西瓜嫁接苗不同育苗階段不同的夜間溫度對幼苗生長的影響*

章 鷗 甘小虎 魏猷剛 黃 雯 胡 靜 閻慶九

（江蘇省南京市蔬菜科學研究所，江蘇 南京 210042）

西瓜栽培通常采用嫁接方式預防土壤連作障礙，西瓜嫁接后還可提高植株抗性，加快根系生長，增強根系的吸收能力，增強植株長勢。西瓜嫁接苗成活期間需覆蓋塑料薄膜加強保溫保濕，但由于薄膜透光率低，環(huán)境濕度大，嫁接苗易徒長，秧苗長勢弱，定植后緩苗時間長，且在運輸途中極易被壓折。

溫度是影響植物生長的主要環(huán)境因子，已有文獻報道育苗期間高溫是導致黃瓜幼苗下胚軸徒長的主要原因，而低溫下黃瓜幼苗葉片光合速率下降，幼苗的生產(chǎn)量顯著降低[1～3]。合理調(diào)控溫度是培育西瓜嫁接苗成功的關鍵。目前關于夜溫影響西瓜嫁接苗生長的報道皆為整個育苗期同一個夜溫[4～6]，本試驗研究了西瓜嫁接苗的不同育苗階段采用不同夜溫對幼苗生長的影響，旨在了解西瓜嫁接苗徒長與夜溫的關系，為西瓜嫁接苗的規(guī)?；a(chǎn)提供科學依據(jù)。

1 材料與方法

1.1 試驗材料

供試西瓜品種為蘇蜜8號，砧木為小葉葫蘆。

1.2 試驗方法

試驗設在南京市蔬菜科學研究所。2017年1月4日砧木播種，1月19日采用頂端插接法嫁接（該方法操作簡單快捷，接穗與砧木結合緊密，嫁接苗成活率高，現(xiàn)已廣泛應用于西瓜嫁接育苗中），3月8日出苗。將西瓜嫁接苗育苗期分為3個階段：第一階段為砧木播種至嫁接時，夜間溫度分別設置8℃、10℃、11℃、13℃；第二階段為嫁接后至幼苗長至二葉一心時，夜間溫度分別設置15℃、16℃、17℃、18℃；第三階段為幼苗二葉一心至成苗，夜間溫度分別設置14℃、15℃、16℃、17℃。共12個處理，重復3次，試驗期間各處理日間溫度均保持一致。在第一、二階段結束后，根據(jù)試驗結果選擇綜合性狀最優(yōu)的處理進行第三階段試驗。

1.3 調(diào)查統(tǒng)計方法

分別于每個階段試驗結束時，即嫁接時（1月19日）、二葉一心期（2月24日）以及成苗期（3月8日）測量植株高度、植株高度絕對生長速率（高度的絕對生長量/時間）、接穗下胚軸絕對生長速率（下胚軸長度的絕對生長量/時間）、植株粗度、總?cè)~面積和葉綠素含量。數(shù)據(jù)分析采用SAS軟件的ANOVA過程處理，顯著性檢驗采用鄧肯式新復極差法。

2 結果與分析

2.1 育苗期第一階段不同夜溫對西瓜砧木生長的影響

由表1可知，隨著夜間溫度的升高，砧木的植株高度和絕對生長速率不斷提高，8℃、10℃、11℃處理株高分別為3.33 cm、3.82 cm、4.07 cm，生長速率分別為0.222 cm/d、0.255 cm/d、0.271 cm/d，分別較13℃處理低41.6%、33.0%、28.6%，差異顯著；植株粗度隨著夜溫的升高呈現(xiàn)先升高后降低的趨勢，10℃處理植株的粗度最粗（2.70 mm），顯著粗于11℃和13℃處理，8℃和10℃處理植株粗度差異不顯著；各處理的葉綠素含量也呈現(xiàn)出先升高后降低的趨勢，11℃處理葉綠素含量最高（47.51 mg/L）。

