五相無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)霍爾容錯(cuò)控制策略

陳黎明

(廣東機(jī)電職業(yè)技術(shù)學(xué)院,廣州510515)

0 引 言

五相無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制在2000年以后得到各國(guó)學(xué)者的重視[1-2],與傳統(tǒng)的三相無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)相比,它降低了轉(zhuǎn)矩脈動(dòng),提高了電樞的利用率[3]。由于相數(shù)的增加使其可以提供比三相電機(jī)更多的控制自由度,增加的自由度可用來(lái)實(shí)現(xiàn)在故障狀態(tài)下的無(wú)擾容錯(cuò)運(yùn)行。發(fā)生故障后,五相電機(jī)僅需要修改其控制策略,而無(wú)需修改任何硬件電路,剩余的正常相便可以補(bǔ)償故障引起的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng),實(shí)現(xiàn)容錯(cuò)運(yùn)行[4-7],文獻(xiàn)[8]給出五相無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)(以下簡(jiǎn)稱BLDCM)一相開(kāi)路故障情況下的運(yùn)轉(zhuǎn)方法。這些研究主要集中在繞組發(fā)生故障時(shí)的容錯(cuò)處理,鮮有霍爾發(fā)生故障時(shí)的研究報(bào)道。

BLDCM的無(wú)位置傳感器研究已比較深入,應(yīng)用較多的反電勢(shì)法由于反電勢(shì)幅值與電機(jī)轉(zhuǎn)速成正比,不適合于低速范圍。目前廣泛采用的開(kāi)環(huán)起動(dòng)技術(shù),它的成功實(shí)現(xiàn)與負(fù)載轉(zhuǎn)矩、電機(jī)參數(shù)、外施電壓、加速曲線等諸多因素有關(guān),如果控制不當(dāng),很容易導(dǎo)致電機(jī)失步甚至起動(dòng)失敗[9],因此,大多情況下五相BLDCM需要采用霍爾傳感檢測(cè)轉(zhuǎn)子位置。與三相BLDCM相比,霍爾增加了2個(gè),只要霍爾損壞1個(gè),五相BLDCM就出現(xiàn)故障無(wú)法使用,由于霍爾損壞引起的故障率有較大提高。

因此,本文提出了一種五相BLDCM霍爾故障容錯(cuò)控制策略。在分析不同霍爾故障的基礎(chǔ)上,研究霍爾損壞時(shí)霍爾狀態(tài)、開(kāi)關(guān)狀態(tài)和轉(zhuǎn)矩之間的關(guān)系,給出了最多2個(gè)霍爾損壞情況下霍爾故障容錯(cuò)控制策略,通過(guò)實(shí)驗(yàn)樣機(jī)驗(yàn)證了控制策略的效果,解決了五相BLDCM霍爾增加帶來(lái)的電機(jī)故障率上升的問(wèn)題。

1 霍爾損壞時(shí)的MOS管開(kāi)關(guān)問(wèn)題

五相BLDCM繞組采用星形連接,每相繞組的一端與控制器的輸出相連接,另一端全部連接在一起。采用“四四”導(dǎo)通方式時(shí),霍爾狀態(tài)與開(kāi)關(guān)狀態(tài)真值表如表1所示。

五相BLDCM有5個(gè)霍爾,分別是HA,HB,HC,HD,HE。開(kāi)關(guān)橋臂有5個(gè),每個(gè)橋臂有2個(gè)開(kāi)關(guān)管,分別是A上,A下,B上,B下,C上,C下,D上,D下,E上,E下。正常工作時(shí),在1個(gè)360°電周期內(nèi),10種霍爾狀態(tài)(如01100)與 10 種開(kāi)關(guān)狀態(tài)(如K1(A上,E上,B下,C下))一一對(duì)應(yīng),并按照狀態(tài)1,2,3,…,8,9,10,1,2,3,…,8,9,10這種方式循環(huán)?；魻柍霈F(xiàn)故障時(shí),這種對(duì)應(yīng)關(guān)系被打亂,需要研究霍爾損壞時(shí)霍爾狀態(tài)、開(kāi)關(guān)狀態(tài)和轉(zhuǎn)矩之間的關(guān)系,才能確定準(zhǔn)確的控制策略,實(shí)現(xiàn)容錯(cuò)控制。五相無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)有5個(gè)霍爾,只損壞1個(gè)霍爾時(shí),有5種可能的組合,損壞2個(gè)霍爾時(shí),有10種可能的組合。

