陳居田, 費(fèi)敬銀, 史芳芳, 李 倍, 張 閆
(西北工業(yè)大學(xué) 理學(xué)院, 西安 710129)
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周期換向脈沖法快速電沉積Al2O3/Ni復(fù)合鍍層
陳居田,費(fèi)敬銀,史芳芳,李倍,張閆
(西北工業(yè)大學(xué) 理學(xué)院, 西安 710129)
以Al2O3微粒為分散相,進(jìn)行了周期換向脈沖復(fù)合電沉積工藝研究,快速電沉積出了Al2O3/Ni復(fù)合鍍層。利用掃描電鏡及能譜分析技術(shù)對(duì)Al2O3/Ni復(fù)合鍍層的微觀形貌及組成進(jìn)行了表征,考察了脈沖參數(shù)對(duì)復(fù)合鍍層中Al2O3含量及鍍層微觀形貌的影響;并就周期換向脈沖電沉積與直流電沉積復(fù)合鍍層的微觀形貌、鍍層應(yīng)力及沉積速率進(jìn)行比較。結(jié)果表明:采用周期換向脈沖法快速電沉積可以得到組織致密、內(nèi)應(yīng)力小、沉積速率高的Al2O3/Ni復(fù)合鍍層。
脈沖;周期換向;快速電沉積;復(fù)合鍍
脈沖電鍍技術(shù)發(fā)展至今已有近百年的歷史了。早期的脈沖電鍍側(cè)重于研究脈沖電鍍過(guò)程中的界面響應(yīng)特征和單金屬的結(jié)晶行為[2-4]。近年來(lái),由于材料科學(xué)的迅速發(fā)展和電子技術(shù)的不斷變革,脈沖鍍技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于新型合金材料的制備。Fei等[5]在研究Zn-Co合金周期換向電沉積特征時(shí),觀察到鍍層中Co的含量受平均電流密度和反向電流密度的影響較大,反向電流可改變鍍層的組成晶粒尺寸、表面形貌和內(nèi)應(yīng)力。陳葉等[6]發(fā)現(xiàn)使用脈沖電沉積相比直流電沉積制備Ni-P合金,可以提高合金中的P含量并使鍍層形貌更加平整、致密。與此同時(shí),采用脈沖電沉積方法制備功能復(fù)合鍍層的研究也成為脈沖電鍍研究的一個(gè)新方向。然而,目前脈沖復(fù)合鍍都是采用單向脈沖沉積方法[7],采用周期換向脈沖電沉積復(fù)合鍍層的研究報(bào)道較少。
以鎳作復(fù)合鍍層的基質(zhì)金屬,和惰性粒子共沉積可獲得具有優(yōu)異抗磨損和防護(hù)性能的復(fù)合鍍層。開(kāi)發(fā)新型高速?gòu)?fù)合鍍鎳工藝,大幅度提高鍍層沉積速率,不僅可以減少能源消耗、降低成本,而且可間接減少電鍍鎳的廢水排放量,從技術(shù)源頭上降低電鍍廢水對(duì)環(huán)境的污染。
本研究以張午花等[8]研制成功的新型高速鎳鍍液為基礎(chǔ)鍍液,采用周期換向快速脈沖復(fù)合電沉積技術(shù),通過(guò)添加Al2O3微粒(含α-Al2O390%以上,質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)作為分散相制備Al2O3/Ni復(fù)合鍍層,并研究了脈沖參數(shù)對(duì)鍍層組成及形貌影響的規(guī)律及周期換向脈沖電沉積與直流電沉積性能的對(duì)比。
實(shí)驗(yàn)基體材料為紫銅片,試樣尺寸為50mm×20mm×0.2mm,試樣表面經(jīng)除氧化膜、除油及弱腐蝕后,采用周期換向快速脈沖電沉積法制備Al2O3/Ni復(fù)合鍍層,鍍層厚度約為20μm,電鍍時(shí)間4~20min。
電鍍液由200~250g/L的NiCO3·2Ni(OH)2·4H2O,350~450g/L的CH3SO3H,30~60g/L的NiCl2·6H2O,25~35g/L的H3BO3,0.05g/L的十二烷基硫酸鈉,2g/L的糖精鈉,10g/L的酒石酸鉀鈉,0.4g/L的乙酸銨,以及5~30g/L的Al2O3微粒組成,pH=5.3,溫度40 ℃,平均電流密度5~30A/dm2,占空比0.3~0.9,逆向脈沖系數(shù)0~0.9,頻率0.1~30Hz。其中Al2O3微粒直徑約5~15μm。
