超聲振動(dòng)輔助固結(jié)磨粒拋光硅片表面形成機(jī)理及實(shí)驗(yàn)

曾一凡 楊衛(wèi)平 吳勇波 劉曼利

1.江西農(nóng)業(yè)大學(xué)，南昌，330045 2.日本秋田縣立大學(xué)，秋田，015-0055

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超聲振動(dòng)輔助固結(jié)磨粒拋光硅片表面形成機(jī)理及實(shí)驗(yàn)

曾一凡1楊衛(wèi)平1吳勇波2劉曼利1

1.江西農(nóng)業(yè)大學(xué)，南昌，330045 2.日本秋田縣立大學(xué)，秋田，015-0055

基于超聲加工所具有的加工效率和加工表面質(zhì)量高等特性，提出了一種超聲振動(dòng)輔助固結(jié)磨?；瘜W(xué)機(jī)械復(fù)合拋光硅片新技術(shù)。對(duì)拋光工具及復(fù)合拋光實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的建立進(jìn)行了描述，在此基礎(chǔ)上開展硅片拋光表面形貌及材料去除機(jī)理的理論及實(shí)驗(yàn)研究，得到不同拋光力下的研究結(jié)果。所建立的理論模型及實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，超聲振動(dòng)輔助固結(jié)磨粒拋光有利于硅片表面質(zhì)量及材料去除率的提高，且隨著拋光力的增大，拋光表面質(zhì)量下降，材料去除效果提高。

超聲振動(dòng);固結(jié)磨粒;表面形貌;材料去除;機(jī)理

0 引言

單晶硅片是集成電路(integrated circuit，IC)最重要的基底材料。微電子器件特征尺寸不斷減小，對(duì)硅片表面的完整性、均勻性等表面質(zhì)量提出了越來越苛刻的要求；同時(shí)，為提高生產(chǎn)率、降低制造成本，硅片尺寸越來越大，從而使得硅片的加工，尤其是硅片拋光等精密加工成為研究熱點(diǎn)。硅片傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing，CMP)是基于游離磨粒的精密加工，拋光時(shí)旋轉(zhuǎn)的硅片以一定的壓力壓在隨工作臺(tái)一起旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，與此同時(shí)，由亞微米或納米級(jí)磨粒和化學(xué)溶液組成的拋光液充滿硅片和拋光墊之間，與硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，由此形成的化學(xué)反應(yīng)物被磨粒的機(jī)械作用去除[1]。然而，傳統(tǒng)的CMP硅片有其局限性，主要表現(xiàn)為：加工費(fèi)用高，加工效率低，工藝過程不穩(wěn)定，加工表面平坦度不易保證，以及工藝中大量使用腐蝕性拋光液及清洗液存在環(huán)境污染等問題。為此，發(fā)達(dá)國(guó)家的半導(dǎo)體設(shè)備制造商都對(duì)其現(xiàn)有工藝加以完善或開發(fā)新技術(shù)，進(jìn)而相繼研制、開發(fā)了雙面精拋工藝、等離子化學(xué)平整技術(shù)、離子束拋光技術(shù)、電化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)等[1]。固結(jié)磨料加工方法在加工過程中，磨具的磨損不影響其面型精度，因而能顯著提高硅片的面型精度，較好地解決了傳統(tǒng)游離磨料加工效率低、磨料浪費(fèi)嚴(yán)重、研磨質(zhì)量不易控制、對(duì)環(huán)境污染等問題[1-4]。將固結(jié)磨粒與CMP加工技術(shù)相結(jié)合，已成功地應(yīng)用于硅片的精密加工[2,5]，固結(jié)磨粒加工代表了硅片平坦化技術(shù)的發(fā)展方向[1-4]。

超聲振動(dòng)輔助加工具有加工力小、加工質(zhì)量高等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于硬脆性材料的加工[6-7]。本文為高效率、高質(zhì)量地完成硅片表面的拋光及其背面減薄加工，提出了一種超聲振動(dòng)輔助固結(jié)磨?；瘜W(xué)機(jī)械拋光(ultrasonic vibration assisted fixed abrasive chemical mechanical polishing，UFP)新技術(shù)，研究了硅片加工表面形貌及材料去除機(jī)理，并進(jìn)行了有無(wú)超聲振動(dòng)的對(duì)比實(shí)驗(yàn)。

