基于光子晶體技術的紅外隱身材料研究進展

孟子暉，張連超，邱麗莉，薛敏，徐志斌

（北京理工大學化工與環(huán)境學院，北京100081）

基于光子晶體技術的紅外隱身材料研究進展

孟子暉，張連超，邱麗莉，薛敏，徐志斌

（北京理工大學化工與環(huán)境學院，北京100081）

光子晶體是一種新型的人工結構功能材料，其光子禁帶對入射電磁波具有高反射率，能夠有效改變目標的輻射特性，降低目標在紅外波段的可探測性，是未來紅外隱身技術的重點發(fā)展方向。為理清光子晶體紅外隱身材料進一步發(fā)展所面臨的問題和機遇，對光子晶體在紅外輻射特性調控、光子禁帶的展寬、多波段兼容技術、變發(fā)射率自適應隱身技術等方面的應用進展進行梳理和總結，并對新一代光子晶體紅外隱身材料技術發(fā)展進行了展望，以期為光子晶體紅外隱身材料對寬頻隱身、多波段兼容、可逆的動態(tài)調整等的需求提供一定的解決思路。

兵器科學與技術；光子晶體；紅外隱身；光子禁帶的展寬；多波段兼容隱身；變發(fā)射率

0 引言

紅外隱身技術是指通過降低和改變目標的紅外輻射特性，從而控制目標的紅外輻射特征，實現(xiàn)目標的低可探測性［1］。

熱紅外探測器工作波段主要在3～5μm和8～14μm，其中紅外制導導彈工作在中紅外波段［2］，而紅外熱像儀主要是利用目標與背景的紅外輻射特性差異來獲得目標的紅外圖像信息，工作波段為8～14μm［3］.紅外探測器主要通過目標自身的紅外輻射來發(fā)現(xiàn)和識別目標。根據(jù)這個特點，可采用改變己方的紅外輻射波段至對方紅外探測器的工作波段之外，使對方的紅外探測器探測不到己方的紅外輻射?；蛘咄ㄟ^改變目標的紅外輻射分布狀態(tài)，使目標與背景的紅外輻射分布狀態(tài)相協(xié)調，從而使目標的紅外圖像成為整個背景紅外輻射圖像的一部分。利用禁帶處于紅外探測器工作波段的光子晶體可以實現(xiàn)這些目的。

1 光子晶體基本特性

光子晶體是超材料的一種，它是指介電常數(shù)（或折射率）在空間周期性分布而具有光子禁帶的特殊材料。在光子禁帶中，光子態(tài)密度消失，導致電磁波無法傳播；而在光子通帶內，光子態(tài)密度出現(xiàn)振蕩，并導致光子晶體中出現(xiàn)透射共振。通過對構成光子晶體的材料組成、有效折射率、晶格參數(shù)等進行合理的設計，可以人為地制備出具有特定波段光子禁帶的光子晶體。在禁帶中心處于可見光波段的光子晶體材料中引入刺激響應性材料，可以實現(xiàn)材料的結構色肉眼可辨的變化［4-7］，而禁帶處于紅外波段的光子晶體材料則可以實現(xiàn)對紅外輻射特性的抑制和改變，將其與響應性材料結合能夠得到對外界刺激做出適應性響應的智能材料。

光子晶體的另一個重要特性是光子局域［8］。若光子晶體的周期結構被破壞就會在光子禁帶中產生缺陷態(tài)，與之頻率相對應的光子就被局域在缺陷態(tài)中，偏離缺陷態(tài)就會被強烈散射，可以通過在光子晶體中引入缺陷，實現(xiàn)相應波段輻射特性的增強。

光子晶體能夠在禁帶內實現(xiàn)對入射電磁波的高反射，可以操縱內部光源的紅外發(fā)射特性，進而抑制相應波段的紅外輻射能量，使紅外探測裝置探測不到。光子晶體能夠改變目標的紅外輻射特性，通過合理的設計，使目標的紅外輻射特征與背景相近，從而實現(xiàn)紅外波段隱身。而變折射率的光子晶體紅外隱身材料甚至能夠通過模塊化設計，動態(tài)地將目標的紅外輻射特征與所在環(huán)境相匹配，能夠極大地提高動態(tài)隱身效果和實用化的進程。

由于光子晶體的這些獨特性質，使其在紅外輻射特性的調控、寬頻隱身、自適應隱身方面具有普通紅外隱身材料難以比擬的優(yōu)勢，本文將從以上幾個方面介紹國內外光子晶體紅外隱身材料的研究進展。

