高能電子輻照下介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)深層充電特性研究

鄭漢生，楊濤，韓建偉，張振龍，劉繼奎

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高能電子輻照下介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)深層充電特性研究

鄭漢生1,2，楊濤1，韓建偉1,2，張振龍1,2，劉繼奎3

（1．中國(guó)科學(xué)院國(guó)家空間科學(xué)中心，北京100190；2. 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)，北京100049；3. 北京控制工程研究所，北京100190）

為研究影響介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)深層充電特性的內(nèi)在因素，設(shè)計(jì)了不同構(gòu)型的試驗(yàn)樣品，利用90Sr放射源模擬空間高能電子環(huán)境對(duì)樣品進(jìn)行深層充電輻照試驗(yàn)，測(cè)量了充電電位的差異。并借助深層充電三維仿真軟件計(jì)算介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)在不同幾何構(gòu)型情況下的深層充電電位、電場(chǎng)分布。試驗(yàn)和仿真結(jié)果表明，介質(zhì)最高表面電位以及介質(zhì)內(nèi)部最大電場(chǎng)均與介質(zhì)寬度和高度呈正相關(guān)。其他條件不變時(shí)，介質(zhì)越寬，或越高于導(dǎo)體表面，發(fā)生放電的風(fēng)險(xiǎn)就越高。在介質(zhì)與導(dǎo)體側(cè)面存在微小縫隙情況下，介質(zhì)內(nèi)最大電場(chǎng)顯著增強(qiáng)，易發(fā)生內(nèi)部擊穿。而在介質(zhì)與導(dǎo)體之間的真空間隙內(nèi)，電場(chǎng)很容易超過(guò)擊穿閾值，放電風(fēng)險(xiǎn)很大。航天工程應(yīng)用中為降低此種結(jié)構(gòu)深層充放電的風(fēng)險(xiǎn)，在滿足絕緣性能及其他要求的前提下應(yīng)盡量減小介質(zhì)的寬度，降低介質(zhì)與導(dǎo)體間的高度差，并確保介質(zhì)與導(dǎo)體側(cè)面接觸良好。

高能電子；介質(zhì)深層充電；試驗(yàn)；三維仿真

0 引言

空間輻射環(huán)境中高能電子穿透性強(qiáng)，易沉積在航天器外圍的絕緣介質(zhì)深處或穿透航天器屏蔽層沉積在內(nèi)部的介質(zhì)中以及孤立導(dǎo)體表面，導(dǎo)致電荷持續(xù)積累而形成深層充電（或稱(chēng)為內(nèi)部充電）效應(yīng)，由此引發(fā)的空間靜電放電是主要的空間環(huán)境危害之一[1-3]。尤其是在電子環(huán)境惡劣的地球外輻射帶區(qū)域，常出現(xiàn)規(guī)律性或偶發(fā)性的高能電子暴，能量為幾百keV至幾MeV的電子其通量會(huì)在數(shù)天內(nèi)增大2～3個(gè)數(shù)量級(jí)[4-5]，深層充電的危害性更加凸顯，從而嚴(yán)重威脅著GEO、MEO以及HEO衛(wèi)星的在軌安全可靠運(yùn)行[6-8]。

深層充電效應(yīng)的研究對(duì)象主要是航天常用的高電阻率介質(zhì)材料。衛(wèi)星上的電纜護(hù)套、電路板以及各種絕緣支撐件、固定件等存在大塊介質(zhì)的結(jié)構(gòu)，是發(fā)生深層充電的高風(fēng)險(xiǎn)部位。目前，針對(duì)平板介質(zhì)等簡(jiǎn)單構(gòu)型開(kāi)展的深層充電模擬試驗(yàn)和仿真計(jì)算的研究很多[9-11]，但針對(duì)衛(wèi)星上具代表性的較復(fù)雜構(gòu)型開(kāi)展的深層充電規(guī)律研究相對(duì)較少[12-13]。實(shí)際上，在軌發(fā)生的充放電效應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的物理過(guò)程，不僅與介質(zhì)材料自身的性能參數(shù)相關(guān)，還與充電部位的具體結(jié)構(gòu)、接地條件及其周?chē)季钟嘘P(guān)，簡(jiǎn)單地等效為一維平板模型在很多情況下并不恰當(dāng)。因此，通過(guò)試驗(yàn)和仿真的手段研究具有較高深層充電風(fēng)險(xiǎn)的典型衛(wèi)星部件結(jié)構(gòu)的充電特性和規(guī)律，對(duì)航天工程應(yīng)用中深層充電防護(hù)設(shè)計(jì)具有重要意義。