1 UFP原理及其實(shí)驗(yàn)裝置

1.1 UFP原理

本文借鑒硅片表面?zhèn)鹘y(tǒng)拋光方法[1,4,8]，設(shè)計(jì)了圖1所示的由4個(gè)拋光工具頭組成的拋光工具。拋光過程中，含有CeO2磨粒的圓形拋光片黏附在拋光工具加工端，借助拋光片上的CeO2與Si的化學(xué)反應(yīng)生成非結(jié)晶狀態(tài)的Ce-O-Si物質(zhì)，從而有效地完成工件材料的去除[9]。圖1所示為硅片的UFP拋光原理，拋光工具以力F作用在硅片表面上，當(dāng)兩相適當(dāng)頻率和相位差的超聲交變電源施加在經(jīng)過適當(dāng)設(shè)計(jì)的拋光工具上的壓電陶瓷(piezoelectric ceramic device,PZT)時(shí)，拋光工具被激振，而在其端面產(chǎn)生與超聲波發(fā)生器輸出頻率相同的超聲縱向振動(dòng)(振幅為AL(t))和彎曲振動(dòng)(振幅為AB(t))，這兩個(gè)方向的超聲振動(dòng)合成將產(chǎn)生橢圓[7,10]。

對(duì)于本實(shí)驗(yàn)所使用的拋光工具，在超聲電源頻率f=25.4kHz、相位差ψ=90°、電壓峰值Vp-p=150V的超聲電源激勵(lì)下，且拋光力F=5N時(shí)，拋光工具端面的超聲橢圓運(yùn)動(dòng)軌跡的檢測(cè)結(jié)果如圖2所示。因此，拋光工具端面的縱向和彎曲振動(dòng)運(yùn)動(dòng)軌跡方程可表示為

(1)

式中，AL-UF、AB-UF分別為拋光工具端面的縱向振動(dòng)和彎曲振動(dòng)的振幅；φ為縱向和彎曲振動(dòng)的相位差。

圖1 超聲橢圓振動(dòng)-化學(xué)機(jī)械復(fù)合拋光原理圖

圖2 拋光工具端面的運(yùn)動(dòng)軌跡

1.2 UFP實(shí)驗(yàn)裝置

在上述加工原理基礎(chǔ)上，研制了圖3所示的UFP硅片實(shí)驗(yàn)裝置。裝置依功能分為三部分：一是使拋光工具產(chǎn)生超聲橢圓振動(dòng)的激振源，它由超聲波發(fā)生器(WFl994，NF Corporation)、功率放大器(4010，NF Corporation)和將超聲電源施加到拋光工具的碳刷組件等組成；二是控制拋光工藝參數(shù)的數(shù)控系統(tǒng)，它為拋光過程設(shè)定硅片及拋光工具的旋轉(zhuǎn)速度nw、nt，拋光工具進(jìn)給速度vx及其行程L等工藝參數(shù)；三是進(jìn)行拋光加工的工作部分，該部分有實(shí)現(xiàn)硅片裝夾的真空吸盤夾具，做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的拋光工具，實(shí)現(xiàn)拋光工具精確運(yùn)動(dòng)的精密螺桿及其驅(qū)動(dòng)伺服電機(jī)，以及精確控制拋光力F的調(diào)節(jié)手輪(借助測(cè)力儀Kistler 9256A標(biāo)定)等。

2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論

2.1 實(shí)驗(yàn)條件

在圖3所示的硅片拋光實(shí)驗(yàn)裝置上，以表1所列工藝參數(shù)開展實(shí)驗(yàn)研究。下面就所獲得的拋光表面形貌及材料去除機(jī)理及實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分析和討論。

2.2 拋光表面形貌

拋光表面形貌的形成取決于拋光片磨粒和硅片之間的相互作用，即拋光片上無(wú)數(shù)小直徑磨粒對(duì)硅片進(jìn)行刻劃并使其材料去除，形成拋光表面形貌。根據(jù)超聲加工的特點(diǎn)，繪出圖4所示的UFP拋光過程示意圖。假設(shè)拋光前硅片表面光滑平坦，并用矩陣[gij]表示硅片拋光表面，則其拋光表面各點(diǎn)可用坐標(biāo)矩陣[gij]=0表示。同時(shí)拋光片上各磨粒突出拋光片表面的高度也可類似地用矩陣[hmn]表示。磨粒直徑dg的值符合正態(tài)分布[11]，即