2 光子晶體紅外隱身材料的研究進展

2.1光子晶體應用于紅外輻射特性的調控

自從Yablonovitch［8］和John［9］提出光子晶體和光子局域的概念以來，研究人員在研發(fā)輻射特性可控的光子晶體材料上投入了大量的工作，所取得的研究進展都可以直接或間接地應用于紅外隱身中。

1997年，Djuric等［10］基于詳細的理論計算設計了具有供體和受體缺陷的一維Si/SiO2光子晶體材料，該結構由6周期Si/SiO2構成，實現(xiàn)了對500℃物體紅外輻射的強烈抑制，在3.5～4.5μm的紅外透過率幾乎為0，對于工作波段在2.5～6μm的探測器具有一定的隱身效果。Djuric等［10］又通過用同厚度受體缺陷SiO2代替第5層Si，使波長3.4μm出現(xiàn)缺陷態(tài)，實現(xiàn)了該波長的紅外高透過率。

1998年，F(xiàn)ink等［11］實現(xiàn)了一維禁帶對入射光的全方位反射。通過利用相空間的禁帶區(qū)域對環(huán)境介質的光錐交疊可以實現(xiàn)帶有界面的周期系統(tǒng)的全方位反射這一理論基礎，簡單地用交替聚苯乙烯-碲膜層構造一維光子晶體，該材料對10～15μm波長范圍的紅外光呈現(xiàn)全方位反射。由于該結構的材料可以通過設計得到所需波段的禁帶，因此可以將其用到紅外隱身領域。

2000年，Lin等［12］利用硅棒層層堆疊排列制備三維光子晶體，實現(xiàn)了10～16μm波段的熱輻射抑制，同時加強了5～9μm波段的熱輻射能量（見圖1）。

圖1　三維硅光子晶體的熱輻射譜圖Fig.1 Measured thermal emission spectra of 3D photonic crystal（PC）samples

2002年，美國Sandia和Ames實驗室的成員Fleming等［13］在已經(jīng)制備好的多晶硅/SiO2結構上選擇性地移除Si并通過化學氣相沉積（CVD）回填鎢，得到了在遠紅外（8～20μm）波段對熱輻射具有強抑制作用的金屬材料三維光子晶體，而且在光子帶隙的帶邊出現(xiàn)尖銳的吸收峰。在抑制相應波段的同時，實現(xiàn)了在其他波段的高透射率（見圖2和圖3）。圖2中數(shù)字為硅棒層數(shù)，L為硅棒之間的距離。

圖2　三維鎢光子晶體的掃描電鏡圖Fig.2 SEM graph of 3D tungsten photonic crystal

圖3　三維鎢光子晶體的反射譜圖Fig.3 Measured reflectance spectra of 3D tungsten photonic crystal

2005年，Enoch等［14］分別采用厚度2mm、直徑15mm的拋光ZnSe作為基底，通過氣相沉積法和激光刻蝕法將Au、ZnSe制成柵欄片層狀，通過簡單的層層堆積方法制成金屬-介質三維光子晶體，可在7～12μm紅外波段表現(xiàn)出較好的熱輻射控制性。

2006年，Chan等［15］提出利用在周期金屬板上挖孔的方式，將金屬板制作成二維金屬周期結構，通過選取合適的金屬材質、合適的板厚和陣列孔的直徑，得到了1～10μm理想的熱輻射特性。

2007年，美國Louisiana State University的一個研究小組提出將光子晶體技術應用于高溫尾氣噴口抑制自發(fā)輻射特性，把寬波段的熱輻射（3～5μm或8～12μm）轉換至光伏電池工作波段的輻射（1～2μm），并采用光伏或熱光伏電池將該部分輻射能轉化為電能，可以降低消耗尾氣口廢熱紅外特征信號的同時，為裝備提供部分電能。

2013年，Arpin等［16］為了提高太陽能光電轉換效率，以SiO2為模板，采取原子層沉積鎢和化學氣相沉積HfB2，實現(xiàn)了對2～5μm紅外發(fā)射率的抑制，熱穩(wěn)定性高達1400℃（見圖4和圖5）。這種具有選擇性熱輻射特性并且可在高溫下工作的三維金屬光子晶體，適合作為熱紅外隱身材料。

