戴沈華,彭富林,朱媛媛,何秀明,郭新立
(1.東南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,江蘇南京210096;2.蘇州電器科學(xué)研究院股份有限公司,江蘇蘇州215011;3.東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院,江蘇南京210096)
鉬酸鹽(AMoO4,A=Ca,Sr,Ba)是典型的白鎢礦晶型,有著四方對稱結(jié)構(gòu)(空間群I41/a),其中[AO8]多面體與[MoO4]四面體之間是通過共角相連,[AO8]多面體之間是通過共邊相連.在白鎢礦結(jié)構(gòu)中,A位的兩價離子可以被一價堿金屬和三價稀土金屬離子代替,形成同樣具有白鎢礦型的稀土二鉬酸鹽[1-2].
Eu3+離子在紅光、純紅光波段有較強的發(fā)射光譜,成為當前紅色稀土熒光粉中應(yīng)用最廣泛的稀土離子.以白鎢礦結(jié)構(gòu)鉬酸鹽為基體的熒光粉,具有良好的物理化學(xué)穩(wěn)定性.在有些堿金屬和Eu3+共摻雜的MoO4
2-基團中,Mo-O具有較強的共價鍵,和加入的一價堿金屬形成電荷補償效應(yīng),使得Eu3+的濃度效應(yīng)相對減弱,Eu3+的摻雜濃度可以很高,甚至可以達到100%的基質(zhì)組成而不發(fā)生濃度猝滅[3].因此,具有電荷補償效應(yīng)的NaLa(MoO4)2∶Eu3+發(fā)光強度更高,是傳統(tǒng)的硫化物熒光粉的好幾倍[4],可以承受高功率激發(fā),是一種新型高效的發(fā)光二極管(LED)用熒光粉.Eu3+離子激發(fā)的鉬酸鹽的激發(fā)光譜在紫光和藍光附近有兩個線性激發(fā)峰(470,395 nm)[4-6],也可以被紫外(峰值為 270 nm)[6]激發(fā)從而發(fā)出紅光,這些波段適合作為GaN和InGaN芯片的紅色熒光涂敷材料.
目前常用的鉬酸鹽合成法主要包括固相法[7]、溶膠 -凝膠法[8]和水熱法[9]等.水熱法是文獻報道最多的熱點合成方法之一,與傳統(tǒng)固相法相比,具有反應(yīng)溫度低、合成粉體的結(jié)晶性好、產(chǎn)物形貌規(guī)整等優(yōu)點,但是其加熱過程仍然是通過熱傳導(dǎo),無法消除加熱和冷卻過程中的溫度梯度.微波輻射加熱是一種體加熱,具有加熱速度快、加熱均勻、無溫度梯度、無滯后效應(yīng)等特點.微波在化學(xué)反應(yīng)中加快了合成速率,可以達到普通反應(yīng)的十倍甚至千倍[10].本研究使用微波輻射加熱的方法,合成具有均勻粒徑尺寸的微米級NaLa(MoO4)2∶Eu3+顆粒,并測定其光致發(fā)光性能.
試驗采用微波水熱的方法合成NaLa(MoO4)2粉體.步驟如下:將La2O3(質(zhì)量分數(shù)為99.99%)溶于HNO3溶液;然后緩慢蒸發(fā)多余的 HNO3,制得La(NO3)3;用蒸餾水配成一定濃度的溶液.用反應(yīng)試管取適量上述溶液,先后加入不同質(zhì)量的CTAB(質(zhì)量分數(shù) 99.00%)和 0.391 0 g Na2MoO4·2H2O(質(zhì)量分數(shù)99.00%);磁力攪拌2 min后,放到控制功率20 W的微波反應(yīng)系統(tǒng)中反應(yīng)3 h;然后自然冷卻到室溫;將所得沉淀用蒸餾水清洗3~5次后烘干,得到 NaLa(MoO4)2粉體.NaLa(MoO4)∶Eu3+粉體的合成,需要將Eu2O3(質(zhì)量分數(shù)為99.99%)與La2O3(質(zhì)量分數(shù)為99.99%)按一定物質(zhì)的量比溶于HNO3溶液,然后緩慢蒸發(fā)多余的HNO3,制得硝酸鹽,其他步驟與NaLa(MoO4)2粉體的合成相同.
采用X射線衍射儀(XRD,ARL X'TRA,瑞士Thermo Electron公司)對合成的產(chǎn)物進行物相分析.通過掃描電子顯微鏡(SEM,JSM-5900,日本JEOL公司)觀察合成的產(chǎn)物的形貌和大小.使用能譜儀(EDS,Vantage DSI,美國 Thermo公司)進行化學(xué)元素的探測.粒徑分布通過馬爾文Mastersizer 2000對合成的粉體的粒徑進行測量.使用高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM,JEM-2010UHP,日本JEOL公司)觀察顆粒的顯微結(jié)構(gòu).采用分子熒光光譜儀(Fluorolog 3-221,法國Jobin Yvon有限公司)測量樣品的發(fā)光性能.
使用微波輻射加熱的方法,合成NaLa(MoO4)2粉體,研究了表面活性劑CTAB對合成產(chǎn)物形貌的影響.圖1為CTAB的加入濃度對產(chǎn)物形貌及尺寸影響的SEM像.圖2為溶液中CTAB濃度不同時合成的樣品粒徑分布圖.
