安森美半導體推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 （ON Semiconductor），針對數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進一步擴大其寬廣的產(chǎn)品陣容。

這些器件能提供低得令人難以置信的導通電阻RDS（on）值，從而將導通損耗降至最低并提升整體工作能效水平。它們還有低至2 164 pF的門極電容（Ciss），確保保持盡可能低的驅(qū)動損耗

安森美半導體新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40 V，最大導通電阻值(Vgs為10 V時)分別為0.74 mΩ、0.9 mΩ和2.8 mΩ，連續(xù)漏電流分別為352 A、315 A和127 A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和 NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60 V，最高導通電阻分別為1.2 mΩ、1.5 mΩ 和 4.7 mΩ，而相關(guān)的連續(xù)漏電流為287 A、235 A和93 A。40 V和60 V的這兩種器件的額定工作結(jié)溫都高達175℃，從而為工程師的設(shè)計提供更大的熱余裕。安森美半導體將推出采用更多的電阻值和不同的封裝，如micro8FL、DPAK和TO220來擴大此產(chǎn)品線。