趙凌志 彭 燕
(1.中國(guó)科學(xué)院電工研究所 北京 100190 2.中國(guó)科學(xué)院大學(xué) 北京 100049)
磁流體(Magneto Hydro Dynamic,MHD)推進(jìn)是利用海水中電流和磁場(chǎng)間的相互作用力使海水運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生推力的一種推進(jìn)方法。該技術(shù)最大的特點(diǎn)是無任何機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)部件,大大降低了由此引起的機(jī)械振動(dòng)和噪聲。因而,對(duì)于要求高隱蔽性和安靜性的領(lǐng)域,具有重要的應(yīng)用價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。此外,MHD 推進(jìn)的動(dòng)力輸出裝置相對(duì)靜止且不受轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)械的功率限制,可實(shí)現(xiàn)高航速、超大功率的艦船推進(jìn)。MHD 推進(jìn)還具有操縱容易、布局靈活等特點(diǎn)。
根據(jù)產(chǎn)生磁場(chǎng)的不同方式,MHD 推進(jìn)有直流和交流兩種方式。直流MHD 推進(jìn)按其推進(jìn)器的電磁力作用區(qū)域分為內(nèi)磁式和外磁式。直流內(nèi)磁式MHD 推進(jìn)器的漏磁低、電磁力密度大、推進(jìn)效率高,備受青睞;按通道的形狀,又分為直線通道MHD 推進(jìn)器、螺旋通道MHD 推進(jìn)器和環(huán)形MHD推進(jìn)器。
螺旋通道MHD 推進(jìn)器采用螺管超導(dǎo)磁體和螺旋通道。螺管超導(dǎo)磁體產(chǎn)生軸向磁場(chǎng),圓筒狀內(nèi)外電極間產(chǎn)生徑向電場(chǎng),進(jìn)而產(chǎn)生圓周方向的電磁力,推動(dòng)海水流動(dòng)。目前,螺管超導(dǎo)磁體制造技術(shù)已經(jīng)成熟,可以制造高場(chǎng)強(qiáng)、大口徑的超導(dǎo)磁體。相同的溫孔直徑下,螺管超導(dǎo)磁體比鞍形超導(dǎo)磁體的重量輕、體積小,且磁場(chǎng)強(qiáng)度高;此外,海水沿螺旋葉片流動(dòng),提高了電磁力作用的有效長(zhǎng)度。因而,螺旋通道MHD 推進(jìn)器的推進(jìn)效率高、推力密度大,是目前研究最多,最接近實(shí)用化的MHD 推進(jìn)器[1-7]。
為了軸向流動(dòng)和螺旋流動(dòng)的平滑轉(zhuǎn)換,螺旋通道MHD 推進(jìn)器在螺旋葉片的進(jìn)口設(shè)有導(dǎo)流器、出口有整流器。與螺旋葉片相比,導(dǎo)流器和整流器的幾何形狀更加復(fù)雜,更不規(guī)則,明顯具有三維結(jié)構(gòu)特征。結(jié)構(gòu)上的復(fù)雜性進(jìn)一步增加了分析影響螺旋通道MHD 推進(jìn)器性能的實(shí)際因素(如端部效應(yīng)、二次流、邊界層、哈特曼效應(yīng))的難度。通常采用二維模型甚至一維模型研究螺旋通道MHD 推進(jìn)器的性能特性,推力、MHD 壓升、效率等參數(shù)的計(jì)算結(jié)果顯著大于試驗(yàn)值。
一般將海水在端部磁場(chǎng)和端部電場(chǎng)中流動(dòng)時(shí)所發(fā)生的現(xiàn)象及其對(duì)MHD 推進(jìn)器運(yùn)行性能的影響稱為端部效應(yīng)。MHD 推進(jìn)器的端部效應(yīng)早已引起了人們的關(guān)注,且對(duì)直線通道MHD 推進(jìn)器端部效應(yīng)的研究較多,如譚作武等研究了直線通道MHD 推進(jìn)器的電極長(zhǎng)度與推進(jìn)器效率的關(guān)系[8];而對(duì)端部效應(yīng)本身的研究方法和量化方法卻鮮有報(bào)道。此外,螺旋通道結(jié)構(gòu)上的復(fù)雜性進(jìn)一步增加了分析研究螺旋通道MHD 推進(jìn)器端部效應(yīng)的難度。本文基于電磁流耦合場(chǎng)的三維數(shù)值計(jì)算,從焦耳熱能量損失角度提出了一種量化MHD 推進(jìn)器端部電場(chǎng)的方法;研究了螺旋通道MHD 推進(jìn)器端部電場(chǎng)的影響因素及其對(duì)運(yùn)行參數(shù)的影響。
