碳化的硅納米孔柱陣列的光致發(fā)光特性

胡楚雄， 王小波， 閆玲玲， 蔡曉君， 李新建

(鄭州大學(xué) 物理工程學(xué)院 材料物理教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 河南 鄭州 450052)

?

碳化的硅納米孔柱陣列的光致發(fā)光特性

胡楚雄， 王小波， 閆玲玲， 蔡曉君， 李新建

(鄭州大學(xué) 物理工程學(xué)院 材料物理教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 河南 鄭州 450052)

采用水熱腐蝕法制備了硅納米孔柱陣列(Si-NPA)，并對(duì)其進(jìn)行了不同時(shí)間的高溫碳化處理.通過(guò)對(duì)樣品光致發(fā)光譜進(jìn)行對(duì)比分析，發(fā)現(xiàn)Si-NPA經(jīng)碳化處理后紅光發(fā)光峰消失，藍(lán)光發(fā)射峰強(qiáng)度增強(qiáng)，同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)新的紫外光發(fā)光峰.結(jié)合對(duì)Si-NPA中碳原子存在狀態(tài)的拉曼分析，藍(lán)光發(fā)射峰、紫外光發(fā)射峰被分別歸因于氧化硅的缺陷發(fā)光和碳原子摻雜Si-NPA引起的缺陷發(fā)光.上述研究結(jié)果為澄清Si-NPA的發(fā)光機(jī)制以及實(shí)現(xiàn)其發(fā)光穩(wěn)定性提供了有益的信息.

硅納米孔柱陣列； 碳化； 光致發(fā)光

0 引言

晶體硅是最重要的半導(dǎo)體材料之一，在現(xiàn)代電子工業(yè)中具有不可替代的基礎(chǔ)地位.從能帶結(jié)構(gòu)上講，晶體硅是一種具有間接帶隙的半導(dǎo)體材料且?guī)遁^小(～1.1 eV)，即便在低溫下也只能發(fā)射極其微弱的近紅外光，這一特性嚴(yán)重限制了硅材料在光電子器件領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用.1990年,Canham采用電化學(xué)陽(yáng)極氧化技術(shù)，首次制備出在室溫下具有較強(qiáng)紅光發(fā)射的多孔硅[1]，從而為全硅基光電子器件的制備及集成帶來(lái)了希望.傳統(tǒng)上，多孔硅主要采用電化學(xué)陽(yáng)極氧化結(jié)合化學(xué)腐蝕技術(shù)進(jìn)行制備.由于在樣品制備及其后處理過(guò)程中均存在自然氧化現(xiàn)象，多孔硅表面通常會(huì)形成一層氧化硅，這使得人們對(duì)氧元素在多孔硅發(fā)光過(guò)程中所扮演的可能角色給予很大關(guān)注[2].此外，多孔硅表面形成的納米多孔結(jié)構(gòu)具有很高的化學(xué)活性，極易吸附環(huán)境氣體并與之發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而導(dǎo)致其發(fā)光性能發(fā)生變化，不利于材料和器件性能的穩(wěn)定.為解決這一問(wèn)題，通常需要對(duì)多孔硅進(jìn)行表面處理或表面修飾.研究表明，表面氧化[3]、金屬沉積[4]等可以有效提高多孔硅發(fā)光的穩(wěn)定性，但同時(shí)也會(huì)對(duì)其發(fā)光特性如發(fā)光峰位、發(fā)光強(qiáng)度等產(chǎn)生一定影響.

