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    稠油熱采地層陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng)特性數(shù)值模擬

    2018-08-17 01:27:28曹洪愷孫建孟張鵬云閆偉超
    關(guān)鍵詞:階躍測(cè)井電阻率

    張 波,曹洪愷,孫建孟,張鵬云,閆偉超

    1.中石化勝利石油工程有限公司測(cè)井公司,山東 東營(yíng) 257000 2.中國(guó)石油大學(xué)(華東)地球科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,山東 青島 266580

    0 引言

    陣列感應(yīng)測(cè)井作為一種重要的電阻率測(cè)井方法,其優(yōu)點(diǎn)是分辨率高、對(duì)侵入現(xiàn)象反映明顯、探測(cè)深度深、測(cè)量信息豐富,對(duì)地層及儲(chǔ)層流體評(píng)價(jià)具有重要的作用[1-4]。陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng)與儀器線圈系結(jié)構(gòu)和地層的電阻率直接相關(guān),相同地層條件下不同結(jié)構(gòu)的線圈系測(cè)井響應(yīng)不同,地層電阻率同樣影響測(cè)井響應(yīng)。地層電阻率不僅與地層巖性有關(guān),還與地層孔隙度、滲透率、地下水礦化度及地層溫度等因素有關(guān);溫度又決定了地下水的礦化濃度,所以地層溫度是影響地層電阻率的重要參數(shù)。溫度升高使地下水密度和黏滯性減小,溶解能力增強(qiáng),水礦化度隨之增高,離子活性增加,從而電阻率降低[5]。

    稠油是世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要資源,我國(guó)對(duì)稠油油藏的研究、開(kāi)發(fā)和加工已日趨成熟,并已形成相當(dāng)大的開(kāi)采規(guī)模。開(kāi)采稠油通常采用的是注熱法,其中以注蒸汽法應(yīng)用最為廣泛[6]。高溫媒介的注入使得地層溫度升高,熱量在地層中傳導(dǎo)影響了地層的電阻率,也影響了陣列感應(yīng)測(cè)井的響應(yīng)。眾多學(xué)者利用多種方法[7-8]對(duì)地層中的熱傳導(dǎo)進(jìn)行了研究,主要包括有限差分法、有限體積法和有限元法;其中有限元法具有網(wǎng)格剖分和邊界條件上的優(yōu)勢(shì),因此該方法被廣泛應(yīng)用到多種物理場(chǎng)的仿真中。近年來(lái),多名學(xué)者利用有限元數(shù)值模擬方法[9]對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)井進(jìn)行了數(shù)值模擬研究,分析了多種地層條件和影響因素下的測(cè)井響應(yīng)[10-16];但對(duì)于熱采過(guò)程地層溫度對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng)的影響研究較少。

    本文通過(guò)有限元法模擬陣列感應(yīng)測(cè)井在不同井下地層溫度的響應(yīng),研究溫度對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng)直接的影響,以闡釋稠油熱采地層陣列感應(yīng)測(cè)井出現(xiàn)的異?,F(xiàn)象。

    1 熱采地層模型與數(shù)值模擬方法

    利用二維軸對(duì)稱的有限元法模擬陣列感應(yīng)測(cè)井在不同地層溫度條件下的響應(yīng)。首先需要分別建立均質(zhì)地層模型與熱采地層模型,熱采地層模型由目的層和上、下圍巖三層組成,又可稱為三層階躍地層。圖1a為均質(zhì)地層模型,在模擬過(guò)程中地層外側(cè)溫度變化,井眼溫度為常溫,地層的原始電阻率為定值;圖1b為熱采過(guò)程的基本地層模型,即三層階躍地層模型,井眼溫度為常溫,目的層溫度變化,研究目的層溫度升高對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng)的影響。地層中的熱傳遞主要表現(xiàn)為多孔介質(zhì)中的熱傳導(dǎo)和孔隙流體的熱對(duì)流[17],根據(jù)能量守恒定律,多孔介質(zhì)的熱傳導(dǎo)微分控制方程表示為:

    ρCpu·T+·q=Q+Qvd,

    q=-keffT。

    (1)

