2015年以來(lái)實(shí)施或即將實(shí)施的含硅系列標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 12963—2014《電子級(jí)多晶硅》。規(guī)定了多晶硅的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存、質(zhì)量證明書(shū)和訂貨單(或合同)內(nèi)容。適用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。

GB/T 14849.5—2014《工業(yè)硅化學(xué)分析方法 第5部分：雜質(zhì)元素含量的測(cè)定X射線(xiàn)熒光光譜法》。規(guī)定了工業(yè)硅中鐵、鋁、鈣、錳、鎳、鈦、銅、磷、鎂、鉻、釩、鈷含量的測(cè)定方法。適用于工業(yè)硅中鐵、鋁、鈣、錳、鎳、鈦、銅、磷、鎂、鉻、釩、鈷含量的測(cè)定。

GB/T 2881—2014《工業(yè)硅》。規(guī)定了工業(yè)硅的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和訂貨單（或合同）的內(nèi)容。適用于礦熱爐內(nèi)炭質(zhì)還原劑與硅石熔煉所生產(chǎn)的工業(yè)硅，主要用于配制合金、制取多晶硅和生產(chǎn)有機(jī)硅等。

GB/T 30656—2014《碳化硅單晶拋光片》。規(guī)定了4H及6H碳化硅單晶拋光片的要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存、質(zhì)量證明書(shū)及訂貨單（或合同）內(nèi)容。適用于4H及6H碳化硅單晶研磨片經(jīng)單面或雙面拋光后制備的碳化硅單晶拋光片。產(chǎn)品主要用于制作半導(dǎo)體照明及電力電子器件的外延襯底。

GB/T 30866—2014《碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法》。規(guī)定了用千分尺測(cè)量碳化硅單晶片直徑的方法。適用于碳化硅單晶片直徑的測(cè)量。

GB/T 30867—2014《碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法》。規(guī)定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化(TTV)的測(cè)試方法，包括接觸式和非接觸式2種方式。適用于直徑不小于30mm、厚度為0.13～1mm的碳化硅單晶片。

GB/T 30869—2014《太陽(yáng)能電池用硅片厚度及總厚度變化測(cè)試方法》。規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅片（以下簡(jiǎn)稱(chēng)硅片）厚度及總厚度變化的分立式和掃描式測(cè)量方法。適用于符合GB/T 26071、GB/T 29055規(guī)定尺寸的硅片的厚度及總厚度變化的測(cè)量，分立式測(cè)量方法適用于接觸式及非接觸式測(cè)量，掃描式測(cè)量方法只適用于非接觸式測(cè)量。在測(cè)量?jī)x器準(zhǔn)許的情況下，也可用于其他規(guī)格硅片的厚度及總厚度變化的測(cè)量。

GB/T 31034—2014《晶體硅太陽(yáng)電池組件用絕緣背板》。規(guī)定了晶體硅太陽(yáng)電池組件用絕緣背板的分類(lèi)、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存。適用于晶體硅太陽(yáng)電池組件用絕緣背板。

GB/T 31058—2014《電子工業(yè)用氣體 四氟化硅》。規(guī)定了四氟化硅的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等內(nèi)容。適用于螢石硫酸法、六氟硅酸鹽熱分解法、單質(zhì)硅直接氟化法制備的四氟化硅。它主要用作電子工業(yè)中等離子蝕刻、發(fā)光二極管P形摻雜、離子注入工藝、外延沉積擴(kuò)散的硅源和光導(dǎo)纖維用高純石英玻璃的原料，也是生產(chǎn)多晶硅的重要原料。

GB/T 31289—2014《海工硅酸鹽水泥》。規(guī)定了海工硅酸鹽水泥的定義、組成與材料、強(qiáng)度等級(jí)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸與貯存等。適用于海工硅酸鹽水泥。

GB/T 31351—2014《碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法》。規(guī)定了4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片的微管密度的無(wú)損檢測(cè)方法。適用于4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片經(jīng)單面拋光或雙面拋光后、微管的徑向尺寸在1微米至幾十微米的微管密度的測(cè)量。