在之前的研究中，我們采用水熱腐蝕技術(shù)制備了一種新的硅微米/納米結(jié)構(gòu)復(fù)合體系—硅納米孔柱陣列(Si-NPA)，并對(duì)其表面形貌、微結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光(PL)特性進(jìn)行了表征[5-6].研究表明，Si-NPA除具有傳統(tǒng)多孔硅的納米多孔結(jié)構(gòu)之外，其表面還形成了一種規(guī)則的陣列結(jié)構(gòu)，并表現(xiàn)出更為優(yōu)異的光學(xué)特性，顯示出更好的技術(shù)應(yīng)用前景.然而，類似于傳統(tǒng)多孔硅，Si-NPA也需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚砘蛐揎椧栽鰪?qiáng)其化學(xué)穩(wěn)定性和發(fā)光穩(wěn)定性.與硅一樣，碳是一種重要的IVA族化學(xué)元素，由碳和硅結(jié)合而形成的碳化硅具有優(yōu)異的力學(xué)性能[7]、介電性能[8]和化學(xué)穩(wěn)定性[9].因此，在硅基電子器件工藝中，通過(guò)對(duì)硅材料進(jìn)行表面碳化處理或者直接進(jìn)行碳化硅沉積來(lái)改變器件的表面/界面電學(xué)性能和穩(wěn)定性是一種常見(jiàn)的選擇[10].基于此，本文擬以二甲苯為碳源，采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法對(duì)Si-NPA進(jìn)行高溫表面碳化處理，并通過(guò)測(cè)量不同碳化條件下Si-NPA的發(fā)光光譜變化，分析碳化處理對(duì)Si-NPA發(fā)光性能的影響機(jī)制，以期為實(shí)現(xiàn)Si-NPA的性能優(yōu)化及穩(wěn)定性提供一個(gè)新的途徑.

1 實(shí)驗(yàn)

本實(shí)驗(yàn)中，Si-NPA采用水熱腐蝕技術(shù)進(jìn)行制備.采用的水熱腐蝕液為硝酸鐵和氫氟酸的混合水溶液，其中硝酸鐵和氫氟酸的濃度分別為0.04 mol/L和13 mol/L，水熱釜的填充度為～85%.首先，將清洗干凈的硅片放入水熱釜中，然后將水熱釜放入控溫干燥箱升溫至140 ℃并保溫30分鐘.最后，將水熱釜取出，自然冷卻1小時(shí)后打開(kāi)取出腐蝕過(guò)的硅片，再用去離子水浸泡、沖洗，得到Si-NPA樣品.將新鮮制備的Si-NPA置于管式爐的恒溫區(qū)，以10 ℃/min的速率將爐內(nèi)溫度從20 ℃升溫至1 100 ℃.整個(gè)過(guò)程中保持氬氣通入，流量為140 sccm.溫度達(dá)到1 100 ℃后，以氬氣為載氣將二甲苯溶液帶入管式爐中，對(duì)預(yù)先置入的Si-NPA進(jìn)行碳化反應(yīng).根據(jù)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，設(shè)定碳化時(shí)間分別為2，4，6，8，10，12，14，16 min.碳化過(guò)程結(jié)束后，以10 ℃/min的速率將管式爐內(nèi)溫度由1 100 ℃降至200 ℃，之后自然冷卻至室溫，從而得到經(jīng)過(guò)不同碳化時(shí)間處理的Si-NPA樣品.作為對(duì)比，同樣將新鮮制備的Si-NPA樣品置于管式爐恒溫區(qū)，采用與上述碳化處理完全相同的制備條件但不通入二甲苯，制備出氬氣環(huán)境退火10 min的Si-NPA樣品.

采用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)，分別對(duì)新鮮制備、碳化以及氬氣退火的Si-NPA樣品進(jìn)行表面形貌表征，并利用X射線能量色散譜(EDS)對(duì)其化學(xué)元素組分進(jìn)行測(cè)量和分析.利用Raman光譜對(duì)經(jīng)過(guò)不同碳化時(shí)間處理的Si-NPA樣品中碳元素的存在狀態(tài)進(jìn)行分析.同時(shí)，對(duì)新鮮制備、氬氣退火和不同時(shí)間碳化的3種Si-NPA樣品的光致發(fā)光譜進(jìn)行測(cè)量，分析碳化處理對(duì)Si-NPA發(fā)光特性的影響機(jī)制.

2 結(jié)果與討論

之前的研究表明[6]，Si-NPA是一種硅的微米/納米結(jié)構(gòu)復(fù)合體系，其層次結(jié)構(gòu)可以描述為：微米尺度的硅柱組成的規(guī)則陣列結(jié)構(gòu)、硅柱的納米多孔結(jié)構(gòu)以及組成孔壁的硅納米晶粒(nc-Si).其中，nc-Si的平均粒徑為～4 nm.圖1(a)～(c)分別給出了新鮮制備、碳化6 min及氬氣退火10 min時(shí)Si-NPA樣品的FESEM照片.通過(guò)比較可知，Si-NPA在1 100 ℃經(jīng)過(guò)碳化和退火處理后，其形貌與處理之前基本保持一致，硅柱的面密度、高度及間距都沒(méi)有發(fā)生明顯變化.