本研究使用的脈沖波形為周期換向的方波,根據(jù)Fei[5]給出的定義,只有平均電流密度Iav,占空比λ,逆向脈沖系數(shù)x和頻率f這4個(gè)參數(shù)是獨(dú)立變化的。給定Iav, λ, x,正向峰值電流密度Ip+和逆向峰值電流密度Ip-可由以下公式確定:
Ip+=Iav/(xλ+λ-x)
(1)
Ip-=x·Ip+
(2)
采用JSM-6390A型掃描電鏡觀察復(fù)合鍍層的微觀形貌,并用隨機(jī)附帶的能譜儀(EDS)分析復(fù)合鍍層中Al2O3微粒的含量。
采用Stoney方法[9]測(cè)試復(fù)合鍍層的內(nèi)應(yīng)力,依據(jù)測(cè)得的試樣自由端的彎曲值,用式(3)計(jì)算出鍍層內(nèi)應(yīng)力值。
σ=ET2Z′/(3tL2)
(3)
式中:σ為鍍層的內(nèi)應(yīng)力,Pa;E為銅片的楊氏模量,Pa;T為銅片的厚度,mm;Z′為試樣自由端偏轉(zhuǎn)量,mm;t為鍍層的厚度,mm;L為試樣浸入鍍液的深度,mm。
沉積速率為鍍層質(zhì)量除以鍍層表面積及電鍍時(shí)間,單位為g·dm-2·h-1,鍍層質(zhì)量為試樣電鍍前后的質(zhì)量差值,本實(shí)驗(yàn)重復(fù)三次取平均值。
2.1鍍層中Al2O3含量及其影響因素
2.1.1平均電流密度對(duì)鍍層中Al2O3含量的影響
圖1(a)為脈沖平均電流密度對(duì)鍍層中Al2O3含量的影響。測(cè)定時(shí),保持其他條件不變,只改變脈沖電流。由圖1(a)可知,隨平均電流密度增大,復(fù)合鍍層中Al2O3含量增加;當(dāng)平均電流密度為20A/dm2時(shí),復(fù)合鍍層中Al2O3含量最大可達(dá)9.01%;之后,平均電流密度繼續(xù)增大,Al2O3含量降低。在低電流密度區(qū),增大平均電流密度可以提高基質(zhì)金屬的沉積速率,縮短微粒沉積的極限時(shí)間[10],并且陰極過(guò)電位會(huì)隨平均電流密度增大而增加,對(duì)吸附著正離子的Al2O3微粒的靜電引力增大,有利于Al2O3微粒與基質(zhì)金屬的共沉積;在Al2O3含量達(dá)到最大值后,隨著平均電流密度的繼續(xù)增大,基質(zhì)金屬的沉積速率的增加大于Al2O3微粒嵌入速率的增加,鍍層中Al2O3微粒的含量隨之減小。
2.1.2占空比對(duì)鍍層中Al2O3含量的影響
由于脈沖參數(shù)占空比的存在,脈沖電沉積過(guò)程能夠大幅度提高瞬時(shí)電流密度,使得電鍍過(guò)程中的平均電流密度能夠達(dá)到直流電鍍的實(shí)際電流密度,甚至更高值。在相同的平均電流密度下,占空比越小其正向脈沖峰值電流越大。占空比變化范圍應(yīng)適中,否則鍍層可能無(wú)法形成,本實(shí)驗(yàn)占空比在0.3~0.9間。占空比對(duì)復(fù)合鍍層中Al2O3含量影響如圖1(b) 所示。由圖1(b)可知,占空比在0.3~0.7間,復(fù)合鍍層中Al2O3含量呈上升趨勢(shì);占空比大于0.7時(shí),復(fù)合鍍層中Al2O3含量呈下降趨勢(shì)。這主要是因?yàn)椋伎毡容^小時(shí),隨占空比增大,正、反向電流密度減小,而正向電流導(dǎo)通時(shí)間增大可促進(jìn)共沉積過(guò)程,復(fù)合鍍層中Al2O3含量升高;占空比過(guò)大,正、反向電流密度繼續(xù)降低,基質(zhì)金屬的沉積速率降低導(dǎo)致極限時(shí)間[10]延長(zhǎng)。極限時(shí)間越長(zhǎng),意味著單位時(shí)間內(nèi)可能嵌入的微粒數(shù)量越少,復(fù)合鍍層中Al2O3含量降低。
圖1 平均電流密度、占空比、逆向脈沖系數(shù)和頻率對(duì)復(fù)合鍍層中Al2O3含量的影響Fig.1 Effect of average current density(a), duty ratio(b), reverse pulse coefficient(c) and frequency(d) on Al2O3 contents in deposits
