反鐵磁Cr插入層對(duì)CoFe/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)的隧穿磁電阻的影響

初 冰， 卞寶安， 吳亞敏

(江南大學(xué)理學(xué)院， 無錫 214122)

反鐵磁Cr插入層對(duì)CoFe/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)的隧穿磁電阻的影響

初 冰， 卞寶安， 吳亞敏

(江南大學(xué)理學(xué)院， 無錫 214122)

利用基于密度泛函理論和非平衡態(tài)格林函數(shù)的第一性原理計(jì)算研究了CoFe/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)的隧穿磁電阻效應(yīng).給出了該隧道結(jié)隧穿磁電阻與偏壓的依賴關(guān)系，并計(jì)算了平行結(jié)構(gòu)與反平行結(jié)構(gòu)相應(yīng)的I-V特性曲線和傳輸譜.通過在一側(cè)電極與勢壘層之間插入反鐵磁金屬Cr層，觀察到了隧穿磁電阻、電導(dǎo)隨插入層Cr層數(shù)增加發(fā)生衰減和2個(gè)原子層周期的振蕩現(xiàn)象，這主要是由于Cr擁有反鐵磁結(jié)構(gòu)，在Cr/ MgO界面形成了與Cr磁矩取向相關(guān)的界面散射.

磁性隧道結(jié); 隧穿磁電阻; 第一性原理計(jì)算; 反鐵磁Cr

1 引 言

1975年，法國學(xué)者Jullier[1]首先在Fe/Ge/Co磁性隧道結(jié)(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)中觀察到了低溫下的隧穿磁電阻(Tunneling Magnetoresistance, TMR)效應(yīng).但由于觀察到的隧穿磁電阻很小以及當(dāng)時(shí)實(shí)驗(yàn)室暫不具備納米加工的實(shí)驗(yàn)條件，因此近20年時(shí)間里隧穿磁電阻效應(yīng)并沒有獲得太多關(guān)注.直至1995年，Miyazaki等[2]在氧化鋁磁性隧道結(jié)中發(fā)現(xiàn)了達(dá)18%的室溫隧穿磁電阻，這一效應(yīng)才引起了充分重視.2001年，Bulter等[3]所在的工作小組利用第一性原理計(jì)算預(yù)言在Fe/MgO/Fe磁性隧道結(jié)中會(huì)出現(xiàn)大于1000%的隧穿磁電阻.隨后，美國IBM公司的Parkin研究小組[4]利用磁控濺射方法制備了MgO勢壘磁性隧道結(jié)，獲得了室溫高達(dá)220%的隧穿磁電阻.Yuasa等[5]也利用分子外延方法制備了Fe/MgO/Fe磁性隧道結(jié)，并得到了室溫下達(dá)180%的隧穿磁電阻.實(shí)驗(yàn)證明，MgO勢壘對(duì)△1對(duì)稱性的電子具有自旋過濾作用，可以產(chǎn)生巨大的隧穿磁電阻.近年來，MgO勢壘磁性隧道結(jié)的研究取得了飛速進(jìn)展[6-8]，被廣泛應(yīng)用于自旋電子學(xué)器件領(lǐng)域中，例如磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(Magnetic Random Access Memory, MRAM)[9]、磁性傳感器(Magnetic Sensors)[10]、計(jì)算機(jī)硬盤磁讀頭(Magnetic Read Head in Hard Drive Disk)和新型可編程磁邏輯單元(Novel Programmalble Magnetic Logical Unit)等.

人們進(jìn)行大量實(shí)驗(yàn)和理論分析想要進(jìn)一步提高磁性隧道結(jié)的隧穿磁電阻效應(yīng)，一個(gè)簡便有效的方法就是在鐵磁電極與絕緣層之間插入金屬插層，這不僅會(huì)影響自旋隧穿過程，也可以優(yōu)化磁性隧道結(jié)的性能.插入層作為散射層，影響隧穿過程.插入層也可以調(diào)節(jié)鐵磁電極與勢壘層間的界面性質(zhì)，例如界面共振態(tài).2002年，Yuasa等[11]人利用分子束外延法制備出含有非磁性Cu插入層的磁性隧道結(jié)，并觀察到隧穿磁電阻隨Cu層厚度變化發(fā)生振蕩現(xiàn)象.2005年，Nagaham等[12]人實(shí)驗(yàn)得到了FeCo/Al-O/Cr/Fe磁性隧道結(jié)，隨著反鐵磁插入層Cr層厚度的增加，TMR表現(xiàn)出兩層周期振蕩.2009年，一系列文獻(xiàn)報(bào)道了在Fe/MgO/Fe磁性隧道結(jié)中插入Ag[13]和V[14]，經(jīng)過第一性原理計(jì)算，發(fā)現(xiàn)隧穿磁電阻效應(yīng)得到加強(qiáng).