介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)是指介質(zhì)與導(dǎo)體側(cè)面相鄰緊貼的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)體為介質(zhì)提供了側(cè)面接地條件。此結(jié)構(gòu)常見(jiàn)于衛(wèi)星太陽(yáng)電池陣驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)（SADA）的導(dǎo)電環(huán)裝置。太陽(yáng)電池陣與衛(wèi)星主體間通過(guò)SADA導(dǎo)電環(huán)的金屬滑環(huán)和電刷完成功率及信號(hào)傳輸，不同的金屬滑環(huán)間用絕緣介質(zhì)隔離[14]。由于SADA安裝于衛(wèi)星主體的外側(cè)，高能電子很可能穿透SADA殼體而使滑環(huán)間的絕緣介質(zhì)遭受?chē)?yán)重的深層充電效應(yīng)，一旦介質(zhì)充電引發(fā)對(duì)滑環(huán)的放電，放電脈沖將可能影響到太陽(yáng)電池陣的跟蹤控制以及衛(wèi)星的可靠供電。本文利用90Sr放射源模擬外輻射帶的高能電子環(huán)境，設(shè)計(jì)了不同構(gòu)型的介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)試驗(yàn)樣品，對(duì)其進(jìn)行深層充電輻照試驗(yàn)，并借助自主開(kāi)發(fā)的內(nèi)部充電三維仿真軟件，計(jì)算不同介質(zhì)寬度和高度以及介質(zhì)與導(dǎo)體存在間隙情況下的充電電位、電場(chǎng)分布，分析影響介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)深層充電特性的各種內(nèi)在因素。

1 試驗(yàn)和仿真方案

1.1 試驗(yàn)裝置

中國(guó)科學(xué)院國(guó)家空間科學(xué)中心的航天器充放電模擬裝置（SCADS）是用于航天介質(zhì)材料充放電特性研究以及衛(wèi)星部件和單機(jī)設(shè)備的充放電風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估的專(zhuān)用試驗(yàn)裝置[15]，如圖1所示。裝置主要由真空室及真空泵組、電子輻照源、溫控樣品臺(tái)、傳動(dòng)系統(tǒng)和參數(shù)測(cè)量系統(tǒng)組成，其核心部分是2套不同的電子輻照源，包括1臺(tái)STAIBEK- 100-FL型電子槍以及由7枚出廠總活度達(dá)350mCi的90Sr-90Y放射源組成的面陣。電子槍能提供5～100keV能量范圍內(nèi)束流密度連續(xù)可調(diào)的單能電子束，而90Sr-90Y放射源通過(guò)β衰變所發(fā)射的電子具有連續(xù)能譜（max=2.28MeV）且通量可控制在pA量級(jí)上下，與地球外輻射帶中的深層充電高能電子能譜和通量有著較好的匹配，是較理想的深層充電模擬源。通過(guò)調(diào)節(jié)放射源和試驗(yàn)樣品之間的距離可控制電子通量的大小來(lái)模擬不同程度的高能電子環(huán)境。輻照試驗(yàn)期間，參數(shù)測(cè)量系統(tǒng)可對(duì)試驗(yàn)樣品的表面電位、接地電流、放電電流脈沖和電場(chǎng)脈沖以及放電圖像等充放電參數(shù)進(jìn)行自動(dòng)監(jiān)測(cè)記錄。

