郭藝
(北京衛(wèi)星導(dǎo)航中心,北京 100094)
國內(nèi)以往的衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)抗干擾模塊大多以FPGA為架構(gòu),導(dǎo)致體積、功耗和成本的大幅上升[1]??垢蓴_A/D芯片旨在解決接收機(jī)抗干擾應(yīng)用過程中面臨的上述問題,在復(fù)雜電磁環(huán)境下,對(duì)模擬中頻信號(hào)進(jìn)行A/D采樣,并為導(dǎo)航基帶解算芯片提供抗窄帶干擾處理的數(shù)字中頻信號(hào),用于定位解算。雖然抗干擾芯片在國外已開展較長(zhǎng)時(shí)間研究[2],但在國內(nèi)尚數(shù)起步階段[3],沒有可供借鑒的芯片指標(biāo)體系和測(cè)試方法,主要還是針對(duì)接收機(jī)抗干擾測(cè)試技術(shù)展開研究居多[4,5],因此迫切需要開展相關(guān)測(cè)試技術(shù)研究。
本文首先介紹了抗干擾 A/D芯片的主要功能和體系架構(gòu);在此基礎(chǔ)上,根據(jù)應(yīng)用需求建立了相應(yīng)的測(cè)試指標(biāo)體系;接著搭建了完整的測(cè)試系統(tǒng),提出了相應(yīng)的測(cè)試方法;最后進(jìn)行了芯片的實(shí)際測(cè)試,取得了良好的效果。本文成果對(duì)抗干擾芯片測(cè)試具有重要工程參考價(jià)值。
抗干擾 A/D芯片的研制背景源于衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)特別是小型化接收機(jī)使用時(shí)所面臨的復(fù)雜電磁環(huán)境,對(duì)小型化、低功耗、低成本抗干擾芯片有迫切的需求。包含抗干擾A/D芯片的衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)系統(tǒng)框圖如圖1所示。
衛(wèi)星導(dǎo)航射頻信號(hào)通過射頻模塊下變頻為模擬中頻信號(hào),抗干擾A/D芯片對(duì)模擬中頻信號(hào)進(jìn)行A/D采樣,并為導(dǎo)航基帶解算模塊提供經(jīng)過抗干擾處理的數(shù)字中頻信號(hào),用于定位解算。
抗干擾A/D芯片系統(tǒng)組成框圖如圖2所示。主要包括模數(shù)轉(zhuǎn)換和抗干擾處理兩大部分;模數(shù)轉(zhuǎn)換由雙通道A/D模塊實(shí)現(xiàn),抗干擾處理部分主要包含帶通濾波、干擾信號(hào)檢測(cè)、抗干擾信號(hào)處理等功能模塊。
圖1 衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)系統(tǒng)框圖
根據(jù)抗干擾A/D芯片的實(shí)際需要,建立相應(yīng)指標(biāo)體系,主要包括功能要求、指標(biāo)要求和接口要求等。
是否具有A/D數(shù)模轉(zhuǎn)換功能。
是否具有干擾信號(hào)檢測(cè)功能。
是否具有干擾信號(hào)抑制處理功能,所能抑制干擾的種類包括哪些。
是否具有自動(dòng)增益控制功能以充分利用輸出中頻數(shù)字信號(hào)寬度。
是否具有多種工作模式,可根據(jù)使用環(huán)境需要進(jìn)行模式靈活切換。
是否可根據(jù)需要靈活選擇抗干擾頻點(diǎn)。
抗干擾處理后,根據(jù)需要輸出穩(wěn)幅可選位數(shù)數(shù)字信號(hào)。
針對(duì)不同干擾類型,給出不同接收頻點(diǎn)抗干擾能力。
插入損耗??垢蓴_芯片工作時(shí)帶來的額外處理損耗。
工作電壓及功耗要求。
環(huán)境適應(yīng)性要求。包括工作溫度、儲(chǔ)存溫度等。 可靠性要求。
主要是指芯片所采用的管腳及封裝形式。
