電解電容器用低壓腐蝕鋁箔后處理的研究

周英

（新疆眾和股份有限公司烏魯木齊830013）

電解電容器用低壓腐蝕鋁箔后處理的研究

周英

（新疆眾和股份有限公司烏魯木齊830013）

通過(guò)對(duì)低壓腐蝕鋁箔腐蝕生產(chǎn)工藝中后處理溶液進(jìn)行研究，優(yōu)化生產(chǎn)工藝條件以提高鋁電解電容器低壓腐蝕鋁箔的比容。

低壓腐蝕鋁箔比容鋁電解電容器低壓電子鋁光箔

1 引言

電解電容器用低壓腐蝕鋁箔比容的高低是影響低壓腐蝕鋁箔電性能的重要指標(biāo)，低壓腐蝕鋁箔比容的提升主要是通過(guò)優(yōu)化低壓腐蝕生產(chǎn)工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，低壓腐蝕生產(chǎn)工藝流程主要是前處理→一電解處理→中處理→二電解處理→后處理，本論文主要是通過(guò)改變低壓腐蝕生產(chǎn)工藝中后處理溶液成分（添加硫脲與不添加硫脲的硝酸水溶液）以提高低壓腐蝕鋁箔的比容。

2 實(shí)驗(yàn)部分

2.1 實(shí)驗(yàn)儀器與試劑

采用自制交流腐蝕電源；自制PPC腐蝕槽；石墨極板（兩平行石墨板間距為5cm）；試樣夾板，試樣裸露部分尺寸為9cm×10cm；溫控儀，控制精度為0.1℃；磁力攪拌器；LCR數(shù)字電橋；精密線性直流穩(wěn)壓穩(wěn)流電源；自制小樣化成槽；鋁箔智能檢測(cè)系統(tǒng)；電導(dǎo)率儀；自制折彎儀；PHS-3C型PH計(jì)。

鹽酸，硫酸，硝酸，結(jié)晶氯化鋁，氫氧化鈉，硫脲，以上試劑均為分析純。

2.2 實(shí)驗(yàn)方案

采用硬質(zhì)低壓電子鋁光箔為原材料，將其經(jīng)過(guò)前處理后在含HCl-H2SO4混合酸體系的腐蝕槽中進(jìn)行初級(jí)交流腐蝕、中間化學(xué)處理和后級(jí)交流腐蝕；腐蝕后的樣片在硝酸水溶液中進(jìn)行后處理；進(jìn)行干燥和熱處理，此時(shí)硬質(zhì)低壓電子鋁光箔的腐蝕工藝流程結(jié)束，經(jīng)過(guò)腐蝕后的樣片為低壓腐蝕鋁箔；將低壓腐蝕鋁箔在132V化成后按照J(rèn)CC方法用LCR數(shù)字電橋測(cè)量其比容。

方案一：后處理溶液為0.4N的硝酸水溶液。

方案二：后處理溶液為1‰～3‰硫脲+0.4N的硝酸水溶液。

方案三：后處理溶液為4‰～6‰硫脲+0.4N的硝酸水溶液。

方案四：后處理溶液為7‰～10‰硫脲+0.4N的硝酸水溶液。

2.3 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

表1 檢測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)照表

3 結(jié)果與討論

由表1可看出：通過(guò)往后處理液中添加硫脲，可以將鋁電解電容器用低壓腐蝕箔的比容提高。硫脲的添加量過(guò)低或過(guò)高，都不利于腐蝕箔比容的提高，需控制在一定的范圍內(nèi)。

4 結(jié)論

鋁電解電容器用低壓鋁箔的腐蝕生產(chǎn)過(guò)程中，其它工藝條件不變的前提下，通過(guò)在后處理液中添加硫脲，并將其添加量控制在4‰～6‰范圍內(nèi)，可將鋁電解電容器用低壓腐蝕箔的比容提高。

收稿：2015-01-26

10.16206∕j.cnki.65-1136∕tg.2015.06.028