圖1 (a)新鮮制備和經(jīng)過(guò)(b)碳化處理6 min和(c)氬氣退火10 min Si-NPA樣品的表面形貌圖Fig.1 Surface morphologies of Si-NPA samples： (a) Freshly prepared； (b) Carbonized for 6 min; (c) Annealed in argon atmosphere for 10 min

為分析Si-NPA樣品在氬氣退火、碳化處理前后其表面化學(xué)組分的變化，對(duì)新鮮制備、10 min氬氣退火和6 min碳化處理的Si-NPA分別進(jìn)行了EDS測(cè)量.考慮到Si-NPA的表面形貌特征，為保證EDS測(cè)量數(shù)據(jù)能準(zhǔn)確反映其表面元素組成及其分布情況，我們選擇了3種典型形貌區(qū)域進(jìn)行EDS測(cè)量，分別是硅柱的頂端(柱頂)、硅柱的半高位置(柱腰)和硅柱之間的區(qū)域(柱底)，所得測(cè)量數(shù)據(jù)如表1所示(其中元素含量均為原子百分比).很明顯，對(duì)于新鮮制備和氬氣退火的Si-NPA，其表面化學(xué)組成均僅包含硅、氧兩種元素，碳化后的樣品則包含硅、氧和碳3種元素.這一結(jié)果表明，高溫碳化處理的確實(shí)現(xiàn)了Si-NPA表面的碳化或者碳材料在其表面上的直接沉積.從元素的位置分布看，3種樣品中氧和硅元素的分布表現(xiàn)出相同的演化趨勢(shì)，即從柱頂、柱腰到柱底，氧原子比例減小而硅原子比例逐漸增加，這一點(diǎn)可以從Si-NPA的表面形貌特征得到解釋.如上所述，Si-NPA是一種多孔的陣列結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)使得Si-NPA的外部容易與外界接觸(如腐蝕液、空氣等)，而內(nèi)部則需要通過(guò)物質(zhì)擴(kuò)散才能與外界接觸，從而直接導(dǎo)致了Si-NPA氧化程度從柱頂、柱腰到柱底逐漸減小.此外，對(duì)3種樣品從柱頂、柱腰到柱底相同位置的數(shù)據(jù)可以看出，新鮮制備樣品的氧原子比例最小，氬氣退火和碳化樣品氧原子比例大致相當(dāng)，但均較新鮮制備樣品有較大提高；硅原子比例的變化趨勢(shì)則剛好相反.這一結(jié)果可以從兩方面得到解釋：(1) 退火和碳化處理均在高溫(1 100 ℃)下進(jìn)行，樣品多孔結(jié)構(gòu)中吸附的氧氣在如此高溫下對(duì)Si-NPA進(jìn)行了二次氧化，從而使得退火或碳化樣品中氧原子比例上升；(2) 新鮮制備樣品物質(zhì)比較疏松，用于EDS探測(cè)的X射線易于透過(guò)多孔層而到達(dá)單晶硅基底上，從而具有相對(duì)較高的硅原子比例.而經(jīng)過(guò)氬氣退火和碳化處理后，高溫過(guò)程使得氧化硅顆粒長(zhǎng)大并具有更好的致密性，導(dǎo)致X射線更多地被氧化硅多孔層吸收，因而后兩者在相同位置處表現(xiàn)出相對(duì)更高的氧原子比例和更低的硅原子比例.至于碳化Si-NPA中的碳原子比例，其在柱頂和柱腰處分別為～7.34%和～6.34%，而在柱底沒(méi)有明顯探測(cè)到碳的EDS數(shù)據(jù).但這一結(jié)果并不能表明柱底處沒(méi)有碳原子的存在，很可能是因?yàn)樵谥滋幪荚映练e較少的緣故.事實(shí)上，Si-NPA的陣列結(jié)構(gòu)以及硅柱本身的多孔結(jié)構(gòu)，都會(huì)在一定程度上阻止碳原子向硅柱之間低谷區(qū)域的輸運(yùn)，從而造成柱底處碳原子比例相對(duì)柱頂、柱腰處明顯降低.

