納米銀線柔性透明導(dǎo)電薄膜的制備與研究進展

蒲 勇，阮海波，劉碧桃

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納米銀線柔性透明導(dǎo)電薄膜的制備與研究進展

蒲 勇，阮海波，劉碧桃

（重慶文理學(xué)院 新材料技術(shù)研究院，重慶 402160）

納米銀線因具有優(yōu)異的光電性能和機械性能，使其有望在柔性透明導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域成為ITO的替代材料。簡述了納米銀線柔性透明導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)和基本性質(zhì)，重點介紹了近年來制備納米銀線柔性透明導(dǎo)電薄膜的幾種方法，簡單分析了納米銀線柔性透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用研究進展和目前該領(lǐng)域研究中所面臨的問題。最后，對納米銀線柔性透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用前景和發(fā)展方向進行了展望。

納米銀線；柔性；綜述；透明導(dǎo)電薄膜；制備方法；研究進展

透明導(dǎo)電薄膜(transparent conducting film, 簡稱TCF)是一種兼?zhèn)渫腹庑院蛯?dǎo)電性的材料，被廣泛應(yīng)用于有機發(fā)光二極管(OLED)、太陽能電池、觸摸屏、平面顯示器和智能玻璃等領(lǐng)域[1]。近年來，隨著電子器件朝著輕薄化的方向發(fā)展，具有彎折性好、質(zhì)量輕和不易碎等優(yōu)點的柔性TCF受到了極大關(guān)注[2-4]。目前，已成功商品化的TCF材料主要是一些透明導(dǎo)電氧化物(TCO)，包括ITO(Sn摻雜In2O3)、FTO(F摻雜SnO2)、AZO(Al摻雜ZnO)和IMO(Mo摻雜In2O3)等[5-6]。其中，ITO作為TCF已運用于光電器件中長達五十多年，至今仍占有約90%的市場份額[5]。然而，ITO存在制備條件苛刻、成本高和柔性差等缺餡，且制備ITO所需的金屬銦(In)日漸稀缺。因此，尋找適用于柔性TCF的ITO替代材料已成為國內(nèi)外光電材料領(lǐng)域的研究熱點[7]。

作為納米材料的典型代表，納米銀線(Ag nanowires, 簡稱Ag NWs)在導(dǎo)電性、可見光透過性和穩(wěn)定性等方面均表現(xiàn)出了良好的特性[8-10]。研究發(fā)現(xiàn)[11-13]，用Ag NWs制備的柔性TCF具有透明度高、方塊電阻低、光滑度和彎折性好等優(yōu)點，是一種極具潛力的新型多功能ITO替代材料。本文從Ag NWs柔性TCF的基本性質(zhì)、制備方法及其在光電器件中的應(yīng)用以及當(dāng)前存在的一些問題等方面進行了綜述。

1 Ag NWs柔性TCF的基本性質(zhì)

Ag NWs是一種面心立方一維金屬納米材料，其長徑比可達一萬以上，如圖1。Ag NWs柔性TCF即是一種將無數(shù)的Ag NWs與合適的有機交聯(lián)體在柔性襯底上制成的導(dǎo)電薄膜，如圖2。目前，可用作柔性襯底的材料有聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺(PI)和聚丙烯己二酯(PPA)等。如表1所示，相對于傳統(tǒng)的ITO等在硬質(zhì)材料襯底上沉積的TCF而言，在有機柔性基片上制備的TCF在透光性、導(dǎo)電性和柔性性能等方面的性能更好[15]。

圖1 Ag NWs的SEM圖像[14]

圖2 基于PDMS襯底的Ag NWs柔性TCF(a)及其結(jié)構(gòu)示意圖(b)[11]

表1 Ag NWs與ITO薄膜性能對比[15]

Tab.1 The performance comparison of Ag NWs and ITO films[15]

