夜溫和覆膜時間對西瓜嫁接苗下胚軸生長的影響

黃雯　章鷗　甘小虎　楊會玲　陸雪軍

摘要：為探討西瓜嫁接苗接穗下胚軸徒長的相關原因，在3種夜溫處理和嫁接后3種覆膜時間處理下研究西瓜嫁接苗下胚軸的生長情況。結(jié)果表明，夜溫和嫁接后覆膜時間對西瓜嫁接苗徒長有不同程度的影響，其中夜溫的影響較大，較低的夜溫有利于抑制西瓜嫁接苗徒長，在試驗中夜溫12 ℃、薄膜覆蓋7 d抑制西瓜嫁接苗接穗下胚軸徒長的效果最好。

關鍵詞：西瓜嫁接苗；接穗下胚軸；徒長；夜間溫度；覆膜時間

中圖分類號： S651.04 文獻標志碼： A 文章編號：1002-1302（2015）07-0134-03

采用嫁接苗種植是目前克服西瓜連作障礙、提高抗性的有效措施。西瓜嫁接育苗生產(chǎn)中應用較多的主要有劈接、靠接、插接，本試驗所采用的頂端插接法，接穗與砧木結(jié)合緊密、成活率高、操作簡單快捷，現(xiàn)已廣泛應用于西瓜嫁接育苗中，但西瓜嫁接苗生長發(fā)育過程中易發(fā)生接穗下胚軸徒長的現(xiàn)象，導致西瓜苗羸弱，且不利于長途運輸。

溫濕度是影響植物生長的主要環(huán)境因子，在黃瓜上已有報道表明，高溫高濕易造成黃瓜苗徒長。王娟等研究表明，育苗期間高溫是導致黃瓜幼苗下胚軸徒長的主要原因，而在低溫條件下，黃瓜幼苗葉片光合速率下降，幼苗的生產(chǎn)量顯著降低[1-3]。西瓜嫁接后為保溫保濕，均須覆蓋一段時間塑料薄膜，覆膜期間濕度較大，且大大降低了透光率，使砧木、嫁接成活后的接穗都易徒長。

目前關于溫濕度影響西瓜嫁接苗下胚軸生長情況的報道較少，本試驗研究夜溫和覆膜時間對西瓜嫁接苗下胚軸生長的影響，旨在分析西瓜嫁接苗接穗徒長與夜溫、覆膜時間的關系，為西瓜嫁接苗的規(guī)?；a(chǎn)和銷售提供科學依據(jù)。

1 材料與方法

1.1 試驗材料

本試驗于2014年早春在南京市蔬菜科學研究所進行，供試接穗為早佳8424西瓜品種，砧木為小葉葫蘆。于2014年3月19日進行嫁接，嫁接后按照試驗方法進行處理，30 d后出苗。

1.2 試驗方法

試驗共設9個處理（表1），每處理設50株西瓜嫁接苗，重復試驗3次，試驗期間各處理日間氣溫均維持在25 ℃左右。

1.3 測定項目

于出苗當日（嫁接后30 d）測定各項指標。測定全株高度、接穗高度、砧木高度、接穗下胚軸長度、接穗下胚軸絕對生長速率AGR（AGR=下胚軸長度的絕對生長量/時間）、砧木粗度、接穗粗度、植株鮮質(zhì)量、植株干質(zhì)量、植株根冠比[根冠比=根干質(zhì)量/（砧木莖干質(zhì)量+接穗干質(zhì)量）]、植株壯苗指數(shù)（壯苗指數(shù)=接穗莖粗/接穗高度×全株干質(zhì)量）、最大葉葉面積、總?cè)~面積、葉片開展度、根系長度。

1.4 數(shù)據(jù)分析

數(shù)據(jù)分析采用SAS軟件的ANOVA過程處理，顯著性檢驗采用Duncans 新復極差法檢驗。

2 結(jié)果與分析

2.1 不同處理方式對西瓜嫁接苗植株生長速率的影響

由表2可以看出，處理4嫁接30 d后植株高度、接穗高度、下胚軸長度最低，分別為14.76、10.19、2.82 cm，顯著低于其他各處理，且無徒長現(xiàn)象；與處理9的差異最明顯，分別比處理9低14.4%、24.2%、31.6%。由接穗下胚軸絕對生長速率可見，處理4的接穗下胚軸生長速度最為緩慢，為 0.607 mm/d，顯著低于其他各處理，比生長速度最快的處理9低71.3%。在植株的粗度方面，各處理的砧木粗度無顯著差異，接穗粗度之間差異較明顯，其中以接穗高度最低的處理4最粗，其粗度比接穗最高的處理9高14.7%。

