抗輻照仿真模擬技術(shù)

劉國權(quán)

（中國電子科技集團公司第四十七研究所，沈陽110032）

抗輻照仿真模擬技術(shù)

劉國權(quán)

（中國電子科技集團公司第四十七研究所，沈陽110032）

軟件仿真相對于硬件實驗可以極大地提高設(shè)計效率，節(jié)約設(shè)計成本，對于項目的設(shè)計成功與否有著重大意義?？馆椪辗抡婺M技術(shù)可以通過建立的輻照參數(shù)模型，在電路設(shè)計過程中通過仿真技術(shù)計算電路的抗輻照能力，是抗輻照芯片設(shè)計中保證設(shè)計可靠性的有效手段之一。

現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）；抗輻照；仿真；建模

1 引 言

隨著大量現(xiàn)場可編程門陣列電路（Field Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA）被用于宇航、核能和軍事等高科技領(lǐng)域，需要保證FPGA器件在核輻射環(huán)境下使用的可靠性。大量研究表明，核輻射，特別是電離輻射會使FPGA器件的電性能在較短時間內(nèi)發(fā)生明顯變化，輻射損傷嚴重的時候還會導致電路失效。器件的變化包括閾值電壓漂移，跨導和遷移率降低，亞閾值特性退化，溝道和柵泄漏電流增加等。因此保證芯片設(shè)計的抗輻照能力將有利于保證其在核輻射環(huán)境下使用的可靠性。

軟件仿真相對于硬件實驗可以極大提高設(shè)計效率，節(jié)約設(shè)計成本，對于項目的設(shè)計成功與否有著重大意義。

抗輻照仿真模擬技術(shù)研究的目標是：使用軟件仿真的辦法對FPGA部件及其整體芯片設(shè)計在抗輻照的指標方面進行定量評估，以保證設(shè)計方案的正確性和有效性。

為了達到以上研究目標，抗輻照仿真模擬技術(shù)的研究內(nèi)容包括以下幾方面：

·對輻照行為進行較為精確的數(shù)學建模，重點是對總劑量效應和單離子效應進行數(shù)值逼近，達到對輻照行為的模擬。

·用輻照的模擬激勵作用于器件模型，得到模擬結(jié)果，同時相對硬件輻照試驗，對模擬數(shù)據(jù)進行修正。

2 設(shè)計與實現(xiàn)

抗輻照仿真模擬技術(shù)研究的難點在于：輻照行為具有很大的隨機性，用固定數(shù)值模擬難以得到正確結(jié)果。采用國際上普遍認可的蒙特卡羅（Monte Carlo）法來對輻照這一隨機過程進行數(shù)學建模，在這方面，國內(nèi)外有大量相關(guān)算法的研究報道。在研究方法上，廣泛參考吸收已有的研究成果，重點關(guān)注已經(jīng)被NASA采用的算法及模型，再結(jié)合本課題的實際需求對其算法模型進行優(yōu)化和簡化，在器件及電路層面，采用Synopsys公司的著名器件仿真工具TCAD，該軟件可以方便地仿真輻照對器件的影響。

TCAD是Synopsys公司的一個用來進行二維器件模擬的軟件，它在器件當中建立一個電勢與載流子分布的二維模型，通過解泊松方程、電子和空穴連續(xù)性方程、熱擴散方程、電子和空穴的漂移/擴散方程（能量輸運方程）等方程來獲取特定偏置下的電學特性，得到基本量：φ、N、P、Tn、Tp、T等。該軟件可模擬的材料不限于硅、二氧化硅，還可模擬SiGe等異質(zhì)結(jié)材料；可完成的電學分析包括DC、AC、瞬態(tài)、熱載流子、光電等等；處理的器件類型包括：二極管、BJT、MOS、多層結(jié)構(gòu)、光電器件、可編程器件等。另外，TCAD還可以被用來分析器件在瞬態(tài)情況下的變化。在亞微米器件模擬中，TCAD通過聯(lián)解電子和空穴的能量平衡和其他器件方程，可以對深亞微米器件進行模擬。像熱載流子和速度過沖等效應在TCAD中都已經(jīng)考慮了，并能夠?qū)λ鼈兊挠绊戇M行分析。

輻照對器件的直接作用反映在器件中是沿輻照路徑產(chǎn)生了一定的電子－空穴對，在TCAD中，PHOTOGEN命令可以用來產(chǎn)生注入到器件中的電荷（電子和空穴），該電荷可以是穩(wěn)態(tài)的或者與時間參數(shù)有關(guān)。該命令既可以用來仿真單粒子翻轉(zhuǎn)，也可以用來仿真由伽馬射線、X射線或可見光引起的瞬時翻轉(zhuǎn)效應。通過定義輻照的起點和終點坐標（X.START，Y.START，X.END，Y.END）來確定輻照產(chǎn)生的電荷在器件中的通路，器件中任何一點的位置與這條通路的關(guān)系用參數(shù)L來表示，L定義為從起點到通路上某一點的線段長度，R表示距離這條通路的垂直距離，如圖1所示。