抗干擾A/D芯片測(cè)試系統(tǒng)主要由RNSS模擬信號(hào)源、RDSS模擬信號(hào)源、專用干擾信號(hào)源、抗干擾芯片測(cè)試平臺(tái)及測(cè)試控制評(píng)估計(jì)算機(jī)等構(gòu)成,采用有線方式連接,具體組成框圖如圖3所示。
模擬信號(hào)源用來產(chǎn)生 RNSS和 RDSS模擬信號(hào),干擾源用來產(chǎn)生模擬干擾信號(hào),模擬信號(hào)源和干擾源采用有線方式,通過合路器輸出模擬射頻信號(hào)給抗干擾芯片測(cè)試平臺(tái)??垢蓴_測(cè)試平臺(tái)主要包含射頻模塊、抗干擾芯片夾具以及 RNSS、RDSS基帶處理模塊,將被測(cè)芯片安置在抗干擾芯片測(cè)試
硬件平臺(tái)夾具中,測(cè)試平臺(tái)接收射頻信號(hào),下變頻至中頻,進(jìn)行抗干擾處理并最終進(jìn)行定位解算??刂婆c評(píng)估計(jì)算機(jī)通過串口服務(wù)器接收并評(píng)估定位結(jié)果,同時(shí)對(duì)模擬信號(hào)源和干擾源進(jìn)行相應(yīng)控制。
圖4為一次抗干擾芯片實(shí)際測(cè)試中所采用的測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備,主要包括 RNSS模擬信號(hào)源、RDSS模擬信號(hào)源、專用干擾信號(hào)源及測(cè)試控制評(píng)估計(jì)算機(jī)實(shí)物。
圖4 測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備實(shí)物圖
圖5 抗干擾芯片測(cè)試平臺(tái)實(shí)物圖
圖5為抗干擾芯片測(cè)試平臺(tái)實(shí)物圖。測(cè)試平臺(tái)主要由射頻模塊、抗干擾A/D芯片夾具、RDSS基帶模塊、RNSS基帶模塊等組成。
4.1.1 定位誤差計(jì)算方法
將抗干擾芯片測(cè)試平臺(tái)上報(bào)的定位信息與測(cè)試系統(tǒng)仿真的已知位置信息進(jìn)行比較,計(jì)算三維位置誤差。定位誤差計(jì)算方法見式(1):
式中:ΔE——東向位置誤差分量;ΔN——北向位置誤差分量;ΔV——高程位置誤差分量。
東向位置誤差分量、北向位置誤差分量、高程位置誤差分量計(jì)算方法見式(2):
式中:xi′,j——用戶機(jī)解算出的位置分量值;xi,j——測(cè)試系統(tǒng)仿真的已知位置分量值;i——取值 E(東向)、N(北向)或H(高程);j——參加統(tǒng)計(jì)的位置信息樣本序號(hào)。
對(duì)n個(gè)定位誤差按從小到大的順序進(jìn)行排序。取第[n×95%]個(gè)結(jié)果為本次測(cè)量的定位精度。n為采集樣本數(shù),[n×95%]表示不超過n×95%的最大整數(shù)。
4.1.2 定位成功率計(jì)算方法
抗干擾芯片測(cè)試平臺(tái)以 1 Hz頻率上報(bào)定位結(jié)果,待上報(bào)定位結(jié)果的時(shí)間達(dá)到Ns后,統(tǒng)計(jì)符合定位精度的定位結(jié)果個(gè)數(shù),記為n,見式(3)。
4.1.3 誤碼率計(jì)算方法
抗干擾芯片測(cè)試平臺(tái)上報(bào)導(dǎo)航電文,待單次上報(bào)電文總和大于1×106,統(tǒng)計(jì)誤碼率方法見式(4)。
4.2.1 抗干擾能力測(cè)試
本項(xiàng)目考核在有線條件下,測(cè)試樣片在RNSS、RDSS衛(wèi)星信號(hào)體制下的抗窄帶干擾能力。RNSS衛(wèi)星信號(hào)體制抗窄帶干擾能力是指定位精度滿足要求,定位成功率≥90%,所能承受的最大窄帶干擾強(qiáng)度;RDSS衛(wèi)星信號(hào)體制抗干擾能力是指接收誤碼率≤1×10-5,所能承受的最大窄帶干擾強(qiáng)度。這里窄帶干擾通常為一個(gè)或多個(gè)單頻、窄帶、掃頻等帶內(nèi)干擾。