圖1 為計(jì)算所得的某工況(雷諾數(shù)Re=1.9×105,外加電壓 U=25.71V)下螺旋通道內(nèi)的電流密度分布,其中帶箭頭的線僅表示電流的方向??梢钥闯?,在電極的兩端面附近,存在很大的電流密度;對(duì)于電極以外的導(dǎo)流段、整流段乃至進(jìn)口段和出口段,也存在一定大小的電流密度。將上述區(qū)域的電流稱為端部電流??梢钥闯?,端部電流除存在徑向電流分量Jr外,還產(chǎn)生很大的軸向電流分量Jz;且對(duì)應(yīng)同一端部,如整流器端,內(nèi)、外電極Jz的方向相反;對(duì)于同一電極,如內(nèi)電極,導(dǎo)流器端和整流器端Jz的方向相反。
圖1 螺旋通道內(nèi)部的電流分布(Re=1.9×105,U=25.71V)Fig.1 Current density’s distribution on typical planes with Re=1.9×105 and U=25.71V
海水的電導(dǎo)率很低,螺旋通道內(nèi)的磁雷諾數(shù)遠(yuǎn)小于1,感應(yīng)磁場(chǎng)及感應(yīng)電流的影響可以忽略不計(jì),因而電場(chǎng)強(qiáng)度與電流密度之間為線性關(guān)系,電流密度分布即可表示電場(chǎng)分布,端部電流即代表所對(duì)應(yīng)的端部電場(chǎng)。因而,本文用端部電流表示端部電場(chǎng),端部電流即端部電場(chǎng)。端部電場(chǎng)降低了螺旋通道有效段(與螺旋葉片相對(duì)應(yīng)的區(qū)域)的有效電場(chǎng)和有效電流分量Jr,產(chǎn)生焦耳熱損失,降低了有效電磁力密度和推進(jìn)器效率。
對(duì)于MHD 推進(jìn)器,端部電場(chǎng)對(duì)電磁力貢獻(xiàn)不大卻產(chǎn)生大量焦耳熱損失[8]。為了量化端部電場(chǎng),提供一個(gè)可參考的參數(shù),本文將導(dǎo)流區(qū)Ωf、整流區(qū)Ωr和有效區(qū)Ωh的焦耳熱損失取出,并與理想情況相同條件下的焦耳熱損失進(jìn)行對(duì)比。各區(qū)域的焦耳熱在螺旋通道內(nèi)部電磁流耦合場(chǎng)3D 數(shù)值計(jì)算的基礎(chǔ)上求出,3D 數(shù)值計(jì)算方法詳見文獻(xiàn)[10]。
某一區(qū)域內(nèi)的焦耳熱功率為
式中,J 為海水中的電流密度矢量;φ 為外施電壓產(chǎn)生的電位;σ 為海水的電導(dǎo)率;v 為海水的速度矢量;B 為外加磁通密度矢量;下標(biāo)i=h、f、r,分別代表螺旋通道的有效區(qū)、導(dǎo)流區(qū)和整流區(qū)。
理想情況下,電流密度和磁通密度限制在由電極和磁體共同覆蓋的通道有效區(qū)內(nèi),且均勻分布。則焦耳熱損失為
式中,U 為外加在內(nèi)外電極間的電壓;Ue為電極壓降;Ud為海水在磁場(chǎng)中流動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì);R 為有效段內(nèi)海水的電阻,Ie=(U-Ue-Ud)/R 為有效電流。
由于端部電場(chǎng),在有效區(qū)Ωh外的導(dǎo)流區(qū)Ωf和整流區(qū)Ωr也有電流并產(chǎn)生焦耳熱WJf和WJr;同時(shí)有效區(qū)Ωh的有效電流減小為I,焦耳熱損失增大了ΔWJh。
式中,S+、S-分別為陽極和陰極的面積;Jr為電流的徑向分量。
這樣,因端部電場(chǎng)引起的導(dǎo)流區(qū)、有效區(qū)和整流區(qū)的焦耳熱損失分別為WJf、ΔWJh和WJr,分別除以理想情況下的焦耳熱損失 W0,可得到無量綱數(shù)λf、λh和λr,則整個(gè)螺旋通道的端部電場(chǎng)損失系數(shù)λ=λf+λh+λr。λf、λh、λr和λ 統(tǒng)稱為端部電場(chǎng)損失系數(shù),其值越小,焦耳熱損失就越小,對(duì)MHD 推進(jìn)器性能的影響就越小,端部電場(chǎng)也就越弱。
