半導(dǎo)體硅晶片超精密加工研究

李媛

(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，天津300220)

硅是具有金剛石晶體結(jié)構(gòu)，原子間以共價(jià)鍵結(jié)合的硬脆材料。其硬度達(dá)到1 000 HV，但斷裂強(qiáng)度很低，超精密加工這樣的硬脆材料有一定的難度。同時(shí)，硅又是一種很好的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成集成電路半導(dǎo)體晶片（芯片）的90%以上都是硅晶片[1]。

以信息網(wǎng)絡(luò)為代表的信息革命浪潮，正在各方面推動(dòng)著社會(huì)進(jìn)步，改變著人們的生活方式，提高人們的生活水平。所有這些進(jìn)步和發(fā)展，主要由半導(dǎo)體硅片上所制成的微細(xì)集成電路芯片及由各種芯片器件制成的各種電器所引起和推動(dòng)的。另外，在現(xiàn)代國(guó)防和軍事方面，電子信息化武裝的武器裝備在現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)中發(fā)揮著越來越重要的作用，甚至起著決定戰(zhàn)爭(zhēng)勝負(fù)的關(guān)鍵性作用。所有這一切的發(fā)展和需要，都是建立在半導(dǎo)體硅材料的基礎(chǔ)之上。

半導(dǎo)體硅材料是半導(dǎo)體工業(yè)最重要的主體功能材料，是第一大功能電子材料，至今全球硅材料的使用仍占半導(dǎo)體材料總量的95%以上。硅材料、硅器件和硅集成電路的發(fā)展與應(yīng)用水平早已成為一個(gè)國(guó)家的國(guó)力、國(guó)防、國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化及人民生活水平的重要標(biāo)志。

集成電路自1959年發(fā)明以來，集成電路芯片的集成度在不斷提高，而加工特征尺寸和加工成本逐步縮小[2]，如表1所示。為了能在硅晶片上印刷集成電路、與其他元件結(jié)合緊密，硅晶片的表面必須平直；特別是隨著集成電路集成度的提高，對(duì)硅晶片表面的線寬、硅晶片的平直度提出了越來越高的要求；而且企業(yè)為了占領(lǐng)市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)、低耗、大尺寸、高精度的硅晶片超精密加工具有極其重要的意義。

表1 硅晶片加工部分技術(shù)要求

超精密加工的加工機(jī)理主要包括“進(jìn)化加工”及“超越性加工”。目前除對(duì)機(jī)理研究外，還對(duì)微觀表面完整性，在超精密范疇內(nèi)對(duì)各種材料的加工過程、現(xiàn)象、性能以及工藝參數(shù)進(jìn)行提示性研究。由于直接對(duì)切削點(diǎn)觀察異常困難，現(xiàn)在有提議將切削裝置小型化，放置于SEM的鏡頭下進(jìn)行切削并觀察。日本大阪大學(xué)井川直哉教授等開始采用計(jì)算機(jī)仿真，逐步向揭開微量切削的奧秘迫近。

超精密加工方法主要包括超精密切削（車、銑）、超精密磨削、超精密研磨（機(jī)械研磨、化學(xué)機(jī)械研磨、非接觸式浮動(dòng)研磨、彈性發(fā)射加工等）以及超精密特種加工（電子束、離子束以及激光束加工等）。而且在今后的相當(dāng)一段時(shí)間，亞微米及納米級(jí)制造及測(cè)量成為制造科技和制造工藝的主流。