圖1 航天器充放電模擬裝置

1.2 試驗(yàn)樣品

為對(duì)比研究介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)中介質(zhì)的寬度和高度（介質(zhì)與導(dǎo)體表面高度差）對(duì)深層充電效應(yīng)的影響，設(shè)計(jì)了#1、#2兩種試驗(yàn)樣品，其結(jié)構(gòu)（側(cè)視圖）如圖2所示。樣品尺寸均為98mm×60mm×8mm，介質(zhì)材料為聚酰亞胺，導(dǎo)體材料為銅。2mm厚的銅條嵌入不同深度（6mm和4mm）的絕緣凹槽中，#1樣品銅條以及銅條間的介質(zhì)寬度均為10mm，#2樣品的銅條以及銅條間的介質(zhì)寬度均為5mm。

圖2 #1和#2試驗(yàn)樣品結(jié)構(gòu)示意圖

與介質(zhì)側(cè)面緊貼的導(dǎo)體（非孤立導(dǎo)體）為介質(zhì)內(nèi)的沉積電荷提供了泄放通道。若因?qū)w與介質(zhì)接觸不良導(dǎo)致兩者間存在微小縫隙，將對(duì)電荷的泄放產(chǎn)生不利影響。為研究此情況下的深層充電效應(yīng)，設(shè)計(jì)了#3樣品，樣品尺寸為40mm×40mm×8mm，介質(zhì)材料為聚四氟乙烯，導(dǎo)體材料為銅，其結(jié)構(gòu)如圖3所示。銅條厚2mm，介質(zhì)與銅條表面高度差為4mm，其中一個(gè)銅條側(cè)面與介質(zhì)間存在0.1mm的間隙。

圖3 #3試驗(yàn)樣品結(jié)構(gòu)示意圖

考慮到工程應(yīng)用中SADA導(dǎo)電環(huán)的金屬滑環(huán)所加電壓與介質(zhì)充電電壓相比可以忽略，試驗(yàn)樣品的銅條均作接地處理。試驗(yàn)時(shí)，樣品前表面（有凹槽的一面）接受電子輻照，將放射源置于樣品正前方，調(diào)節(jié)源距使樣品中心的電子通量為5pA/cm2。試驗(yàn)期間，真空度維持在10-4～10-5Pa，溫度保持室溫。對(duì)樣品2處對(duì)稱(chēng)位置的表面電位進(jìn)行非接觸式感應(yīng)測(cè)量，比較充電電位的差異。

1.3 仿真軟件及建模

通過(guò)模擬試驗(yàn)可獲得充電表面電位、放電電流脈沖及電場(chǎng)脈沖等充放電關(guān)鍵參數(shù)，但對(duì)于試驗(yàn)對(duì)象內(nèi)部的劑量沉積以及電場(chǎng)和電位分布細(xì)節(jié)缺乏有效的測(cè)量手段。而借助計(jì)算機(jī)仿真軟件則可彌補(bǔ)模擬試驗(yàn)的不足，能靈活地選擇輸入能譜參數(shù)，通過(guò)計(jì)算得出劑量沉積分布，給出充電電位、內(nèi)部電場(chǎng)隨時(shí)間和空間的變化情況。

SIC3D軟件是由中國(guó)科學(xué)院國(guó)家空間科學(xué)中心自主研發(fā)的深層充電三維仿真軟件，可用于衛(wèi)星復(fù)雜結(jié)構(gòu)部件的幾何建模和仿真計(jì)算[16-17]，其基本框架如圖4所示。軟件的深層充電計(jì)算涉及2個(gè)基本物理過(guò)程，即空間輻射電子在介質(zhì)材料內(nèi)的輸運(yùn)以及介質(zhì)材料內(nèi)建電場(chǎng)的演化。相應(yīng)地，SIC3D有2個(gè)主要模塊：基于Geant4的電子輸運(yùn)蒙特卡羅模擬模塊，用于計(jì)算高能電子在材料內(nèi)的運(yùn)動(dòng)軌跡和能量沉積；基于有限元分析（FEA）的電場(chǎng)演化計(jì)算模塊，通過(guò)求解包含RIC模型的電荷連續(xù)性方程和泊松方程來(lái)計(jì)算介質(zhì)材料內(nèi)建電場(chǎng)的演化。