表1 新鮮制備、退火和碳化處理Si-NPA樣品的EDS測(cè)量結(jié)果Tab.1 EDS data for freshly prepared, annealed and carbonized Si-NPA /%

圖2 (a)新鮮制備、氬氣退火和碳化處理4 min后Si-NPA樣品的拉曼光譜， (b)不同時(shí)間(6，12，16 min)碳化處理Si-NPA樣品的拉曼光譜Fig.2 Raman spectra of (a) freshly prepared Si-NPA、annealed Si-NPA and Si-NPA carbonized for 4 min, and (b) Si-NPA carbonized for 6, 12 and 16 min

圖2給出了室溫下測(cè)得的新鮮制備、氬氣退火和經(jīng)過(guò)4，6，12，16 min碳化處理Si-NPA樣品的拉曼光譜.很明顯，對(duì)于新鮮制備、氬氣退火以及碳化處理4 min的Si-NPA樣品(圖2(a))，其拉曼光譜均出現(xiàn)兩個(gè)拉曼峰，分別位于～520 cm-1和～960 cm-1，對(duì)應(yīng)于硅的一級(jí)(TO)、二級(jí)(2TO)特征振動(dòng)峰[11].隨著碳化處理時(shí)間增加，樣品的拉曼光譜先后在～1 600 cm-1和～1 350 cm-1處出現(xiàn)兩個(gè)新的拉曼峰，而且峰的強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)(圖2(b)).比對(duì)已有的研究結(jié)果[12]，這兩個(gè)拉曼峰可以分別歸因于碳鏈或碳環(huán)中sp2雜化原子對(duì)的拉伸振動(dòng)模(G峰)和碳材料中與結(jié)構(gòu)缺陷相關(guān)的振動(dòng)模(D峰).這一結(jié)果表明，經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間碳化處理后在Si-NPA表面形成了碳膜.此外，根據(jù)G峰和D峰強(qiáng)度隨碳化時(shí)間的變化規(guī)律可以推斷，在Si-NPA的碳化過(guò)程中，碳原子很可能首先以雜質(zhì)原子的形式摻入到Si-NPA中并形成濃度梯度，之后隨碳化時(shí)間增加，表面層的碳原子逐漸經(jīng)過(guò)成核、長(zhǎng)大，最后形成無(wú)定型的碳膜.

對(duì)于新鮮制備Si-NPA的PL譜之前已經(jīng)有了比較詳細(xì)的研究[13]，其在藍(lán)光-紫外光區(qū)和紅光區(qū)各有一個(gè)發(fā)光帶.圖3(a)是經(jīng)過(guò)6 min碳化處理后Si-NPA樣品在不同紫外光激發(fā)下測(cè)得的PL譜.與新鮮制備Si-NPA相比，其紅光區(qū)發(fā)射帶消失，但短波長(zhǎng)區(qū)域出現(xiàn)了一個(gè)紫外光發(fā)光峰和一個(gè)藍(lán)光發(fā)光峰.隨激發(fā)波長(zhǎng)增加，紫外光、藍(lán)光發(fā)光峰均出現(xiàn)單調(diào)紅移.為了澄清紫外光和藍(lán)光發(fā)光峰的起因，我們分別進(jìn)行了兩個(gè)對(duì)照實(shí)驗(yàn).第一個(gè)實(shí)驗(yàn)是測(cè)量經(jīng)過(guò)10 min氬氣氛圍退火Si-NPA的PL譜，第二個(gè)是測(cè)量經(jīng)過(guò)不同時(shí)間碳化處理Si-NPA的PL譜.如圖3(b)所示，經(jīng)過(guò)氬氣退火樣品的PL譜表現(xiàn)為一個(gè)較寬的單一發(fā)光峰，隨激發(fā)波長(zhǎng)增加其發(fā)光峰位發(fā)生明顯紅移.當(dāng)激發(fā)波長(zhǎng)從270 nm增加到390 nm時(shí)，其發(fā)光峰位～371 nm紅移至～460 nm，大致與碳化處理6 min的Si-NPA樣品的藍(lán)光發(fā)光峰位演化趨勢(shì)相同.由此可以推斷，新鮮制備、氬氣退火以及碳化處理Si-NPA的藍(lán)光發(fā)光峰具有相同的起源.在之前有關(guān)多孔硅發(fā)光機(jī)制的研究中，人們把藍(lán)光發(fā)光峰歸因于氧化硅中的氧缺陷[14]，這一結(jié)論通過(guò)本實(shí)驗(yàn)可以得到進(jìn)一步佐證.在本實(shí)驗(yàn)中，經(jīng)過(guò)氬氣退火處理之后，Si-NPA表面硅納米晶粒的深度氧化必然導(dǎo)致氧缺陷濃度的增加，從而導(dǎo)致由硅納米晶粒的量子限域效應(yīng)引起的紅光發(fā)光峰的消失和由氧缺陷引起的藍(lán)光發(fā)光峰的增強(qiáng).對(duì)于經(jīng)過(guò)不同時(shí)間(2，4，6，8，10，12，14，16 min)碳化處理的Si-NPA，在290 nm波長(zhǎng)紫外光激發(fā)下，其PL譜中可以觀察到一個(gè)強(qiáng)的紫外光發(fā)光峰和一個(gè)相對(duì)較弱的藍(lán)光發(fā)光峰，如圖3(c)所示.數(shù)據(jù)分析表明，峰位位于～350 nm的紫外光發(fā)光峰不隨碳化時(shí)間變化發(fā)生明顯移動(dòng)，發(fā)光峰位強(qiáng)度則隨碳化時(shí)間的增加先增強(qiáng)后減弱，在碳化處理4 min時(shí)強(qiáng)度達(dá)到最大.結(jié)合之前對(duì)樣品的拉曼光譜分析，碳化處理4 min樣品并沒(méi)有出現(xiàn)碳的拉曼特征峰，此時(shí)碳原子主要是以雜質(zhì)原子進(jìn)入Si-NPA中.因此，該紫外光發(fā)光峰應(yīng)該主要來(lái)源于碳原子摻雜所引起的缺陷發(fā)光.但隨著碳化時(shí)間增加，拉曼光譜中碳的G峰、D峰相繼出現(xiàn)，而此時(shí)紫外光發(fā)光峰峰位強(qiáng)度反而降低，表明紫外光發(fā)光峰與樣品表面最終沉積的碳膜沒(méi)有關(guān)聯(lián).