2.1.3逆向脈沖系數(shù)對(duì)鍍層中Al2O3含量的影響
其他條件不變時(shí),改變逆向脈沖系數(shù)就是改變了逆向脈沖電流峰值與正向脈沖電流峰值的比值。逆向脈沖系數(shù)越大,則逆向脈沖電流峰值越大。在本試驗(yàn)中,逆向脈沖系數(shù)對(duì)鍍層中Al2O3含量的影響最為顯著。由圖1(c)可知,隨逆向脈沖系數(shù)增大,鍍層中Al2O3含量有所下降。逆向脈沖系數(shù)較小時(shí),正向脈沖電流峰值較大,有利于Al2O3與基質(zhì)金屬?gòu)?fù)合共沉積,鍍層中Al2O3含量較高;隨逆向脈沖系數(shù)增大,逆向脈沖電流峰值增大,會(huì)導(dǎo)致已沉積或正在被基質(zhì)金屬包裹的Al2O3微粒因基體金屬溶解而脫落的可能性增大及正向沉積不連續(xù)性增強(qiáng),Al2O3微粒不易被嵌入復(fù)合鍍層。因此,隨逆向脈沖系數(shù)增大,鍍層中Al2O3含量有所下降。
2.1.4頻率對(duì)鍍層中Al2O3含量的影響
如圖1(d)所示,在頻率較小時(shí),鍍層中Al2O3含量較高;隨頻率增大,鍍層中Al2O3含量升高隨后又逐步降低。分析如下:頻率較小就等于是單脈沖周期較大,則微粒在一個(gè)脈沖周期內(nèi)被基質(zhì)金屬包覆的可能性就大,因此電沉積速率較快,鍍層中Al2O3含量較高;適度增大頻率,雖然單脈沖周期內(nèi)電流導(dǎo)通時(shí)間變短會(huì)導(dǎo)致沉積速率降低,但溶質(zhì)離子更能充分地向電極表面擴(kuò)散,濃差極化降低,鍍層中Al2O3含量增加;繼續(xù)增大頻率,導(dǎo)通時(shí)間變得相當(dāng)短,此時(shí)濃差極化基本可以忽略,沉積速率明顯降低,鍍層中Al2O3含量隨之降低。
2.2鍍層形貌及其影響因素
2.2.1平均電流密度對(duì)鍍層形貌的影響
平均電流密度對(duì)復(fù)合鍍層微觀形貌的影響如圖2所示,圖2(a)~(c)分別表示復(fù)合鍍層在平均電流密度為10A/dm2,20A/dm2,30A/dm2時(shí)的微觀形貌。由圖2可知,當(dāng)平均電流密度為10A/dm2時(shí),鍍層比較粗糙;當(dāng)平均電流密度在20A/dm2時(shí),復(fù)合鍍層晶粒細(xì)?。恢?,隨平均電流密度的增大,復(fù)合鍍層的表面質(zhì)量下降,在平均電流密度為30A/dm2時(shí),鍍層的晶粒尺寸較大,有輕微的團(tuán)聚現(xiàn)象,并且鍍層表面伴有發(fā)黑,故電流密度不能過(guò)高,否則鍍層質(zhì)量下降且有燒焦的危險(xiǎn)。這主要的原因是,提高電流密度,一方面可以提高正向峰值電流密度,使鍍層的成核率提高,晶粒得到細(xì)化;另一方面也會(huì)提高逆向峰值電流密度,溶解較大的晶粒,從而使晶粒細(xì)化;但是,平均電流密度過(guò)大,會(huì)使正向峰值電流密度遠(yuǎn)大于逆向峰值電流密度,造成部分較大晶粒持續(xù)增長(zhǎng),復(fù)合鍍層晶粒尺寸增大[11]。
圖2 不同平均電流密度下Al2O3/Ni復(fù)合鍍層的微觀形貌Fig.2 Surface morphologies of Al2O3/Ni composite coatings deposited under average current density of 10A/dm2(a), 20A/dm2(b), and 30A/dm2(c)
2.2.2占空比對(duì)鍍層形貌的影響
