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      添加LaB6的CuW70觸頭材料的電弧侵蝕行為

      2015-03-26 15:16:18王獻(xiàn)輝楊曉紅鄒軍濤
      關(guān)鍵詞:電弧導(dǎo)電硬度

      陳 娟,王獻(xiàn)輝,成 軍,楊曉紅,鄒軍濤

      (西安理工大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,西安 710048)

      由于鎢具有高的熔點(diǎn)和強(qiáng)度以及低的熱膨脹系數(shù),銅具有良好的導(dǎo)熱導(dǎo)電性,且兩者互不固溶,也不形成中間化合物[1-3],所以,銅鎢合金具有鎢與銅的優(yōu)點(diǎn),呈現(xiàn)出優(yōu)良的耐高溫、耐燒蝕、高強(qiáng)度、高硬度等性能,被廣泛應(yīng)用于油斷路器、真空接觸器、負(fù)荷開(kāi)關(guān)和變壓器轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)[4-8]。隨著長(zhǎng)距離大容量超高壓電網(wǎng)的實(shí)施運(yùn)行,苛刻的服役環(huán)境和大容量對(duì)觸頭材料提出了愈來(lái)愈高的要求,要求觸頭材料具有大的分?jǐn)嚯娏髂芰Α⒏叩哪碗妷簭?qiáng)度、可靠的抗熔焊性能、高的導(dǎo)電率和導(dǎo)熱率、低的電弧燒損率、低的截流值和超長(zhǎng)使用壽命。表面侵蝕和開(kāi)斷過(guò)程中的機(jī)械磨損引起觸頭材料失效。常規(guī)的CuW觸頭材料在開(kāi)斷過(guò)程中,由于銅的逸出功低且熔點(diǎn)較低,在高溫電弧作用下,銅相將產(chǎn)生熔化和噴濺,造成觸頭材料表面凹凸不平,嚴(yán)重影響輸電線路運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性,因此,如何提高觸頭材料的耐電弧侵蝕性能成為觸頭材料研究的關(guān)鍵問(wèn)題。

      目前,對(duì)熔滲CuW觸頭材料耐電弧燒蝕行為的研究主要集中在制備工藝的改進(jìn)[9-11]和第三組元的添加[12-19]。大量研究表明:TiC、Al2O3和WC可以有效地提高合金的硬度,電擊穿發(fā)生在相界面上,而熔點(diǎn)高、逸出功低的稀土氧化物(Y2O3、CeO2、La2O3)的添加可使擊穿相從銅相轉(zhuǎn)移到Y(jié)2O3、CeO2和La2O3顆粒上,改善了電弧燒蝕性能及電弧穩(wěn)定性。由于LaB6具有良好的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性、高熔點(diǎn)、高溫下蒸發(fā)率低、逸出功低、發(fā)射電流密度大以及抗離子轟擊濺射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)[20-22],因此LaB6的添加可望在高壓真空擊穿過(guò)程中,改善電弧運(yùn)動(dòng)特性,使電弧優(yōu)先LaB6相上產(chǎn)生,實(shí)現(xiàn)主動(dòng)引弧,避免高溫電弧在銅相上的反復(fù)燃燒和熄滅,從而改善CuW70觸頭材料的耐電弧侵蝕性能,延長(zhǎng)CuW70合金的使用壽命,提高電氣系統(tǒng)的的可靠性和穩(wěn)定性。本文作者采用粉末冶金-熔滲法制備了不同LaB6含量的CuW70合金,系統(tǒng)研究LaB6含量對(duì)CuW70觸頭材料組織、硬度、電導(dǎo)率、耐電壓強(qiáng)度、截流值和電弧壽命等性能的影響,并探討LaB6改善電弧侵蝕機(jī)理,且研究結(jié)果可對(duì)超高壓觸頭材料的設(shè)計(jì)和制備提供指導(dǎo)。

      1 實(shí)驗(yàn)

      原材料采用粒度為4~7μm的鎢粉(純度大于99.8%,質(zhì)量分?jǐn)?shù))和粒度為5~9μm的LaB6粉(純度大于99.99%)。首先將含量為70%的鎢粉(質(zhì)量分?jǐn)?shù))和含量為0、1%、2%和3%的LaB6粉分別在V型混料機(jī)內(nèi)混料4 h,然后將混合的粉末在WE-600型壓力機(jī)上壓制成直徑21 mm、高度15 mm的鎢骨架,壓力為340 MPa,保壓30 s。最后將熔滲金屬銅塊和鎢壓坯疊置在溫度為1100~1400℃的H2氣氛燒結(jié)爐內(nèi)燒結(jié)熔滲4 h。采用排水法、HB-3000型布氏硬度計(jì)和7501型渦流電導(dǎo)儀分別測(cè)試材料的致密度、硬度和導(dǎo)電率。真空擊穿實(shí)驗(yàn)在改造的TDR40A型單晶爐真空滅弧室進(jìn)行,實(shí)驗(yàn)電路圖如圖1所示。