GB/T 31545—2015《核電工程用硅酸鹽水泥》。規(guī)定了核電工程用硅酸鹽水泥的定義、材料要求、強(qiáng)度等級(jí)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等。適用于核電工程用硅酸鹽水泥。

GB/T 3884.16—2014《銅精礦化學(xué)分析方法 第16部分：二氧化硅量的測(cè)定氟硅酸鉀滴定法和重量法》。規(guī)定了銅精礦中二氧化硅含量的測(cè)定方法。適用于銅精礦中二氧化硅含量的測(cè)定。方法1的測(cè)定質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.50%～32.00%；方法2的測(cè)定質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.50%～40.00%（注：本部分方法2為仲裁方法）。

GB 51034—2014《多晶硅工廠(chǎng)設(shè)計(jì)規(guī)范》。其中，第4.2.8、6.1.3(9)、6.1.6(3)、6.2.8(3)、8.1.1、8.2.1(2、3、5)、8.2.5(3)、8.3.1(2、3)、8.3.2(2)、8.6.4、9.1.3、9.3.4、9.4.3、9.5.2、10.1.3、10.3.4、10.3.6、10.3.9、11.1.6、11.2.3、12.2.5條（款）為強(qiáng)制性條文，必須嚴(yán)格執(zhí)行。適用于采用三氯氫硅氫還原法的新建、擴(kuò)建和改建多晶硅工廠(chǎng)的工程設(shè)計(jì)，也適用于硅烷歧化法多晶硅廠(chǎng)中三氯氫硅合成、四氯化硅氫化和氯硅烷提純的工程設(shè)計(jì)。

GB/T 6730.10—2014《鐵礦石 硅含量的測(cè)定 重量法》。規(guī)定了用重量法測(cè)定鐵礦石中硅含量。適用于天然鐵礦石、鐵精礦和人造塊礦，包括燒結(jié)產(chǎn)品。測(cè)定范圍：質(zhì)量分?jǐn)?shù)1.00%～15.00%。方法1不適用于還原劑質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于2%的鐵礦石，例如黃鐵礦，或氟質(zhì)量分?jǐn)?shù)超過(guò)0.1%的鐵礦石。此法推薦用于兩性元素含量較高的低品位礦石。方法2可用于氟質(zhì)量分?jǐn)?shù)量大于0.1%的鐵礦石。此法推薦用于含脈石低的高品位礦石。

HG/T 4692—2014《工業(yè)氟硅酸銨》。規(guī)定了工業(yè)氟硅酸銨的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、標(biāo)簽、包裝、運(yùn)輸、貯存。適用于工業(yè)氟硅酸銨。該產(chǎn)品用于阻燃劑、玻璃蝕刻劑、紡織品的防蛀劑、木材防腐劑、洗衣粉添加劑、印染、鍍鎳鈍化、潤(rùn)滑劑添加劑及制備多晶硅等。也用于輕金屬澆鑄，銅、鐵、鋅的電鍍液、綠砂中提鉀及制取人造冰晶石和氯酸銨等。

HG/T 4693—2014《工業(yè)氟硅酸鉀》。規(guī)定了工業(yè)氟硅酸鉀的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、標(biāo)簽、包裝、運(yùn)輸、貯存。適用于工業(yè)氟硅酸鉀。該產(chǎn)品用于光學(xué)玻璃制造、陶瓷制造、合成云母、鋁鎂的冶煉及稀有金屬的提取等，還用于電碳材料添加劑、木材防腐劑、殺蟲(chóng)劑、焊接材料和鉻電鍍等。

HG/T 4734—2014《紡織染整助劑 氨基硅油柔軟劑 黃變性能的測(cè)定》。規(guī)定了紡織染整助劑中氨基硅油柔軟劑黃變性能測(cè)定的試驗(yàn)方法。適用于紡織染整助劑中氨基硅油柔軟劑黃變性能的測(cè)定。