由圖1a可以看到,在不添加CTAB時合成的顆粒直徑約800 nm,形狀不規(guī)則并且黏結(jié)嚴重;隨著溶液中加入了5 mmol·L-1的CTAB,合成的產(chǎn)物是粒徑從100 nm到2 μm的球形顆粒.
借助圖2a的粒徑分布來看,粒徑分布有2個峰值,一個峰值在550~631 nm,另一個峰值在2.2~2.5 μm,中心粒徑D50=0.961 μm.隨著 CTAB 的增加,合成產(chǎn)物的粒徑分布有所變化.當加入CTAB為10 mmol·L-1時,形貌與加入5 mmol·L-1CTAB 的樣品類似(圖1c).從圖2b的粒徑分布可以看到,大顆粒比例降低,測得中心粒徑D50=0.876 μm.增加CTAB的濃度為20 mmol·L-1,顆粒大小趨向統(tǒng)一(圖1d).由對應(yīng)的粒度分析的結(jié)構(gòu)可知:單峰呈正態(tài)分布,且分布范圍較窄,中心粒徑在0.854 μm.CTAB的加入改善了粉體的均一性與分散性,有利于形成致密的熒光粉涂層,并提高器件的發(fā)光效率.
圖1 CTAB加入量對產(chǎn)物的形貌尺寸影響的SEM像
圖2 溶液中CTAB濃度不同時合成的樣品粒徑分布圖
圖3為NaLa(MoO4)2粉體圖譜.微波輻射合成的球形NaLa(MoO4)2粉體通過Cu包埋減薄后進行TEM的觀察.
圖3a是一個減薄后的顆粒的碎片,右下角的電子衍射圖表明該樣品是多晶顆粒,(112)晶面上衍射強度比其他方向大;圖3b是典型的高分辨像,可以看到晶面大部分沿[112]取向,測得其晶面間距約為 0.318 nm,對應(yīng)了四方相 NaLa(MoO4)2的(112)晶面的面間距;圖3c的EDS譜圖說明了樣品中只含有O,Na,Mo和La等元素,沒有檢測到其他的雜質(zhì)元素,另外探測到的Cu元素來自透射制樣包埋的Cu;圖3d為對應(yīng)樣品的XRD圖譜,所有的峰均與標準卡片JSPDS No.79-2243相對應(yīng)(四方晶系,空間群為I41/a(88)),進一步說明合成產(chǎn)物是純的NaLa(MoO4)2相.
圖3 NaLa(MoO4)2圖譜
對微波水熱合成的球形NaLa(MoO4)2∶Eu3+(摩爾分數(shù)為10%)進行了室溫PL譜的研究.圖4為監(jiān)測波長616 nm時NaLa(MoO4)2∶Eu3+的激發(fā)光譜.
圖4 λem=616 nm,NaLa(MoO4)2∶Eu3+的室溫激發(fā)光譜圖
該光譜主要由兩部分構(gòu)成[4,11-13]:在 250 ~350 nm的連續(xù)譜為基質(zhì)吸收,對應(yīng)了Mo6+-O2-和Eu3+-O2-的電荷轉(zhuǎn)移;在350~500 nm段有很多尖銳的吸收峰,為Eu3+離子的f-f躍遷吸收,其中在394 nm處的峰歸屬于Eu3+的7F0→5L6躍遷,位于464 nm的激發(fā)峰歸屬于7F0→5D2躍遷,說明了球形粉體能被394 nm的近紫外光和464 nm藍光有效地激發(fā),進而與近紫外和藍色LED芯片的發(fā)射范圍相匹配.其余激發(fā)峰分別對應(yīng)Eu3+的7F0→5D4,7F0→5GJ,7F0→5L7,7F0→5D3和7F0→5D1躍遷.
室溫下,橢圓形NaLa(MoO4)2∶Eu3+的激發(fā)光譜如圖5所示.394 nm激發(fā)的發(fā)射光譜由一組尖峰組成,為Eu3+的特征譜線,分別屬于Eu3+的不同初態(tài)5D0到終態(tài)7FJ(J=1 ~4)的躍遷[2,4,13].
2個主要發(fā)射峰:位于590 nm附近較弱的峰,是由Eu3+磁偶極子躍遷5D0→7F1引起的;位于616 nm主發(fā)射峰是由Eu3+電偶極子的5D0→7F2的躍遷引起的.5D0→7F2躍遷比5D0→7F1強,說明Eu3+占據(jù)非反演對稱中心的位置.其余在653和701 nm處的弱峰對應(yīng)于Eu3+的5D0→7F3和5D0→7F4躍遷.
圖5 λem=394 nm,NaLa(MoO4)2∶Eu3+的室溫發(fā)射光譜圖
使用微波輻射法,在溶液中加入CTAB,合成了均勻的球形NaLa(MoO4)2粉體顆粒.隨著CTAB加入量的增加,顆粒團聚減少,直徑減小,粒度分布變窄.結(jié)構(gòu)分析表明:NaLa(MoO4)2顆粒為四方相的白鎢礦多晶結(jié)構(gòu).NaLa(MoO4)2∶Eu3+的室溫光致發(fā)光(PL)譜圖表明樣品可以被紫外、近紫外和藍光有效激發(fā),從而發(fā)射波長為616 nm的高強度紅光,使其在熒光粉轉(zhuǎn)換的LED領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用價值.
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