      圖1 真空電弧侵蝕實(shí)驗(yàn)電路圖Fig.1 Circuit diagram of vacuum breakdown

      將制備好的試樣拋光后裝入真空室內(nèi)作為陰極,直徑為3 mm的針尖狀純W棒為陽(yáng)極,當(dāng)真空度為5.0×10-3Pa時(shí)進(jìn)行電擊穿實(shí)驗(yàn)。用自耦變壓器在兩極間加上電壓為8 kV的直流電,同時(shí)陰極以0.2 mm/min的速度接近陽(yáng)極,直至電擊穿在陰陽(yáng)極間發(fā)生。采集擊穿瞬間的擊穿電壓除以擊穿距離計(jì)算材料的耐電壓強(qiáng)度,并用TektronixTDS-2014擊穿電壓型示波器記錄擊穿電流,截流值等數(shù)據(jù)。重復(fù)上述過(guò)程,測(cè)量50個(gè)數(shù)據(jù)。利用Image Pro Plus 6.0軟件和激光掃描顯微鏡分別測(cè)量了擊穿區(qū)域的面積和蝕坑深度,采用OXFORD JSM-6700型掃描電鏡和能譜儀對(duì)侵蝕燒蝕形貌和成分進(jìn)行表征分析。

      2 結(jié)果與討論

      2.1 LaB6的添加對(duì)CuW70合金組織的影響

      圖2(a)~(d)所示分別是添加0、1%、2%和3%LaB6的CuW70合金的顯微組織,其中灰白色區(qū)域?yàn)閃骨架,黑色區(qū)域?yàn)槿蹪BCu相,而黑色球形小顆粒為L(zhǎng)aB6。

      為了更清楚地說(shuō)明添加LaB6的CuW70合金元素的分布,對(duì)LaB6含量為1%的CuW70合金進(jìn)行了面掃描分析,其結(jié)果如圖3所示。圖3(a)所示為L(zhǎng)aB6含量為1%的CuW70合金的顯微組織,圖3(b)~(d)分別為L(zhǎng)a、Cu和W在CuW70合金中的分布圖。可以清楚地看出,圖3(a)中灰白色區(qū)域?yàn)閃相,黑色區(qū)域?yàn)槿蹪BCu相,黑色球形小顆粒為L(zhǎng)aB6相。

      以上結(jié)果表明,細(xì)小的LaB6顆粒主要分布在W骨架的邊界和Cu相中。且隨著LaB6含量的增加,W顆粒尺寸變小,Cu相的分布更加均勻。

      2.2 LaB6含量對(duì)CuW70合金致密度、導(dǎo)電率和硬度的影響

      表1所列為不同LaB6含量CuW70合金的密度、電導(dǎo)率和硬度的測(cè)試結(jié)果。由表1可以看出,隨著LaB6含量的增大,CuW70合金的導(dǎo)電率和致密度呈下降的趨勢(shì),而硬度則先上升后緩慢減小,當(dāng)LaB6含量為2%時(shí),CuW70合金硬度最大,212 HB。

      圖2 添加不同LaB6含量的CuW70合金顯微組織Fig.2 Microstructures of CuW70 alloys with different LaB6contents:(a)0;(b)1%;(c)2%;(d)3%

      圖3 LaB6含量為1%的CuW70合金的顯微組織和面掃描像Fig.3 Microstructure and SEM mapping of CuW70 alloy with 1%LaB6:(a)Microstructure of CuW70 alloy with 1%LaB6;(b)La;(c)Cu;(d)W

      由圖2可知,隨著LaB6含量的增加,W顆粒明顯細(xì)化,單位面積內(nèi)晶粒數(shù)增多、晶界數(shù)目增加,從而增大了位錯(cuò)移動(dòng)的阻力、提高了CuW70合金的硬度。但過(guò)多的LaB6添加降低了CuW70合金致密度和硬度。因此,隨著LaB6添加量的增大,CuW70合金硬度呈先上升后下降的趨勢(shì)。

