利用垂直饋穿部進(jìn)行的晶片級(jí)氣密包裝方法

申請(qǐng)公布號(hào)：CN105579391A

申請(qǐng)?zhí)枺?013800794175

申請(qǐng)人：S·E·阿爾珀；M·M·土倫巴斯；T·阿金

地址：土耳其安卡拉

發(fā)明人：S·E·阿爾珀；M·M·土倫巴斯；T·阿金

Int.Cl.：B81C1/00（2006.01）I

PCT進(jìn)入國(guó)家階段日：2016.03.07

PCT申請(qǐng)數(shù)據(jù)：PCT/TR2013/000298 2013.09.11

PCT公布數(shù)據(jù)：WO2015/038078 EN 2015.03.19

摘 要：一種用于MEMS結(jié)構(gòu)的晶片級(jí)包裝方法，希望將該MEMS結(jié)構(gòu)封裝在氣密空腔中，并且該MEMS結(jié)構(gòu)需要將至少單個(gè)或多個(gè)電引線轉(zhuǎn)移到空腔外部，并且不損壞空腔的氣密性。引線轉(zhuǎn)移是利用垂直饋穿部實(shí)現(xiàn)的，在生產(chǎn)封裝空腔的同一制造步驟中在封帽基板上對(duì)該垂直饋穿部進(jìn)行構(gòu)圖。此外，垂直饋穿部和到達(dá)這些饋穿部的過(guò)孔的結(jié)構(gòu)被以如下方式布置，即傳統(tǒng)焊線結(jié)合將足以將垂直饋穿部連接至外界，而無(wú)需在過(guò)孔內(nèi)重填導(dǎo)體。該方法與使用各種密封材料如薄膜金屬和合金的基于低溫?zé)釅嚎s的結(jié)合/密封過(guò)程兼容，并且還與硅玻璃陽(yáng)極或硅-硅共熔結(jié)合過(guò)程兼容。