1 硅晶片主要研究方法及現(xiàn)狀

1.1 硅晶片的形成

生產(chǎn)硅晶片從制作硅錠開始，這可能需要一周至一個(gè)月的時(shí)間。75%以上的單晶硅片使用切克勞斯基直拉（CZ）法制成。將大塊的多晶硅與少量摻雜劑一起放入石英坩堝內(nèi)即可制出硅錠。多晶硅通過氯代硅烷和氫氣的復(fù)合還原及純化處理從砂石中提煉出來。摻雜劑使硅錠具有期望的電學(xué)特性并決定硅錠的類型（P或N）。單晶拉制是將大塊的多晶硅與少量摻雜劑一起放入熔爐石英坩堝內(nèi)。多晶硅在高純度氬氣流中、1 400℃加工溫度下融化。當(dāng)其成為熔體時(shí)，即相當(dāng)于一顆單晶硅片的“種子”灑落在了熔體中并且被慢慢地拔出。種子的表面張力使小量熔融的硅晶體與種子一起升起，形成一個(gè)理想的、與種子具有相同晶體定向的單晶錠塊。成形的單晶錠塊被打磨成大致的直徑尺寸，順著錠塊長(zhǎng)度方向呈現(xiàn)“鋸齒狀”或“扁平狀”，據(jù)此形狀可判斷錠塊的結(jié)晶定向。切割使用金剛石圓鋸將晶棒切割成晶片。邊緣打磨加工硅晶片時(shí)一個(gè)非常重要的步驟就是在后續(xù)加工過程或以后的元件制作過程中減少晶片的破損。初成形的晶片邊緣都是經(jīng)過充分打磨，這樣做可以大大地改善清洗效果并減少破損，有效率達(dá)400%。研磨晶片在切割過后十分粗糙，兩邊均有鋸過的痕跡和瑕疵。研磨處理可去除晶片表面的鋸痕和瑕疵，同時(shí)能夠緩解切割過程積聚在晶片中的應(yīng)力。研磨過程還會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)裂紋以及其他相關(guān)現(xiàn)象，通過蝕刻和清洗，用氫氧化鈉溶液或乙酸、硝酸混合溶液去除研磨造成的細(xì)裂縫和表面破損，然后用去離子水沖洗。拋光過程包括幾個(gè)步驟，需要使用越來越細(xì)的漿料（拋光劑）。晶片可進(jìn)行正面拋光，也可雙面拋光。拋光處理前對(duì)晶片進(jìn)行多晶硅包覆、吹砂或毛刷損傷等“背面損傷”處理，目的是為了“收集瑕疵”，將硅晶片的瑕疵拉向晶片背面，而遠(yuǎn)離要加放元器件的正面。最終清洗，該步驟去除晶片上大量的金屬、殘?jiān)约邦w粒物。清洗方法為RCA，于20世紀(jì)70年代所研制。第一步稱為SC1，依次使用氨水、稀氫氟酸、去離子水清洗。下一步SC2清洗包括依次使用鹽酸、雙氧水、去離子水清洗。清洗處理后晶片最后進(jìn)行雙面擦洗，去掉最小的顆粒物。

硅晶片經(jīng)過以下過程形成：多晶體硅→極限拉伸（局域拉伸）→單晶體硅柱→外圓磨削（無心磨削）→磨削切斷（精密切割）→圓邊→硅晶片

·拉單晶工序：融化→頸部成長(zhǎng)→晶冠成長(zhǎng)→晶體成長(zhǎng)→尾部成長(zhǎng)。

·晶棒裁切與檢測(cè)：將長(zhǎng)成的晶棒去掉直徑偏小的頭、尾部分，并對(duì)尺寸進(jìn)行檢測(cè)，以決定下步加工的工藝參數(shù)。

·外徑磨削：由于在晶棒成長(zhǎng)過程中，其外徑尺寸和圓度均有一定偏差，其外圓柱面也凸凹不平，所以必須對(duì)外徑進(jìn)行修整、研磨，使其尺寸、形狀誤差均小于允許偏差。

·切斷：由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用環(huán)狀，其內(nèi)徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片。

·圓邊：初切割的晶片外邊緣很鋒利，硅單晶又是脆性材料，為避免邊角崩裂影響晶片強(qiáng)度、破壞表面光潔和對(duì)后工序帶來污染顆粒，必須用專用的電腦控制設(shè)備自動(dòng)修整晶片邊緣形狀和外徑尺寸。

1.2 硅晶片的傳統(tǒng)加工工藝

硅晶片加工是IC制造系統(tǒng)重要的基礎(chǔ)環(huán)節(jié)，硅片的加工精度、表面粗糙度和表面完整性直接影響IC的線寬和IC的性能，對(duì)于＜200 mm的硅片，傳統(tǒng)的加工工藝過程為：切片→倒角→研磨→腐蝕→清洗→拋光（如圖1所示）。由于采用內(nèi)圓金剛石鋸片切割會(huì)產(chǎn)生較大的翹曲變形，最大翹曲量達(dá)到37 μm，硅片表面還會(huì)殘留切痕和微裂痕，損傷層深度可達(dá)10～50 μm，經(jīng)雙面研磨機(jī)平整化加工后可使硅片厚度公差小于3 μm，總厚度變化TTV＜1 μm，平整度＜1 μm，但表面粗糙度為0.1～0.2 μm，達(dá)不到要求，需經(jīng)過后續(xù)的腐蝕去除研磨所產(chǎn)生的表面損傷層，最后經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光獲得超光滑無損傷表面。