物質(zhì)的透光率和導(dǎo)電性從物理學(xué)角度看是一對矛盾的量，它們之間的關(guān)系可由如下方程表示[16]：

式中：()是薄膜的透光率；sh是薄膜的方塊電阻；Op()代表光導(dǎo)率；DC代表電導(dǎo)率。DC/Op()值越大，薄膜的透光率越好，Ag NWs薄膜的DC/Op()可達550，高于其他ITO替代材料。薄膜導(dǎo)電需要滿足兩個條件[17]：一是在其費米球附近的能級分布要密集；二是被電子占據(jù)的滿價帶能級和空導(dǎo)帶能級之間不存在帶隙。但滿足以上條件后，入射光的進入會導(dǎo)致內(nèi)光電效應(yīng)產(chǎn)生，使得光子由于激發(fā)電子損失能量而衰減。所以，材料要想擁有較高的透光率就不希望內(nèi)光電效應(yīng)的存在，這就要求其禁帶寬度必須大于光子能量。因此，一般透明就意味著材料的能帶隙寬度大而自由電子少，導(dǎo)電就意味著材料的自由電子多而不透明，而只有同時滿足這兩個條件的材料才能用在透明導(dǎo)電薄膜上，這就從理論和工藝上對該類材料提出了很高的要求。圖3展示了幾種不同Ag NWs濃度TCF的透光率和方塊電阻，同時也給出了ITO的透光率。從圖中可以發(fā)現(xiàn)，Ag NWs薄膜兼?zhèn)涓咄腹饴屎透邔?dǎo)電性，且可在可見光范圍內(nèi)優(yōu)于ITO薄膜。

圖3 不同Ag NWs濃度（質(zhì)量分數(shù)）TCF的透光率(a)及其與方塊電阻的關(guān)系圖(b)[18]

品質(zhì)因數(shù)TE常用來評價TCF的透光性和導(dǎo)電性，表示為[16]：

式中：是薄膜的透光率；sh是薄膜的方塊電阻。品質(zhì)因數(shù)越高說明薄膜的光電性能越好。對于納米銀線TCF而言，就要求其對可見光有良好的透過性。

此外，由于力的作用可以有效地降低TCF的方塊電阻[19]，這就要求在TCF用于電極時必須還要符合一定的機械性能要求，以確保設(shè)備在使用過程中的穩(wěn)定性。研究發(fā)現(xiàn)[20]，由于Ag NWs薄膜中銀線與銀線之間的結(jié)合力很弱，當(dāng)施加外力時，他們之間的接觸節(jié)點會作相應(yīng)的移動，從而使得電子在通過銀線與銀線時沒有被阻礙，在薄膜被彎折或拉伸后，導(dǎo)電性不會受太大影響。因此，以有機柔性材料為襯底的納米銀線TCF的柔性大大優(yōu)于ITO薄膜。

2 Ag NWs柔性TCF的制備方法

TCF的性能除了受薄膜材料本身的影響外，制膜工藝也非常重要，它在很大程度上決定了薄膜的質(zhì)量。由于柔性透明襯底材料的耐高溫性能不是很好，因而常用低溫工藝制備柔性導(dǎo)電薄膜[21]。制備Ag NWs柔性TCF的方法靈活多樣，發(fā)展到目前主要有邁耶棒涂布法(meyer rod coating)、印刷法、噴涂法、轉(zhuǎn)印法、旋涂法和滴涂法等。

邁耶棒涂布法是一種制備過程簡單，適用于卷對卷工藝的制膜方法，其基本原理是首先將透明導(dǎo)電材料的分散液滴在襯底上，然后用邁耶棒將溶液鋪平成膜[22]。該方法的關(guān)鍵在于漿料的配置和邁耶棒的選擇，可通過改變漿料的相關(guān)參數(shù)和選擇不同線紋直徑和線紋距離的邁耶棒來獲得不同性能的薄膜，具有精度高、均勻性好、成本低等特點，是目前最受歡迎的涂布方法之一。Hu等[23]將Ag NWs分散在乙醇溶劑中配置成2.7 g/L的導(dǎo)電漿料，采用邁耶棒涂布法將該漿料均勻地涂敷于PET表面制備出柔性TCF，如圖4。制備薄膜的方塊電阻小于20 Ω/□，透光率約為80%，與當(dāng)時最好的ITO柔性TCF相當(dāng)。Kumar等[18]利用該方法通過調(diào)節(jié)油墨成分、Ag NWs濃度和處理條件提高了TCF的光學(xué)和機械性能。制備的薄膜電極網(wǎng)格遵循二維滲流規(guī)律，霧度僅為1.06%，適合加工成用于包括太陽能電池、顯示器等電子器件的透明電極。為了進一步提高薄膜導(dǎo)電性和增強Ag NWs與襯底間的附著力，Li等[24]通過引入聚二烯丙基二甲基氯化銨(PDDA)和氧化石墨烯(GO)，利用邁耶棒涂布法制備了Ag NWs-PDDA-GO TCF，其透光率達到91%，方塊電阻僅為10 Ω/□。然而，用邁耶棒涂布法制備的薄膜由于TCF材料之間的接觸不好使得薄膜的穩(wěn)定性受到了影響，且人為因素對產(chǎn)品性能影響大，不利于大規(guī)模流水作業(yè)。