    式中:ρ為密度(kg/m3);Cp為恒壓下的比熱容(J/kg·K);u速度矢量(m/s);為矢量微分運(yùn)算符;T為固體溫度(K);q為導(dǎo)電熱通量(W/m2);Q為單位體積產(chǎn)生的熱(W/m3);Qvd為熱黏性消散(W/m3);-keff為有效導(dǎo)熱系數(shù)(W/(m·K))。

    邊值條件如下:在地層遠(yuǎn)端滿足第一類邊界條件,

    q=0;

    (2)

    在熱絕緣處滿足第二類邊界條件,

    -n·q=0。

    (3)

    a.均質(zhì)地層模型;b.三層階躍地層模型。圖1 地層模型示意圖Fig.1 Stratigraphic model

    式中,n邊界處的法向矢量。給定目的層邊界的溫度:

    T=T0。

    (4)

    地層電阻率與地層溫度密切相關(guān)。本文通過(guò)有限元數(shù)值模擬方法模擬地層的熱傳導(dǎo),確定地層中溫度場(chǎng)的分布,進(jìn)而確定地層電阻率。前蘇聯(lián)科學(xué)家Γ.Α.切列緬斯基早在20世紀(jì)70年代就通過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)總結(jié)出巖層電阻率與巖層溫度之間的關(guān)系[5]:

    (5)

    式中:ρ0為巖層溫度為20 ℃時(shí)的電阻率,可以近似認(rèn)為是巖層的基本電阻率;ρt為巖層溫度為t(℃)時(shí)的電阻率,是勘察測(cè)量得到的電阻率;α為巖石溫度系數(shù)。一般情況下,α=0.02,t=T-273.15。本文根據(jù)公式(5)將溫度的模擬與地層電阻率結(jié)合,通過(guò)有限元方法模擬陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng),不對(duì)溫度場(chǎng)響應(yīng)進(jìn)行具體的研究。采用的儀器為Baker Atlas公司的高分辨率感應(yīng)測(cè)井儀器HDIL,其線圈半徑近似為 0.03 m,遠(yuǎn)小于波長(zhǎng)和線圈間距,可以將發(fā)射電流源等效為磁偶極子源[18]。HDIL儀器有8個(gè)工作頻率,7個(gè)子陣列,從子陣列1到子陣列7的線圈系長(zhǎng)度逐漸增大[19],本文研究?jī)x器頻率為20 kHz時(shí)儀器各子陣列的測(cè)井響應(yīng)。

    在柱坐標(biāo)系中,電磁場(chǎng)A(r,z)滿足偏微分方程:

    (6)

    式中:γ為傳播系數(shù);Js為集中在發(fā)射線圈內(nèi)的電流密度(A/m2);μ為磁導(dǎo)率(H/m);A為磁矢勢(shì)(Wb/m)。

    邊值條件如下:在地層遠(yuǎn)端滿足第一類邊界條件,

    A=0;

    (7)

    在磁絕緣處滿足第二類邊界條件,

    n×A=0。

    (8)

    2 均質(zhì)地層模型溫度影響分析

    均質(zhì)地層模型是研究稠油熱采過(guò)程陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng)的基礎(chǔ)。均質(zhì)地層模型中考慮地層電阻率隨溫度發(fā)生變化,設(shè)置井眼,但井眼中泥漿電阻率始終與地層電阻率相同,即不考慮泥漿電阻率對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)井視電阻率響應(yīng)的影響,在該模型中陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng)僅受到溫度的影響。

    建立如圖1a所示的均質(zhì)地層模型,模擬井眼半徑為0.1 m,地層半徑為30 m,地層厚度為60 m,原始地層電阻率Rt分別為1, 5, 10, 20, 50, 100 Ω·m,地層溫度為300~600 K的測(cè)井響應(yīng)。模擬結(jié)果如圖2所示。

    由圖2可得到以下結(jié)論:

    1)圖2a中子陣列7的視電阻率在溫度達(dá)到400 K時(shí)出現(xiàn)了上升趨勢(shì),并不是因?yàn)榈貙与娮杪孰S地層溫度的升高而增大了,而是由于子陣列7的線圈系結(jié)構(gòu)過(guò)長(zhǎng),電流的趨膚效應(yīng)嚴(yán)重,導(dǎo)致其在低電阻率條件下會(huì)發(fā)生失真的情況;因此,子陣列7不能正確測(cè)量低阻地層的視電阻率。

    2)陣列感應(yīng)測(cè)井各個(gè)子陣列視電阻率隨溫度的升高而下降,且不同陣列的下降速度不同,從子陣列7到子陣列1下降速度依次減小。

    3)視電阻率隨溫度下降的趨勢(shì)逐漸減緩,在 300~400 K內(nèi)下降速度較快,400 K之后下降速度逐漸減慢。

    3 三層階躍地層模型溫度影響分析

    多層階躍地層是陣列感應(yīng)測(cè)井過(guò)程中遇到的主要地層,而在稠油熱采的過(guò)程中,三層階躍地層是其基本單位,因此研究稠油熱采地層中三層階躍地層模型的溫度影響是進(jìn)一步研究復(fù)雜地層的基礎(chǔ)[18]。下面對(duì)三層階躍地層模型中溫度影響陣列感應(yīng)測(cè)井常見(jiàn)的3種情況進(jìn)行討論:目的層及圍巖電阻率變化、目的層溫度變化及目的層厚度變化。

    三層階躍地層模型主要模擬熱采過(guò)程中目的層溫度上升導(dǎo)致測(cè)井響應(yīng)的異常。高溫媒介使得目的層的溫度升高,建立如圖1b所示模型,地層模型寬度為30 m,高度為50 m,井眼半徑為0.1 m,陣列感應(yīng)測(cè)井儀器在井眼中移動(dòng),測(cè)量地層的視電阻率。

    a.Rt=1 Ω·m;b.Rt=5 Ω·m;c.Rt=10 Ω·m;d.Rt=20 Ω·m;e.Rt=50 Ω·m;f.Rt=100 Ω·m。圖2 均質(zhì)地層中溫度變化視電阻率響應(yīng)Fig.2 Apparent resistivity response of temperature changes in homogeneous formation

    3.1 目的層及圍巖電阻率的影響

    地層電阻率是影響陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng)的直接因素。令目的層溫度T=400 K,目的層厚度H=4 m,圍巖電阻率Rs=5, 10 Ω·m,Rt=10, 20, 30 Ω·m,研究目的層及圍巖電阻率對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng)的影響,模擬結(jié)果見(jiàn)圖3。

    由圖3可得到以下結(jié)論:

    1)視電阻率曲線的最低點(diǎn)總是出現(xiàn)在目的層的兩側(cè)或目的層中點(diǎn)位置。當(dāng)目的層視電阻率大于圍巖視電阻率時(shí),視電阻率曲線最低點(diǎn)出現(xiàn)在圍巖兩側(cè);當(dāng)目的層視電阻率等于圍巖電阻率時(shí),視電阻率曲線最低點(diǎn)出現(xiàn)在目的層中點(diǎn)位置。

    2)目的層電阻率增大,其各子陣列的目的層視電阻率增大,且長(zhǎng)陣列的視電阻率逐漸小于短陣列的視電阻率;圍巖電阻率增大,其各子陣列的圍巖視電阻率增大,長(zhǎng)陣列的視電阻率逐漸小于短陣列的視電阻率。

    3)從目的層邊界處到圍巖地層較遠(yuǎn)處,陣列感應(yīng)測(cè)井子陣列視電阻率逐漸增大,并且短陣列與長(zhǎng)陣列的視電阻率差值逐漸減小。

    3.2 目的層溫度的影響

    目的層溫度變化會(huì)影響目層的電阻率,同時(shí)也會(huì)影響陣列感應(yīng)測(cè)井的響應(yīng)。令H=4 m,Rs=5 Ω·m,Rt=20 Ω·m,T=300, 400, 500, 600 K,研究三層階躍地層模型目的層溫度對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng)的影響,模擬結(jié)果如圖4所示。

    由圖4可得到結(jié)論:

    1)目的層溫度升高對(duì)視電阻率減小的影響程度逐漸減弱,溫度由300 K升高為400 K時(shí),其視電阻率變化程度較大。

    2)目的層為300 K(近似于常溫)時(shí),短陣列視電阻率值大于長(zhǎng)陣列視電阻率值;隨著目的層溫度的升高,短陣列的視電阻率值相比于長(zhǎng)陣列逐漸減??;當(dāng)?shù)貙訙囟冗_(dá)到600 K時(shí),短陣列視電阻率值小于長(zhǎng)陣列視電阻率值。

    3)目的層溫度升高,圍巖視電阻率曲線分離程度增大,從目的層到圍巖遠(yuǎn)處視電阻率增大的趨勢(shì)變大。

    3.3 目的層厚度的影響

    目的層厚度的變化可以使圍巖及不同子陣列的測(cè)井響應(yīng)發(fā)生變化,令T=400 K,Rs=5 Ω·m,Rt=20 Ω·m,H分別為4, 3, 2, 1 m,研究在相同溫度下目的層厚度對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)井響應(yīng)的影響,其模擬結(jié)果如圖5所示。

    由圖5可以得到結(jié)論:

    1)HDIL陣列感應(yīng)測(cè)井儀器子陣列1到子陣列7探測(cè)深度逐漸增加,圍巖對(duì)相應(yīng)子陣列的影響程度也就越大,因此長(zhǎng)陣列對(duì)目的層厚度變化更為敏感,短陣列對(duì)目的層厚度的變化敏感性相對(duì)較差。由于圍巖電阻率小于目的層電阻率,當(dāng)目的層厚度減小時(shí),長(zhǎng)陣列視電阻率減小的速度與幅度較大,在一定范圍內(nèi)厚度的變化甚至對(duì)短陣列沒(méi)有影響,當(dāng)目的層厚度小于1 m時(shí)所有陣列視電阻率下降。

    2)隨著目的層厚度的減小,圍巖視電導(dǎo)率曲線更加平直,由目的層到圍巖遠(yuǎn)處視電阻率增大的趨勢(shì)減緩。

    3)子陣列1視電阻率最低點(diǎn)均出現(xiàn)在目的層邊界處,因此可以利用子陣列1視電阻率曲線的兩個(gè)低值點(diǎn)所在位置確定目的層厚度。

    通過(guò)以上對(duì)三層階躍模型不同影響因素進(jìn)行模擬得出的規(guī)律,可以利用陣列感應(yīng)測(cè)井的視電阻率曲線判斷目的層是否存在異常高溫的現(xiàn)象,判斷目的層的厚度,估算地層的電阻率,并對(duì)消除溫度的影響提供一定的指導(dǎo)。

    4 熱采地層實(shí)例

    為了驗(yàn)證本文的研究方法對(duì)熱采地層解釋及識(shí)別的有效性,對(duì)G1井實(shí)際地層進(jìn)行分析。利用本文模擬結(jié)果分析熱采地層參數(shù)并建立相應(yīng)模型,對(duì)比模擬結(jié)果與實(shí)際測(cè)井曲線。G1井為稠油熱采區(qū)調(diào)整井,其鉆探目的是為了完善某區(qū)蒸汽驅(qū)注采井網(wǎng),增加儲(chǔ)量動(dòng)用程度;因此在測(cè)井時(shí)已通過(guò)井網(wǎng)注入高溫蒸汽,目的層與蒸汽具有相近的溫度。其陣列感應(yīng)測(cè)井為其裸眼井階段進(jìn)行,測(cè)井解釋成果圖如圖6所示。