圖1 傳統(tǒng)的硅片加工工藝流程

1.3 硅晶片的超精密加工

經(jīng)過上述過程所形成的硅晶片，其平面度小于8 μm，但還需進(jìn)一步加工，以提高其平面度和降低表面粗糙度。其主要過程為粗磨→精磨→化學(xué)刻蝕→拋光→電路層制作→背面磨削→切割成小塊。

1.3.1 超精密切削研究現(xiàn)狀

單點(diǎn)金剛石切削（SPDT）。單點(diǎn)金剛石切削的特點(diǎn)是采用數(shù)控方法直接控制加工輪廓和表面粗糙度，是加工紅外光學(xué)材料和磨削加工的可替代方法。Venkatesh等人采用0°前角、刀尖半徑為0.75 mm的金剛石刀具加工硅晶片，當(dāng)切削深度為1 mm、進(jìn)給速度為0.4 mm/min、主軸速度為400 m/min時(shí)，采用AFM測(cè)量方法，所得到的表面粗糙度達(dá)到1 nm[7]。

金剛石切削刀具刃口圓弧半徑一直在向更小的方向發(fā)展，因?yàn)樗拇笮≈苯佑绊懙奖患庸け砻娴拇植诙龋瑫r(shí)還必然要求金剛石刀具更加鋒利。根據(jù)日本大阪大學(xué)島田尚一博士介紹，為了進(jìn)行切薄試驗(yàn)，目標(biāo)是達(dá)到切屑的厚度1 nm，其刃口圓弧半徑趨近2～4 nm。為解決金剛石刀具的磨損問題，Jiwang Yan等人提出采用倒角金剛石刀具大進(jìn)給塑性加工單晶硅，在進(jìn)給量為5 mm/min的加工條件下得到的SEM連續(xù)切屑，加工表面粗糙度Ra=5.1 nm[8]。這一方法對(duì)于推廣單點(diǎn)切削的生產(chǎn)應(yīng)用具有重要意義。1.3.2超精密磨削研究現(xiàn)狀

（1）硅片自旋轉(zhuǎn)磨削。采用略大于硅片的工件轉(zhuǎn)臺(tái)，通過真空吸盤每次裝夾一個(gè)硅片，硅片的中心與轉(zhuǎn)臺(tái)的中心重合，杯形金剛石砂輪的工作面調(diào)整到硅片的中心位置。磨削時(shí)，硅片和砂輪繞各自的軸線回轉(zhuǎn)，砂輪只進(jìn)行軸向進(jìn)給。

在超精密磨削中，金剛石砂輪的修整情況對(duì)零件的加工質(zhì)量有決定性影響。其修整過程主要包括修平/結(jié)合劑去除和去尖，修平一般采用金剛石砂輪磨削相對(duì)軟質(zhì)物質(zhì)。結(jié)合劑去除主要采用電解法和接觸放電法。

目前，采用硅片自旋轉(zhuǎn)磨削方法加工直徑150～400 mm（6～16英寸）硅片，可實(shí)現(xiàn)硅片的正面超精密磨削和背面磨削減薄，所達(dá)到的技術(shù)指標(biāo)見表2。

表2 硅片直徑技術(shù)指標(biāo)