顯然，金屬插入層對(duì)于磁性隧道結(jié)的隧穿磁電阻影響很大，是近年來自旋電子學(xué)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)之一.本文利用密度泛函理論和非平衡態(tài)格林函數(shù)，通過第一性原理計(jì)算分析反鐵磁性插入層Cr對(duì)CoFe/MgO/CoFe(001)磁性隧道結(jié)的隧穿磁電阻效應(yīng).

2 模型與計(jì)算方法

本文通過使用ATK軟件[15]，利用密度泛函理論(Density Functional Theory, DFT)和非平衡態(tài)格林函數(shù)(Non-Equilibrium Green Function, NEGF)，進(jìn)行第一性原理計(jì)算來研究磁性隧道結(jié)的隧穿磁電阻效應(yīng).計(jì)算時(shí)，交互相關(guān)函數(shù)采用局域自旋密度近似(Local Spin-Density Approximation, LSDA).考慮到計(jì)算速度與結(jié)果精度，Co、Fe、Cr原子的波函數(shù)設(shè)置為(Single Zeta Polarized, SZP)，其它原子的波函數(shù)設(shè)置為(Double Zeta Polarized, DZP)，設(shè)置k點(diǎn)網(wǎng)格為3×3×100，網(wǎng)格邊界為150 Ryd，自其計(jì)算中設(shè)置迭代控制參數(shù)公差為0.0001，溫度設(shè)置為1200 K.

在建立模型的過程中，采用6層CoFe電極作為磁性隧道結(jié)的左右電極，中間橋接著5層MgO絕緣勢壘層，左(右)電極距離中間勢壘層距離為1.8(1.9)?，如圖1(a)所示.插入層Cr從0到10層發(fā)生變化，距離左電極和中間勢壘層均為1.8 ?，圖1(b)顯示了插入6層Cr的磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu).

圖1 (a) CoFe/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，(b) 插入6層Cr的CoFe/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)Fig. 1 (a) Structure of CoFe/MgO/CoFe MTJ, (b) structure of CoFe/MgO/CoFe MTJ with 6-layer Cr

3 結(jié)果與分析

隧穿磁電阻效應(yīng)源自于電極中自旋極化電子通過勢壘層的隧穿過程[3]，它的定義為TMR=(GP-GAP)/GAP，其中GP、GAP分別代表兩電極平行與反平行時(shí)的隧穿電導(dǎo).根據(jù)上述公式計(jì)算了CoFe/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)隨偏壓變化的隧穿磁電阻效應(yīng)，如圖2所示.從圖中可以看出，隨著偏壓絕對(duì)值的增大，TMR呈現(xiàn)衰減現(xiàn)象，而反向偏壓引起隧道結(jié)的TMR變化急劇，正向偏壓引起隧道結(jié)的TMR變化緩慢.且在小范圍偏壓內(nèi)，CoFe/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)的TMR變化幅度很小，隨著偏壓范圍擴(kuò)大，TMR變化幅度變大.