(1)RNSS體制測(cè)試方法及步驟
步驟1:按圖3所示連接各測(cè)試設(shè)備,設(shè)置測(cè)試系統(tǒng)為指定相應(yīng)測(cè)試場(chǎng)景,按要求設(shè)定到達(dá)測(cè)試平臺(tái)射頻輸入端的信號(hào)功率,并播發(fā)信號(hào)。
步驟 2:測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行加電測(cè)試,配置被測(cè)芯片為相應(yīng)頻點(diǎn)抗干擾,配置測(cè)試系統(tǒng)通過串口設(shè)置測(cè)試平臺(tái)以1Hz頻度輸出定位結(jié)果,觀察收星定位情況。
步驟3:如果測(cè)試平臺(tái)在檢測(cè)開始后2min之內(nèi)沒有上報(bào)定位結(jié)果,或上報(bào)定位結(jié)果過程中中斷時(shí)間超過30s,則認(rèn)為平臺(tái)不能正常上報(bào)定位結(jié)果。
步驟 4:如測(cè)試平臺(tái)正常上報(bào)定位結(jié)果,待上報(bào)定位結(jié)果的時(shí)間達(dá)到600s后,測(cè)試系統(tǒng)設(shè)置平臺(tái)停止輸出定位結(jié)果,統(tǒng)計(jì)定位成功率和定位精度,并停止播發(fā)信號(hào)。
步驟 5:按照測(cè)試場(chǎng)景定義設(shè)置干擾,開啟干擾源,調(diào)整干擾功率,再播發(fā)信號(hào),使得測(cè)試平臺(tái)不能正常上報(bào)定位結(jié)果。
步驟6:按照每次1dB的間隔逐漸減小干擾強(qiáng)度直至測(cè)試平臺(tái)能夠正常上報(bào)定位結(jié)果,按步驟 4方法統(tǒng)計(jì)定位成功率和定位精度。定位成功率≥90%,定位精度滿足要求,記錄對(duì)應(yīng)的干擾強(qiáng)度值,該干擾強(qiáng)度值即為該場(chǎng)景下被測(cè)芯片的抗干擾能力。
更換測(cè)試場(chǎng)景,重復(fù)步驟 1~步驟 6,得到下一場(chǎng)景下被測(cè)芯片的抗干擾能力。
(2)RDSS體制測(cè)試方法及步驟
步驟1:按圖3所示連接各測(cè)試設(shè)備,設(shè)置測(cè)試系統(tǒng)為指定相應(yīng)測(cè)試場(chǎng)景,按要求設(shè)定到達(dá)射頻輸入端的信號(hào)功率,測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行加電測(cè)試,配置被測(cè)芯片為相應(yīng)頻點(diǎn)抗干擾,向測(cè)試系統(tǒng)上報(bào)電文。
步驟 2:按照測(cè)試場(chǎng)景定義設(shè)置干擾,開啟干擾源,調(diào)整干擾功率,并播發(fā)信號(hào)使測(cè)試平臺(tái)不能正常上報(bào)電文。
步驟3:按照每次1dB的間隔逐漸減小干擾強(qiáng)度直至測(cè)試平臺(tái)能夠正常上報(bào)導(dǎo)航電文,誤碼率不大于1×10-5,該干擾強(qiáng)度值即為該場(chǎng)景下被測(cè)芯片的抗干擾能力。
更換測(cè)試場(chǎng)景,重復(fù)步驟 1~步驟 3,得到下一場(chǎng)景下被測(cè)芯片的抗干擾能力。
4.2.2 插入損耗測(cè)試
本項(xiàng)目考核測(cè)試樣片在無干擾情況下,在直通工作模式下,與使用常用A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的技術(shù)方案相比,收星載噪比的損失程度。
(1)RNSS體制測(cè)試方法及步驟
步驟1:按圖3所示連接各測(cè)試設(shè)備,設(shè)置測(cè)試系統(tǒng)為指定一顆衛(wèi)星信號(hào)下靜態(tài)接收測(cè)試場(chǎng)景,按要求設(shè)定到達(dá)測(cè)試平臺(tái)射頻輸入端信號(hào)功率,并播發(fā)信號(hào)。
