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      拉伸應(yīng)力作用下共軛高分子的能帶結(jié)構(gòu)研究*

      2014-08-06 03:45:12童國平沈曉萍
      關(guān)鍵詞:能隙能帶鍵長

      童國平, 林 征, 陳 瓊, 沈曉萍, 李 盛

      (浙江師范大學(xué) 數(shù)理與信息工程學(xué)院,浙江 金華 321004)

      0 引 言

      聚乙炔是一種結(jié)構(gòu)最簡單的導(dǎo)電高分子聚合物[1].純凈的聚乙炔雖有可移動的π電子,但不導(dǎo)電,這是由于維度性之故[2].后來,人們發(fā)現(xiàn)可以通過摻雜來調(diào)控其導(dǎo)電性質(zhì),即從絕緣體到良導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變[3].另一方面,反式聚乙炔存在A相和B相,而這兩相的能量相等,因此,能量是簡并的.如果純凈的反式聚乙炔要導(dǎo)電的話,是在A相和B相之間形成帶電扭結(jié)孤子[4],這種孤子的運(yùn)動就形成了電流,這一非線性元激發(fā)的理論得到了實(shí)驗(yàn)的證實(shí)[5].由于反式聚乙炔是半滿能帶的準(zhǔn)一維晶格,原子等距離排列是不穩(wěn)定的,碳原子要發(fā)生偏移(二聚化),成為單雙鍵交替排列的分子鏈.二聚化使聚乙炔在費(fèi)米面處產(chǎn)生一個能隙,使電子占據(jù)態(tài)的能量降低.近些年來,人們把目光轉(zhuǎn)向雙極化子與激子之間的散射[6]、發(fā)光二極管[7-8]、橫向取代反式聚乙炔的低激發(fā)態(tài)[9]等的研究.

      在這項(xiàng)工作中,筆者將在改進(jìn)的SSH(Su-Schrieffer-Heeger)模型[10]基礎(chǔ)上考慮至三近鄰相互作用,并利用彈性形變理論研究反式聚乙炔的能帶結(jié)構(gòu)隨應(yīng)力變化規(guī)律,其目的是尋找另一種調(diào)控聚乙炔導(dǎo)電能力的有效途徑.筆者將在鏈的方向上施加一小小的單軸應(yīng)力,使其跳躍能發(fā)生改變,從而導(dǎo)致能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生變化.通過計(jì)算表明,這一方法能夠有效改變聚乙炔的導(dǎo)電性.因此,研究這種聚乙炔的形變是有意義的.

      1 理論方法

      在修正的SSH模型中,聚乙炔中電子的哈密頓量、包括非近鄰電子間的跳躍可表示為

      (1)

      式(1)中:an,s是第n個格點(diǎn)上自旋為s的電子的湮滅算符;ε0是格點(diǎn)的自由能;數(shù)值tn+1,n,tn+2,n和tn+3,n分別代表最近鄰、次近鄰和第3近鄰的電子跳躍能.

      通過傅里葉變換

      (2)

      (3)

      下標(biāo)no和ne分別表示晶格的奇偶數(shù).再通過正交變換

      (4)

      (5)

      可得哈密頓量H的對角化形式為

      (8)

      式(7)~式(8)中,t3是次近鄰電子跳躍能,與二聚鏈的二聚化程度有關(guān),其中:

      (9)

      εk=-(t1+t2)cos(ka)-(t4+t5)cos(3ka);

      (10)

      Δk=(t1-t2)sin(ka)+(t4-t5)sin(3ka).

      (11)

      導(dǎo)帶底與價帶頂?shù)哪芰坎罴礊槟芟?/p>

      (12)

      圖1 反式聚乙炔鏈的拉伸作用

      在不受力情況下,聚乙炔在二聚化過程中形成了單雙鍵交替的高分子鏈結(jié)構(gòu),如圖1(a)所示.其中:R1是聚乙炔分子鏈結(jié)構(gòu)中雙鍵(粗線)的長度;R2是單健(細(xì)線)的長度;R3是晶格結(jié)構(gòu)中第n個碳原子與第n+2個碳原子間的距離;α表示鍵角,并設(shè)該鍵角不變(120°);β是短鍵與x軸的夾角;γ是長鍵與x軸的夾角.在受力應(yīng)變下,聚乙炔分子結(jié)構(gòu)中的鍵長發(fā)生變化,受力沿x軸方向,如圖1(b)所示.