圖4 SIC3D基本框架圖

利用SIC3D對(duì)介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)進(jìn)行幾何建模和充電仿真計(jì)算。如圖5所示，建立了4種不同的三維模型，包含了不同的介質(zhì)寬度、高度以及介質(zhì)與導(dǎo)體間存在微小間隙的情況。4種模型的介質(zhì)材料均為聚酰亞胺（PI），導(dǎo)體為2mm厚的銅條。模型a中與銅條相鄰的介質(zhì)寬10mm，高2mm；模型b的介質(zhì)寬10mm，高4mm；模型c的介質(zhì)寬5mm，高2mm；模型d與模型a的介質(zhì)寬度及高度相同，但銅條與介質(zhì)間存在0.1mm間隙。計(jì)算中采用的介質(zhì)材料參數(shù)見(jiàn)表1，銅條被設(shè)定為零電位。為便于與模擬試驗(yàn)取得的定性結(jié)果進(jìn)行對(duì)照，仿真的電子源采用90Sr放射源的能譜，從模型上方入射，電子通量與試驗(yàn)保持一致（5pA/cm2）。

(a)?????????(b)

(c)?????????(d)

圖5 4種不同結(jié)構(gòu)的SIC3D仿真建模

Fig. 5 Four different structure models in SIC3D

表1 仿真采用的PI材料參數(shù)

2 試驗(yàn)和仿真結(jié)果及分析

2.1 介質(zhì)寬度和高度對(duì)深層充電特性的影響

在90Sr放射源輻照下，#1樣品、#2樣品各自2處測(cè)量位置的電位變化趨勢(shì)如圖6所示。約2000min后，樣品的表面電位均趨于平衡。#1樣品位置1的平衡電位約為-14000V，位置2的平衡電位約為-16500V；#2樣品位置1的平衡電位約為-13000V，位置2的平衡電位約為-15000V。

#1樣品2個(gè)測(cè)量位置的表面電位均高于#2樣品對(duì)應(yīng)位置的表面電位，這說(shuō)明介質(zhì)與導(dǎo)體高度差相同時(shí)，寬介質(zhì)比窄介質(zhì)的充電電位更高。而2種樣品測(cè)量位置2的電位均高于位置1的電位，說(shuō)明了介質(zhì)與導(dǎo)體高度差增加時(shí)，充電電位升高。

圖6 #1樣品和#2樣品表面電位隨時(shí)間的變化

利用SIC3D對(duì)a、b、c這3種模型計(jì)算得到的介質(zhì)充電電位及內(nèi)部電場(chǎng)三維分布如圖7及圖8所示。從圖中可見(jiàn)，充電電位及電場(chǎng)在不同介質(zhì)寬度和高度情況下的分布規(guī)律類(lèi)似。介質(zhì)表面最高負(fù)電位均出現(xiàn)在距離銅條（接地點(diǎn)）最遠(yuǎn)端。若介質(zhì)兩側(cè)均有接地導(dǎo)體相鄰，那么最大負(fù)電位點(diǎn)應(yīng)位于介質(zhì)中心位置。介質(zhì)內(nèi)部最大電場(chǎng)均出現(xiàn)在介質(zhì)側(cè)面與接地銅條的交界處，這與正面、背面及雙面接地情況下平板介質(zhì)的深層充電計(jì)算結(jié)果類(lèi)似[10]。

(a)?????????(b)

(c)

圖7 3種模型（a、b、c）的電位分布

Fig. 7 Distribution of potential for model a, b and c

(a)

(b)

(c)