表1 霍爾正常時(shí)霍爾狀態(tài)與開(kāi)關(guān)狀態(tài)真值表

1.1 1個(gè)霍爾損壞時(shí)

在損壞1個(gè)霍爾,如表2所示霍爾HA損壞時(shí),狀態(tài)1和10的霍爾值相同是01100,狀態(tài)5和6的霍爾值相同是00011,即1種霍爾狀態(tài)對(duì)應(yīng)2種不同的MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài)(稱為特殊霍爾狀態(tài)),其余6種狀態(tài)的霍爾狀態(tài)與MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài)是一一對(duì)應(yīng),稱為普通霍爾狀態(tài)。

表2 HA損壞時(shí)霍爾狀態(tài)與開(kāi)關(guān)狀態(tài)真值表

在霍爾HB,HC,HD,HE單獨(dú)損壞時(shí),以此類推,分別都有兩種特殊霍爾狀態(tài)。

五相BLDCM在損壞1個(gè)霍爾的情況下,在1個(gè)360°電周期內(nèi),霍爾信號(hào)的狀態(tài)由正常工作時(shí)的10種變化為8種,這8種狀態(tài)在不同霍爾損壞時(shí),又不相同,因此控制器無(wú)法按正常的導(dǎo)通邏輯開(kāi)關(guān)MOS管,控制電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。

1.2 2個(gè)霍爾損壞時(shí)

在同時(shí)損壞2個(gè)霍爾時(shí),根據(jù)組合關(guān)系,存在10種組合,損壞的霍爾組合是HAHB,HBHC,HCHD,HDHE,HEHA和HAHC,HAHD,HBHD,HBHE,HCHE。

如表3所示,霍爾HAHB損壞時(shí),狀態(tài)1和10的霍爾值相同,狀態(tài)5和6的霍爾值相同,狀態(tài)2和3的霍爾值相同,狀態(tài)7和8的霍爾值相同,即1種霍爾狀態(tài)對(duì)應(yīng)2種MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài),只有狀態(tài)4,狀態(tài)9兩種情況下霍爾狀態(tài)與MOS開(kāi)關(guān)狀態(tài)是一一對(duì)應(yīng)。在霍爾組合HBHC,HCHD,HDHE,HEHA損壞時(shí),以此類推,每種組合中都有4個(gè)特殊霍爾狀態(tài)和2個(gè)普通霍爾狀態(tài)。

表3 HAHB損壞時(shí)霍爾狀態(tài)與開(kāi)關(guān)狀態(tài)真值表

根據(jù)五相BLDCM霍爾HA,HB,HC,HD,HE的循環(huán)排列順序,我們稱這5種情況為相鄰相霍爾損壞,即霍爾組合HAHB,HBHC,HCHD,HDHE,HEHA損壞時(shí),在1個(gè)360°電周期內(nèi),霍爾信號(hào)的狀態(tài)由正常工作時(shí)的10種變化為6種,這6種狀態(tài)在不同霍爾組合損壞時(shí),又不相同,因此控制器無(wú)法按正常的導(dǎo)通邏輯開(kāi)關(guān)MOS管,控制電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。

如表4所示,霍爾HAHC損壞時(shí),狀態(tài)1,9,10的霍爾值相同,狀態(tài)4,5,6的霍爾值相同,即1種霍爾狀態(tài)對(duì)應(yīng)3種MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài),只有狀態(tài)2,3,7,8四種情況下霍爾狀態(tài)與MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài)是一一對(duì)應(yīng)。在霍爾HAHD,HBHD,HBHE,HCHE損壞時(shí),以此類推,每組分別有2個(gè)特殊霍爾狀態(tài)和4個(gè)普通霍爾狀態(tài)。