圖2 英國(guó)Cranfield大學(xué)的Tetraform“C”型磨床

英國(guó)Cranfield大學(xué)J.Corbett教授領(lǐng)導(dǎo)的課題組于1991年提出Tetraform磨床新概念，并研制出第一臺(tái)Tetraform-1型磨床原機(jī)型，于1997年開始設(shè)計(jì)和開發(fā)了更為先進(jìn)的Tetraform“C”型磨床（見圖2），這種磨床具有很高的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)剛性和優(yōu)良的熱平衡結(jié)構(gòu)，可以在隔離環(huán)境振動(dòng)條件下進(jìn)行高速超精密磨削。用于磨削單晶硅、陶瓷和玻璃等硬脆材料，表面粗糙度Ra達(dá)到1～20 nm，亞表面損傷深度只有傳統(tǒng)磨削的1%～2%，甚至小于拋光加工產(chǎn)生的亞表面損傷深度。由于Tetraform“C”型磨床結(jié)構(gòu)方面的原因，Cranfield大學(xué)與Cranfield精密工程有限公司聯(lián)合研制成功一種新型的硅片超精密磨床（見圖3），該磨床為敞開臥式結(jié)構(gòu)，并采取控溫、隔振等措施，可在一個(gè)工序中以很高的加工效率完成硅片的塑性域納米磨削，獲得很好的表面和亞表面完整性。據(jù)稱，用該磨床超精密磨削大尺寸硅片可以完全代替?zhèn)鹘y(tǒng)工藝的研磨和腐蝕工序，甚至有望代替拋光加工。

（2）微粉金剛石磨盤的研磨和拋光工藝：

A.高剛度的固著磨料盤安裝在磨拋液槽的底部；

B.磨拋主軸采用高精度高剛度空氣軸承，Z向采用高剛度的微進(jìn)給控制系統(tǒng)，保證工件與磨拋主軸間的位置精度；

C.磨拋運(yùn)動(dòng)由工件的旋轉(zhuǎn)和工作臺(tái)在X-Y方向的高精度運(yùn)動(dòng)組成；

D.通過測(cè)力平臺(tái)精密檢測(cè)過程中的磨拋力，可進(jìn)行超低載荷磨拋加工；

圖3 英國(guó)Cranfield精密工程公司研制的新型硅片磨床

E.采用磨拋液循環(huán)過濾和溫度控制系統(tǒng)，排除磨拋液中的廢屑和保持磨拋液溫度恒定。

F.利用磨拋液的化學(xué)作用和磨盤的機(jī)械作用，通過控制壓力進(jìn)行硅片超精密平整化加工，在正常磨拋壓力下，大直徑硅片的平面度可控制在5～50 nm之間。

1981年J.Watanabe和J.Suzuki采用動(dòng)壓原理設(shè)計(jì)刀具，對(duì)76 mm硅晶片進(jìn)行加工，其平面度為1 μm/76 mm，表面粗糙度為1 nm[9]，是當(dāng)時(shí)精密磨削的最高水平。2004年，美國(guó)堪薩斯州立大學(xué)Z.J.Pei等人對(duì)硅晶片的精密磨削進(jìn)行了一系列研究，包括實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、機(jī)床主軸角度調(diào)整、卡盤形狀、硅晶片加工形狀的數(shù)學(xué)模型、硅晶片亞表面損傷觀察、硅晶片的磨削研究等近10篇文章。其主要結(jié)論是：卡盤與工件的速度比對(duì)加工軌跡影響很大；正確選擇加工參數(shù)有利于加工精度的提高，并通過正交試驗(yàn)研究了各個(gè)參數(shù)對(duì)加工精度的影響程度。

在超精密磨削中，金剛石砂輪的修整情況對(duì)零件的加工質(zhì)量具有決定性影響。其修整過程主要包括修平（Truing）、結(jié)合劑去除(Dressing)和去尖（Truncation）。修平一般采用金剛石砂輪磨削相對(duì)軟質(zhì)物質(zhì)（如碳化硅砂輪）；結(jié)合劑去除主要電解法（如ELID）和接觸放電法（ECD-Electro-Contact Discharge等。

1987年日本東京物理化學(xué)研究所大森整首先提出利用纖維鑄鐵結(jié)合劑砂輪進(jìn)行電解磨削，即ELID（Electrolytic In-process Dressing）磨削法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)硬脆材料位延性方式的鏡面磨削。ELID鏡面磨削原理是：磨削過程中，砂輪通過接電電刷與電源的正極相接，安裝在機(jī)床上的修整電極與電源的負(fù)極相接，砂輪和電極之間澆注電解液，這樣砂輪、電極以及砂輪和電極之間的電解液形成一個(gè)完整的電化學(xué)系統(tǒng)。從而實(shí)現(xiàn)在線去除砂輪表層結(jié)合劑，提高砂輪的磨削加工能力。利用該技術(shù)塑性磨削硅晶片，表面粗糙度Ra達(dá)到2.8 nm，目前已開發(fā)出一些產(chǎn)品，進(jìn)入技術(shù)推廣和應(yīng)用階段。為增加同時(shí)參與加工磨粒數(shù)，日本北見工業(yè)大學(xué)田牧純一教授正在研究金剛石磨粒去尖技術(shù)，以增加同時(shí)參與磨削的磨粒數(shù)量。