      隨著LaB6含量的增加,CuW70合金的導(dǎo)電率呈先上升后下降的趨勢(shì)。一方面,在壓制混合粉末時(shí),LaB6顆粒彌散分布在W生坯中,減少了W顆粒之間接觸的幾率和面積,在隨后燒結(jié)過(guò)程中,阻礙了W原子的遷移,降低了W顆粒的聚集長(zhǎng)大,使W骨架空間架構(gòu)更加合理,從而保證了銅液能夠連續(xù)滲入,提高了CuW70合金的導(dǎo)電性。另一方面,LaB6含量的增大,阻礙了材料致密化的過(guò)程,而且LaB6含量的增加,幾何界面增多,對(duì)自由電子的散射加劇,導(dǎo)電能力下降。但由于LaB6顆粒具有良好的導(dǎo)電性,這些因素的綜合作用導(dǎo)致CuW70合金的導(dǎo)電率降幅不大。

      表1 不同LaB6含量的CuW70合金的致密度、導(dǎo)電率和硬度Table 1 Relative density,hardness and electrical conductivity of CuW70 alloys with different LaB6contents

      表2 不同LaB6含量的CuW70合金電擊穿實(shí)驗(yàn)結(jié)果Table 2 Electrical breakdown results of CuW70 alloys with different LaB6contents

      2.3 LaB6含量對(duì)CuW70合金耐電擊穿性能的影響

      表2所列為不同LaB6含量的CuW70合金擊穿50次后電性能平均值。從表2可以看出,隨著LaB6含量的增加,CuW70合金耐電壓強(qiáng)度和電弧壽命先升高后下降。當(dāng)LaB6含量為2%時(shí),耐電壓強(qiáng)度和電弧壽命達(dá)最大值,分別為1.25×108V/m和15.67 ms,而截流值則持續(xù)下降。與未添加LaB6的CuW70合金相比,添加2%LaB6的CuW70合金的耐電壓強(qiáng)度和電弧壽命分別增加了73.9%和15.8%。

      耐電壓強(qiáng)度主要取決于金屬材料自身的性能,如金屬材料功函數(shù)、電子發(fā)射、電導(dǎo)率、導(dǎo)熱性、硬度、表面狀態(tài)、氣體含量等。由復(fù)合材料導(dǎo)熱理論[23]可知

      式中:Kc為復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù);Km為基體金屬的導(dǎo)熱系數(shù)(KCuW為175 W/m·K);Ki為第二相顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)(6LaBK 為4.7 W/m·K);Vi為顆粒的體積分?jǐn)?shù)。由式(1)可計(jì)算出不同LaB6含量的CuW70合金的導(dǎo)熱系數(shù),其結(jié)果如表3所列。

      表3 不同LaB6含量的CuW70合金的理論導(dǎo)熱系數(shù)Table 3 Theoretical coefficient of thermal conductivity of CuW70 alloys with different LaB6contents

      由表3可以看出,隨著LaB6含量的增加,CuW70合金的導(dǎo)熱系數(shù)降低。另外,由表1結(jié)果可知,當(dāng)LaB6的含量超過(guò)2%時(shí),CuW70合金的致密度降低,致密度的減小進(jìn)一步降低了CuW70合金的導(dǎo)熱性。因此,高溫電弧產(chǎn)生的熱量不能及時(shí)快速地傳遞出去,導(dǎo)致?lián)舸﹨^(qū)域熱量的聚集,加劇了金屬液蒸發(fā),從而延長(zhǎng)了燃弧時(shí)間。由于LaB6的逸出功較低,在相同的擊穿條件下,極易在陰極表面造成材料的蒸發(fā),提高了陰極區(qū)的金屬蒸汽壓,從而降低了截流值。

      圖4(a)~(d)所示分別為L(zhǎng)aB6含量為0、1%、2%和3%的CuW70合金擊穿50次后的燒蝕總體形貌,圖4(a′)~(d′)所示分別為相應(yīng)試樣的燒蝕中心區(qū)域形貌。從圖4可知,未添加LaB6的CuW70合金50次擊穿后,擊穿坑較為集中,燒蝕為點(diǎn)燒蝕,擊穿坑較深,說(shuō)明電弧分散性較差,如圖4(a)和(a′)所示。隨著LaB6含量的增大,CuW70合金的擊穿面積顯著增大,擊穿坑變淺,擊穿表面越來(lái)越平坦,如圖4(b)~(d)所示。表4所列是分別采用Image Pro Plus 6.0軟件和激光掃描顯微鏡對(duì)CuW70合金擊穿區(qū)域的面積和蝕坑深度的測(cè)量結(jié)果。與未添加LaB6的CuW70合金相比,添加2%LaB6的CuW70合金蝕坑深度減少了37.6%;但當(dāng)LaB6添加量大于2%時(shí),蝕坑深度增大,擊穿面積由4.41 mm2增加到15.38 mm2,增幅達(dá)249%。以上結(jié)果表明,適量LaB6的添加可明顯改變CuW70合金電弧移動(dòng)特性和分散性。