占空比對(duì)復(fù)合鍍層微觀形貌的影響如圖3所示,圖3(a)~(c)分別表示復(fù)合鍍層在占空比為0.3,0.7,0.9時(shí)的微觀形貌。一般情況下,由于加在陰陽(yáng)兩極之間的電流作用時(shí)間短,較小的占空比能夠獲得表面光滑且致密的鍍層,但是較小的占空比預(yù)示著較大的峰值電流密度,而過(guò)大的峰值電流密度容易導(dǎo)致鍍層表面出現(xiàn)起皮和脫落的現(xiàn)象。如圖3所示,占空比為0.3時(shí),鍍層的晶粒較小,但其鍍件邊緣部分出現(xiàn)毛刺和燒焦的現(xiàn)象,嚴(yán)重影響到鍍層的外觀。因此,實(shí)驗(yàn)過(guò)程中應(yīng)綜合考慮平均電流密度和占空比這兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2.2.3逆向脈沖系數(shù)對(duì)鍍層形貌的影響
逆向脈沖系數(shù)對(duì)復(fù)合鍍層微觀形貌的影響如圖4所示,圖4(a)~(c)分別表示復(fù)合鍍層在逆向脈沖系數(shù)為0,0.3,0.5時(shí)的微觀形貌。由圖4可知,當(dāng)逆向脈沖系數(shù)較小時(shí),晶粒細(xì)小。此時(shí)正向峰值電流密度較大,形核速率較大,形核點(diǎn)數(shù)量較多,可避免微粒持續(xù)長(zhǎng)大。鑲嵌在鍍層中的微粒細(xì)小均勻,鍍層結(jié)構(gòu)細(xì)密;隨逆向脈沖系數(shù)的增加,則反向電流密度增加,在長(zhǎng)脈沖周期條件下的反向電流作用使鍍層粒徑尺寸有增大的趨勢(shì)[12],復(fù)合鍍層表面質(zhì)量變得粗糙。
圖3 不同占空比下Al2O3/Ni復(fù)合鍍層的微觀形貌Fig.3 Surface morphologies of Al2O3/Ni composite coatings deposited under duty ratio of 0.5(a), 0.7(b), and 0.9 (c)
圖4 不同脈沖系數(shù)下Al2O3/Ni復(fù)合鍍層的微觀形貌Fig.4 Surface morphologies of Al2O3/Ni composite coatings deposited under reverse pulse coefficient of 0(a), 0.3(b), and 0.5 (c)
2.2.4頻率對(duì)鍍層形貌的影響
頻率對(duì)復(fù)合鍍層微觀形貌的影響如圖5所示。在本試驗(yàn)中,頻率對(duì)鍍層微觀形貌的影響最為顯著。圖5(a)~(c)分別表示鍍層在頻率為0.1Hz,1Hz,10Hz時(shí)的微觀形貌。由圖5可知,頻率為0.1Hz時(shí),鍍層晶粒粗大且不均勻;隨脈沖頻率增大,鍍層表面較為平整致密、無(wú)空隙;隨脈沖頻率進(jìn)一步增大,鍍層微觀形貌呈溝壑狀,表面粗糙且有空隙。其原因是由于脈沖頻率增加,單脈沖導(dǎo)通時(shí)間縮短,電極表面由于金屬離子的還原而引起的濃度下降能夠及時(shí)得到補(bǔ)充,濃差極化降低,從而能夠得到比較致密的鍍層;繼續(xù)增加脈沖頻率,鍍層質(zhì)量又將逐步下降,也會(huì)使得鍍層的致密度變差。
圖5 不同頻率下Al2O3/Ni復(fù)合鍍層的微觀形貌Fig.5 Surface morphologies of Al2O3/Ni composite coatings deposited under frequency of 0.1Hz(a), 1Hz(b), and 10Hz (c)
2.3周期換向脈沖法與直流法電沉積Al2O3/Ni復(fù)合鍍層對(duì)比
2.3.1微觀形貌的對(duì)比
如圖6所示,直流法制備的Al2O3/Ni復(fù)合鍍層的表面存在裂紋,表明鍍層存在較大的內(nèi)部應(yīng)力(如圖6(a));若Al2O3微粒含量合適時(shí),鍍層應(yīng)力減小(如圖6(b));若Al2O3微粒含量過(guò)高,則會(huì)出現(xiàn)微粒團(tuán)聚現(xiàn)象(如圖6(c))。圖7為脈沖電沉積Al2O3/Ni復(fù)合鍍層的微觀形貌,與圖6中Al2O3含量相近的鍍層的形貌對(duì)比后可知,脈沖電沉積鍍層均比直流電沉積鍍層平整、致密,無(wú)裂紋、缺陷。分析其原因:一方面,脈沖電沉積是利用電流(或電壓)脈沖的“張弛”作用來(lái)增加陰極的活化極化和降低陰板的濃差極化,這樣可以減小金屬離子在電極表面的形核功,增大晶核的形成幾率,促使晶核成核數(shù)目增加。再加上脈沖寬度很短,晶核來(lái)不及長(zhǎng)大就被切斷電源,所以晶核的數(shù)量多并且尺寸小,鍍層因此而致密;另一方面,合適的反向脈沖電流可以去除鍍層表面的間隙氫,并因溶解了鍍層上的毛刺而使鍍層變得平整。