圖4　HfB2-反蛋白石結構的斷面掃描電鏡圖Fig.4 Fracture cross-section micrograph of HfB2-inverse colloidal crystal

圖5　鎢包覆SiO2模板的反射和輻射光譜Fig.5 Measured emissivity and reflectance of annealed tungsten photonic crystal

2014年之前，熱輻射控制材料一旦結構成型了，最終的發(fā)射光譜也就固定了，無法動態(tài)調整。Takuya等［17］通過在光子晶體晶格中引入多重量子結構，通過外部偏電壓的電調控直接控制量子層的吸收率來完成熱輻射的迅速調控（見圖6和圖7）。調控速度高達幾百千赫茲甚至超過10MHz，比常規(guī)的溫度控制方法快了4倍以上，并且輻射的變化量大，比之前報道的方法大一個數(shù)量級。

2.2光子晶體禁帶的展寬

光子晶體寬的禁帶是實現(xiàn)相應波段低的發(fā)射率、從而降低紅外可探測性的必備條件。因此在如何增加禁帶寬度方面，研究者們投入了大量的研究，并取得了一系列的進展。

最簡單的方法是在一維二元光子晶體中，增加折射率比來增大禁帶，選取折射率相差大的高低折射率材料來構造一維光子晶體有利于寬禁帶的產生［18］。

圖6　熱輻射控制器件示意圖Fig.6 Model of device used for thermal radiation control

圖7　0～10V反向電壓下的透射光譜Fig.7 Measured transmittance spectra as a function of reverse bias at 0～10 V

圖8　不同無序度的一維二元光子晶體反射光譜變化（垂直入射）Fig.8 Reflectance spectra of different disordered 1D binary photonic crystals（normal incidence）

在光子晶體結構中引入無序成分也可以加強禁帶寬度。2000年，Li等［19］設計出無序一維二元光子晶體結構，實現(xiàn)了0.5～4ω0（ω0為波數(shù)，即頻率單元，ω0=2π/λ0，λ0為晶體光學厚度，設一維二元光子晶體具有相同的光學厚度）的寬禁帶，他利用周期結構引起的布拉格反射和無序結構引起的光局域相結合極大地擴展光子禁帶。在保持電磁波波長不變的情況下，通過將介質層厚度以高斯分布的形式進行選取，在不同的無序度下得到了不同程度的光子禁帶移動和拓展（見圖8）。圖8中，D為無序度。

將兩種或以上的一維光子晶體構造異質結構，可以極大地拓展禁帶寬度。2002年，Wang等［20］選取兩個禁帶可以彼此交疊的一維光子晶體，實現(xiàn)了光子晶體1和光子晶體2的合并拓寬（見圖9）。

在普通一維二元光子晶體結構中引入超導體、等離子體等新材料構造一維三元光子晶體，是拓展禁帶寬度的新思路。2011年，Dai等［21］在三元光子晶體中使用超導體材料，極大地拓寬了禁帶，而且借助超導體滲透長度的角度依賴性，實現(xiàn)了禁帶的溫度調控。同年，Kong等［22］在一維新型三元光子晶體結構中引入等離子體來實現(xiàn)禁帶的拓寬。

受三元光子晶體和異質結構光子晶體的啟發(fā)，2012年，Hung等［23］通過摻雜金屬層或構建異質結構來拓寬半導體光子晶體的紅外禁帶，每周期由金屬-電介質-半導體構成，通過Si的摻雜濃度來控制Si的折射率，層疊兩種或更多的普通二元光子晶體結構成異質結構，從而得到極寬的光子禁帶（見圖10和圖11）。圖10中，d1為摻雜金屬層厚度。

2.3多波段隱身兼容

隨著紅外制導技術、雷達制導技術和可見光及激光制導技術等多頻段、高精度制導技術的不斷成熟，要求隱身材料的研究也必須向著多波段兼容隱身的方向發(fā)展。

2000年，Blanco等［24］用800nmSiO2制備光子晶體，以此為模板，去除SiO2后化學氣相沉積填充Si，大面積制備了具有雙波段完全光子禁帶的三維硅基光子晶體（見圖12）。

2001年，Temelkuran等［25］研究全向反射鏡制備的一維光子晶體的兩個帶隙，首次在4.5～5.5μm和8～12μm兩個紅外大氣窗口上對任意偏振態(tài)實現(xiàn)了全角度反射。