圖3 不同Si-NPA樣品的光致發(fā)光譜：(a)碳化處理6 min制備的Si-NPA樣品， (b)氬氣退火10 min制備的Si-NPA樣品，(c)在290 nm紫外光激發(fā)下，經(jīng)過(guò)不同碳化時(shí)間處理Si-NPA樣品的光致發(fā)光譜Fig.3 PL spectra for different Si-NPA samples: (a) Si-NPA carbonized for 6 min, (b) Si-NPA annealed for 10 min, (c) PL spectra of Si-NPA carbonized for 2, 4, 6, 8, and 10 min excited by 290 nm ultraviolet light

3 結(jié)論

為提高Si-NPA發(fā)光的穩(wěn)定性，對(duì)新鮮制備的Si-NPA在1 100 ℃溫度下分別進(jìn)行了氬氣氛圍退火和不同時(shí)間碳化處理，并對(duì)其PL特性進(jìn)行了表征.研究發(fā)現(xiàn)，在氬氣退火和碳化處理前后，Si-NPA的表面微觀形貌沒(méi)有發(fā)生明顯變化.對(duì)碳原子存在狀態(tài)的拉曼分析表明，在碳化處理過(guò)程中，碳原子首先以摻雜原子的形式進(jìn)入Si-NPA，之后隨碳化時(shí)間增加，Si-NPA表面的碳原子經(jīng)過(guò)成核、長(zhǎng)大，逐漸形成碳膜.與新鮮制備的Si-NPA相比，樣品在經(jīng)過(guò)氬氣退火和碳化處理后其紅光區(qū)的發(fā)光帶消失，藍(lán)光區(qū)的發(fā)光帶發(fā)光強(qiáng)度明顯增加，而在碳化Si-NPA光譜中還出現(xiàn)一個(gè)由碳原子摻雜所引起的位于～350 nm的缺陷發(fā)光峰.