圖6 直流電沉積Al2O3/Ni復(fù)合鍍層的微觀形貌Fig.6 Surface morphologies of Al2O3/Ni composite coatings deposited under direct current electrodeposition(a)2.13% Al2O3; (b)5.69% Al2O3; (c) 8.47% Al2O3
圖7 周期換向脈沖電沉積Al2O3/Ni復(fù)合鍍層的微觀形貌Fig.7 Surface morphologies of Al2O3/Ni composite coatings deposited under periodic reversal pulse electrodeposition(a) 2.21% Al2O3; (b) 5.72% Al2O3; (c) 9.01% Al2O3
2.3.2應(yīng)力的對(duì)比
圖8 鍍液中Al2O3濃度對(duì)復(fù)合鍍層應(yīng)力的影響Fig.8 The effect of Al2O3 concentration in solution on composite coating stress
在其他條件一定時(shí),鍍層中Al2O3的含量隨著鍍液中Al2O3微粒濃度的增加而迅速增加,并在鍍液中Al2O3微粒濃度為30g/L時(shí),鍍層中Al2O3含量達(dá)到最大值,之后隨鍍液中Al2O3微粒濃度的增加而降低。Al2O3微粒在鍍層中呈彌散均勻分布,使鍍層基體中位錯(cuò)遷移通過(guò)第二相微粒時(shí),必須施加更多的能量。這就阻礙了位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng),增加了復(fù)合鍍層變形的困難,當(dāng)鍍層的拉應(yīng)力大于鍍層的抗拉強(qiáng)度時(shí),鍍層就會(huì)產(chǎn)生微裂紋而釋放應(yīng)力。并且Al2O3微粒嵌入鍍層使得微粒附近的金屬晶格扭曲,晶粒按照原來(lái)方向的生長(zhǎng)變得困難,為了使體系的能量最低,晶面出現(xiàn)了新的擇優(yōu)生長(zhǎng),這也釋放了一部分應(yīng)力[13-15]。所以,Al2O3微粒的存在具有減小鍍層應(yīng)力的作用。如圖8所示,與直流電沉積相比,脈沖電沉積狀態(tài)下的鍍層內(nèi)應(yīng)力較小。出現(xiàn)這種現(xiàn)象的原因是,在相同電流密度的條件下,直流電沉積狀態(tài)下的陰極和溶液界面處易形成較厚的擴(kuò)散層,使陰極表面鎳離子的濃度降低產(chǎn)生濃差極化,導(dǎo)致陰極上氫氣析出量增加,從而使鍍層內(nèi)應(yīng)力增大。而脈沖電沉積中的脈沖關(guān)斷時(shí)間有利于應(yīng)力的釋放,逆向電流能夠消除濃差極化和去除陰極表面的氫氣,降低鍍層內(nèi)應(yīng)力。
2.3.3沉積速率的對(duì)比
如圖9所示,脈沖電沉積狀態(tài)下比直流電沉積狀態(tài)下具有更高的沉積速率。這是由于在脈沖電沉積過(guò)程中,陰極表面與溶液界面存在一個(gè)脈動(dòng)擴(kuò)散層,在脈沖關(guān)斷時(shí)能夠及時(shí)補(bǔ)充電沉積所消耗的鎳離子。而直流狀態(tài)下陰極表面一直進(jìn)行著電化學(xué)反應(yīng),不能及時(shí)補(bǔ)充鎳離子的消耗,濃差極化所起的作用比周期換向脈沖電沉積狀態(tài)下要大得多,從而對(duì)陰極電流效率產(chǎn)生不利影響。并且脈沖電沉積的脈沖寬度很短,峰值電流密度很大,其電沉積時(shí)的平均電流密度超過(guò)直流電沉積時(shí)的實(shí)際電流密度,提高了電沉積速率。