步驟 2:測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行加電測(cè)試,配置被測(cè)芯片為相應(yīng)頻點(diǎn)直通,測(cè)試系統(tǒng)通過串口設(shè)置測(cè)試平臺(tái)以1Hz頻度輸出收星載噪比。
步驟 3:測(cè)試平臺(tái)正常上報(bào)載噪比結(jié)果,待上報(bào)載噪比結(jié)果的時(shí)間達(dá)到300秒后,測(cè)試系統(tǒng)設(shè)置平臺(tái)停止輸出載噪比結(jié)果,統(tǒng)計(jì)載噪比的平均值CNR1。
步驟4:按圖3所示將測(cè)試平臺(tái)中的待測(cè)芯片替換為常用A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片,測(cè)試場(chǎng)景和信號(hào)功率不變。
步驟 5:測(cè)試平臺(tái)正常上報(bào)載噪比結(jié)果,待上報(bào)載噪比結(jié)果的時(shí)間達(dá)到300s后,測(cè)試系統(tǒng)設(shè)置平臺(tái)停止輸出載噪比結(jié)果,統(tǒng)計(jì)載噪比的平均值CNR2。
可得插入損耗=CNR1-CNR2。
(2)RDSS體制測(cè)試方法及步驟
按圖3所示連接各測(cè)試設(shè)備,設(shè)置測(cè)試系統(tǒng)為指定RDSS任意一個(gè)波束測(cè)試場(chǎng)景,按要求設(shè)定到達(dá)射頻輸入端信號(hào)功率,并播發(fā)信號(hào)。
測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行加電測(cè)試,配置被測(cè)芯片為相應(yīng)頻點(diǎn)直通,測(cè)試平臺(tái)上報(bào)電文,測(cè)試系統(tǒng)統(tǒng)計(jì)誤碼率指標(biāo)。
若誤碼率不大于 1×10-5,則將信號(hào)功率減弱
0.1dB。
若誤碼率大于 1×10-5,則記錄功率值P1=當(dāng)前信號(hào)功率值+0.1dB。
將測(cè)試平臺(tái)上的待測(cè)抗干擾芯片替換為常用A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片,按照步驟1)~4)重新進(jìn)行測(cè)試并記錄功率值P2。
可得插入損耗=P1-P2。
4.2.3 供電與功耗測(cè)試
本項(xiàng)目考核測(cè)試樣片在干擾環(huán)境下,在抗干擾工作模式下,供電與功耗是否符合指標(biāo)要求。測(cè)試方法及步驟如下。
圖6 供電與功耗測(cè)試設(shè)備連接示意圖
步驟1:按圖6所示連接各測(cè)試設(shè)備,設(shè)置測(cè)試系統(tǒng)為典型抗干擾測(cè)試場(chǎng)景,按要求設(shè)定到達(dá)射頻輸入端信號(hào)功率,開啟干擾,然后播發(fā)信號(hào)。
步驟 2:測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行加電測(cè)試,配置被測(cè)芯片為抗干擾模式,測(cè)試系統(tǒng)通過串口設(shè)置測(cè)試平臺(tái)以1Hz頻度輸出RNSS定位結(jié)果,同時(shí)上報(bào)RDSS的I支路電文,觀察RNSS定位和RDSS誤碼率情況。
步驟 3:設(shè)置被測(cè)芯片輸入電壓為指標(biāo)規(guī)定的最大值,若測(cè)試平臺(tái)能夠正常工作,輸出RNSS定位和RDSS誤碼率合格,則供電符合要求。
步驟 4:設(shè)置被測(cè)芯片輸入電壓為指標(biāo)規(guī)定的最小值,若測(cè)試平臺(tái)能夠正常工作,輸出RNSS定位和RDSS誤碼率合格,則供電符合要求。