      (13)

      式(13)中:ε是沿x軸的應(yīng)力作用下鍵長的相對變化量;ε=1%對應(yīng)的單軸應(yīng)力為10GPa.由幾何關(guān)系,并結(jié)合式(13),可得到下列表達(dá)式:

      (16)

      R3=R1cosβ+R2cosγ.

      (17)

      在實(shí)際情況中,聚乙炔在受力應(yīng)變時由于邊緣馳豫效應(yīng),分子鏈兩端的形變會比里面的形變稍大些,而筆者認(rèn)為這里討論的時候,本身這種受力作用下的形變量就很小,忽略了邊緣效應(yīng)產(chǎn)生的影響,近似認(rèn)為形變后聚乙炔分子仍呈有規(guī)則的幾何結(jié)構(gòu).

      應(yīng)變前后電子Hopping能量與鍵長的關(guān)系可由哈里森公式[12]得到,

      (18)

      圖2 電子跳躍能及其變化率與應(yīng)力的關(guān)系

      2 結(jié)果與討論

      圖3 反式聚乙炔的能帶結(jié)構(gòu)與能隙隨拉伸應(yīng)力的變化

      3 結(jié) 論

      反式聚乙炔受力應(yīng)變后,其鍵長變大,相應(yīng)的電子跳躍能減小.當(dāng)應(yīng)變較小時,鍵長的變化近似為線性關(guān)系,相應(yīng)的電子跳躍能也呈現(xiàn)近似的線性關(guān)系.隨著應(yīng)力的增加,能帶寬度和能隙都有明顯變窄,但能帶寬度的變化要比能隙的變化來得明顯一些.拉伸應(yīng)力能夠調(diào)節(jié)電子的局域性與擴(kuò)展性,但其局域性的調(diào)控幅度要大于其擴(kuò)展性的幅度.因而,通過拉伸形變可以調(diào)控聚乙炔的能帶結(jié)構(gòu),但其幅度有限.

      筆者的計(jì)算中沒有考慮電子-電子相互作用,也沒有考慮拉伸應(yīng)力下的不等性sp2雜化問題.這些都是有趣的問題,有待進(jìn)一步深入研究.

      參考文獻(xiàn):

      [1]Shirakawa H,Ito T,Ikeda S.Raman scattering and electronic spectra of poly(acetylene)[J].Polymer Journal,1973,4(4):460-462.

      [2]孫鑫.高聚物中的孤子和極化子[M].成都:四川教育出版社,1987.

      [3]Feldblum A,Kaufman J H,Etemad S,et al.Opto-electrochemical spectroscopy of trans-(CH)x[J].Phys Rev B,1982,26(2):815-826.

      [4]Su W P,Schrieffer J R.Fractionally charged excitations in charge-density-wave systems with commensurability[J].Phys Rev Lett,1981,46(11):738-741.

      [5]Heeger A J,Kivelson S,Schrieffer J R,et al.Solitons in conducting polymers[J].Rev Mod Phys,1988,60(3):781-850.

      [6]Sun Z,Li Y,Xie S J,et al.Scattering processes between bipolaron and exciton in conjugated polymers[J].Phys Rev B,2009,79(20):201310.

      [7]Li Sheng,Tong Guoping,George T F.Electroluminescence enhancement in polymer light-emitting diodes through hole injection layer insertion[J].J Appl Phys,2009,106(7):074513.

      [8]Li Sheng,Tong Guoping,George T F.Radiative decay of singlet excitons and carrier-fusion-induced electroluminescence enhancement of polymer light-emitting diodes[J].J Phys Chem B,2009,113(46):15231-15236.

      [9]Kumar M,Ramasesha1 S.Low-lying states of transverse substituted trans-polyacetylene and trans-polyacetylene:A comparative DMRG study[J].Phys Rev B,2010,81(3):035115.

      [10]Su W P,Schrieffer J R,Heeger A J.Solitons in polyacetylene[J].Phys Rev Lett,1979,42(25):1698-1701.

      [11]Tong Guoping,Feng Jiaxian,Li Henian.Non-nearest-neighbor hopping in polyacetylene[J].Acta Physica Sinica,1995,4(4):278-290.

      [12]Harrison W A.Electronic structure and the properties of solids[M].San Francisco:Freeman,1980.

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