(a)裝置示意圖(b)裝置實(shí)物照片圖3 UFP硅片實(shí)驗(yàn)裝置

超聲電源頻率f=25．4kHz相位差ψ=90°電壓Vpp為0，150V拋光工具頭振幅ALUF=1μm，ABUF=1．6μm拋光片材料CeO2，直徑4mm，厚度1mm，6000目工件(單晶硅)初始表面粗糙度Ra=73nm，直徑200mm，厚度0．8mm拋光工具轉(zhuǎn)速nt=100r/min進(jìn)給速度vx=10mm/s進(jìn)給行程L=10mm兩拋光片間距d0=101mm初始偏置距離e0=-5mm工件轉(zhuǎn)速nw(r/min)-370拋光力F(N)3，5，8，11拋光時(shí)間(min)90環(huán)境溫度(℃)20

(2)

圖4 拋光表面形貌形成機(jī)理

由于拋光片磨粒目數(shù)為6000，所以磨粒間距為25.4/6000=4.23μm。又由于拋光工具的進(jìn)給速度vx(10mm/s)與拋光片和硅片間的相對(duì)平均速度vr(2πd0(nt-nw)=2484mm/s)(d0為二拋光片間距)相比，進(jìn)給速度遠(yuǎn)不及相對(duì)平均速度的1%，因此可忽略進(jìn)給速度vx對(duì)材料去除的影響。一排磨粒(假設(shè)第k排)劃過硅片表面后，若磨粒的突出高度[hmn](k)大于該排磨粒中的最大突出高度hmax與壓痕深度h之差hmax-h，則該磨粒將去除硅片材料，否則不去除材料，表示硅片拋光表面矩陣上的相應(yīng)點(diǎn)保持原值。因此，該排磨粒拋光硅片表面后，形成硅片拋光表面矩陣的各點(diǎn)值可表示為

[gij](k)=min([gij](k-1),[hmn](k))

(3)

式中，[gij](k)為硅片表面矩陣在點(diǎn)ij的值。

若拋光工具做超聲振動(dòng)，那么由圖3、圖4可知，磨粒將在傳統(tǒng)拋光過程中附加一超聲振動(dòng)。由于拋光工具的超聲縱向振動(dòng)振幅為AL-UFsin(2πft)，所以UFP拋光所形成的硅片拋光表面矩陣的各點(diǎn)值可表示為

(4)

磨粒在硅片表面的刻痕深度也會(huì)發(fā)生變化，磨粒的刻痕深度h可表示為[14]

h=he-h0-δ

(5)

(6)

式中，he為磨料嵌入硅晶片表面的深度；h0為軟質(zhì)層厚度；δ為磨料自身的變形量(此處忽略硅片變形)；K為常數(shù)；H為硅片硬度。

根據(jù)彈性力學(xué)，磨料自身的變形量δ計(jì)算公式為[15]

(7)

式中，E為磨粒的彈性模量；μ為磨粒的泊松比。

將式(6)、式(7)代入式(5)得磨粒的刻痕深度為

(8)

根據(jù)矩陣[gij]及已知實(shí)驗(yàn)條件，用MATLAB軟件仿真得出經(jīng)過拋光后的硅片表面形貌。圖5為已知實(shí)驗(yàn)條件且拋光力F=5N時(shí)，硅片經(jīng)過傳統(tǒng)拋光及UFP拋光后，硅片表面形貌仿真結(jié)果及實(shí)測(cè)結(jié)果Zygo照片(ZygoNewview600,USA，10倍放大)。

(a)傳統(tǒng)拋光表面仿真

(b)傳統(tǒng)拋光表面Zygo照片

(c)UFP拋光表面仿真

(d)UFP拋光表面Zygo照片圖5 硅片經(jīng)傳統(tǒng)及超聲振動(dòng)輔助拋光表面形貌

仿真和實(shí)測(cè)結(jié)果表明：硅片拋光面經(jīng)傳統(tǒng)拋光和UFP拋光后，被磨粒刻劃出無(wú)數(shù)劃痕，每條劃痕表面微觀輪廓基本一致。但經(jīng)UFP拋光的拋光面還呈現(xiàn)周期性變化的劃痕，仿真結(jié)果(圖5c)和實(shí)測(cè)結(jié)果(圖5d)上的周期性刻痕長(zhǎng)度均約為100μm，計(jì)算長(zhǎng)度約為2π(nt-nw)d0/f≈97.8μm。

2.3 拋光表面粗糙度

在上述拋光表面仿真的基礎(chǔ)上，作橫向截面得出磨粒刻痕深度值h，代入下式可得到拋光表面粗糙度值[16]：

(9)