步驟 5:設(shè)置被測(cè)芯片輸入電壓為指標(biāo)規(guī)定的正常值,若測(cè)試平臺(tái)能夠正常工作,輸出RNSS定位和RDSS誤碼率合格,記錄電流讀數(shù),計(jì)算所得功耗。
4.2.4 封裝與管腳檢查
本項(xiàng)目考核測(cè)試樣片的封裝形式是否符合技術(shù)要求,器件管腳定義、工作模式是否符合技術(shù)要求的規(guī)定。測(cè)試方法及步驟如下。
目測(cè)檢測(cè)抗窄帶干擾芯片封裝形式是否滿足要求。
按圖3所示連接各測(cè)試設(shè)備,在提供的測(cè)試平臺(tái)上對(duì)待測(cè)樣片進(jìn)行安裝,測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行加電測(cè)試,按研制技術(shù)要求規(guī)定配置被測(cè)芯片為不同工作模式,配置相應(yīng)測(cè)試環(huán)境。若測(cè)試平臺(tái)能夠正常工作,輸出RNSS定位精度和RDSS誤碼率合格,則確定被測(cè)芯片管腳定義、工作模式符合研制技術(shù)要求的規(guī)定。
根據(jù)上文所述衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)抗干擾 A/D芯片測(cè)試指標(biāo)體系、測(cè)試系統(tǒng)組成以及關(guān)鍵指標(biāo)測(cè)試方法,我們對(duì)一抗干擾A/D芯片進(jìn)行了實(shí)際測(cè)試,測(cè)試結(jié)果表明本文測(cè)試能夠充分反映抗干擾 A/D芯片的技術(shù)狀態(tài),可作為研制、招標(biāo)比測(cè)、驗(yàn)收測(cè)試等的依據(jù)。
衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)抗干擾 A/D芯片研制在國內(nèi)剛剛起步,其全面測(cè)試缺乏可借鑒參考的成熟技術(shù)。本文對(duì)抗干擾A/D芯片指標(biāo)體系、測(cè)試系統(tǒng)、測(cè)試方法做了全面詳實(shí)的研究,研究成果對(duì)開展芯片工程技術(shù)研制、測(cè)試試驗(yàn)具有重要的指導(dǎo)意義。
[1]王達(dá)偉,李加琪,吳嗣亮,王菊.基于 FPGA 的衛(wèi)星導(dǎo)航抗干擾處理器設(shè)計(jì)[J].北京理工大學(xué)學(xué)報(bào),2014,34(3):299-303.
[2]Capozza,P.T.,Holland,B.J.and Hopkinson,T.M.,A Single-Chip Narrow-Band Frequency-Domain Excisor for a Global Positioning System(GPS) Receiver[J],IEEE Journal of Solid-State Circuits,March 2000,35(3):401-411
[3]張文華.衛(wèi)星導(dǎo)航抗干擾專用芯片后端版圖設(shè)計(jì)[J].現(xiàn)代導(dǎo)航.2014,5(3):183-186
[4]Soubielle,J.,Vigneau,W.,Description of an Interference Test Facility(ITF) to assess GNSS receivers performance in presence of interference [C].5th ESA workshop on NAVITEC,2010:1-7.
[5]郭淑霞,張寧,劉孟江,董中要.一種衛(wèi)星導(dǎo)航抗干擾接收機(jī)的室內(nèi)無線測(cè)試方法[J].計(jì)算機(jī)工程與科學(xué),2013,42(3):169-174