圖9為通過(guò)SIC3D仿真得到的介質(zhì)最高表面電位及內(nèi)部最大電場(chǎng)隨介質(zhì)寬度和高度的變化。介質(zhì)是否會(huì)發(fā)生內(nèi)部擊穿放電取決于內(nèi)部最大電場(chǎng)是否超過(guò)材料的介電強(qiáng)度。從最大電場(chǎng)隨介質(zhì)寬度和高度的變化情況可見(jiàn)，介質(zhì)寬度或高度增加時(shí)，深層充電導(dǎo)致的介質(zhì)內(nèi)建電場(chǎng)會(huì)增強(qiáng)。介質(zhì)寬度增加導(dǎo)致最大電場(chǎng)增強(qiáng)與介質(zhì)接受電子輻照的面積增大有關(guān)。假設(shè)電子入射通量為I，介質(zhì)受照面積為I，接地面積為O，接地面附近介質(zhì)內(nèi)建電場(chǎng)為，電導(dǎo)率為，則介質(zhì)達(dá)到充電平衡時(shí)，由電荷守恒定律及歐姆定律可得。在其他條件不變時(shí)，增加介質(zhì)的寬度會(huì)增大介質(zhì)暴露的受照面積I，從而導(dǎo)致介質(zhì)接地面附近產(chǎn)生更強(qiáng)的局部電場(chǎng)，增加介質(zhì)發(fā)生內(nèi)部擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。

(a)

(b)

圖9 介質(zhì)最高電位及最大電場(chǎng)隨介質(zhì)寬度和高度的變化

Fig. 9 Variation of maximum surface voltage and electric field of dielectric against its width and height

介質(zhì)高度對(duì)最大電場(chǎng)的影響與介質(zhì)不同深度的劑量率分布有關(guān)。圖10所示為通過(guò)蒙特卡羅計(jì)算得到的模型a中=0平面介質(zhì)區(qū)域的劑量率分布，由圖可見(jiàn)，介質(zhì)右半部分由于2mm厚銅條的屏蔽，電子未能穿透進(jìn)入其中；而左半部分，從介質(zhì)表面沿著垂直向下的方向，電子沉積導(dǎo)致的劑量率呈減小趨勢(shì)。受限于入射電子在介質(zhì)材料中的最大射程，在距介質(zhì)表面約4mm以下，劑量率幾乎為0。介質(zhì)在輻射環(huán)境下的電導(dǎo)率為=dark+RIC=dark+P(d/d)，當(dāng)劑量率為0.01rad/s時(shí)，取表1的材料參數(shù)計(jì)算可知，聚酰亞胺的輻射誘導(dǎo)電導(dǎo)率比暗電導(dǎo)率大1個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，當(dāng)介質(zhì)與導(dǎo)體表面高度差大于電子最大射程時(shí)，由于接地面附近介質(zhì)電導(dǎo)率大幅降低，由歐姆定律=可知，介質(zhì)內(nèi)部最大電場(chǎng)將顯著增強(qiáng)。

圖10 a模型中y=0平面的劑量率分布

從充電電位的仿真結(jié)果來(lái)看，與最大電場(chǎng)的變化規(guī)律類(lèi)似，一定條件下介質(zhì)表面電位同樣與介質(zhì)寬度和高度呈正相關(guān)。電位是電場(chǎng)在空間的積分，介質(zhì)表面電位取決于介質(zhì)內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)以及與接地點(diǎn)的距離。從仿真結(jié)果來(lái)看，模型b與模型a、c相比由于其介質(zhì)內(nèi)部電場(chǎng)更強(qiáng)，且介質(zhì)上表面邊沿與接地點(diǎn)的距離更遠(yuǎn)，因而其表面電位更高。介質(zhì)表面電位的高低不僅是其內(nèi)部電場(chǎng)大小的間接體現(xiàn)，而且介質(zhì)表面與附近其他部件表面間的電位差影響著兩者間發(fā)生放電的風(fēng)險(xiǎn)。若相鄰表面的電位差超過(guò)擊穿閾值，則兩者間將發(fā)生放電。因此，在介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)中，為降低介質(zhì)發(fā)生內(nèi)部擊穿放電以及介質(zhì)與附近部件表面間的放電風(fēng)險(xiǎn)，在滿足其他要求的前提下，應(yīng)盡量減小介質(zhì)的寬度，降低介質(zhì)與導(dǎo)體表面的高度差。