圖2 隨偏壓變化CoFe/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)的隧穿磁電阻Fig. 2 TMR effect of CoFe/MgO/CoFe MTJ with growing bias voltage

TMR隨外加偏壓的增加而下降，從TMR的定義公式可以推測出磁性隧道結(jié)中反平行態(tài)隧穿電導(dǎo)GAP隨電壓的變化幅度大于平形態(tài)電導(dǎo)GP的變化幅度.Zhang等[16]人利用磁子激發(fā)理論來解釋TMR的電壓依賴特性，他們認(rèn)為磁激子在鐵磁電極與勢壘層界面處激發(fā)引起了非彈性散射，使得TMR隨偏壓增加而減小.當(dāng)有外加偏壓時(shí)，電子通常帶有高于鐵磁電極費(fèi)米能級(jí)的能量從一個(gè)鐵磁電極隧穿到另一個(gè)鐵磁電極，并且這些電子通過激發(fā)一個(gè)磁子來釋放能量，同時(shí)伴隨著自旋翻轉(zhuǎn)，當(dāng)偏壓增大，更多的電子發(fā)生自旋翻轉(zhuǎn)，從而降低了TMR.

圖3給出了兩電極磁化方向平行與反平行時(shí)的I-V特性曲線，其中包括自旋向上的電流(方形符號(hào)表示)、自旋向下的電流(圓形符號(hào)表示)、總電流(三角符號(hào)表示).可以看出，當(dāng)兩電極磁化方向平行時(shí)，在整個(gè)偏壓變化過程中，自旋向下的電流數(shù)量級(jí)很小(小于10-13)，幾乎對(duì)總電流不起作用，而自旋向上的電流數(shù)量級(jí)要高很多，幾乎代表了總電流.所以，對(duì)于平行結(jié)構(gòu)，隨偏壓變化時(shí)，自旋向上電子的隧穿起決定作用.而對(duì)于反平行結(jié)構(gòu)，當(dāng)偏壓為負(fù)向偏壓時(shí)，自旋向下的電流數(shù)值較小，自旋向上的電流數(shù)值較大，對(duì)總電流貢獻(xiàn)較大；當(dāng)偏壓為正向偏壓時(shí)，反而自旋向上的電流數(shù)值較小，自旋向下的電流數(shù)值較大，對(duì)總電流貢獻(xiàn)較大.

相應(yīng)地，圖4給出了平行結(jié)構(gòu)與反平行結(jié)構(gòu)的電子傳輸譜.顯而易見，費(fèi)米能級(jí)附近，偏壓變化對(duì)傳輸譜的影響很小.當(dāng)能量大于0.5 eV, 平行結(jié)構(gòu)的傳輸概率大于反平行結(jié)構(gòu).這與I-V結(jié)果是一致的.

圖3 CoFe/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)的I-V曲線 Fig. 3 I-V curves of CoFe/MgO/CoFe MTJ

圖4 不同偏壓下CoFe/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)的傳輸譜Fig. 4 Transmission spectra of CoFe/MgO/CoFe MTJ at various bias voltages

圖5 偏壓為0 mV、100 mV和200 mV時(shí)隧穿磁電阻隨插入層Cr層數(shù)增加的曲線Fig. 5 TMR effect as Cr interlayer increases at bias voltages of 0 mV, 100 mV, 200 mV

圖5為TMR隨Cr層增加的變化曲線.從圖中可以看出，零偏壓下，隨Cr層厚度增加，TMR發(fā)生振蕩和多次反轉(zhuǎn)，且幅度越來越小.當(dāng)Cr層為1層時(shí)，TMR急速增加并達(dá)到峰值86056.23%，緊接著，TMR迅速降低.在Cr層層數(shù)介于0到5層之間時(shí)，TMR逐層上下波動(dòng)，但均為正值.當(dāng)Cr層增加到6層時(shí)，TMR開始出現(xiàn)負(fù)值，且在Cr層層數(shù)大于5層后，可以看到TMR在正負(fù)值之間交替振蕩.

為了解釋上述隧穿磁電阻效應(yīng)，計(jì)算了零偏壓下隨Cr層變化時(shí)磁性隧道結(jié)平形態(tài)電導(dǎo)GP與反平行態(tài)電導(dǎo)GAP，結(jié)果如圖6所示.整體來看，GAP隨Cr層增加波動(dòng)幅度變化不大，而GP在Cr層超過2層后開始衰減并趨于平緩.當(dāng)Cr層厚度增加到1層時(shí)，平形態(tài)電導(dǎo)GP急速上升達(dá)到峰值,而GAP沒有變化，此時(shí)，GP與GAP之間差距最大，致使TMR阻值最大.當(dāng)Cr層增加到2層時(shí)，GP急速下降，GAP緩慢下降，這也導(dǎo)致了TMR阻值的迅速衰減.在Cr層位于0-5層時(shí)，GP總是大于GAP，所以TMR總為正值.當(dāng)Cr層位于5-10層時(shí)，相鄰兩層的GP與GAP交替變化，對(duì)于平形態(tài)電導(dǎo)GP，在奇數(shù)層較大，偶數(shù)層較小，反平態(tài)電導(dǎo)GAP正好與之相反，這就導(dǎo)致了TMR在正負(fù)值之間交替振蕩.