2006年，Aliev等［26］使用硫系玻璃AMTIR-1填充SiO2蛋白石晶體除去模板制成反蛋白石光子晶體，通過適當?shù)乜刂凭Ц駞?shù)和填充率，可以使該結構光子晶體在中紅外和遠紅外波段產生完全光子帶隙。其樣品在3～5μm和8～12μm兩個紅外大氣窗口波段的反射率可達90%以上。該結構在保持紅外透明介質本身的低吸收特性的同時，利用光子晶體結構對禁帶光波的高反射特性有效阻隔來自目標的紅外輻射信號，實現(xiàn)近紅外與遠紅外隱身兼容。

圖9　光子晶體的透射光譜圖Fig.9 Transmittance spectra of photonic crystals

圖10　不同金屬層厚度對應的禁帶寬度計算圖Fig.10 Calculated PBGs of a binary PC corresponding to metal layers with different thichnesses

圖11　3種一維光子晶體構成的異質結構的反射光譜圖Fig.11 Calculated reflectance spectra of heterostructure PC of PC1+PC2+PC3

圖12　硅反蛋白石的表面掃描電鏡圖和反射譜圖Fig.12 SEM image and reflectance spectra of silicon inverse opal

2008年，趙大鵬等［27］采用異質結構方法設計了由碲和聚乙烯材料組成的中、遠紅外雙波段光子晶體，與Temelkuran等［25］設計的光子晶體相比具有更寬的光子禁帶，在3.4～5.3μm和7.9～12.2μm兩個波段實現(xiàn)了對任意偏振態(tài)的全反射，相對帶寬分別達到了49.6%和42.3%.并且通過進一步改進材料的填充比，將全向反射的波段拓展為3.4～5.4μm和8～12.5μm，相對帶寬分別達到49.8%和43.1%，完全能夠適應中、遠紅外隱身兼容。

2011年，高永芳等［28］通過構造一維異質結構光子晶體，實現(xiàn)了光子帶隙的展寬，在2.91～5.12μm和7.62～12.29μm波段的光譜反射率大于95%（見圖13），較好地滿足了中、遠紅外雙波段兼容偽裝的要求。

圖13　異質結構光子晶體的反射光譜Fig.13 Reflectance spectra of heterostructure photonic crystal

2012年，高永芳等［29］通過“光譜挖空”的方法利用薄膜光學的特征矩陣研究設計出一維摻雜光子晶體，該光子晶體可實現(xiàn)遠紅外和10.6μm激光的兼容隱身（見圖14）。同年，Zhao等［30］使用PbTe和Na3AlF6通過交替鍍膜設計出從近紅外到遠紅外波段高反射且在兩個激光波段高透過的一維雙缺陷膜的光子晶體，該結構在1～5μm和8～14μm兩個波段的反射率可達99%以上，并且對波長為1.06μm和10.6μm激光的透過率可達96%.

圖14　摻雜光子晶體的反射譜Fig.14 Reflectance spectra of doped photonic crystal

隱身兼容技術最重要的研究主要集中在雷達波段和紅外波段的兼容隱身。由于在雷達波段，吸收材料需要滿足高吸收和低反射，而在紅外波段，卻需要材料滿足低的發(fā)射率。因此，在雷達-紅外雙波段同時具備高吸收和低發(fā)射特性的材料是很難實現(xiàn)的，而將禁帶處于紅外波段的光子晶體和雷達吸波材料結合起來，可以實現(xiàn)雷達-紅外的兼容隱身。

2014年，Wang等［31］利用一維雙異質光子晶體結構制備了雷達-紅外隱身材料，實現(xiàn)了材料在3～5μm和8～14μm的極高反射率，在3～5μm和8～14μm的紅外輻射強度分別為0.073和0.042（見圖15和圖16），而且由于組成材料在雷達波段的高的透射性，能夠同時實現(xiàn)雷達兼容隱身。

圖15　雙異質結構的反射光譜圖Fig.15 Reflectance spectra of double heterostructure

圖16　Ge/ZnS異質結構光子晶體在雷達波段的透射光譜圖Fig.16 Transmittance spectra of Ge/ZnS double heterostructure photonic crystal in radar waveband

2.4自適應紅外隱身

自適應紅外隱身技術又稱智能紅外隱身技術，是指通過控制和調節(jié)變溫或變發(fā)射率材料構成的敏感單元，使被探測目標的紅外輻射特性能夠隨環(huán)境自動發(fā)生相應調整，實現(xiàn)目標與環(huán)境紅外輻射特性的統(tǒng)一，消除目標與背景的紅外探測特性差異，從而得以偽裝掩護和隱身。

