趙志剛 趙新麗 程志光 劉福貴 劉蘭榮 汪友華 楊慶新
(1.河北工業(yè)大學(xué)電磁場與電器可靠性省部共建重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 天津 300130 2.保定天威集團(tuán)有限公司技術(shù)中心 保定 071056 3.天津工業(yè)大學(xué)電氣工程與自動化學(xué)院 天津 300387)
特高壓、特大容量電力變壓器中,由取向硅鋼片制成的疊片鐵心和磁屏蔽,以及由導(dǎo)磁鋼板組成的構(gòu)件(如:變壓器油箱、鐵心拉板)中的磁通分布和損耗分布,在電力變壓器設(shè)計(jì)過程中是備受關(guān)注的問題之一[1-4]。在不同的磁屏蔽構(gòu)建中,取向硅鋼疊片和導(dǎo)磁鋼板會表現(xiàn)出不同的電磁性能,漏磁通進(jìn)入取向硅鋼疊片和導(dǎo)磁鋼板結(jié)構(gòu)內(nèi)部所產(chǎn)生的三維渦流場和損耗計(jì)算是一個很具挑戰(zhàn)性的問題[5-13],其直接的工程背景是大型變壓器的漏磁場進(jìn)入鐵心拉板和相鄰的鐵心疊片或者進(jìn)入磁屏蔽,需要采取減少渦流損耗的措施,這對于大容量超高壓電力變壓器的設(shè)計(jì)尤其重要[14-17]。
在不同的激勵條件下,電工材料會表現(xiàn)出不同的電磁性能[18]。直流偏磁是電力變壓器的非正常工作狀態(tài),目前廣泛存在的是由高壓直流輸電系統(tǒng)(HVDC)引起的變壓器直流偏磁問題,當(dāng)直流輸電系統(tǒng)以單極大地回線方式或雙極不平衡方式運(yùn)行時,流入大地的直流電流會使附近中性點(diǎn)接地的交流變壓器發(fā)生直流偏磁。因此集中研究變壓器在直流偏磁工作條件下的規(guī)律和特性至關(guān)重要。國內(nèi)外文獻(xiàn)就交直流混合輸電所產(chǎn)生的問題進(jìn)行了一些研究和探討,就流入中性點(diǎn)的直流電流提出了一些抑制措施,其中對直流偏磁變壓器的勵磁電流也有一些專題研究[19-24]。
變壓器在直流偏磁工作條件下,由于直流磁通的作用使得變壓器鐵心的半周飽和程度加劇,漏磁通增大,因此直流偏磁條件下變壓器疊片鐵心和結(jié)構(gòu)件的電磁特性研究成為變壓器生產(chǎn)和運(yùn)行廠商密切關(guān)注的問題,作者對此已進(jìn)行了較系統(tǒng)的數(shù)值仿真和實(shí)驗(yàn)研究工作[25-29]。
本文設(shè)計(jì)并研制了具有漏磁通補(bǔ)償功能的變壓器結(jié)構(gòu)件雜散損耗測量模型,采用與在線運(yùn)行的變壓器發(fā)生直流偏磁時相同的交直流串聯(lián)的激勵方式,重點(diǎn)研究不同直流偏置磁場和交流激勵交叉作用時,漏磁通在立式磁屏蔽(M-type)、平式磁屏蔽(MEM-type)和導(dǎo)磁鋼板組成的屏蔽構(gòu)件中的損耗和磁通分布?;趯?shí)驗(yàn)結(jié)果建立了不同屏蔽構(gòu)件(立式磁屏蔽+導(dǎo)磁鋼板、平式磁屏蔽+導(dǎo)磁鋼板)的三維有限元仿真模型,實(shí)驗(yàn)所得數(shù)據(jù)和仿真分析結(jié)果有助于驗(yàn)證直流偏磁工況下屏蔽構(gòu)件雜散損耗計(jì)算方法的有效性,對于電力變壓器磁屏蔽設(shè)計(jì)階段的電磁性能分析具有一定的指導(dǎo)意義。