1.3.2 超精密研磨研究現(xiàn)狀

在包括機(jī)械化學(xué)研磨（Chemical-Mechanical Polishing）、非接觸式浮動(dòng)研磨、彈性發(fā)射加工等超精密研削中，機(jī)械化學(xué)研磨的應(yīng)用比較廣泛。其工作原理是由溶液的腐蝕作用形成化學(xué)反應(yīng)薄層，然后由磨粒的機(jī)械摩擦作用去除。利用軟磨料的活性以及因磨粒與工件間在微觀接觸度的摩擦產(chǎn)生的高壓、高溫，使能在很短的接觸時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)固相反應(yīng)，隨后這種反應(yīng)生成物被運(yùn)動(dòng)的磨粒機(jī)械摩擦作用去除。目前，去除量最小至0.1 nm，整體厚度變化為（0.2～0.4）μm/300 mm，表面光潔度為1 nm。圖4為用AFM測(cè)得的表面粗糙度。英國(guó)和德國(guó)對(duì)這項(xiàng)技術(shù)的研究處于領(lǐng)先地位。

圖4 表面粗糙度圖形

圖5（a）、圖5（b）、圖5（c）為硅片的粗磨、超精密磨削和超精密磨拋加工及其表面損傷層。

圖5 硅片超精密研磨

2 硅片背面減薄加工技術(shù)

硅片上的電路層有效厚度一般在5～10 μm，電路層制作完后，需要對(duì)硅片進(jìn)行背面減薄，達(dá)到所需的厚度，然后再對(duì)硅片進(jìn)行劃片，形成一個(gè)個(gè)減薄的裸芯片。

粗磨階段：迅速去除硅片背面絕大部分的多余材料。

精磨階段：消除粗磨時(shí)形成的損傷層，達(dá)到要求的厚度。

日本Tokyo Seimitsu公司所研制的硅片拋磨機(jī)床基于硅片自旋轉(zhuǎn)磨削原理，在金剛石微粉砂輪粗磨和精磨的基礎(chǔ)上增加一個(gè)利用固著磨料拋光輪去除磨削損傷層的系統(tǒng)，可以進(jìn)行硅片的鏡面加工，使表面損傷層＜0.1 μm，利用該機(jī)床進(jìn)行硅片的背面磨削，可以快速減小硅片的厚度，為3D貼片等一些特殊應(yīng)用場(chǎng)合提供厚度僅為150 μm的薄硅片，如圖6所示為背面磨削后的鏡面薄硅片。

圖6 背面磨削后的鏡面薄硅片

3 硅片的超精密拋光技術(shù)

3.1 化學(xué)機(jī)械拋光

化學(xué)機(jī)械拋光時(shí)，旋轉(zhuǎn)的工件以一定的壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，而由微米或納米磨粒和化學(xué)溶液組成的拋光液在工件與拋光墊之間流動(dòng)，并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，工件表面形成的化學(xué)反應(yīng)由磨粒的機(jī)械作用去除，即在化學(xué)成膜和機(jī)械去膜的交替過程中實(shí)現(xiàn)超精密表面加工——游離磨料CMP。

CMP加工過程中，硅片表面各點(diǎn)的拋光壓力分布是不均勻的，這成為影響硅片CMP平整化加工均勻性的重要因素，夾持和固定硅片的夾盤和背襯表面平整度直接影響拋光硅片的平整度。日本Tokyo Seimitsu公司應(yīng)用氣壓控制技術(shù)開發(fā)了浮式硅片夾盤，不需要高精度的平整背襯，通過在夾盤中形成的氣墊支撐硅片的背面，以保證拋光過程中均勻的壓力分布。

3.2 等離子輔助化學(xué)刻蝕平坦化技術(shù)