拋光力是影響拋光表面粗糙度的主要工藝參數(shù)之一。本文分別以3N、5N、8N和11N的拋光力對(duì)硅片進(jìn)行UFP拋光和傳統(tǒng)拋光，并對(duì)硅片表面粗糙度值進(jìn)行仿真計(jì)算和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。圖6為拋光力大小與拋光表面粗糙度關(guān)系的仿真及實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖，由圖可知，隨著拋光力的增大，拋光表面粗糙度值也增大，且仿真結(jié)果表明，硅片經(jīng)UFP拋光與傳統(tǒng)拋光后，表面粗糙度值的變化趨勢(shì)及大小基本一致。

(a)仿真結(jié)果

(b)實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖6 拋光力與拋光表面粗糙度關(guān)系

觀察圖6b的實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)，超聲振動(dòng)輔助拋光更有利于加工表面粗糙度值的減小，這是由于拋光片中含有酚醛樹脂，拋光時(shí)拋光片與硅片之間有黏附現(xiàn)象，使得加工過程極易出現(xiàn)振動(dòng)。但拋光工具微小振幅的超聲振動(dòng)頻率與拋光工具加工過程所產(chǎn)生的振動(dòng)頻率不同，使得拋光片與硅片之間由于黏附等作用而產(chǎn)生的振動(dòng)被削弱，進(jìn)而使得加工過程中的拋光工具不易振動(dòng)，加工過程穩(wěn)定，從而提高了硅片拋光表面質(zhì)量。圖7所示為不同大小的拋光力F下拋光表面粗糙度與拋光時(shí)間關(guān)系的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，表明UFP拋光較傳統(tǒng)拋光方法的加工過程更穩(wěn)定，進(jìn)而有利于減小硅片拋光表面粗糙度。

圖7 不同拋光力下拋光表面粗糙度與拋光時(shí)間關(guān)系

2.4 材料去除

由上述硅片表面形貌形成過程分析得知，硅片材料去除也是無(wú)數(shù)磨?！扒邢鳌惫杵砻嫠?。那么第i顆磨粒在時(shí)間T內(nèi)所去除的材料Δi可以表示為

(10)

式中，Si為第i顆磨粒刻劃硅片的截面面積，它與磨粒刺入深度或壓力有關(guān)，且與刺入深度成正比；li為第i顆磨粒的移動(dòng)距離。

那么拋光片上N個(gè)磨粒所去除的材料為

(11)

假定在整個(gè)拋光過程中參加拋光的磨粒數(shù)不變，則式(11)又可表示為

(12)

圖8 固結(jié)磨粒的材料去除模型

為清楚地說明硅片材料去除過程，對(duì)材料的去除過程進(jìn)行分析，如圖8所示。建立靜止坐標(biāo)系OXY，將其原點(diǎn)O定為硅片中心。建立旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系O1X1Y1并設(shè)其原點(diǎn)O1與硅片的圓心O重合且隨硅片旋轉(zhuǎn)。建立與拋光工具單元的旋轉(zhuǎn)中心重合且隨拋光工具左右移動(dòng)的坐標(biāo)系O2X2Y2。拋光工具單元沿X軸方向做往復(fù)直線運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)速度為vx，初始偏心距為e0。為簡(jiǎn)化分析，將位于拋光工具頭底端的固結(jié)拋光片視為質(zhì)點(diǎn)，并選取其中的拋光片1進(jìn)行運(yùn)動(dòng)軌跡分析。

對(duì)UFP拋光過程的運(yùn)動(dòng)分析可知，拋光片1在硅片上的刻痕軌跡即為其在O1X1Y1坐標(biāo)系的運(yùn)動(dòng)軌跡，應(yīng)滿足下列方程：

(13)

假設(shè)拋光過程中磨粒的刻痕截面不變，并將運(yùn)動(dòng)關(guān)系方程e=e0+vxt，r=0.5d0+AB-UFsin(2πft+φ)，ωw=2πnw，ωt=2πnt代入式(13)，并對(duì)xUF、yUF和zUF求導(dǎo)后，代入式(12)得拋光片1做超聲振動(dòng)的材料去除量表達(dá)式為

(14)

同理分析傳統(tǒng)拋光(即UFP拋光時(shí)，AB-UF=0，AL-UF=0)，拋光片1的材料去除量可表示為

(15)

式中，SUF、S分別為UFP拋光和傳統(tǒng)拋光時(shí)拋光片1磨?？虅澒杵慕孛娣e。

假設(shè)磨?？虅澒杵慕孛娣e與其刻痕深度成正比，則有

所以拋光力相同時(shí)，UFP拋光與傳統(tǒng)拋光方法的材料去除量之比為

(16)