2.2 介質(zhì)與導(dǎo)體間隙對(duì)深層充電特性的影響

利用90Sr放射源對(duì)#3試驗(yàn)樣品持續(xù)輻照24h以上達(dá)到充電平衡，輻照期間未監(jiān)測(cè)到放電脈沖。圖11所示為樣品2處測(cè)量位置的電位變化情況，位置1和2的表面電位可見(jiàn)明顯差異。位置1的介質(zhì)與銅條接觸良好，其表面平衡電位約為-6100V；而位置2的介質(zhì)其側(cè)面與銅條間存在0.1mm的間隙，表面電位相對(duì)高出32.8%，達(dá)到-8100V。

圖11 #3樣品表面電位隨時(shí)間的變化

對(duì)模型d的三維充電仿真計(jì)算結(jié)果如圖12所示。由圖12(a)可見(jiàn)，有間隙時(shí)介質(zhì)最高表面電位達(dá)-19000V，比模型a的介質(zhì)最高電位-9146V高1倍多。而通過(guò)比較模型a和模型d的電場(chǎng)計(jì)算結(jié)果，發(fā)現(xiàn)二者介質(zhì)最大電場(chǎng)及其分布細(xì)節(jié)所呈現(xiàn)的差異性更為顯著。無(wú)間隙時(shí)，最大電場(chǎng)為7.4×104V/cm，位于與銅條側(cè)面相接處的介質(zhì)內(nèi)；有間隙時(shí)，整個(gè)結(jié)構(gòu)的最大電場(chǎng)位于介質(zhì)與導(dǎo)體側(cè)面之間真空間隙區(qū)域的上部，達(dá)1.4×106V/cm，而介質(zhì)內(nèi)部的最大電場(chǎng)位于間隙底部的銅條邊沿附近，約為3.5×105V/cm，這都超過(guò)了NASA-HDBK-4002A中給出的可能發(fā)生真空間隙放電以及介質(zhì)擊穿放電的閾值電場(chǎng)判據(jù)[18]，特別是間隙區(qū)域內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度更是高出擊穿閾值電場(chǎng)1個(gè)數(shù)量級(jí)。

(a) 電位

(b) 電場(chǎng)

圖12 模型d的電位及電場(chǎng)分布

Fig. 12 Distribution of potential and electric field in model d

介質(zhì)與導(dǎo)體的間隙導(dǎo)致充電電位與電場(chǎng)急劇增強(qiáng)是由于介質(zhì)內(nèi)部沉積電荷的泄放通道發(fā)生變化。介質(zhì)與導(dǎo)體側(cè)面接觸良好時(shí)，介質(zhì)內(nèi)電荷主要通過(guò)導(dǎo)體側(cè)面泄放，泄放面積大且距離近。當(dāng)兩者因接觸不良而產(chǎn)生微小間隙時(shí)，電荷只能繞到間隙底部導(dǎo)體與介質(zhì)的接觸點(diǎn)（即導(dǎo)體底面邊沿）泄放，此位置被銅條屏蔽的介質(zhì)沒(méi)有受到電子輻照，只有暗電導(dǎo)率參與電荷的泄放，因而導(dǎo)致局部電場(chǎng)顯著增強(qiáng)。而介質(zhì)與導(dǎo)體之間的真空間隙區(qū)域內(nèi)，由于間隙兩邊電位相差懸殊且間隙非常小，間隙中就可能形成超過(guò)擊穿閾值的強(qiáng)電場(chǎng)，在一定觸發(fā)條件下（例如介質(zhì)材料真空出氣）發(fā)生放電的風(fēng)險(xiǎn)很高。因此，在工程應(yīng)用中，介質(zhì)與導(dǎo)體相鄰緊貼時(shí)，確保兩者側(cè)面間具有良好的電接觸十分重要。

3 結(jié)束語(yǔ)