圖1 PHOTOGEN定義示意圖

PHTOTGEN命令作用機制如下：

其中t表示時間，Gn、Gp表示電子、空穴的產(chǎn)生率。在連續(xù)性方程中，通過改變Gn、Gp，就可以實現(xiàn)由輻照對器件產(chǎn)生影響的仿真。T（t）表示Gn中與時間相關(guān)項，L（l）表示長度相關(guān)項，R（r）表示徑向相關(guān)項，通過改變t、r、l，便可以模擬出不同射線（如X射線、伽瑪射線）對于器件的影響，從而可以進行不同類型的輻照仿真。

TCAD軟件采用漂移－擴散理論。漂移擴散模型主要由三組方程組成：①泊松方程；②載流子連續(xù)性方程；③載流子輸運方程。另外，還有遷移率對電場的依賴關(guān)系。

（2）電子和空穴連續(xù)性方程：

Jn、Jp為電子電流和空穴電流密度；Rn、Rp為電子和空穴復合率；Gimp為碰撞電離產(chǎn)生率；t為時間。

（3）電子和空穴電流密度方程：

總電流密度為：

（4）遷移率模型

遷移率與載流子濃度的關(guān)系：

場運動模型：

3 仿真舉例

當單粒子穿過半導體器件時，產(chǎn)生圓柱狀高密度等離子體徑跡（電子和晶格離子），它是高電導的，并使器件耗盡區(qū)的平衡電場畸變，由此可以收集耗盡區(qū)淀積的電荷。當徑跡穿過器件敏感區(qū)時，器件狀態(tài)將發(fā)生翻轉(zhuǎn)（SEU）（見圖2）。

圖2 單離子效應示意圖

圖3所示的仿真結(jié)果為一個不加抗輻加固措施的NMOS管在100MeV重粒子轟擊下，漏端電壓由3V降到了0.6V，信息由“1”變成了“0”，發(fā)生了SEU現(xiàn)象。

圖3 不加抗輻加固措施的NMOS管仿真結(jié)果

圖4所示的仿真結(jié)果為采取了抗輻加固措施的NMOS管，在與圖3等同的單粒子輻照下，漏端電壓由3V只降至2.4V。信息幾乎沒發(fā)生變化。

圖4 采取了抗輻加固措施的NMOS管仿真結(jié)果

4 結(jié)束語

通過抗輻照仿真模擬可以有效的對設(shè)計進行預先評估，是FPGA芯片研制過程中重要的仿真手段。軟件仿真相對于硬件實驗可以極大提高設(shè)計效率，節(jié)約設(shè)計成本，仿真方法還有待進一步研究，以適應大規(guī)模FPGA的設(shè)計。

［1］ 阮剛，著.集成電路工藝和器件的計算機模擬——ic tcad技術(shù)概論［M］.上海：復旦大學出版社，2007.

RUAN Gang.Computer simulation of integrated circuit technology and device——introduction to ic tcad technology［M］.Shanghai：Fudan University Press，2007.

［2］ ［美］克里茲，著.高級FPGA設(shè)計結(jié)構(gòu)、實現(xiàn)與優(yōu)化［M］.北京：機械工業(yè)出版社，2009.

Kretz Senior.FPGA design structure，implementation and optimization［M］.Beijing：Mechanical Industry Press，2009.

［3］ 路勇，著.電子電路實驗及仿真［M］.北京：交通大學出版社，2010.

Lu Yong.Experiment and simulation of electronic circuit［M］.Beijing：Traffic University Press，2010.

Research on Simulation Technology of Anti－Irradiation

Liu Guoquan
（The 47th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation，Shenyang 110032，China）

Comparing with the hardware test，the software simulation which is important to successfully design the project can improve design efficiency and save design cost.The anti－irradiation simulation technology can get the anti－irradiation capability of circuit during the whole design process，depending on irradiation parametermodels.It is a validmethod to guarantee design reliability in design of anti－irradiation device.

Field Programmable Gate Array（FPGA）；Anti－irradiation；Simulation；Modeling

10.3969/j.issn.1002－2279.2015.01.005

TP368.1

A

1002－2279（2015）01－0013－03

劉國權(quán)（1963－），男，遼寧省凌海市，高級工程師，主研方向：FPGA。

2014－11－6