圖6 零偏壓下平行結(jié)構(gòu)與反平行結(jié)構(gòu)的電導(dǎo)隨Cr層增加的變化曲線Fig. 6 Parallel and antiparallel conductance as Cr interlayer increases at 0 bias voltage

可以通過隧穿電子的隧穿概率來解釋電導(dǎo)的衰減與振蕩.CoFe電極中自旋極化的△1能帶是MgO勢壘磁性隧道結(jié)隧穿磁電阻的主要原因[3]，因此，具有△1對(duì)稱性的電子為主要隧穿電子.圖7(8)為零偏壓下當(dāng)兩電極磁化平行時(shí)，Cr插入層從1層增加到8層時(shí)，磁性隧道結(jié)中具有△1對(duì)稱性自旋向上(下)電子的隧穿概率分布.可以清楚地看到，一開始隨著Cr層層數(shù)的增加，自旋向上電子的隧穿概率急劇下降，當(dāng)Cr層大于4層時(shí)，自旋向上電子的隧穿概率衰減幅度降低.因此平行態(tài)電導(dǎo)GP的衰減主要是由于自旋向上電子隧穿概率的降低.因?yàn)椴迦雽覥r在費(fèi)米能級(jí)處沒有△1能帶，所以Cr對(duì)于具有△1對(duì)稱性的隧穿電子是有效勢壘[17]，而圖7恰好顯示了平行狀態(tài)下自旋向上電子的隧穿概率隨Cr層的增加急劇衰減且四到五個(gè)原子層的Cr插入層幾乎可以完全抑制△1對(duì)稱性電子的隧穿.而自旋向下電子的隧穿概率隨Cr層變化上下波動(dòng)，且隧穿概率值一直很小(數(shù)量級(jí)小于10-8)，即自旋向下的隧穿電子數(shù)很少，對(duì)平形態(tài)電導(dǎo)GP數(shù)值貢獻(xiàn)不大但導(dǎo)致了平形態(tài)電導(dǎo)GP的振蕩.同樣地，通過計(jì)算隨Cr層變化反平行態(tài)自旋向上電子與自旋向下電子的隧穿概率發(fā)現(xiàn)，當(dāng)兩電極磁化方向成反平行態(tài)時(shí)，自旋向上電子和自旋向下電子的隧穿概率均不大，且均隨Cr層上下波動(dòng)，所以反平行態(tài)電導(dǎo)GAP數(shù)值很小且發(fā)生振蕩現(xiàn)象.

