sm3+, Tb3+)的lg(I/x)-lg(x)函數(shù)曲線Fig.4 The lg(I/x)-lg(x) curves of the SVO:Ln (Ln=Eu3+, Dy3+,Sm3+, Tb3+) phosphors

圖5 SVO：Ln(Ln=Dy3+, Eu3+, Sm3+, Tb3+)的能級(jí)和能量傳遞示意圖Fig.5 Energy level diagram of SVO：Ln(Ln=Dy3+, Eu3+, Sm3+, Tb3+) displaying the energy transfer processes between the vanadate group and the dopant

2.3 色度坐標(biāo)圖

為檢測(cè)熒光粉中的黃光比例和紅光比例，本文根據(jù)圖3的發(fā)射光譜(λex=350 nm)，選取了各稀土摻雜的最佳濃度的樣品并用CIE1931軟件計(jì)算準(zhǔn)確的色度坐標(biāo). 表1列出SVO：0.01Tb3+(A)、SVO：0.01Dy3+(B)、SVO：0.01Sm3+(C)、SVO：0.01Eu3+(D)、SVO (E)的色度坐標(biāo)位置. 對(duì)應(yīng)地，圖6標(biāo)出了各點(diǎn)的色度坐標(biāo)值. 可見(jiàn)，原樣品SVO的色度坐標(biāo)為(0.230 5,0.476 5)，隨Eu3+，Sm3+的摻入，坐標(biāo)向白光(0.333 3,0.333 3)移動(dòng)，這意味著Eu3+和Sm3+補(bǔ)償了基質(zhì)發(fā)光缺少的紅光，使樣品SVO：0.01Eu3+和SVO：0.01Sm3+相對(duì)于SVO的熒光粉更接近白光. 而Dy3+的發(fā)射雖然缺乏紅光，卻提高了熒光粉的黃光比例(λem=570 nm)，故Dy3+的摻雜導(dǎo)致色度坐標(biāo)位置往白光區(qū)域移動(dòng)，但幅度不大. 此外樣品SVO：0.01 Tb3+的色度坐標(biāo)A和基質(zhì)SVO的色度坐標(biāo)E幾乎重合.

表1 樣品SVO:Ln(Ln=Eu3+, Dy3+, Sm3+, Tb3+)和無(wú)摻雜SVO熒光粉在350 nm紫外光激發(fā)下的色度坐標(biāo)Tab.1 The CIE chromaticity coordinates of SVO:Ln(Ln=Eu3+, Dy3+,Sm3+, Tb3+) and SVO phosphors(λex=350 nm)

3 結(jié)論

SVO基質(zhì)是一種自身激活發(fā)光的材料，在350 nm的近紫外光激發(fā)下表現(xiàn)出很強(qiáng)的寬白光發(fā)射峰，非常適合白光WLED的熒光粉. 本文采用高溫固相法成功地制備了新型的單一基質(zhì)SVO:Ln (Ln=Dy3+,Eu3+, Sm3+, Tb3+)系列白光熒光粉. 激發(fā)光譜顯示，SVO基質(zhì)和稀土離子Eu3+、Dy3+、Sm3+、Tb3+之間都存在著能量傳遞. 通過(guò)對(duì)熒光光譜分析，Eu3+或Sm3+的摻入有助于提高熒光粉的紅光比例，使樣品的熒光發(fā)射更接近白光. 而Dy3+和Tb3+的摻入增加了熒光的綠光比例，導(dǎo)致熒光粉的熒光強(qiáng)度得到了提高，然而由于光譜重疊的關(guān)系，熒光粉末的發(fā)光顏色基本沒(méi)變. 實(shí)驗(yàn)證明，SVO:Ln是一種新型高亮度的新型近紫外激發(fā)白光熒光粉，通過(guò)稀土摻雜提高了其顯色性和發(fā)光亮度，下一步可以通過(guò)共摻進(jìn)一步提高顯色指數(shù)和發(fā)光亮度，將制備的熒光粉與商用LED芯片組裝成器件，探究它們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中的光學(xué)性能.

圖6 樣品SVO:0.01Tb3+(A), SVO:0.01Dy3+(B), SVO:0.01Sm3+(C),SVO:0.01Eu3+(D), SVO (E)的色度坐標(biāo)示意圖Fig.6 The chromaticity coordinates of SVO:0.01Tb3+(A),SVO:0.01Dy3+(B), SVO:0.01Sm3+(C), SVO:0.01Eu3+(D),SVO (E)