圖4 Ag NWs導(dǎo)電漿料(a); 邁耶棒涂布過程示意圖(b); 邁耶棒涂布的Ag NWs柔性TCF(c)及其PET襯底上的Ag NWs的SEM圖像(d)[23]

印刷制膜法是利用模板將漿料印刷于襯底上的薄膜制備方法，可分為凹版印刷、凸版印刷和網(wǎng)版印刷等[25]。其中，絲網(wǎng)印刷和凹版印刷是目前常用的印刷制膜法，使用絲網(wǎng)印刷制作TCF是在絲網(wǎng)印版的一端倒入納米導(dǎo)電材料漿料，利用刮刀的刮壓給絲網(wǎng)印版上的漿料部位施加一定壓力，同時朝絲網(wǎng)印版另一端移動，漿料通過網(wǎng)版圖文部分的網(wǎng)孔漏印到襯底上形成薄膜[26]。Song等[27]利用絲網(wǎng)印刷將Ag NWs印刷到一個彈性襯底上成功制得了一種射頻為3 GHz的天線裝置，該裝置可伸縮且變形可逆，適用于無線應(yīng)變傳感領(lǐng)域。如圖5，Wong等[28]將一些疏水材料(如PDMS)制成具有一定空隙圖案的薄膜，將該薄膜置于柔性襯底上，利用凹版印刷法成功制備了一種具有特定圖案且成本較低的Ag NWs薄膜器件。該類器件在透光率為85%時，方塊電阻僅為10 Ω/□，有望在柔性電極領(lǐng)域替代現(xiàn)有的ITO。印刷法操作方便、薄膜覆蓋力強、易于實現(xiàn)薄膜的圖形化。利用印刷法制備透明導(dǎo)電薄膜不僅可以實現(xiàn)大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)，還能避免常規(guī)ITO等TOC中的復(fù)雜刻蝕工藝。其缺點在于對印刷漿料的配制有嚴格的要求，薄膜容易出現(xiàn)缺陷，且薄膜的平整度不是很好。

圖5 凹版印刷法制備Ag NWs 柔性TCF的流程示意圖[28]

噴涂法是一種成膜效率非常高的薄膜制備方法，其原理是利用特殊的噴涂機，將特殊材料的分散液直接噴涂到襯底上形成薄膜[29]。這種制備方法適用于各種類型的襯底材料，易于實現(xiàn)快速、大規(guī)模的制備以及可以通過控制噴涂的時間、分散液的濃度和噴涂的流量來調(diào)節(jié)薄膜的厚度，已被廣泛應(yīng)用于柔性TCF的制備[30]。然而，由于噴涂工藝本身局限，薄膜的均勻性并不是非常出色。Kim等[31]通過加入KBr和NaCl制備了長為13.5 μm，直徑為62.5 nm的高長徑比納米銀線，并利用噴涂法在PET和PC柔性襯底上成功制備了透光率為92.1%，方塊電阻為20 Ω/□，霧度為4.9%的TCF，如圖6。Akter等[11]在Ag NWs和襯底間涂敷一層親水化學(xué)涂層，利用噴涂法制備了一種附著力強、透光率高和導(dǎo)電性好且伸展性能好的Ag NWs柔性TCF，并將薄膜的機械延伸率增加了近20%。Madaria等[16]利用噴涂法將Ag NWs在多種襯底上制成了薄膜，并將噴涂法與轉(zhuǎn)印技術(shù)相結(jié)合，通過加入金屬氧化物，在PET襯底上成功制備了大尺寸的透光率大于85%，方塊電阻小于33 Ω/□，可用于觸摸屏的納米銀線TCF。

圖6 噴涂法制備Ag NWs 柔性TCF的裝置(a)和示意圖(b)[16]