表4 HAHC損壞時(shí)霍爾狀態(tài)與開(kāi)關(guān)狀態(tài)真值表

根據(jù)五相BLDCMHA,HB,HC,HD,HE的循環(huán)排列順序,我們稱這5種情況為不相鄰相霍爾損壞,即霍爾組合HAHC,HAHD,HBHD,HBHE,HCHE損壞時(shí),在1個(gè)360°電周期內(nèi),霍爾信號(hào)的狀態(tài)由正常工作時(shí)的10種變化為6種,有2種霍爾狀態(tài)分別對(duì)應(yīng)3種MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài)。在不同霍爾組合損壞時(shí),這6種狀態(tài)又不相同,因此控制器無(wú)法按正常的導(dǎo)通邏輯開(kāi)關(guān)MOS管,控制電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。

2 霍爾損壞時(shí)的MOS管開(kāi)關(guān)策略

2.1 霍爾損壞時(shí)MOS管開(kāi)關(guān)的基本原則

圖1給出了五相BLDCM繞組的感應(yīng)電勢(shì)波形。橫坐標(biāo)是電周期,反映轉(zhuǎn)子與繞組的相對(duì)位置?；魻栒Ｇ闆r下,與霍爾狀態(tài)一一對(duì)應(yīng),t1～t2區(qū)間,霍爾值是01100,…,t9～t10區(qū)間,霍爾值是11000,t10～t1區(qū)間,霍爾值是11100 。 在t10-1～t5-1(0°～180°)和t5-1～t10-1(180°～360°),分別開(kāi)通A上和A下,A相繞組的感應(yīng)電勢(shì)極性與加在繞組上的電壓方向相反,繞組電流產(chǎn)生正向轉(zhuǎn)矩,如分別開(kāi)通A下和A上,則產(chǎn)生反向轉(zhuǎn)矩?；魻栒Ｇ闆r下,A相繞組只在t1～t5(18°～162°)和t6～t10(198°～342°)工作,在區(qū)間t10～t1和t5～t6換相,其余各相MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài)和霍爾狀態(tài)關(guān)系相似。

圖1 五相繞組反電勢(shì)波形

霍爾損壞時(shí)存在2種特殊霍爾狀態(tài),1種霍爾狀態(tài)對(duì)應(yīng)2種開(kāi)關(guān)狀態(tài)和1種霍爾狀態(tài)對(duì)應(yīng)3種開(kāi)關(guān)狀態(tài),霍爾狀態(tài)和開(kāi)關(guān)狀態(tài)不是一一對(duì)應(yīng)關(guān)系,可能出現(xiàn)開(kāi)通相繞組產(chǎn)生反方向轉(zhuǎn)矩,導(dǎo)致電機(jī)無(wú)法運(yùn)轉(zhuǎn)。

霍爾A出現(xiàn)故障(表2),1種霍爾狀態(tài)對(duì)應(yīng)2種開(kāi)關(guān)狀態(tài),例如,狀態(tài)1和10的霍爾值相同為01100,根據(jù)表2中的開(kāi)關(guān)狀態(tài),應(yīng)該開(kāi)通K10(D上,E上,B下,C下)和K1(A上,E上,B下,C下)。 可能出現(xiàn)轉(zhuǎn)子位置在t10～t10-1區(qū)間時(shí),MOS管按開(kāi)關(guān)狀態(tài)K1(A上,E上,B下,C下)開(kāi)關(guān),A相感應(yīng)電勢(shì)的方向與電源電壓方向相同,即A相繞組產(chǎn)生反向轉(zhuǎn)矩。轉(zhuǎn)子位置在t1-1～t2區(qū)間時(shí),MOS管按開(kāi)關(guān)狀態(tài)K10(D上,E上,B下,C下)開(kāi)關(guān),此時(shí)D相的感應(yīng)電勢(shì)的方向與電源電壓方向相同,即D相繞組產(chǎn)生反向轉(zhuǎn)矩,如表5所示。

