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科技簡訊
國內(nèi)最大截面鋁合金預拉伸板在中鋁誕生
日前,中鋁西南鋁成功研制出的國內(nèi)最大截面超寬超厚鋁合金預拉伸板,順利通過了由中國航空工業(yè)集團公司組織的專業(yè)評審.該產(chǎn)品配套航空航天飛行器后可有效減輕后者自身重量,提高其使用壽命和安全性能.
2012年,西南鋁就開始實施整體承力構(gòu)件所需的超寬超厚鋁合金預拉伸板材的材料研制.超寬超厚鋁合金預拉伸板具有的高強韌、高損傷容限,尤其是優(yōu)良的疲勞性能,對材料研制提出了更高更苛刻的技術(shù)要求,研制工作一時難以取得突破.因為隨著材料規(guī)格的增大,工程上可實現(xiàn)的技術(shù)難度不是以簡單的“1+1”加法疊加,而是呈幾何級倍數(shù)增長.但研發(fā)人員毫不氣餒,依托西南鋁近年來相繼投產(chǎn)的具有世界先進技術(shù)水平的熔鑄機組、4 300 mm軋機、12 000 t拉伸機以及輥底式噴淋淬火爐等大型裝備設(shè)施,經(jīng)過近3年攻關(guān),成功突破超大規(guī)格鑄錠成型、顯疏松控制以及變形軋制等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù),解決了材料強韌性匹配及疲勞性能穩(wěn)定性差的難題,成功研制出了截面積超過30萬mm2、各項性能合格的超寬超厚鋁合金預拉伸板,其整體性能水平與國外同類產(chǎn)品相當.
超寬超厚鋁合金預拉伸板在中鋁西南鋁的成功產(chǎn)出,使我國的整體鋁加工制備能力邁上了一個新的臺階,標志著西南鋁已完全具備第三代鋁合金材料的生產(chǎn)能力,實現(xiàn)了同類產(chǎn)品國產(chǎn)化,填補了國內(nèi)航天航空配套空白.
(摘自《中國鋁業(yè)網(wǎng)》)
專利信息
專利名稱:在懸浮熔煉爐中熔煉有色金屬硫化物的方法和懸浮熔煉爐
專利申請?zhí)?2013800594361
公布號:CN104797721A
申請日:2013.11.12公布日:2015.07.22
申請人:奧圖泰(芬蘭)公司
本發(fā)明涉及用于在懸浮熔煉爐中熔煉有色金屬硫化物的方法和懸浮熔煉爐.懸浮熔煉爐包括至少一個噴注裝置,用于將流體和粉狀物質(zhì)中的至少之一從懸浮熔煉爐的沉淀池的第一側(cè)壁結(jié)構(gòu)和第二側(cè)壁結(jié)構(gòu)中的至少一個注入沉淀池,以便流體和/或粉狀物質(zhì)在沉淀池的熔體層的頂面上方被注入沉淀池.
專利名稱:具備耐高溫腐蝕特性的Ni-Cr-Co系合金與使用該合金并經(jīng)過表面改性的提升閥
專利申請?zhí)?2013800567913
公布號:CN104797728A
申請日:2013.10.08公布日:2015.07.22
申請人:福田金屬箔粉工業(yè)株式會社
本發(fā)明提供耐破裂性、耐剝離性并且具有優(yōu)秀的耐高溫腐蝕特性的表面涂敷材料,以及涂敷有該表面涂敷材料的提升閥.本發(fā)明的Ni-Cr-Co系合金含有質(zhì)量分數(shù)為40.0%~50.0%的Cr、10.0%~20.0%的Co、0.5%~5.0%的Nb、0.01%~5.0%的Fe和0.1%~3.0%的Si,剩余部分包括質(zhì)量分數(shù)為26.0%~40.0%的Ni,以及不可避免的雜質(zhì).此外,從Mo、W、Mn、Ti、Al、B和C的選擇來看,元素總計的質(zhì)量分數(shù)在5.0%以下,此時,Ti、Al的質(zhì)量分數(shù)均為3.0%以下,B、C的質(zhì)量分數(shù)均為1.0%以下.在本發(fā)明的提升閥中,所述Ni-Cr-Co系合金至少涂敷在閥頭表面.
專利名稱:PTFE覆銅板的加工方法
專利申請?zhí)?2013103647767
公布號:CN104427765A
申請日:2012.11.20公布日:2015.03.18
申請人:深圳崇達多層線路板有限公司
本發(fā)明適用于印制線路板的加工技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種PTFE覆銅板的加工方法,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中銑板后產(chǎn)生的毛刺無法徹底清除的問題.該加工方法包括以下步驟:提供PTFE覆銅板;去除銅層;激光切割;以及銑板,采用銑刀沿盲槽加工所述PTFE基材.該加工方法利用激光燒蝕黏接層并利用銑刀加工PTFE基材.這種相結(jié)合的加工方式,可以完全避免黏接層在加工過程中產(chǎn)生毛刺.
專利名稱:一種無結(jié)納米線FinFET及其制作方法
專利申請?zhí)?2013102754456
公布號:CN104282558A
申請日:2013.07.02公布日:2015.01.14
申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
本發(fā)明涉及一種無結(jié)納米線FinFET半導體器件及其制作方法.所述方法,包括:提供半導體襯底;在所述半導體襯底上形成外延層;圖案化所述外延層和部分所述半導體襯底,以形成鰭片結(jié)構(gòu)以及位于所述鰭片結(jié)構(gòu)上的納米線結(jié)構(gòu);在所述鰭片結(jié)構(gòu)和所述納米線結(jié)構(gòu)上形成柵極結(jié)構(gòu).根據(jù)本發(fā)明形成的無結(jié)納米線FinFET半導體器件,當器件處于打開狀態(tài)時具有較大的電流,器件處于斷開狀態(tài)時具有較小的電流,相對與FinFET性能得到極大的提高,相對于平面器件也具有更大的開-關(guān)比.整個工藝過程和現(xiàn)有工藝完全兼容,而且該晶體管的制備方法適合小尺寸的半導體襯底,其制作成本低于納米線圓柱體全包圍柵無結(jié)場效應晶體管的制作成本,因此該晶體管的制作過程更加簡單,同時降低了工藝成本.
專利名稱:鋁合金箔
專利申請?zhí)?2013800609704
公布號:CN104797725A
申請日:2013.11.15公布日:2015.07.22
申請人:株式會社UACJ
一種鋁合金箔,其化學成分按質(zhì)量分數(shù)計:Si 0.1%~0.6%、Fe 0.2%~1.5%,并且Si與Fe的質(zhì)量分數(shù)合計在0.48%以上,剩余部分為Al以及不可避免的雜質(zhì);箔厚度<20 μm,Si的固溶量質(zhì)量分數(shù)為>0.070%,Fe的固溶量質(zhì)量分數(shù)為>0.015%,抗拉強度>220 MPa,在液氮中測定的比電阻為0.45~0.7 μΩ·cm.
(陳偉文供稿)