對于特大容量的變壓器,例如,1 000kV 特高壓變壓器,單臺產(chǎn)品的容量高達(dá)1 000MV·A,雜散損耗問題的研究就更為重要,不可忽視任何一個導(dǎo)致雜散損耗增加的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。本文基于如圖1 所示的具有漏磁通補(bǔ)償功能的變壓器結(jié)構(gòu)件雜散損耗測量模型,對大型電力變壓器中普遍采用的磁屏蔽由于直流偏磁漏磁通感應(yīng)產(chǎn)生的雜散損耗進(jìn)行了詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)研究和仿真計(jì)算。
圖1 實(shí)驗(yàn)?zāi)P图敖Y(jié)構(gòu)參數(shù)Fig.1 Structure and parameters of test model
實(shí)驗(yàn)?zāi)P陀蓛蓚€對稱的鐵心和線圈、裝置支架、運(yùn)動部件和被試品組成。被試品由立式和平式兩種結(jié)構(gòu)的磁屏蔽和鋼板組成,并且均嚴(yán)格按照現(xiàn)有典型變壓器產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。本實(shí)驗(yàn)制作完成的模型按照電力變壓器鐵心的標(biāo)準(zhǔn)工藝進(jìn)行疊裝,主要技術(shù)數(shù)據(jù)為:
(1)鐵心規(guī)格:硅鋼片牌號:30P120,2 個鐵心結(jié)構(gòu)尺寸均為600×100×200mm,90kg×2 個。
(2)激勵線圈:導(dǎo)線型號QQ—2,線徑Φ1.60,兩根并繞,260 匝/2 層,中間抽頭,激勵線圈和補(bǔ)償線圈繞向相反。
(3)測量線圈:導(dǎo)線型號QQ—2,線徑Φ0.56,260 匝/2 層,中間抽頭,激勵線圈和補(bǔ)償線圈繞向相反。
(4)屏蔽構(gòu)件:平式磁屏蔽及立式磁屏蔽(硅鋼片牌號:30P120),但疊積方式不同;導(dǎo)磁鋼板:Q235B。平式及立式屏蔽構(gòu)件尺寸,分別如圖2a、2b 所示。
圖2 磁屏蔽及導(dǎo)磁鋼板組合構(gòu)件(被試品)Fig.2 Combination of magnetic shield and magnetic plate
為了更直觀地分辨直流偏置磁場對磁屏蔽雜散損耗的影響,采用不同的直流偏置電流和交流電壓的交叉激勵對屏蔽構(gòu)件的電磁性能進(jìn)行了詳細(xì)地實(shí)驗(yàn)研究和分析,各種激勵方式見表1。
表1 模型激勵條件Tab.1 The exciting condition of the model
由于負(fù)載測量模型中激勵鐵心材料的非線性,造成負(fù)載損耗測量時引入了一個鐵心的非線性鐵損,為了分離出負(fù)載情況下除屏蔽構(gòu)件以外的損耗,需要設(shè)計(jì)一個空載模型來測量除屏蔽構(gòu)件以外的損耗,包括鐵心損耗和線圈的渦流損耗。如果空、負(fù)載工況下鐵心的工作磁通密度和空間漏磁場分布相同,即可保證空、負(fù)載狀況下鐵心和線圈渦流損耗相等。實(shí)驗(yàn)原理參見圖3,負(fù)載工況接線如圖4 所示,損耗數(shù)據(jù)由精密功率分析儀(WT3000,橫河)測量。
圖3 屏蔽構(gòu)件雜散損耗測量實(shí)驗(yàn)原理Fig.3 Experimental scheme for measuring stray loss of shield structure
圖4 實(shí)驗(yàn)接線圖(負(fù)載)Fig.4 Experimental wiring diagram (load condition)
3.2.1 損耗的測量
放置被試屏蔽構(gòu)件,增加電壓使二次測量線圈的電壓到指定數(shù)值(即達(dá)到指定漏磁強(qiáng)度),記錄測量線路的總損耗Pl。然后移去被試品,對激勵線圈和補(bǔ)償線圈同時施加激勵,形成方向相反的磁場,當(dāng)測量線圈的標(biāo)定電壓到負(fù)載狀態(tài)指定數(shù)值時,記錄測量線路的總損耗 P0,則被試屏蔽構(gòu)件的損耗Pt由式(1)確定