    井中1 297.5~1 302.3 m為稠油層,該井井網(wǎng)中注入蒸汽溫度為623 K。通過(guò)不同子陣列的電阻率曲線可知圍巖電阻率為2 Ω·m;根據(jù)圖5得出的結(jié)論,由電阻率曲線最低點(diǎn)位置判斷地層厚度為4.9 m;通過(guò)目的層中點(diǎn)位置的視電阻率值及圖1結(jié)論,利用差值的方法確定地層電阻率為55 Ω·m。根據(jù)以上參數(shù)建立地層模型,利用有限元方法模擬熱采地層的測(cè)井響應(yīng),模擬結(jié)果見(jiàn)圖6第四道。

    a.Rt=10 Ω·m,Rs=5 Ω·m;b.Rt=10 Ω·m,Rs=10 Ω·m;c.Rt=20 Ω·m,Rs=5 Ω·m;d.Rt=20 Ω·m,Rs=10 Ω·m;e.Rt=30 Ω·m,Rs=5 Ω·m;f.Rt=30 Ω·m,Rs=10 Ω·m。圖3 目的層及圍巖電阻率變化視電阻率響應(yīng)Fig.3 Apparent resistivity response of target and surrounding formation resistivity changes

    a.T=300 K;b.T=400 K;c.T=500 K;d.T=600 K。圖4 目的層溫度變化視電阻率響應(yīng)Fig.4 Apparent resistivity response of target formation temperature

    a.H=4 m;b.H=3 m;c.H=2 m;d.H=1 m。圖5 目的層厚度變化視電阻率響應(yīng)Fig.5 Apparent resistivity response of target formation thickness changes

    CAL.井徑;GR.自然伽馬;VSP.自然電位;AC.聲波時(shí)差。圖6 G1井測(cè)井解釋成果圖Fig.6 Log interpretation graph of well G1

    對(duì)比模擬結(jié)果與實(shí)際測(cè)井曲線,模擬視電阻率曲線能夠較好地吻合實(shí)際測(cè)井曲線;但由于實(shí)際地層復(fù)雜且在縱向上存在非均質(zhì)性,模擬的視電阻率曲線很難與實(shí)際測(cè)井曲線完全一致。該方法能夠較好地判斷熱采地層受溫度影響后視電阻率的變化,可以判斷地層電阻率和目的層厚度等,對(duì)實(shí)際解釋現(xiàn)場(chǎng)測(cè)井異常特征、提供現(xiàn)場(chǎng)指導(dǎo)具有一定的意義。

    5 結(jié)論

    1)部分子陣列在低阻地層高溫條件下出現(xiàn)失真的現(xiàn)象,不能有效測(cè)量地層地電阻率,這與子陣列的線圈系結(jié)構(gòu)有關(guān)。

    2)溫度影響各子陣列的視電阻率響應(yīng),隨著溫度升高各子陣列的視電阻率值降低,其中300~400 K溫度范圍內(nèi)視電阻率下降速度較快,通過(guò)視電阻率下降的規(guī)律可判斷地層原始電阻率。

    3)三層階躍地層中,當(dāng)目的層厚度減小時(shí),長(zhǎng)陣列視電阻率減小的速度與幅度較大,在一定厚度范圍內(nèi)對(duì)短陣列沒(méi)有影響,因此可以通過(guò)短陣列視電阻率曲線最低點(diǎn)的位置確地層厚度。

    4)在三層階躍地層中,視電阻率曲線的最低點(diǎn)總是出現(xiàn)在目的層邊界或者目的層中點(diǎn)位置處,且由最低電阻率點(diǎn)向圍巖地層較遠(yuǎn)處逐漸增大,其增大的趨勢(shì)主要與目的層的溫度與厚度有關(guān):目的層溫度升高,圍巖視電阻率曲線分離程度增大,從目的層邊界到圍巖遠(yuǎn)處視電阻率增大的趨勢(shì)變大;目的層溫度減小,圍巖視電導(dǎo)率曲線更加平直,由目的層到圍巖遠(yuǎn)處視電阻率增大的趨勢(shì)減小,且各子陣列的視電阻率差值逐漸減小。通過(guò)該規(guī)律可判斷地層的異常高溫影響。

    5)分析實(shí)際地層的測(cè)井響應(yīng),利用本文研究?jī)?nèi)容可以直接判斷地層的厚度及地層原始電阻率。通過(guò)對(duì)實(shí)際地層進(jìn)行模擬比對(duì),驗(yàn)證了該模擬結(jié)果的準(zhǔn)確性以及實(shí)用性,可對(duì)熱采現(xiàn)場(chǎng)測(cè)井解釋確定地層電阻率及地層厚度等參數(shù)提供一定的指導(dǎo)。

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