1種霍爾狀態(tài)對(duì)應(yīng)3種開(kāi)關(guān)狀態(tài),例如霍爾A,C出現(xiàn)故障時(shí),狀態(tài)9,10,1的霍爾值相同為01000,根據(jù)表4中的開(kāi)關(guān)狀態(tài),應(yīng)該開(kāi)通K9(D上,E上,A下,B下),K10(D上,E上,B下,C下)和K1(A上,E上,B下,C下)。如 MOS管按開(kāi)關(guān)狀態(tài)K1(A上,E上,B下,C下)開(kāi)關(guān)時(shí),在t9～t10區(qū)間,A相感應(yīng)電勢(shì)的方向與電源電壓方向相同,即A相繞組產(chǎn)生反向轉(zhuǎn)矩,t9～t9-1,B相感應(yīng)電勢(shì)的方向與電源電壓方向相同,即A相繞組產(chǎn)生反向轉(zhuǎn)矩,由于兩相繞組產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩都反向,電機(jī)無(wú)法工作。MOS管按開(kāi)關(guān)狀態(tài)K10(D上,E上,B下,C下)開(kāi)關(guān),如轉(zhuǎn)子位置在t1-1～t2區(qū)間,此時(shí)D相的感應(yīng)電勢(shì)的方向與電源電壓方向相同,即D相繞組產(chǎn)生的反向轉(zhuǎn)矩。

表5 霍爾狀態(tài)、開(kāi)關(guān)狀態(tài)及轉(zhuǎn)矩關(guān)系表

因此,霍爾損壞時(shí)開(kāi)關(guān)的基本原則是,優(yōu)先選擇每相繞組轉(zhuǎn)矩為正的開(kāi)關(guān)狀態(tài),其次如無(wú)法避免繞組轉(zhuǎn)矩為負(fù),選擇四相繞組合成轉(zhuǎn)矩最大的開(kāi)關(guān)狀態(tài),最后需要考慮起動(dòng)和連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)的銜接。

2.2不同類型霍爾損壞時(shí)的MOS管開(kāi)關(guān)策略

(1)1個(gè)霍爾損壞

根據(jù)表2和圖1,霍爾信號(hào)為01100時(shí),對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)狀態(tài)是K10(D上,E上,B下,C下)和K1(A上,E上,B下,C下),轉(zhuǎn)子實(shí)際位子與開(kāi)關(guān)狀態(tài)有4種對(duì)應(yīng)關(guān)系。如果選擇開(kāi)關(guān)K10(D上,E上,B下,C下),轉(zhuǎn)子可能在t10～t1區(qū)間,屬于正常狀態(tài),電機(jī)能正常轉(zhuǎn)動(dòng),轉(zhuǎn)子也可能在t1～t2區(qū)間,D相繞組在區(qū)間t1-1～t2產(chǎn)生反方向的轉(zhuǎn)矩,由于合成轉(zhuǎn)矩仍然為正,電機(jī)能夠轉(zhuǎn)動(dòng)。如果選擇開(kāi)關(guān)K1(A上,E上,B下,C下),轉(zhuǎn)子也可能在t1～t2區(qū)間,電機(jī)正常轉(zhuǎn)動(dòng)。轉(zhuǎn)子可能在t10～t1區(qū)間,屬于非正常狀態(tài),A相繞組在區(qū)間t10-1～t1產(chǎn)生反方向的轉(zhuǎn)矩,由于合成轉(zhuǎn)矩仍然為正,電機(jī)能夠轉(zhuǎn)動(dòng)?；魻栃盘?hào)為00011時(shí)相似。因此,1個(gè)霍爾損壞時(shí),存在2個(gè)特殊霍爾狀態(tài),MOS管選擇對(duì)應(yīng)的2種狀態(tài)進(jìn)行開(kāi)關(guān),動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)矩與轉(zhuǎn)子實(shí)際位置相關(guān),電機(jī)能轉(zhuǎn)動(dòng),其余6個(gè)狀態(tài)都是普通霍爾狀態(tài),電機(jī)正常工作。