3.2.2 磁屏蔽表面磁通密度的測定
為了考察空氣中(磁屏蔽表面)的磁通密度分布情況,采用高斯計(jì)(7010 F.W.BELL,美國)對應(yīng)于圖5 所示位置,對空氣中的漏磁通密度進(jìn)行了測量。
圖5 磁屏蔽表面磁通密度測量位置示意圖Fig.5 The magnetic flux density measuring position on the surface of the magnetic shield
模型的二維仿真,主要目的是為了初步考察補(bǔ)償線圈對空間漏磁場分布的影響。仿真模型如圖6a 所示,空、負(fù)載漏磁場分布分別如圖6b、6c所示。
圖6 二維仿真模型及磁場分布Fig.6 2-D simulation model and magnetic field distribution
從圖6 所示的二維仿真結(jié)果可以看出,本文提出的實(shí)驗(yàn)?zāi)P驮诳铡⒇?fù)載工況下激勵線圈空間漏磁場分布具有很好的一致性。因此,用模型負(fù)載工況下的損耗減Pl(包括激勵鐵心損耗和激勵線圈損耗)減去空載損耗P0(包括兩倍的鐵心和線圈損耗)的一半,可以準(zhǔn)確地獲得被試品的損耗Pt。
用實(shí)驗(yàn)?zāi)P偷亩S仿真來確定模型實(shí)際的磁通和損耗分布是不精確的,更加精確的仿真結(jié)果需要用三維建模進(jìn)行仿真。此時需要考慮取向硅鋼疊片的非線性、磁導(dǎo)率各向異性和電導(dǎo)率各向異性。同時,由于疊片實(shí)體構(gòu)件尺寸巨大但彼此絕緣的單片厚度卻很?。?.3mm),若設(shè)疊片系數(shù)為0.97,片間絕緣的厚度只有0.3×3%=0.009(mm),直接按實(shí)際尺寸建模計(jì)算是不現(xiàn)實(shí)的,需要采用均勻化等效處理方法。
4.2.1 等效均勻化磁導(dǎo)率
磁屏蔽在疊積方向,疊片與疊片間氣隙(包括疊片絕緣層)的磁阻形成串聯(lián),如圖7 所示。根據(jù)磁阻串聯(lián)原理有
式中,μeq為等效磁導(dǎo)率;μiron為硅鋼磁導(dǎo)率;μ0為真空磁導(dǎo)率;W 為總疊片厚度;L 為疊片長度;Cf為疊片系數(shù)。
圖7 疊積方向磁各向異性的均勻化處理Fig.7 Homogenization of magnetic anisotropy in lamination direction
又 μiron=μrμ0,則均勻化的等效相對磁導(dǎo)率為
式中,μr>>Cf,式(5)可以簡化為
與疊片平行的兩個正交方向,疊片與疊片間的氣隙磁阻形成并聯(lián),如圖8 所示。
圖8 疊片平行方向磁各向異性的均勻化處理Fig.8 Homogenization of magnetic anisotropy in rolling and transverse direction
根據(jù)磁阻并聯(lián)原理有
則均勻化的等效相對磁導(dǎo)率為
式(10)中,μr>>1-Cf,可以簡化為
最終,磁屏蔽中疊片組的磁各向異性按式(12)進(jìn)行處理
式中,μx、μy分別為順沿軋制方向和垂直軋制方向的磁導(dǎo)率。
4.2.2 等效均勻化電導(dǎo)率
由于立式磁屏蔽硅鋼疊片的片寬很窄,可忽略各個方向的渦流反作用,給定電導(dǎo)率各向同性,σ<<1。計(jì)算和實(shí)測結(jié)果的比較表明,這樣的處理可以獲得較滿意的計(jì)算結(jié)果,并可顯著降低計(jì)算代價。