某實(shí)驗(yàn)室樣機(jī)的計(jì)算結(jié)果如圖2~圖4 所示。其中標(biāo)注“1D”的為理想情況的計(jì)算結(jié)果、“3D”的為計(jì)及端部電場(chǎng)的計(jì)算結(jié)果。下表為該實(shí)驗(yàn)室樣機(jī)的主要參數(shù)[10]。
可以看出,理想情況的計(jì)算結(jié)果偏大,高于預(yù)計(jì)的性能參數(shù);計(jì)及端部電場(chǎng)的計(jì)算結(jié)果小于理想情況。由于端部電流的影響,相同工作電壓下,工作電流減小,使得電磁力、MHD 壓升pmhd(流量Q=0)減??;相同流量下,通道推力Ft降低。
圖2 有效電流隨輸入電壓的變化曲線(Re=0)Fig.2 Effective current varying with the input voltage(Re=0)
圖3 磁流體壓升隨輸入電壓的變化曲線(Re=0)Fig.3 pmhdvarying with the input voltage (Re=0)
圖4 螺旋通道推力隨有效段內(nèi)平均流速的變化曲線Fig.4 Duct thrust force varying with the averaged velocity of the effective section
表 主要參數(shù)Tab. Main parameters
除非特殊說明,這部分圖中的離散點(diǎn)為計(jì)算值,連續(xù)曲線為擬合曲線。在表所示結(jié)構(gòu)參數(shù)的基礎(chǔ)上,只考慮單一因素的影響,即在分析某一因素時(shí),不考慮其他因素的變化。
從式(2)可以看出,電流密度由兩部分組成,一部分來自外加電壓;另一部分是導(dǎo)電流體在磁場(chǎng)中流動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)所產(chǎn)生。因而,通道內(nèi)的流場(chǎng)將對(duì)端部電場(chǎng)及其產(chǎn)生的焦耳熱損失產(chǎn)生影響;而端部電場(chǎng)又對(duì)流場(chǎng)及水動(dòng)力功率產(chǎn)生影響。為了量化流場(chǎng)和端部電場(chǎng)的相互作用,定義無量綱數(shù)α1和α2。
式中,p21為靜壓升;Q 為流量。
雷諾數(shù)Re=vmhdL0/υ,L0=(Do-Di)/2,vmhd是螺旋通道有效段內(nèi)的平均流速,υ 是海水動(dòng)力黏度。可見,α1、α2越小,端部電場(chǎng)對(duì)流場(chǎng)的影響就越小。
圖5、圖6 為計(jì)算結(jié)果。圖5 中,可以看出,流場(chǎng)對(duì)導(dǎo)流區(qū)和整流區(qū)的焦耳熱損失的影響很小,λf和λr幾乎不隨Re 而變化。然而,λh和λ 卻隨Re的增大而線性增大。這主要是因?yàn)殡S著流速的增大,感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)增大,在電極電壓相同的情況下,有效電流I 呈線性減小。此外,當(dāng)Re<5 000 時(shí),λf和λr占主導(dǎo);當(dāng)Re>15 000 時(shí),λh占主導(dǎo),感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的影響不可忽略。
圖5 端部電場(chǎng)損失系數(shù)隨雷諾數(shù)的變化(U=25.71V)Fig.5 End electrical field loss coefficients varying with Re(U=25.71V)
從圖6 看出,α1和α2的變化趨勢(shì)與水動(dòng)力功率Pt相反;當(dāng)Pt最大時(shí),α2也取得最小值;當(dāng)5 000<Re<15 000 時(shí),Pt和α1、α2變化比較平緩。
圖6 有效電流、水動(dòng)力功率數(shù)隨雷諾數(shù)的變化(U=25.71V)Fig.6 Effective current and hydrodynamic power varying with Re(U=25.71V)