本階段試驗的目的是根據(jù)嫁接操作要求選擇合適的砧木。植株粗壯有利于培育壯苗，植株高度過低不利于嫁接操作，因此，本試驗中植株粗度最粗、高度次高的砧木苗最佳，即夜間溫度保持10℃為本階段理想夜溫。

表1 育苗期第一階段各處理西瓜砧木的植物學性狀

2.2 育苗期第二階段不同夜溫對西瓜嫁接苗植株生長的影響

由表2可知，育苗期第二階段，西瓜嫁接苗的植株粗度和總?cè)~面積隨著夜間溫度升高呈現(xiàn)先升高后降低趨勢，其他指標均隨著溫度的升高而升高。18℃處理西瓜嫁接苗的植株高度和高度絕對生長速率最高，分別為11.43 cm和0.204 cm/d，較15℃、16℃、17℃處理分別高22.8%和39.7%、14.3%和23.6%、2.7%和4.1%，與15℃、16℃處理差異顯著，可認定其有徒長趨勢；15℃處理嫁接苗的高度和粗度均最小，秧苗長勢較弱。處理間嫁接苗的下胚軸長度和下胚軸絕對生長速率差異不顯著。17℃處理嫁接苗的植株粗度達6.13 mm，最為粗壯，較15℃、16℃、18℃處理分別粗10.5%、5.1%和6.8%，顯著高于15℃和18℃處理，與16℃處理差異不顯著。同時，17℃處理的植株總?cè)~面積最大，但與其他各處理差異不顯著。

綜合分析，17℃處理西瓜嫁接苗的粗度最粗、葉面積最大，16℃處理這兩項指標略差，但與17℃處理差異不顯著，故本階段夜間溫度控制在16～17℃較為理想?？紤]到能耗等因素，本階段夜溫控制在17℃最為理想。

表2 育苗期第二階段各處理西瓜嫁接苗的植物學性狀

2.3 育苗期第三階段不同夜溫對西瓜嫁接苗植株生長的影響

由表3可知，育苗期第三階段西瓜嫁接苗的植株生長速率普遍高于第二階段，隨著夜間溫度的升高，西瓜嫁接苗的植株高度和高度絕對生長速率呈現(xiàn)先升高后下降的趨勢，其中17℃處理植株生長速度最為緩慢，至出苗時植株高度僅為12.01 cm，較14℃、15℃和16℃處理分別矮7.0%、14.9%和11.4%，生長速率僅為0.168 cm/d，較14℃、15℃和16℃處理低30.6%、51.0%和43.2%。夜間溫度越高，植株生長越粗壯，葉面積越大，17℃處理植株最為粗壯、葉面積最大，但與其他處理差異不顯著。17℃處理西瓜嫁接苗的葉綠素含量也是最高的，說明該處理植株較為健壯。

從壯苗的角度考慮，本階段需培育植株較粗較矮的秧苗，因此本階段夜間溫度宜控制在17℃。

表3 育苗期第三階段各處理西瓜嫁接苗的植物學性狀

3 結論與討論

國外文獻報道，光照、溫度、水分等環(huán)境因子可通過改變植物激素水平影響下胚軸伸長[7～8]；Went研究表明，在光下26℃左右及暗處17～19℃植物莖的伸長速率最快[9]；國內(nèi)學者研究表明，隨著溫度的降低，幼苗葉片氣孔開度減小，葉綠素含量降低，從而導致光合速率下降，光合產(chǎn)物積累減少，幼苗生長緩慢[2，10～12]。本試驗的研究結果與前人研究結果相似，育苗期第一階段和第二階段夜溫越低，植株生長速率越低，但本研究認為在西瓜嫁接苗長有二葉一心后，夜間溫度略高有利于形成壯苗。

試驗結果表明，西瓜嫁接苗培育期間需分階段調(diào)控溫度。第一階段，從砧木播種至嫁接，夜溫控制在10℃為宜；第二階段，嫁接后至幼苗二葉一心，夜溫宜控制在16℃；第三階段，幼苗二葉一心至出苗，夜溫控制在17℃為宜。

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