對于平式磁屏蔽,取向硅鋼疊片的片寬較大(200mm×860mm),不能忽略疊積平面內(nèi)的渦流效應(yīng)。因此,平式磁屏蔽電導(dǎo)率按式(13)處理。
式中,σ 為硅鋼片的電導(dǎo)率。
4.2.3 三維仿真結(jié)果
按上述磁屏蔽均勻化處理方法,建立了變壓器磁屏蔽構(gòu)件的三維有限元仿真模型。在不同的直流偏置漏磁場激勵下,立式屏蔽構(gòu)件和平式屏蔽構(gòu)件中的雜散損耗計(jì)算和測量結(jié)果,分別見表2 和表3。從表2 和表3 的結(jié)果可以看出,不同偏置激勵方式下,實(shí)驗(yàn)?zāi)P偷娜S仿真損耗計(jì)算結(jié)果和實(shí)際測量結(jié)果具有很好的一致性,證明了本文方法的可行性。
表2 立式屏蔽構(gòu)件雜散損耗結(jié)果Tab.2 Iron loss in components of m-type shielding
表3 平式屏蔽構(gòu)件雜散損耗結(jié)果Tab.3 Iron loss in components of mem-type shielding
綜上,在上述直流偏置漏磁通的激勵條件下(激勵方式:C2~C15),磁屏蔽構(gòu)件的雜散損耗相對于在幅值相等的標(biāo)準(zhǔn)正弦漏磁通激勵條件下(激勵方式:C1)產(chǎn)生的雜散損耗沒有實(shí)質(zhì)性的差異。
為了進(jìn)一步驗(yàn)證仿真結(jié)果的正確性,本文采用高斯計(jì)(Model 7010,F(xiàn).W.Bell,美國)對兩種形式的屏蔽構(gòu)件磁屏蔽表面的法向磁通密度進(jìn)行了測量和計(jì)算,以C8 為例,測量和計(jì)算結(jié)果如圖9 所示。需要指出的是,兩種形式的屏蔽構(gòu)件其磁屏蔽表面法向磁通密度的測量結(jié)果之間沒有實(shí)質(zhì)性的差異,但是損耗的結(jié)果之間卻有很大的差別,主要是由于垂直進(jìn)入磁屏蔽的法向磁通引起的附加渦流損耗不同所致,立式屏蔽采用的取向硅鋼疊片的片寬很小其渦流效應(yīng)較??;而平式屏蔽采用的取向硅鋼疊片的片寬較大其渦流效應(yīng)較強(qiáng)。
圖9 屏蔽表面沿y 方向的法向磁通密度測量及計(jì)算結(jié)果Fig.9 Measured and calculated Bxon the surface of the shield
(1)提出了一種基于漏磁通補(bǔ)償?shù)碾s散損耗測量方法并建立了相關(guān)的實(shí)驗(yàn)?zāi)P停谠撃P蛯χ绷髌挪煌慕涣骷詈椭绷髌么艌鼋徊孀饔脮r,屏蔽構(gòu)件中的雜散損耗進(jìn)行了詳細(xì)地實(shí)驗(yàn)研究,通過實(shí)驗(yàn)和仿真結(jié)果分析,說明了該方法能夠?qū)崿F(xiàn)屏蔽構(gòu)件中雜散損耗的準(zhǔn)確測量。
(2)基于兩種磁屏蔽中硅鋼片疊積方式的差異采用不同的建模方法,建立了變壓器屏蔽結(jié)構(gòu)件雜散損耗有限元仿真模型,通過計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果的比較,驗(yàn)證了仿真模型的有效性。
(3)本文所獲得的測量和計(jì)算結(jié)果、結(jié)論,將有助于合理地建立三維有限元分析模型,驗(yàn)證偏磁工況下電磁場分析和損耗計(jì)算方法的有效性,對于優(yōu)化磁屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及應(yīng)用研究等具有一定的指導(dǎo)意義。
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