(2)2個(gè)相鄰霍爾損壞

根據(jù)表3和圖1,霍爾HAHB損壞時(shí),狀態(tài)1和10的霍爾值相同,狀態(tài)5和6的霍爾值相同,狀態(tài)2和3的霍爾值相同,狀態(tài)7和8的霍爾值相同,即1種霍爾狀態(tài)對(duì)應(yīng)2種MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài),只有狀態(tài)4,狀態(tài)9兩種情況下霍爾狀態(tài)與MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài)是一一對(duì)應(yīng)。

因此,2個(gè)相鄰霍爾損壞時(shí),存在4個(gè)特殊霍爾狀態(tài),與1個(gè)霍爾故障的原理一樣,MOS管選擇對(duì)應(yīng)的2種狀態(tài)進(jìn)行開(kāi)關(guān),動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)矩與轉(zhuǎn)子實(shí)際位置相關(guān),電機(jī)能轉(zhuǎn)動(dòng),其余2個(gè)狀態(tài)都是普通霍爾狀態(tài),電機(jī)正常工作。與1個(gè)霍爾故障時(shí)相比,在360°電周期內(nèi),轉(zhuǎn)矩相反的時(shí)間增加,電機(jī)的平均轉(zhuǎn)矩下降。

(3)2個(gè)非相鄰霍爾損壞

如表4和圖1所示,電機(jī)能夠轉(zhuǎn)動(dòng)霍爾HAHC損壞時(shí),狀態(tài)1,9,10的霍爾值相同為01000,對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)狀態(tài)是K9(D上,E上,A下,B下),K10(D上,E上,B下,C下)和K1(A上,E上,B下,C下),轉(zhuǎn)子實(shí)際位子與開(kāi)關(guān)狀態(tài)有6種對(duì)應(yīng)關(guān)系。極端情況下,如果選擇開(kāi)關(guān)K9(D上,E上,A下,B下),轉(zhuǎn)子位置可能t1～t2區(qū)間,A相繞組在區(qū)間t1～t2區(qū)間,D相繞組在t1-1～t2區(qū)間產(chǎn)生反方向的轉(zhuǎn)矩,由于正、負(fù)轉(zhuǎn)矩相互抵消,電機(jī)無(wú)法起動(dòng)。如果選擇開(kāi)關(guān)K1(A上,E上,B下,C下),轉(zhuǎn)子位置可能在t9～t10區(qū)間,屬于非正常狀態(tài),A相繞組在區(qū)間t9～t10,C相繞組在t9～t9-1產(chǎn)生反方向的轉(zhuǎn)矩,正、負(fù)轉(zhuǎn)矩相互抵消,電機(jī)無(wú)法起動(dòng)。如選擇K10,轉(zhuǎn)子在區(qū)間t9～t10和t1～t2,只有一相繞組產(chǎn)生相反的轉(zhuǎn)矩,由于合成轉(zhuǎn)矩仍然為正,電機(jī)能正常轉(zhuǎn)動(dòng)。

另外一種狀態(tài)4,5,6的霍爾值相同,即1種霍爾狀態(tài)對(duì)應(yīng)3種MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài),情況相似。只有狀態(tài)2,3,7,8這4種情況下霍爾狀態(tài)與MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài)是一一對(duì)應(yīng)。

因此,2個(gè)不相鄰霍爾損壞時(shí),在2種特殊霍爾狀態(tài),選擇3種開(kāi)關(guān)狀態(tài)中間狀態(tài)進(jìn)行開(kāi)關(guān),動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)矩與轉(zhuǎn)子實(shí)際位置相關(guān),電機(jī)能轉(zhuǎn)動(dòng),其余4個(gè)狀態(tài)都是普通霍爾狀態(tài),電機(jī)正常工作。與1個(gè)霍爾故障時(shí)相比,在360°電周期內(nèi),繞組轉(zhuǎn)矩相反的時(shí)間增加,電機(jī)的平均轉(zhuǎn)矩下降。