2.2 不同處理方式對西瓜嫁接苗植株質(zhì)量及壯苗系數(shù)的影響

由表3可見，各處理間的植株鮮質(zhì)量及植株干質(zhì)量差異均較為明顯，處理4的植株鮮質(zhì)量最高，為7.266 g。干物質(zhì)質(zhì)量以處理5最高，為2.313 g，其次為處理4，為2.308 g。由壯苗指數(shù)的分析結(jié)果可見，處理4的植株最為健壯，壯苗指數(shù)高達0.950，明顯高于其他各處理，比處理9高164%。各處理之間的根冠比無顯著差異，推斷西瓜嫁接苗的根冠比與環(huán)境中的溫濕度無關。

2.3 不同處理方式對西瓜嫁接苗葉片及根系生長情況的影響

研究發(fā)現(xiàn)，出苗日各處理植株均有5張真葉，但總?cè)~面積、最大葉的葉面積均存在較大差異。以處理4的最大葉葉面積最大，比最大葉葉面積最小的處理5高38.8%；總?cè)~面積以處理1最大，處理3最小。各處理的葉片開展度差異不明顯，最大的是處理1，最小的是處理3。由上述分析可知，嫁接苗的葉片生長情況無明顯規(guī)律，推斷夜溫和薄膜覆蓋對嫁接苗的葉片生長無影響。在根系生長方面，由表4可見，處理4的根系最為發(fā)達，根系長度及根系鮮質(zhì)量、干質(zhì)量均為最高，根系鮮質(zhì)量、干質(zhì)量與其他各處理有明顯差異，其中根系干質(zhì)量比處理9高78.4%，但根系長度與其他各處理間差異均不明顯。

3 結(jié)論與討論

Gray等研究認為，環(huán)境因子光照、溫度、水分等通過改變植物激素水平而影響下胚軸伸長[4-5]。隨著溫度的降低，幼苗葉片氣孔開度減小，葉綠素含量降低，從而使光合速率下降、光合產(chǎn)物積累減少、幼苗生長緩慢[2，6-8]。植物莖的伸長速率對溫度反應敏感，隨溫度變化而迅速變化，在光下26 ℃左右及暗處17～19 ℃最適[9]，本試驗中溫度較低的3個處理（處理1、處理4、處理7）接穗下胚軸絕對生長速率均較低，與前人結(jié)論一致。

水分對幼苗生長的影響體現(xiàn)在土壤含水量、空氣濕度2個方面。在幼苗營養(yǎng)面積過小、光照不足而溫度又較高的條件下，應適當減少水分供應，以控制幼苗的徒長；如果過度控制水分又會對幼苗生長產(chǎn)生許多不利影響，容易出現(xiàn)幼苗老化的現(xiàn)象[1]。在本試驗中，較低的夜溫條件下，薄膜覆蓋7 d比較適合西瓜嫁接苗的生長。

在本研究中，處理4明顯無徒長現(xiàn)象，且壯苗系數(shù)最高，根系最發(fā)達，即當外界最高溫在7～18 ℃之間、最低溫在3～10 ℃之間時，西瓜苗嫁接后夜溫維持在12 ℃，結(jié)合薄膜覆蓋endprint

7 d較適合西瓜嫁接苗的生長。因而有結(jié)論，在一定的外界條件下，夜溫和覆膜時間對西瓜嫁接苗的生長均有一定影響，較低的夜溫是主要的影響因子，結(jié)合適當?shù)母材r間有利于抑制西瓜嫁接苗接穗下胚軸的徒長。

另外有報道表明，晝夜溫差（DIF）是決定植株伸長生長的主要因素[10-13]。DIF 與幼苗徒長的關系，根據(jù)試驗環(huán)境和作物的不同會得出不一致的結(jié)果[10，14]，一般認為DIF>0（晝溫>夜溫）促進節(jié)間、莖的伸長，DIF<0（晝溫<夜溫）抑制其伸長。這方面在西瓜嫁接苗上的表現(xiàn)如何尚未可知，這也是下步研究的重點。

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