HG/T 4755—2014《聚硅氧烷涂料》。規(guī)定了聚硅氧烷涂料的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝和貯存等內(nèi)容。適用于以含反應(yīng)性官能團(tuán)的聚硅氧烷樹(shù)脂為主要成膜物，并加入適量的改性樹(shù)脂、顏填料、助劑、溶劑等輔料，非多異氰酸酯固化的常溫固化型鋼結(jié)構(gòu)表面用高耐久性面漆。

HG/T 4789—2014《工業(yè)用甲基三乙氧基硅烷》。規(guī)定了工業(yè)用甲基三乙氧基硅烷的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和安全。適用于以甲基三氯硅烷為原料，與乙醇反應(yīng)后精制而得的甲基三乙氧基硅烷。

HG/T 4804—2015《甲基高含氫硅油》。規(guī)定了甲基高含氫硅油的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)式、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存。適用以甲基二氯硅烷為原料，三甲基一氯硅烷為封端劑，在酸性介質(zhì)中聚合而成的甲基高含氫硅油。

JB/T 3078—2015《電氣絕緣用漆 有機(jī)硅浸漬漆》。規(guī)定了電氣絕緣用有機(jī)硅浸漬漆的分類(lèi)與命名、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、貯存和運(yùn)輸。適用于電氣絕緣用H級(jí)有機(jī)硅浸漬漆。

JB/T 7093—2015《絕緣軟管 硅樹(shù)脂玻璃纖維自熄管》。規(guī)定了電氣用硅樹(shù)脂玻璃纖維自熄管的產(chǎn)品分類(lèi)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存。適用于由無(wú)堿玻璃纖維編織管經(jīng)高溫處理涂以有機(jī)硅共聚樹(shù)脂而成的電氣用自熄管。

JB/T 9448—2015《靜電復(fù)印機(jī)用硅橡膠定影壓力輥技術(shù)條件》。規(guī)定了靜電復(fù)印機(jī)用硅橡膠定影壓力輥的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存的要求。適用于靜電復(fù)印機(jī)用硅橡膠定影壓力輥，激光打印機(jī)用硅橡膠定影壓力輥可參照?qǐng)?zhí)行。

JC/T 2235—2014《混凝土用硅質(zhì)防護(hù)劑》。規(guī)定了混凝土用硅質(zhì)防護(hù)劑的術(shù)語(yǔ)和定義、分類(lèi)、標(biāo)記、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)識(shí)、保證、運(yùn)輸及貯存。適用于噴涂或刷涂在混凝土表面，通過(guò)滲透到混凝土內(nèi)部且不明顯改變混凝土外觀(guān)，從而達(dá)到提高混凝土表面性能的硅質(zhì)防護(hù)劑產(chǎn)品。

JC/T 2236—2014《預(yù)應(yīng)力高強(qiáng)混凝土樁用硅砂粉應(yīng)用技術(shù)規(guī)程》。規(guī)定了硅砂粉在預(yù)應(yīng)力高強(qiáng)混凝土樁生產(chǎn)中作為混凝土摻合料替代部分水泥使用時(shí)的進(jìn)貨要求、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求、工藝技術(shù)要求。適用于采用蒸壓養(yǎng)護(hù)工藝時(shí)硅砂粉在預(yù)應(yīng)力高強(qiáng)混凝土樁生產(chǎn)中使用的技術(shù)規(guī)定。硅砂粉在其它混凝土制品生產(chǎn)中使用時(shí)也可參照?qǐng)?zhí)行。

JC/T 2247—2014《硅酸鋯研磨介質(zhì)球》。規(guī)定了硅酸鋯研磨介質(zhì)球的術(shù)語(yǔ)和定義、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等。適用于尺寸介于φ0.5～15mm、硅酸鋯原料質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于60%的研磨介質(zhì)球。

JC/T 2273—2014《硅烷/硅氧烷建筑防護(hù)劑中有效成分含量及有害物質(zhì)測(cè)定方法》。規(guī)定了硅烷/硅氧烷建筑防護(hù)劑中有效成分和有害物質(zhì)測(cè)定的術(shù)語(yǔ)和定義、試驗(yàn)方法和試驗(yàn)報(bào)告。適用于硅烷、硅氧烷建筑防護(hù)劑中硅烷和硅氧烷有效成分的測(cè)定。適用于硅烷、硅氧烷建筑防護(hù)劑中甲醇、苯、甲苯、乙苯和二甲苯總和、揮發(fā)性有機(jī)化合物、水溶性氯離子等有害物質(zhì)的測(cè)定。