同樣地，計(jì)算了100 mV和200 mV偏壓下的TMR與插入層Cr的依賴關(guān)系，如圖5所示.整體來看，TMR隨插入層Cr層數(shù)增加的整體走向趨勢不變，但波動(dòng)幅度隨偏壓增大相對(duì)減弱.并且當(dāng)插入層Cr超過4層時(shí)，不同偏壓下的TMR都表現(xiàn)出周期為2層的振蕩現(xiàn)象，可以看出偏壓對(duì)TMR的振蕩周期沒有影響.Yuasa等[11]提出如果TMR振蕩起源于隧道結(jié)中的反鐵磁結(jié)構(gòu)，那么振蕩周期不會(huì)隨偏壓發(fā)生變化.Nagahama等[12]也通過實(shí)驗(yàn)證明2層周期的TMR源自于Cr的層間反鐵磁序.并且，Zhang等[17]人通過理論計(jì)算表明插入層Cr的反鐵磁性質(zhì)將引起TMR和電導(dǎo)的振蕩.因此，我們認(rèn)為目前的CoFe/Cr/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)因Cr層增加而引起周期為2個(gè)原子層的TMR和電導(dǎo)振蕩現(xiàn)象是因?yàn)镃r具有反鐵磁結(jié)構(gòu).對(duì)于不同厚度的Cr插入層，右側(cè)CoFe電極和MgO勢壘中隧穿電子的透射概率不變，而在左側(cè)CoFe/Cr界面卻差別很大.因?yàn)镃r具有反鐵磁層結(jié)構(gòu)，所以左側(cè)CoFe電極的磁化方向反平行耦合于CoFe/Cr界面的Cr層，緊接相鄰的Cr插入層的磁化方向隨插入層層數(shù)增加依次交互更替變化.對(duì)于所在插入層層數(shù)為偶數(shù)的Cr層，它們的磁化方向平行于左側(cè)CoFe電極，對(duì)于所在插入層層數(shù)為奇數(shù)的Cr層，它們的磁化方向反平行于左側(cè)的CoFe電極.當(dāng)插入層為偶數(shù)時(shí)，Cr/MgO界面處Cr磁化方向與左側(cè)CoFe電極平行，隧穿電子在界面處發(fā)生界面散射小，因此透射率較高；當(dāng)插入層為奇數(shù)時(shí)，Cr/MgO界面處Cr磁化方向與左側(cè)CoFe電極反平行，隧穿電子在界面處發(fā)生界面散射大，因此透射率較低.這說明了與Cr磁矩相關(guān)交替變化的界面散射造成了TMR和電導(dǎo)發(fā)生2層周期的振動(dòng)現(xiàn)象.

圖7 平行狀態(tài)下，Cr插入層位于1-8層之間，自旋向上電子的隧穿概率分布圖Fig.7 Probability distribution of up-spin electrons with 1-8 Cr interlayer for parallel configuration

圖8 平行狀態(tài)下，Cr插入層位于1-8層之間，自旋向下電子的隧穿概率分布圖Fig.8 Probability distribution of down-spin electrons with 1-8 Cr interlayer for parallel configuration

4 結(jié) 論

我們利用基于密度泛函理論和非平衡態(tài)格林函數(shù)的第一性原理計(jì)算研究了CoFe/MgO/CoFe磁性隧道結(jié)的隧穿磁電阻效應(yīng).從TMR與偏壓的依賴關(guān)系曲線可以看出隨著偏壓數(shù)值增加，TMR減小且幅度遞減.通過平行結(jié)構(gòu)與反平行結(jié)構(gòu)相應(yīng)的I-V特性曲線，觀察到對(duì)于平行結(jié)構(gòu)，自旋向上電子起主要作用，而對(duì)于反平行結(jié)構(gòu)，在負(fù)值偏壓范圍內(nèi)，自旋向上電流占主導(dǎo)，在正值偏壓范圍內(nèi)，自旋向下電流占主導(dǎo).通過在電極與勢壘層之間插入Cr層引起了隧穿磁電阻和電導(dǎo)的衰減和周期為2個(gè)原子層的振蕩.在Cr/MgO界面形成了與Cr磁矩取向相關(guān)的界面散射，Cr的層間反鐵磁結(jié)構(gòu)是TMR和電導(dǎo)發(fā)生振蕩的關(guān)鍵.研究表明，反鐵磁Cr層的插入可以引起TMR變化，對(duì)磁性隧道結(jié)在自旋電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用提供了一定的參考.

[1] Jullier M. Tunneling between ferromagnetic films [J].Phys.Lett. A, 1975, 54: 225.

[2] Miyazaki T, Tezuka N. Giant magnetic tunneling effect in Fe/Al2O3/Fe junctions [J].J.Magn.Magn.Mater., 1995, 139(3): L231.

[3] Bulter W H, Zhang X G, Schulthess T C,etal. Spin-dependent tunneling conductance of Fe/MgO/Fe sandwiches [J].Phys.Rev. B, 2001, 63(5): 054416.

[4] Parkin S S P, Kaiser C,etal. Giant tunneling magnetoresistance at room temperature with MgO (100) tunnel barriers [J].Nat.Mater., 2004, 3(12): 862.

[5] Yuasa S, Nagahama T, Fukushima A,etal. Giant room-temperature magnetoresistance in single-crystal Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions [J].Nat.Mater., 2004, 3(12): 868.