本文利用航天器充放電模擬裝置的90Sr放射源，對(duì)不同構(gòu)型的介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)試驗(yàn)樣品進(jìn)行了深層充電輻照試驗(yàn)，并借助深層充電三維仿真軟件SIC3D計(jì)算了這些樣品充電至平衡時(shí)的電位及電場(chǎng)分布。試驗(yàn)和仿真結(jié)果表明，在連續(xù)譜高能電子的輻照下，與導(dǎo)體相鄰的絕緣介質(zhì)最大表面電位以及介質(zhì)內(nèi)部最大電場(chǎng)均與介質(zhì)寬度和高度呈正相關(guān)。其他條件不變時(shí)，介質(zhì)越寬，或者越高于導(dǎo)體表面，發(fā)生相鄰部件間放電以及介質(zhì)內(nèi)部擊穿放電的風(fēng)險(xiǎn)越高。尤其是當(dāng)介質(zhì)與導(dǎo)體側(cè)面之間因接觸不良而產(chǎn)生微小間隙時(shí)，由于電荷泄放通道改變，導(dǎo)致介質(zhì)內(nèi)部最大電場(chǎng)顯著增強(qiáng)。而間隙內(nèi)的狹小真空區(qū)域，在間隙尺度很小時(shí)電場(chǎng)很可能超過(guò)擊穿閾值而使介質(zhì)-導(dǎo)體間發(fā)生放電。對(duì)于航天器中的介質(zhì)-導(dǎo)體相間結(jié)構(gòu)（例如SADA導(dǎo)電環(huán)），在滿足導(dǎo)體間絕緣性能以及其他要求的前提下，應(yīng)盡量減小介質(zhì)的寬度以及介質(zhì)與導(dǎo)體間的高度差，并確保介質(zhì)與導(dǎo)體側(cè)面電接觸良好，杜絕縫隙的產(chǎn)生。

（References）

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（編輯：肖福根）

Charging characteristics of dielectric-conductor alternately layered structure under energetic electron irradiation

ZHENG Hansheng1,2, YANG Tao1, HAN Jianwei1,2, ZHANG Zhenlong1,2, LIU Jikui3

(1. National Space Science Center, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China;2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;3. Beijing Institute of Control Engineering, Beijing 100190, China)

To investigate the charging characteristics of the dielectric-conductor alternately layered structure, various samples are designed and irradiated by the90Sr β source to simulate the energetic-electron environment in space and the sample charging potentials are measured during the experiment. By using the 3-D simulation tool of deep dielectric charging, various structures are modeled and the charging potential and the electric field are calculated numerically. Experimental and simulation results show that the maximum dielectric surface potential and the built-in electric field of the structure are positively correlated with the width and the height (over the conductor surface) of the dielectric. The wider or higher the dielectric is, the greater the discharging risk will be. Especially when there is a narrow gap between the dielectric and the conductor, the electric field inside the dielectric will be enhanced dramatically and may result in an internal break-down. The electric field in the gap region might easily exceed the vacuum break-down threshold value. To mitigate the internal charging hazards of such structures in space engineering applications, the width and the height of the dielectric should be minimized as far as possible and the gap between the dielectric and the conductor must be avoided.

energetic electron; deep dielectric charging; experiment; three-dimensional simulation

V520.6; V416.5

A

1673-1379(2017)02-0183-07

10.3969/j.issn.1673-1379.2017.02.013

2016-08-22；

2017-02-27

國(guó)防基礎(chǔ)科研計(jì)劃項(xiàng)目（編號(hào)：B1320133032）

鄭漢生（1989—），男，博士研究生，研究方向?yàn)榭臻g環(huán)境效應(yīng)；E-mail: zhenghansheng12@mails.ucas.ac.cn。指導(dǎo)教師：韓建偉（1970—），男，博士學(xué)位，研究員，主要從事空間環(huán)境效應(yīng)研究；E-mail: hanjw@nssc.ac.cn。

http://www.bisee.ac.cn

E-mail: htqhjgc@126.com

Tel: (010)68116407, 68116408, 68116544