2.3 3個(gè)以上霍爾損壞時(shí)的MOS管開(kāi)關(guān)策略探討

3個(gè)霍爾損壞時(shí),假設(shè)HA,HB,HC3個(gè)霍爾損壞,此時(shí)只有4種霍爾狀態(tài),2種霍爾狀態(tài)各對(duì)應(yīng)2種開(kāi)關(guān)狀態(tài),2種霍爾狀態(tài)各對(duì)應(yīng)3種開(kāi)關(guān)狀態(tài),根據(jù)前面討論的方法,可以控制電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。由于沒(méi)有正常霍爾狀態(tài),平均輸出轉(zhuǎn)矩下降較大,電機(jī)無(wú)法正常工作。

4 實(shí)驗(yàn)效果

根據(jù)前述原理開(kāi)發(fā)了具備霍爾容錯(cuò)功能的控制器,霍爾容錯(cuò)故障試驗(yàn)示意圖如圖2所示。開(kāi)關(guān)KA,KB,KC,KD,KE全部接通時(shí)霍爾無(wú)故障,KA斷開(kāi),模擬1個(gè)霍爾HA故障,KAKB斷開(kāi),模擬2個(gè)相鄰霍爾HAHB故障,其余以此類推。

圖2 霍爾容錯(cuò)故障試驗(yàn)示意圖

系統(tǒng)上電后,首先檢測(cè)霍爾好壞,霍爾的好壞是通過(guò)檢測(cè)單片機(jī)霍爾信號(hào)輸入I/O口的電平變化時(shí)間來(lái)確定的。當(dāng)五相BLDCM以大于100 r/min的速度運(yùn)行時(shí)霍爾信號(hào)輸入I/O口的電平持續(xù)100 ms仍無(wú)變化,則可以斷定該霍爾損壞。其次是區(qū)分不同霍爾損壞類型,1個(gè)霍爾損壞,2個(gè)相鄰相霍爾損壞,2個(gè)非相鄰相霍爾損壞,各有5種組合,確定類型后根據(jù)前述方法處理。

五相BLDCM在運(yùn)行中,如控制器檢測(cè)到霍爾損壞,立刻切換到霍爾容錯(cuò)處理模式,在霍爾損壞情況不發(fā)生變化時(shí)一直維持該模式,不受控制器斷電影響;在靜止?fàn)顟B(tài)時(shí),如霍爾損壞則需要使用外力輔助電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)起來(lái),完成模式切換;當(dāng)3個(gè)以上霍爾損壞時(shí),控制器進(jìn)入保護(hù)狀態(tài),無(wú)輸出,重新上電后解除保護(hù),當(dāng)損壞霍爾修復(fù)后立刻切換回正常的霍爾狀態(tài)控制模式。

采用霍爾容錯(cuò)控制策略的五相BLDCM,缺1個(gè)霍爾和缺2個(gè)霍爾的機(jī)械特性和效率特性與無(wú)故障的對(duì)比如圖3所示。機(jī)械特性方面,缺1個(gè)霍爾與無(wú)故障時(shí)相似,缺2個(gè)霍爾時(shí)在高速區(qū)特性變軟,低速區(qū)特性基本一致,說(shuō)明容錯(cuò)控制策略有效。效率特性方面,2種故障時(shí)的曲線相似,高速區(qū)的效率都低于霍爾無(wú)故障時(shí),低速區(qū)基本一致。

圖3 采用霍爾容錯(cuò)控制策略的五相BLDCM機(jī)械特性對(duì)比

4 結(jié) 論

本文區(qū)分了1個(gè)霍爾損壞、2個(gè)相鄰霍爾損壞

和2個(gè)非相鄰霍爾損壞3種類型,確定了1種霍爾狀態(tài)對(duì)應(yīng)2種不同的MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài)和1種霍爾狀態(tài)對(duì)應(yīng)3種不同的MOS管開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)的容錯(cuò)控制策略,實(shí)驗(yàn)樣機(jī)驗(yàn)證了控制策略的可行性。如果霍爾故障率都是1%,霍爾損壞造成三相BLDCM的故障率是2.97%,BLDCM 的故障率4.9%,采用本文的霍爾容錯(cuò)控制策略后,五相BLDCM實(shí)現(xiàn)了容錯(cuò)運(yùn)行,因?yàn)榛魻柟收弦痣姍C(jī)不能工作的概率大幅下降為9.85 ppm,該問(wèn)題基本得到解決。

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