Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽車級(jí)55 nm嵌入式閃存技術(shù)已獲認(rèn)證

全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商--Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）通過(guò)其子公司Silicon Storage Technology（SST）與先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商GLOBALFOUNDRIES共同宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強(qiáng)化型（LPx）/RF平臺(tái)的SST 55 nm嵌入式SuperFlash非易失性存儲(chǔ)器（NVM）產(chǎn)品已通過(guò)全面認(rèn)證并開(kāi)始投放市場(chǎng)。GLOBALFOUNDRIES結(jié)合分離柵極單元SuperFlash技術(shù)的55 nm工藝經(jīng)認(rèn)證測(cè)試符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，這一工藝技術(shù)還滿足在-40°C至125°C的環(huán)境溫度范圍下AEC-Q100 1級(jí)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，耐用性達(dá)到10萬(wàn)次的擦寫(xiě)周期，可實(shí)現(xiàn)150°C條件下超過(guò)20年的數(shù)據(jù)保存年限。

根據(jù)全球知名信息咨詢公司IHS預(yù)測(cè)，2015年汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到310億美元，相比2014年增幅可高達(dá)7.5%。而基于嵌入式閃存的半導(dǎo)體產(chǎn)品則在這一市場(chǎng)占有相當(dāng)大的比重。

配備eNVM技術(shù)的GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平臺(tái)現(xiàn)已開(kāi)始投放市場(chǎng)。該平臺(tái)技術(shù)備有一個(gè)自定義庫(kù)，包含針對(duì)特定MCU產(chǎn)品應(yīng)用而優(yōu)化的現(xiàn)成eNVM IP模塊，是一款可大幅縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期的解決方案。