測(cè)量系統(tǒng)把硅片表面凹凸的幾何誤差信息輸入計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)控制等離子噴嘴的位置和速度，對(duì)凸凹表面進(jìn)行局部加工，刻蝕速度一般為1～50 mm/min，等離子噴嘴直徑可以從3～30 mm選擇，對(duì)精度進(jìn)行控制。

3.3 電化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)

在傳統(tǒng)的電化學(xué)銅沉積工藝基礎(chǔ)上，在兩個(gè)電極之間增加非導(dǎo)體多空拋光墊，利用拋光墊的干擾作用實(shí)現(xiàn)選擇性電化學(xué)銅沉積，同時(shí)拋光墊的機(jī)械摩擦和拋光作用可去除頂部多余的銅沉積層，從而通過選擇沉積于機(jī)械去除雙重作用，減少多余銅的厚度，達(dá)到平坦化的目的。

3.4 無應(yīng)力拋光技術(shù)

由電解拋光技術(shù)發(fā)展而來，依靠電流密度效應(yīng)按一系列同心環(huán)對(duì)銅結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行平坦化。其工藝過程為：首先利用電解拋光去除大量的銅；再通過二次拋光，以確保全部去除頂部的銅；最后采用等離子體刻蝕工藝去除頂部的阻擋層金屬，并回蝕某些電介質(zhì)。

4 硅晶片加工設(shè)備的研究現(xiàn)狀

美國(guó)LLL實(shí)驗(yàn)室于1983年研制的DTM-3大型金剛石超精密車床，加工平面度為12.5 nm，加工表面粗糙度Ra為4.2 nm。

英國(guó)克蘭菲爾德（Cranfield）技術(shù)學(xué)院所屬的克蘭菲爾德精密工程研究所（簡(jiǎn)稱CUPE）是當(dāng)今世界上精密工程的研究中心之一，是英國(guó)超精密加工技術(shù)水平的獨(dú)特代表。其生產(chǎn)的Nanocentre（納米加工中心）既可以進(jìn)行超精密車削，也可以進(jìn)行超精密磨削，加工工件的形狀精度為0.1 nm，表面粗糙度小于10 nm。

模塊化、構(gòu)建化是超精密機(jī)床進(jìn)入市場(chǎng)的重要技術(shù)手段，如美國(guó)ANORAD公司生產(chǎn)各種主軸、導(dǎo)軌和轉(zhuǎn)臺(tái)，用戶可根據(jù)各自的需要組成一維、二維和多維超精密運(yùn)動(dòng)控制平臺(tái)和機(jī)床。

超精密機(jī)床往往與傳統(tǒng)機(jī)床在結(jié)構(gòu)布局上有很大差別，流行的布局方式是“T”型布局，這種布局使機(jī)床整體剛度較高，控制也相對(duì)容易，如Pneumo公司生產(chǎn)的大部分超精密車床都采用這一布局。模塊化使機(jī)床布局更加靈活多變，如日本超硅晶體研究株式會(huì)社研制的超精密磨床，用于磨削超大硅晶片，采用三角菱形五面體結(jié)構(gòu)，用于提高剛度；德國(guó)蔡司公司研制了4軸AS100精密磨床，用于加工自由形成表面，該機(jī)床除了X、Z和C軸外，附加了A軸，用于加工自由表面時(shí)控制砂輪的切削點(diǎn)。

5 硅晶片加工方法的發(fā)展趨勢(shì)

（1）雙面研磨和采用杯形砂輪的回轉(zhuǎn)磨削可進(jìn)一步提高硅晶片的表面質(zhì)量，是未來硅晶片超精密加工很有競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)；

（2）在磨削過程中，通過控制刀具相對(duì)于工件的位置和刀具主軸的自動(dòng)調(diào)整來獲得理想的加工表面，實(shí)現(xiàn)以磨代拋；

（3）為進(jìn)一步提高硅晶片的表面質(zhì)量，大摩擦系數(shù)的化學(xué)機(jī)械拋光有可能得到應(yīng)用；

（4）對(duì)于大尺寸的硅晶片，如果利用固定金剛石刀具進(jìn)行塑性區(qū)域加工，可提高加工精度，減小亞表面的損傷，減小拋光量，提高加工效率；

（5）用超精密切削代替超精密磨削也是超精密技術(shù)發(fā)展方向之一。

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