變溫材料構成的自適應隱身器件，整體靈敏度差，難以滿足實用的要求。單純的變發(fā)射率材料構成的隱身器件，光譜選擇性及其發(fā)射率可調節(jié)的范圍有限。而將變發(fā)射率材料與光子晶體結構結合起來構建自適應隱身系統(tǒng)，不但靈敏度更高，而且能夠在更大的波段范圍內實現(xiàn)對物體紅外輻射特征的動態(tài)調制。因此，變發(fā)射率材料構成的光子晶體自適應隱身器件是自適應紅外隱身的未來發(fā)展方向。

2004年，Larsson等［32］用磁控濺射技術制備薄膜電致變色器件來實現(xiàn)紅外輻射的調制。該器件以WO3為主電致變色層，ZrO2作為離子導體，NiVxOyHz作為補充電致變色層，基底為ITO玻璃，通過外電壓可以實現(xiàn)相關紅外波段發(fā)射率的調制。

2006年，Ashrit等［33］研制了一種基于WO3反蛋白石結構光子晶體的電致變色器件。通過將光子晶體結構的禁帶特性與WO3介質的電致變色特性相結合，使器件在相應波段的反射光譜和發(fā)射率可以通過電壓在一定范圍內調節(jié)，增大了WO3介質的光譜選擇性調節(jié)范圍和調節(jié)幅度（見圖17～圖19）。

圖17　光子晶體電致變色器件示意圖Fig.17 Schematic diagram of EC-PC device

圖18　4V下不同時間的透射譜圖Fig.18 Transmission spectra of ITO/WO3inverse opal as a function of time at voltage bias of+4 V

圖19　不同電壓下的透射譜圖Fig.19 Transmission spectra at normal incidence of cell as a function of negative voltage

圖20　不同電壓下光子晶體材料的反射光譜Fig.20 Reflectance spectra of inverse opal at different voltages

2008年，Puzzo等［34］將具有電活性的聚合物填充于SiO2光子晶體模板中，然后用HF去除模板，并將膜連結在ITO膜上，得到了一種反射率受電場調控的聚合物膜材料。施加不同的電壓，該材料可呈現(xiàn)不同的顏色（見圖20和圖21）。鑒于該材料光學性能具有極大的調節(jié)范圍，如果將其擴展到紅外波段，預計可實現(xiàn)不錯的適應性隱身性能。

2013年，Long等［35］用魷魚皮膚里含有反光蛋白質的血小板來制備光子晶體結構，通過醋酸溶液的刺激，引起血小板的厚度和間距變化，從而能夠使皮膚反射不同的光線，調節(jié)范圍達400nm以上，覆蓋了整個可見光波段，甚至紅外波段（見圖22和圖23）。這種血小板膜被醋酸蒸過后，可以實現(xiàn)表面反射的紅外線與其背景反射的紅外線完全一致，從而實現(xiàn)紅外隱身。研究者將反光蛋白質融入到一種有彈性、輕薄、背后可粘貼的聚合物片上（類似貼紙），通過拉伸貼紙以激活反光蛋白質，從而替代乙酸蒸汽。士兵們將貼紙粘貼在衣服、裝備等任何表面，就可以在紅外線的世界里“融入”背景中，躲過紅外探測設備的“抓捕”。目前這項研究還不成熟，材料只能夠反射可見光和近距離紅外線。研究人員還需要增加材料的反射輝度，并且讓多張貼紙可以在同一時間以同樣的方式進行變化。

圖23　自適應隱身器件的示意圖Fig.23 Schematic diagram of adaptive stealth device

2015年，Hurtado［36］在微米中空管構成的光子晶體中合成熱可控的VO2納米顆粒得到了中紅外波段溫度可逆調節(jié)的自適應材料。通過溫度變化調控VO2的相變和折射率，從而調控光子禁帶的位置和寬度（見圖24和圖25）。

同年，Chernow等［37］用八面體晶胞單元的聚合物納米晶格制備了機械可調的三維光子晶體材料，實現(xiàn)了光譜特性在近紅外和中紅外波段大范圍的可調節(jié)性。該材料在中紅外波段有一個強的反射峰，在單軸向壓力下反射峰的位置會可逆地大范圍移動，當對材料施加40%的壓縮量時，偽禁帶的位置就會從7.3μm移動到5.1μm（見圖26和圖27）。