圖9 電流密度對(duì)復(fù)合鍍層沉積速率的影響Fig.9 The effect of current density on composite coating deposition rate
(1)研究了周期換向快速脈沖電沉積Al2O3/Ni復(fù)合鍍層的電沉積特性,探討了脈沖參數(shù)對(duì)復(fù)合鍍層中Al2O3含量、微觀形貌的影響規(guī)律,其中逆向脈沖系數(shù)對(duì)鍍層中Al2O3含量的影響、頻率對(duì)鍍層微觀形貌的影響最為顯著。當(dāng)脈沖平均電流密度為20A/dm2、占空比為0.7、逆向脈沖系數(shù)為0.3、頻率為1Hz時(shí),不僅鍍層的沉積速率很快,而且鍍層的各方面性能綜合最優(yōu)。
(2)與直流電沉積和單向脈沖電沉積相比,本文提出的周期換向快速脈沖電沉積Al2O3/Ni復(fù)合鍍層工藝,大幅度地提高了平均電流密度,而且陰極電流效率也有所提高。同時(shí),鍍層中Al2O3微粒大小、分布均勻,提高了復(fù)合鍍層的質(zhì)量。
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Periodic Reversal Pulse Fast Electrodeposition of Al2O3/Ni Composite Coatings
CHENJutian,FEIJingyin,SHIFangfang,LIBei,ZHANGYan
(DepartmentofAppliedChemistry,NorthwesternPolytechnicalUniversity,Xi′an710129,China)
Abstract:BasedonAl2O3particlesasdispersedphase,theAl2O3/Nicompositecoatingwaspreparedbythemethodofperiodicreversalpulsefastelectrodeposition.ThemicromorphologyandthecompositionofAl2O3/Nicompositecoatingwerecharacterizedbyusingscanningelectronmicroscope(SEM)andenergydispersivespectrometer(EDS).TheeffectofthepulseparametersontheAl2O3contentinthecompositecoatingandcoating’smicromorphologywareinvestigated.Alsothecomparisonbetweenthemicromorphology,coating’sstressanddepositionrateofthecompositecoatingdepositedbyperiodicreversalpulseelectrodepositionanddirectcurrentelectrodepositionwasundertaken.TheresultsshowthattheAl2O3/Nicompositecoatingwithfinegrains,lowinnerstressandhighdepositionratewasobtainedbyperiodicreversalpulseelectrodeposition.
pulse;periodicreverse;fastelectrodepositing;compositeelectroplating
2015-07-20;
2015-08-10
費(fèi)敬銀(1962—),男,博士,教授,主要從事緩蝕技術(shù)研究,(E-mail)jyfei@nwpu.edu.cn。
10.11868/j.issn.1005-5053.2016.1.011
TQ153
A
1005-5053(2016)01-0062-07