轉(zhuǎn)印法由于其獨特的優(yōu)點而被廣范應(yīng)用在制備TCF中，也是目前實驗研究中經(jīng)常使用的制膜方法[32]。這種方法的原理是首先使用真空抽濾或真空蒸發(fā)等方法將透明導(dǎo)電材料聚集在輔助薄膜襯底上，再使用轉(zhuǎn)印膜將TCF轉(zhuǎn)移到合適的襯底上。該方法很好地解決了柔性襯底的一般耐高溫性能不好的缺陷，對于剛性和柔性襯底都很便捷，轉(zhuǎn)印出的多種多樣的圖形也決定了電極的多樣性。同時，借助熱壓作用，能夠使薄膜表面更加平整，可增強導(dǎo)電膜和襯底間的附著力，減少納米銀線之間的接觸電阻，提高薄膜的導(dǎo)電率和透光率。但是，轉(zhuǎn)印后的圖形難以保證完整性，而且制作工藝較為復(fù)雜，制備過程要求高，比較費時。Tian等[33]利用轉(zhuǎn)印法獲得了一種透明、超薄的柔性Ag NWs薄膜（如圖7），證實了Ag NW中熱聲效應(yīng)的存在，并將其成功制成了一種可以發(fā)出15~45 kHz聲音的器件。該器件能與液晶顯示器結(jié)合，在柔性電子設(shè)備領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用潛力。Lee等[34]通過利用轉(zhuǎn)印法制備的薄膜表面濺射氧化銦鋅的方式制備了一種復(fù)合導(dǎo)電薄膜。氧化銦鋅的加入有效防止了Ag NWs被氧化，該薄膜的透光率超過80%時，方塊電阻為11.02 Ω/□。Ho等[35]在變形的PDMS轉(zhuǎn)印膜上制備了Ag NWs薄膜，研究了單向和雙向變形對薄膜導(dǎo)電性的影響。他們發(fā)現(xiàn)，在雙向應(yīng)變存在的條件下，薄膜仍具有10%的導(dǎo)電性，這一發(fā)現(xiàn)為未來雙向變形的柔性器件的開發(fā)打下了基礎(chǔ)。

圖7 轉(zhuǎn)印法制備Ag NWs 柔性TCF流程圖(a)~(f)[33]

旋涂法的基本原理是將透明導(dǎo)電材料的分散液滴在吸附于高速旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤上的襯底上，使分散液在離心力的作用下在襯底上被均勻地鋪展成膜[36]。這種方法是一種高效的成膜方法，可通過控制轉(zhuǎn)盤的轉(zhuǎn)速和時間來精確控制膜的厚度，具有性價比高、節(jié)能環(huán)保等優(yōu)勢，在微電子信息技術(shù)、納米光電技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景[37]。Jiang等[38]利用兩步旋涂法制備了一種抗彎性極好的Ag NWs薄膜，如圖8，經(jīng)過數(shù)百次的彎曲試驗后其導(dǎo)電性只降低5%，方塊電阻為20 Ω/□，透光率為90%。Guo等[39]通過低速旋轉(zhuǎn)涂布法制備了一種透光率為95% ，方塊電阻為20 Ω/□的Ag NWs薄膜，并將其應(yīng)用在了AlGaInP發(fā)光二級管。他們發(fā)現(xiàn)，以Ag NWs薄膜為電極會使LED的發(fā)光效率提高一倍，發(fā)射光波長的紅移量也減少到3 nm。Chen等[40]利用旋涂法制備了Ag NWs薄膜，并將其和ZnO覆蓋薄膜結(jié)合，制備了一種化學(xué)性能穩(wěn)定、附著力好，且具有抗菌效果的導(dǎo)電薄膜。該薄膜透光率為92%，方塊電阻僅為9 Ω/□，經(jīng)過1 000次的彎曲試驗后，薄膜的電阻和透光率也沒有明顯變化。雖然采用旋涂法制備的薄膜非常均勻，且可以制得非常薄的薄膜，但是用這種方法制備的薄膜導(dǎo)電材料之間的接觸不是很好，故會在一定程度上影響薄膜的導(dǎo)電性。

圖8 旋涂法制備Ag NWs柔性TCF流程圖(a)~(c)[38]