圖24　不同溫度下該復合結構的紅外透射譜圖Fig.24 Transmittance spectra of composite VO2photonic crystal at different temperatures

圖25　復合結構的構造圖Fig.25 Structural map of composite VO2photonic crystal

圖26　光子晶體結構在不同壓縮率下的形變圖Fig.26 SEM images of photonic crystal structure under different effective strains

3 總結和展望

本文歸納了光子晶體應用于紅外隱身領域的研究進展和最新發(fā)展動態(tài)，并針對新一代光子晶體紅外隱身材料對寬范圍的高反射、多波段兼容、可逆的動態(tài)調整等需求，提出了相應的解決思路。

圖27　不同壓縮率對應的反射光譜圖Fig.27 Normalized reflection spectra of photonic crystal structure under increasing degrees of effective strain

1）為了獲得寬范圍、高反射特性的光子晶體紅外隱身材料，除了選取折射率比大的組合材料之外，還可以通過引入無序結構或半導體、等離子體等新材料來構造三元光子晶體結構。將兩種或兩種以上的光子晶體相結合，構建單異質結構、雙異質結構無疑是最簡單直接也最行之有效的方法。

2）對于實現(xiàn)多波段兼容隱身，首先要考慮兩種隱身手段之間的關聯(lián)和共通點。對于紅外與激光兼容的隱身材料，除了光子晶體相應波段的高反射率性能之外，還要考慮通過摻雜或“挖空”等手段賦予光子晶體某一波長高的透射率來實現(xiàn)二者兼容隱身。對于紅外與雷達的兼容隱身技術，材料本身對雷達波的吸收性能是首先要考慮的問題，采取合適的雷達波段高透射率的材料來構建光子晶體是最基本的思路之一，也是當前研究的熱點。

3）能夠動態(tài)調整目標的紅外輻射特征的自適應隱身技術，是未來紅外隱身的發(fā)展趨勢和主要研究方向。隨著新材料的發(fā)展和新型制備技術的出現(xiàn)，受化學刺激、溫度、電場、磁場等外界作用而改變發(fā)射率的材料，必然在自適應隱身研究中扮演更重要的角色。在最新的研究動態(tài)中，我們也驚喜地發(fā)現(xiàn)，受自然界中納米尺寸結構色（如魷魚的虹細胞結構）的啟發(fā)，利用仿生學制備的自適應紅外隱身材料，往往比微制造等復雜技術制備的材料更有效更能滿足實用的需要。

4）雖然當前隱身材料領域仍然以涂層材料等傳統(tǒng)隱身手段為主，但隨著未來探測手段不斷多樣化和精確化，對隱身材料提出更高更多的要求，光子晶體以其結構的可設計性、動態(tài)的可調性等優(yōu)異特點，在未來的紅外隱身發(fā)展過程中，必然占據(jù)更重要的位置。

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Research Progress on Photonic Crystal Infrared Stealth Materials Technology

MENG Zi-hui，ZHANG Lian-chao，QIU Li-li，XUE min，XU Zhi-bin
（School of Chemical Engineering and Environment，Beijing Institute of Technology，Beijing 100081，China）

Photonic crystals are a kind of artificial functional materials with potential and promising application in the infrared stealth technology，of which photonic band gap has high reflectivity to electromagnetic waves.The photonic crystals can alter the radiation characteristics of targets and protect the targets from being detected in infrared region.In order to clarify the problems and opportunities in the further development of photonic crystal and provide some proposals for the requirements of infrared stealth materials for wide band，multi band compatibility and reversible dynamic adjustment.The applications of photonic crystal in the regulation of infrared radiation characteristics，the broadening of photonic band gap，the multi band compatible technology and the adaptive stealth technology with variable emissivity are reviewed and summarized.Finally，the new generation of photonic crystal infrared stealth materials is prospected.

ordnance science and technology；photonic crystal；infrared stealth；broadening of photonic band gap；multi-band compatible stealth；variable emissivity

TJ765.5

A

1000-1093（2016）08-1543-10

10.3969/j.issn.1000-1093.2016.08.029

2016-02-02

國家自然科學基金項目（U1530141、21375009）

孟子暉（1970—），男，教授，博士生導師。E-mail:m_zihui@yahoo.com；邱麗莉（1982—），女，講師。E-mail:qiulili@bit.edu.cn