[1] Canham L T．Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers [J]．Applied Physics Letters，1990，57(10)：1046-1068．

[2] Wolkin M V，Jorne J，F(xiàn)auchet P M，et al．Electronic states and luminescence in porous silicon quantum dots: The role of oxygen [J]．Physical Review Letters，1999，82(1)：197-200．

[3] Prokes S M．Light emission in thermally oxidized porous silicon: Evidence for oxide-related luminescence [J]．Applied Physics Letters，1993，62(25)：3244-3246．

[4] de la Mora M B，Bornacelli J，Nava R，et al．Porous silicon photoluminescence modification by colloidal gold nanoparticles: Plasmonic, surface and porosity roles [J]．Journal of Luminescence，2014，146：247-255．

[5] 曾凡光，李新建，富笑男，等．鈍化多孔硅光致發(fā)光譜的時(shí)間演化特性[J]．鄭州大學(xué)學(xué)報(bào)：理學(xué)版，2001，33(1)：36-40．

[6] 許海軍，富笑男，孫新銳，等．硅納米孔柱陣列的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究[J].物理學(xué)報(bào)，2005，54(5)：2352-2357．

[7] Lorrette C，Reau A，Briottet L．Mechanical properties of nanostructured silicon carbide consolidated by spark plasma sintering [J]．Journal of the European Ceramic Society，2013，33(1)：147-156．

[8] Brassard D，El Khakani M A．Dielectric properties of amorphous hydrogenated silicon carbide thin films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition [J]．Journal of Applied Physics，2003，93(7)：4066-4071．

[9] Kim S，Choi J，Jung M，et al．Silicon carbide-based hydrogen gas sensors for high-temperature applications [J]．Sensors (Basel)，2013，13(10)：13575-13583．

[10] Bjorkqvist M，Paski J，Salonen J，et al．Temperature dependence of thermally-carbonized porous silicon humidity sensor [J]．Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science，2005，202(8)：1653-1657．

[11] Mercaldo L V，Esposito E M，Veneri P D，et al．First and second-order raman scattering in Si nanostructures within silicon nitride [J]．Applied Physics Letters，2010，97(15)：153112．

[12] Ferrari A C，Robertson J．Interpretation of raman spectra of disordered and amorphous carbon [J]．Physical Review B (Condensed Matter)，2000，61(20)：14095-14107．

[13] Li Yong，Wang Xiaobo，F(xiàn)an Zhiqiang，et al．Temperature-dependent photoluminescence of silicon nanoporous pillar array [J]．Chinese Physics Letters，2014，31(4)：047801．

[14] D’Amico Michele，Leone Maurizio．Conformational heterogeneity of the point defects in silica: The lifetime of the phosphorescence band at 2.7 eV [J]．Journal of Non-Crystalline Solids，2008，354(2/9)：239-243．

(責(zé)任編輯：王浩毅)

Photoluminescence of Carbonized Silicon Nanoporous Pillar Array

HU Chu-xiong, WANG Xiao-bo, YAN Ling-ling, CAI Xiao-jun, LI Xin-jian

(DepartmentofPhysicsandLaboratoryofMaterialsPhysics,ZhengzhouUniversity,Zhengzhou450052,China)

The samples of silicon nanoporous pillar array (Si-NPA) were prepared by a hydrothermal etching method and were carbonized at high temperature with different times. The photoluminescence (PL) spectra of carbonized Si-NPA were measured and compared with that of freshly prepared samples. It was found that after carbonization, an ultraviolet PL peak newly appeared and the blue PL was greatly enhanced, accompanied with the disappearance of the red PL peak of Si-NPA. Combined with the Raman analysis on the existing status of carbon atoms in Si-NPA, the blue and the ultraviolet emissions were attributed to the PL from the defect states of silicon oxide and doping carbon atoms in Si-NPA, respectively. The results might provide some useful information for clarifying the PL mechanism and realizing stable PL of Si-NPA.

silicon nanoporous pillar array; carbonization; photoluminescence

2015-03-06

國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目，編號(hào)61176044.

胡楚雄(1989-)，男，湖南會(huì)同人，碩士研究生，主要從事納米材料研究，E-mail:huchuxiongphysics@163.com；通訊聯(lián)系人：李新建(1965-)，男，河南鄭州人，教授，主要從事納米材料研究，E-mail: lixj@zzu.edu.cn.

胡楚雄，王小波，閆玲玲，等. 碳化的硅納米孔柱陣列的光致發(fā)光特性[J].鄭州大學(xué)學(xué)報(bào)：理學(xué)版，2015，47(3)：64-68.

O482.31

A

1671-6841(2015)03-0064-05

10.3969/j.issn.1671-6841.2015.03.012