滴涂法也被用于透明材料的制備，其原理是在薄膜襯底表面滴加數(shù)微升導(dǎo)電材料的分散液，待其自然揮發(fā)形成薄膜[41]。該方法的優(yōu)點是能從分散液濃度和滴加體積知道襯底表面導(dǎo)電材料的覆蓋量。滴涂法雖然制備工藝簡單，但是導(dǎo)電膜的厚度極不均勻，如圖9所示。Liu等[41]報道了利用多點滴涂法能使數(shù)組長度超過幾百微米的二苯并四硫富瓦烯(DB-TTF)在二氧化硅、玻璃、聚乙烯和PET襯底上按一定的方向生長，制備了超長的DB-TTF微/納米線陣列，且成功率高達94%，對未來納米級電路的研究和應(yīng)用很有幫助。Araki等[42]利用一步多元醇反應(yīng)法通過調(diào)整反應(yīng)溫度和攪拌速度在不改變直徑的情況下制備了長度達230 μm的超長Ag NWs，并利用滴涂法在室溫下制備了當(dāng)透光率為94%~97%時，霧度為3.4%~1.6%，方塊電阻為24~109 Ω/□的納米銀線薄膜，該薄膜在未經(jīng)后處理時的透光率達80%，方塊電阻為19 Ω/□。

圖9 滴涂法制備過程示意圖(a); 二苯并四硫富瓦烯(DB-TTF)的分子結(jié)構(gòu)(b); 利用滴涂法在PET襯底上制備的DB-TTF柔性TCF(c)~(d)[41]

近年來，柔性TCF除了上述制備方法，還發(fā)展了提拉法、槽模涂層法、簾膜式淋涂法、激光燒結(jié)法和噴墨打印等方法[43]，這在工藝上大大彌補了傳統(tǒng)方法的不足。其中，Li等[44]利用噴墨打印法將高濃度的Ag NWs油墨打印到紙上制備了一種紙質(zhì)觸摸板(如圖10)，有望將其應(yīng)用于一些超薄、超輕的便攜式設(shè)備。

圖10 噴墨打印示意圖(a)及其打印的Ag NWs電路圖(b)[44]

3 Ag NWs柔性TCF的研究現(xiàn)狀與問題

近年來，市場對ITO替代材料的需求正在日益顯現(xiàn)，國內(nèi)外諸多企業(yè)和研究機構(gòu)正在加快對替代材料的研發(fā)。其中，Ag NWs因其優(yōu)異的物理、化學(xué)和光電性能被認為是能在柔性TCF領(lǐng)域替代ITO的最理想材料[6]。據(jù)文獻報道[45]，韓國電子技術(shù)研究所顯示材料與器件研究中心宋昌賢團隊在納米銀線TCF領(lǐng)域取得突破。他們利用強脈沖光(IPL)對制備的薄膜進行輻照，顯著提高了薄膜的粘附性能和導(dǎo)電性能，并成功將其附在可彎曲的透明聚合物上，制備出了發(fā)光性能較好的OLED照明器件。此外，我國江蘇省有機電子與信息顯示重點實驗室的科研人員發(fā)現(xiàn)Ag NWs的聚集和多層疊加會降低薄膜光電性能，他們首次使用兩步浸涂法在柔性襯底上制備出了方塊電阻為35 Ω/□，透光率超過92%的TCF。并且，利用該薄膜制成聚合物太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率達到3.28%，有望作為一種新型的ITO替代材料應(yīng)用于柔性太陽能電池領(lǐng)域[46]。在應(yīng)用方面，美國Cambrios公司現(xiàn)已將Ag NWs薄膜成功應(yīng)用于電容式觸摸屏，并初步實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。日本東麗公司開發(fā)出了全光線透光率為90%~91%，方塊電阻為150~250 Ω/□，霧度為0.9%~1.3%的Ag NWs薄膜，并準備將其應(yīng)用于智能手機和平板終端。國內(nèi)，萊寶科技公司聯(lián)合蘇州納米所等科研機構(gòu)成功研發(fā)出了基于Ag NWs的TCF，并準備在未來幾年中實現(xiàn)量產(chǎn)。

目前，對于Ag NWs柔性TCF的研究雖然有很大的突破，但其應(yīng)用尚處于初始階段，也暴露出了諸如粘附力弱、導(dǎo)電性能不穩(wěn)、霧度較大、后處理工序復(fù)雜等缺陷，嚴重影響了其使用性能[47]。如果能制備出性能更優(yōu)的Ag NWs和更為有效的薄膜制備工藝，使得上述問題得以解決，Ag NWs將能在導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域真正取代ITO。因而，未來我們需要在以下幾個方面有所突破：