[6] Chen B, Tan S G. Phenomenological study of barrier imperfection and interfacial scattering on MgO based tunnel junctions [J].JournalofAppliedPhysics, 2014, 115(3): 034507.

[7] Witold S, Maciej C, Marek F,etal. Influence of MgO tunnel barrier thickness on spin-transfer ferromagnetic resonance and torque in magnetic tunnel junctions [J].Phys.Rev. B, 2013, 87: 094419.

[8] Bonell F, Hauet T, Andrieu S,etal. Spin-polarized electron tunneling in bcc FeCo/MgO/FeCo(001) magnetic tunnel juntions [J].Phys.Rev.Lett., 2012, 108(17): 176602.

[9] Hou Z, Silva A V, Leitao D C,etal. Micromagnetic and magneto-transport simulations of nanodevices based on MgO tunnel junctions for memory and sensing applications [J].PhysicaB:CondensedMatter, 2014, 435: 163.

[10] Wu S B, Chen S, Li H,etal. Researching progress of the 1/f noise in TMR and GMR sensors [J].ActaPhys.Sin., 2012, 61(9): 097504 (in Chinese) [吳少兵, 陳實(shí), 李海, 等. TMR與GMR傳感器1/f噪聲的研究進(jìn)展[J]. 物理學(xué)報(bào), 2012,61(9): 097504]

[11] Yuasa S, Nagahama T, Suzuki Y. Spin-polarized resonant tunneling in magnetic tunnel junctions [J].Science, 2002, 297(5579): 234.

[12] Nagahama T, Yuasa S, Tamura E,etal. Spin-dependent tunneling in magnetic tunnel junctions with a layered antiferromagnetic Cr(001) spacer：role of band structure and interface scattering [J].Phys.Rev.Lett., 2005, 95(8): 86602.

[13] Autes G, Mathon J, Umerski A. Theory of resonant spin-dependent tunneling in an Fe/Ag/MgO/Fe(001) junction [J].Phys.Rev. B, 2009, 80(2): 24415.

[14] Feng X B, Bengone O, Alouani M,etal. Interface and transport properties of Fe/V/MgO/Fe and Fe/V/Fe/MgO/Fe magnetic tunneling junctions [J].Phys.Rev. B, 2009, 79(21): 214432.

[15] http:∥quantumwise.com

[16] Zhang S,Levy P M, Marley A C,etal. Quenching of magnetoresistance by hot electrons in magnetic tunnel junctions [J].Phys.Rev.Lett., 1997, 79: 3744.

[17] Zhang J, Wang Y, Zhang X G,etal. Inverse and oscillatory magnetoresistance in Fe(001)/ MgO/ Cr/ Fe magnetic tunnel junctions [J].Phys.Rev. B, 2010, 82(13)： 134449.

Effect of antiferromagnetic Cr layer on tunneling magnetoresistance of CoFe/MgO/CoFe magnetic tunnel junction

CHU Bing, BIAN Bao-An, WU Ya-Min

( School of Science, Jiangnan University, Wuxi 214122, China)

We carried out the first-principles calculations based on density functional theory (DFT) and non-equilibrium Green function (NEGF) to investigate the tunneling magnetoresistance (TMR) effect in CoFe/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions. The TMR dependence on bias voltage was displayed and corresponding I-V curves and transmission spectra with parallel and antiparallel alighnment were also provided. By inserting antiferromagnetic Cr layer between one electrode and the barrier, the decay and 2-layer-period oscillation phenomenon in TMR ratio were found. This effect is attributed to the interface scattering on Cr/MgO interface related to Cr magnetic orientation which is arisen by the antiferromagnetic ordering of Cr layer.

Magnetic tunnel junction; Tunneling magnetoresistance; First-principles calculations; Antiferromagnetic Cr

國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11005050)

初冰(1989—)，女，山東煙臺(tái)人，碩士研究生，主要研究方向?yàn)楣怆姴牧吓c器件.

卞寶安. E-mail: baoanbian@163.com

103969/j.issn.1000-0364.2015.10.022

O471.1

A

1000-0364(2015)05-0853-06

投稿日期: 2014-07-24