研究螺距的影響時(shí),無導(dǎo)流器和整流器。圖7給出了不同雷諾數(shù)下端部電場(chǎng)損失系數(shù)隨螺距的變化??梢钥闯?,λ、λf、λh、λr隨螺距呈二次曲線變化。存在某一螺距,同時(shí)使λf和λr達(dá)到最大,而λh和λ 達(dá)到最小。雷諾數(shù)對(duì)λf和λr的影響很小,而對(duì)λh和λ 的影響較大,特別是當(dāng)t/L>0.2 時(shí)。當(dāng)0.3>t/L>0.15 時(shí),λ 變化緩慢,且存在一最優(yōu)螺距,使端部電場(chǎng)損失最小。
圖7 端部電場(chǎng)損失系數(shù)隨螺距的變化(U=25.71V,L=500mm)Fig.7 End electrical field loss coefficients varying with t/L(U=25.71V,L=500mm)
圖8~圖11 為通過改變整流器的軸向長(zhǎng)度,流量為0 時(shí),端部電場(chǎng)損失系數(shù)隨工作電壓U 的變化??梢钥闯觯薴和λr隨U 增大而線性緩慢增大,λh隨U 增大而減小,λ 隨U 增大而線性緩慢減小。從圖中還可以看出,隨著整流器軸向長(zhǎng)度(Lr)的增大,λf和λr減小,且λr變化量要大于λf,即Lr對(duì)整流區(qū)的焦耳熱損失影響較大;λh先增大,再減?。划?dāng)Lr/L=0.7 時(shí),螺旋通道的端部電場(chǎng)損失系數(shù)λ 最小。當(dāng)Lr=Lf=0.24L 時(shí),λf和λr相當(dāng);當(dāng)Lr=0<Lf=0.24L時(shí),λf<λr;當(dāng)Lr=0.7L>Lf=0.24L 時(shí),λf>λr。
圖8 端部電場(chǎng)損失系數(shù)隨輸入電壓的變化(Re=0)Fig.8 λfvarying with U (Re=0)
圖9 端部電場(chǎng)損失系數(shù)隨輸入電壓的變化(Re=0)Fig.9 λhvarying with U (Re=0)
圖10 端部電場(chǎng)損失系數(shù)隨輸入電壓的變化(Re=0)Fig.10 λrvarying with U (Re=0)
圖11 端部電場(chǎng)損失系數(shù)隨輸入電壓的變化(Re=0)Fig.11 λ varying with U (Re=0)
圖12 為當(dāng)導(dǎo)流器的葉片數(shù)為3,無整流器,流量為0 時(shí),端部電場(chǎng)損失系數(shù)隨輸入電壓的變化??梢钥闯?,由于導(dǎo)流器阻隔端部電流的作用,λf<λr。與圖8~圖11 中的Lr/L=0 的情況相比較,可以看出,導(dǎo)流器的葉片數(shù)對(duì)端部電場(chǎng)也有較大的影響。
圖12 端部電場(chǎng)損失系數(shù)隨輸入電壓的變化(Re=0)Fig.12 End electrical field loss coefficients varying with U (Re=0)
本文提出了一種從焦耳熱能量損失角度量化螺旋通道MHD 推進(jìn)器端部電場(chǎng)的方法。研究結(jié)果表明:
(1)流場(chǎng)通過感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)影響端部電場(chǎng),端部電場(chǎng)損失系數(shù)λ 隨Re 的增大而線性增大;當(dāng)5 000<Re<15 000 時(shí),水動(dòng)力功率及端部電場(chǎng)引起的焦耳熱損失與水動(dòng)力功率之比α2變化比較平緩,且α2取得最小值時(shí),水動(dòng)力功率取得最大值。
(2)螺距主要影響λh,存在一最優(yōu)螺距,使端部電場(chǎng)損失系數(shù)λ 最小。
(3)整流器和導(dǎo)流器主要影響相應(yīng)區(qū)域的端部電場(chǎng)損失系數(shù),存在一最佳整流器的軸向長(zhǎng)度,使螺旋通道端部電場(chǎng)損失系數(shù)λ 最小。
(4)計(jì)及端部電場(chǎng)的性能參數(shù)的計(jì)算結(jié)果小于理想情況;由于端部電場(chǎng)的影響,相同的工作電壓下,工作電流減小,使得電磁力、MHD 壓升減?。幌嗤牧髁肯?,通道推力降低。
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