(1)加強對Ag NWs柔性TCF的性能和機理研究，研究Ag NWs的形成和生長過程；

(2)改進現(xiàn)有Ag NWs柔性TCF的成膜工藝，開發(fā)能在低溫條件下大面積均勻成膜且成本低的新工藝；

(3)充分利用Ag NWs薄膜的良好性能，拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。

4 Ag NWs柔性TCF的應(yīng)用前景

目前柔性TCF的應(yīng)用方向主要集中在柔性液晶顯示器、手機觸摸屏、OLED、電子紙(e-paper)、傳感器、電磁屏蔽裝置和太陽能電池透明電極等光電信息領(lǐng)域[48]。隨著日益增長的需求，人們開始更多地青睞于輕薄、便攜、可折疊的電子產(chǎn)品，未來市場對柔性TCF的需求量將持續(xù)增長。據(jù)IHS Electronics & Media公司的報告顯示[49]，預(yù)計到2020年全球透明電極的需求量將從2012年的1.9億美元增長到51億美元，主要涉及液晶顯示器、觸摸屏、透明晶體管和太陽能薄膜電池等光電領(lǐng)域。其中，在液晶顯示器領(lǐng)域，柔性液晶顯示器到2019年的比重將達到11%。報告還預(yù)測，到2020年ITO將被Ag NWs和碳納米管等替代材料取代，市場占有率將下降到8%。因此，在諸多有利的市場條件下，光電性能和機械性能優(yōu)異的Ag NWs柔性TCF將有良好的應(yīng)用前景。

5 結(jié)束語

透明導(dǎo)電薄膜(TCF)對我國光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展意義重大，開發(fā)新型的TCF是該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向。納米銀線TCF能彌補傳統(tǒng)的TCF機械性能差等不足，對可見光的透光率較高，在觸摸顯示、電磁屏蔽和太陽能電池等領(lǐng)域有很好的發(fā)展?jié)摿蛻?yīng)用前景。但目前可應(yīng)用的Ag NWs柔性TCF暴露出了粘附力弱、導(dǎo)電性能不穩(wěn)、霧度較大、后處理工序復(fù)雜等問題，生產(chǎn)技術(shù)主要被歐美和日韓國家所控制。因此，了解Ag NWs柔性TCF的制備與應(yīng)用研究進展，進一步提升該薄膜的性能，研發(fā)低成本的制備工藝是當(dāng)務(wù)之急，對光電薄膜領(lǐng)域的發(fā)展也很有必要。

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（編輯：陳豐）

Preparation and research progress of Ag nanowires-based flexible transparent conductive film

PU Yong, RUAN Haibo, LIU Bitao

(Research Institute for New Materials Technology, Chongqing University of Arts and Sciences, Chongqing 402160, China)

The motivation of using Ag nanowires(Ag NWs) as an substitute material of ITO in transparent conductive film(TCF) field is related to its excellent photoelectric performance and mechanical performance. The structure and basic properties of Ag NWs-based flexible TCF are briefly described. The recent preparation methods of Ag NWs-based flexible TCF are mainly introduced. The recent developments of Ag NWs-based flexible TCF are expounded. Lastly, the problems in study of Ag NWs-based flexible TCF are analyzed and development direction of the material are prospected.

Ag nanowires; flexibility; review; transparent conductive film; preparation method; research progress

10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.11.012

O484; TB31

A

1001-2028（2016）11-0054-07

2016-09-02

阮海波

國家國際科技合作項目資助(No. 2014DFR50830)；重慶市教委科學(xué)技術(shù)研究項目資助(No. KJ1501126)；重慶文理學(xué)院項目資助(No. R2013CJ07)

阮海波（1983－），男，重慶永川人，副教授，主要從事透明導(dǎo)電薄膜的研究，E-mail: rhbcqu@aliyun.com；

蒲勇（1987－），男，四川瀘州人，助理實驗師，研究方向為光電功能材料，E-mail: puyong1216@163.com 。

2016-10-28 14:14:26

http://www.cnki.net/kcms/detail/51.1241.TN.20161028.1414.012.html