      圖4 不同LaB6含量的CuW70合金50次擊穿后的SEM像Fig.4 Low magnification((a)-(d))and high magnification((a′)-(d′))SEM images of CuW70 alloy with different LaB6contents after vacuum breakdown 50 times:(a),(a′)Without LaB6;(b),(b′)1%LaB6;(c),(c′)2%LaB6;(d),(d′)3%LaB6

      表4 不同LaB6含量的CuW70合金在擊穿50次后燒蝕面積和蝕坑深度Table 4 Erosion area and pit depth of CuW70 alloys with different LaB6contents after vacuum breakdown 50 times

      由于LaB6顆粒彌散分布在鎢骨架中,且擊穿分布在LaB6顆粒上,高的LaB6含量減小了粒子間距,減小了各個(gè)優(yōu)先擊穿微區(qū)間距,從而增強(qiáng)了電弧移動(dòng)速率,減小了材料表面的集中燒蝕,使擊穿表面較為光滑。另外,LaB6的熔點(diǎn)(2700℃)遠(yuǎn)高于銅的熔點(diǎn)(1083℃),當(dāng)銅相熔化時(shí)LaB6依然為固態(tài),因此LaB6的添加增加了銅液的黏度,從而減少銅液的噴濺。但是,當(dāng)LaB6含量過(guò)多時(shí),粒子間距過(guò)小,各個(gè)擊穿微區(qū)產(chǎn)生的電弧很容易匯聚成大電弧,大電弧能量較高,電弧運(yùn)動(dòng)所需要移動(dòng)能量較大,運(yùn)動(dòng)性較差,易造成集中燒蝕。因此,當(dāng)LaB6含量大于2%時(shí),CuW70合金蝕坑深度增大。

      根據(jù)場(chǎng)致發(fā)射特點(diǎn),在擊穿條件相同時(shí),合金擊穿的發(fā)生與逸出功的大小密切相關(guān)。未添加LaB6的CuW70合金的首擊穿發(fā)生在Cu相上,在高溫電弧作用下,電弧優(yōu)先在陰極表面的Cu相上反復(fù)生成和熄滅,因此多次重復(fù)擊穿的結(jié)果是在Cu相上形成嚴(yán)重的燒蝕坑,如圖4(a′)所示。與Cu逸出功(4.36 eV)和W逸出功(4.55 eV)相比,LaB6逸出功較低,僅為2.26 eV,因此,在相同擊穿條件下,LaB6更容易克服表面勢(shì)壘逸出合金表面,在真空中發(fā)生放電并產(chǎn)生電弧,使真空間隙被擊穿,實(shí)現(xiàn)主動(dòng)引弧,減少在銅相上的擊穿,從而大幅度減少銅相的熔化和飛濺,導(dǎo)致?lián)舸┍砻嬗鷣?lái)愈平坦。為了證實(shí)電弧優(yōu)先在LaB6相上擊穿,對(duì)LaB6含量分別為1%和2%的CuW70合金進(jìn)行一次電擊穿實(shí)驗(yàn),擊穿形貌及能譜分析結(jié)果如圖5所示。由圖5可以看出,在未擊穿的區(qū)域La的含量較少,但是在擊穿坑周?chē)鶯a的含量明顯上升,說(shuō)明添加LaB6的CuW70合金電擊穿優(yōu)先在LaB6相發(fā)生。

      圖5 不同LaB6添加量CuW70合金一次電擊穿形貌及能譜分析Fig.5 Erosion morphology((a),(b))and EDS pattern((a′),(b′))of CuW70 alloys with different LaB6contents after first vacuum breakdown:(a),(a′)1%LaB6;(b),(b′)2%LaB6

      3 結(jié)論

      1)隨著LaB6含量的增大,CuW70合金的致密度下降,硬度呈先急劇增大后緩慢減小,電導(dǎo)率先上升后緩慢下降。

      2)LaB6的添加抑制了鎢顆粒聚集長(zhǎng)大,導(dǎo)致富銅區(qū)域變得更加分散。

      3)與未添加LaB6的CuW70合金相比,添加LaB6的CuW70合金擊穿由Cu相向LaB6相轉(zhuǎn)移。適量LaB6的添加可改善CuW70合金的耐電弧侵蝕,擊穿面積增大,蝕坑變淺。

      4)含2%LaB6的CuW70合金具有最佳的耐電弧侵蝕性能,耐電壓強(qiáng)度、截流值和電弧壽命分別為1.25×108V/m、2.62A和15.67 ms。

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