式中，h′、h分別為UFP拋光和傳統(tǒng)拋光時(shí)磨粒的刻痕深度。

將拋光力F=5N以及已知其他實(shí)驗(yàn)條件代入式(16)，可得計(jì)算結(jié)果約為1.1295，即說明采用UFP拋光硅片時(shí)，材料去除量可提高約13%。由式(16)可知，在相同時(shí)間內(nèi)，材料去除量提高的原因是由于UFP拋光法比傳統(tǒng)拋光法的磨粒運(yùn)動(dòng)軌跡長(zhǎng)。又若假設(shè)拋光力F2>F1，那么UFP拋光時(shí)，拋光片1所對(duì)應(yīng)拋光力的刻痕深度滿足

(17)

將已知實(shí)驗(yàn)條件代入式(17)，得出的計(jì)算結(jié)果大于1，即表明隨著拋光力的增大，UFP拋光硅片時(shí)材料去除效果得到提高。圖9所示為不同拋光力下，分別采用UFP方法與傳統(tǒng)拋光方法拋光硅片時(shí)材料去除量之比的實(shí)驗(yàn)與仿真結(jié)果，圖10所示為拋光力與材料去除量關(guān)系的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。圖9和圖10均表明，仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的大小及變化趨勢(shì)基本一致，仿真結(jié)果可信。

圖9 拋光力與材料去除量之比的關(guān)系

圖10 拋光力與材料去除量關(guān)系的實(shí)驗(yàn)結(jié)果

3 結(jié)論

(1)建立的仿真數(shù)學(xué)模型及實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明，傳統(tǒng)拋光法的硅片表面被磨粒劃出無(wú)數(shù)刻痕，而經(jīng)超聲振動(dòng)輔助固結(jié)磨?；瘜W(xué)機(jī)械拋光(UFP)的硅片，其表面因拋光工具的超聲橢圓振動(dòng)作用還呈現(xiàn)出周期的斷續(xù)刻痕。

(2)仿真結(jié)果顯示，UFP拋光的硅片表面粗糙度值與傳統(tǒng)拋光法拋光的硅片表面粗糙度值相差不大，但實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，由于拋光工具的超聲振動(dòng)，UFP拋光可使得因拋光片與硅片之間的黏附作用等而導(dǎo)致的工藝系統(tǒng)振動(dòng)得到抑制，有利于拋光表面粗糙度值的穩(wěn)定和改善。

(3)仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都表明，UFP拋光有利于材料去除量的提高，且隨著拋光力的增大，UFP拋光硅片材料去除率提高，但硅片表面粗糙度值增大。仿真過程還發(fā)現(xiàn)，UFP拋光硅片材料去除量提高的原因是拋光片上磨粒運(yùn)動(dòng)軌跡較傳統(tǒng)拋光法磨粒運(yùn)動(dòng)軌跡長(zhǎng)。

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(編輯 蘇衛(wèi)國(guó))

Mechanism of Surface Formation of Silicon Wafer Processed by Fixed Abrasive Polishing with Assistance of Ultrasonic Vibration and Experiments

Zeng Yifan1Yang Weiping1Wu Yongbo2Liu Manli1

1.Jiangxi Agricultural University,Nanchang，330045 2.Akita Prefectural University,Akita，015-0055,Japan

Herein, based on the characteristics of higher machining efficiency and higher surface quality of ultrasonic vibration machining, a novel ultrasonic assisted fixed abrasive CMP(UFP) technique for silicon wafer was presented. The establishment of the experimental system for composite polishing was discussed in detail. In addition, the surface morphology and the material removal mechanism were investigated based on experiments and theory. Both of the theoretical model and experimental results show that with the assistance of ultrasonic vibration, the surface quality is enhanced, the material removal rate (MRR) increases, and the quality of polished surface decreases with increases of the polishing force, but the MRR increases.

ultrasonic vibration; fixed abrasive; surface morphology; material removal; mechanism

2015-12-22

國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51065011)；國(guó)家留學(xué)基金委“地方合作項(xiàng)目”(201208360113)

TG580

10.3969/j.issn.1004-132X.2016.23.014

曾一凡，男，1962年生。江西農(nóng)業(yè)大學(xué)工學(xué)院副教授。研究方向?yàn)闄C(jī)械設(shè)計(jì)及制造。發(fā)表論文10余篇。楊衛(wèi)平(通信作者)，男，1963年生。江西農(nóng)業(yè)大學(xué)工學(xué)院教授。吳勇波，男，1961年生。日本秋田縣立大學(xué)系統(tǒng)科學(xué)技術(shù)學(xué)部教授。劉曼利，女，1992年生。江西農(nóng)業(yè)大學(xué)工學(xué)院碩士研究生。