JT/T 991—2015《橋梁混凝土表面防護(hù)用硅烷膏體材料》。規(guī)定了橋梁混凝土表面防護(hù)用硅烷膏體材料的術(shù)語(yǔ)和定義、分類(lèi)和標(biāo)記、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則，以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存。適用于對(duì)混凝土橋梁結(jié)構(gòu)表面防護(hù)用的硅烷膏體材料的生產(chǎn)和使用。

QB/T 2346—2015《口腔清潔護(hù)理用品牙膏用二氧化硅》。規(guī)定了牙膏用二氧化硅的產(chǎn)品分類(lèi)、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和保質(zhì)期。適用于化學(xué)反應(yīng)方法制備之二氧化硅系列產(chǎn)品，主要用于牙膏。

SJ/T 11491—2015《短基線(xiàn)紅外吸收光譜法測(cè)量硅中間隙氧含量》。規(guī)定了用短基線(xiàn)紅外光譜法測(cè)定硅中間隙氧含量。

SJ/T 11493—2015《硅襯底中氮濃度的二次離子質(zhì)譜測(cè)量方法》。規(guī)定了用二次離子質(zhì)譜法（SIMS）對(duì)硅襯底單晶體材料中氮總濃度的測(cè)試方法。

SJ/T 11494—2015《硅單晶中III-V族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法》。規(guī)定了硅單晶中硼、磷雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法。

SJ/T 11495—2015《硅中間隙氧的轉(zhuǎn)換因子指南》。規(guī)定了硅中間隙氧的轉(zhuǎn)換因子指南。

SJ/T 11498—2015《重?fù)焦枰r底中氧濃度的二次離子質(zhì)譜測(cè)量方法》。規(guī)定了用二次離子質(zhì)譜法（SIMS）對(duì)重?fù)焦枰r底單晶體中總氧含量的測(cè)試方法。

SJ/T 11499—2015《碳化硅單晶電學(xué)性能的測(cè)試方法》。規(guī)定了利用范德堡法測(cè)試6H、4H等晶型碳化硅單晶的導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率、遷移率、載流子含量的方法。

SJ/T 11500—2015《碳化硅單晶晶向的測(cè)試方法》。規(guī)定了利用X射線(xiàn)衍射定向法測(cè)定6H、4H等晶型碳化硅單晶晶向的方法。

SJ/T 11501—2015《碳化硅單晶晶型的測(cè)試方法》。規(guī)定了利用拉曼光譜測(cè)定碳化硅單晶的結(jié)晶類(lèi)型的方法。

SJ/T 11502—2015《碳化硅單晶拋光片規(guī)范》。規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的術(shù)語(yǔ)和定義、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、貯存和運(yùn)輸?shù)葍?nèi)容。

SJ/T 11503—2015《碳化硅單晶拋光片表面粗糙度的測(cè)試方法》。規(guī)定了用表面輪廓儀和原子力顯微鏡測(cè)定碳化硅單晶拋光片表面粗糙度的方法。

SJ/T 11504—2015《碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量的測(cè)試方法》。規(guī)定了碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量的目視檢驗(yàn)方法，觀(guān)察樣品表面的六方孔洞、劃痕、凹坑、顆粒、沾污、亮點(diǎn)缺陷、裂紋、崩邊的數(shù)量并用鋼板尺測(cè)量劃痕的總長(zhǎng)度等。

DB 33/972—2015《太陽(yáng)能晶體硅單位產(chǎn)品可比電耗限額及計(jì)算方法》。規(guī)定晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)過(guò)程中，單位產(chǎn)品可比電耗限額及計(jì)算方法。適用于浙江省內(nèi)晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)企業(yè)單位產(chǎn)品可比電耗的計(jì)算、考核及電耗控制。