賈慶龍,蘇志軍,成 曙,楊 明
(中國人民解放軍96630部隊(duì),北京 102206)
射線檢測(cè)中,缺陷定位的方法主要有黑度法、體視法、工業(yè)CT和視差法等,其中視差法應(yīng)用最為廣泛?!睹绹鵁o損檢測(cè)手冊(cè)·射線卷》提出了射線照相缺陷定位的視差法[1];楊飛等通過數(shù)字成像實(shí)現(xiàn)視差法對(duì)缺陷定位,并分析了影響視差法定位精度的因素[2];張勤儉等提出了材料缺陷的三維定位模型,主要為斷裂力學(xué)提供準(zhǔn)確數(shù)據(jù)[3]。固體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)射線照相因工件和射線源的獨(dú)特性,缺陷定位方法區(qū)別于一般工件,不能直接套用基本視差法公式。筆者簡單介紹發(fā)動(dòng)機(jī)射線照相的透照工藝,給出了界面脫粘的定位方法,推導(dǎo)了推進(jìn)劑內(nèi)部缺陷定位的二次成像法計(jì)算公式,創(chuàng)造性提出了幾何作圖法,方法簡單,突出實(shí)用性,指導(dǎo)實(shí)踐工作。
固體發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室一般為旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的空心結(jié)構(gòu),主要由殼體、絕熱層、推進(jìn)劑和人工脫粘層等組成。內(nèi)絕熱層位于燃燒室殼體內(nèi)表面和推進(jìn)劑藥柱之間,主要起到保護(hù)殼體,防止殼體過度升溫及保持結(jié)構(gòu)完整性的作用,制作工藝有手工逐層貼片法和噴涂法,可能形成的缺陷有界面脫粘和絕熱層內(nèi)分層、孔洞、疏松等缺陷。旋轉(zhuǎn)切線照相法可最大化地穿過脫粘延伸面,檢測(cè)靈敏度達(dá)到1%,是檢測(cè)界面脫粘缺陷的有效方法。推進(jìn)劑藥柱一般為內(nèi)孔星型復(fù)雜結(jié)構(gòu),多采用帖壁式澆注工藝,其內(nèi)部易形成氣孔、夾雜、裂紋等缺陷。推進(jìn)劑藥柱內(nèi)部缺陷一般采用徑向照相方法,可將膠片放置在星孔內(nèi)或星孔外部兩種方式。
根據(jù)固體發(fā)動(dòng)機(jī)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和檢測(cè)技術(shù)要求,一般將透照工藝分為兩類,即切線照相和徑向透照。
切線照相是射線束與燃燒室截面圓相切,主要用于檢測(cè)界面脫粘或材料分層,如圖1所示。徑向照相又分為單壁徑向透照和雙壁徑向透照,主要用于檢測(cè)推進(jìn)劑的裂紋、氣孔、夾雜等缺陷。單壁徑向透照是將膠片放在藥柱芯孔內(nèi),射線穿透單側(cè)藥柱在膠片上成像,如圖2(a)所示;雙壁徑向透照是將膠片放在燃燒室外側(cè),射線穿透整個(gè)藥柱在膠片上成像,如圖2(b)所示。
圖1 切線照相
圖2 徑向透照工藝
發(fā)動(dòng)機(jī)的界面脫粘或分層包括一、二、三界面脫粘和絕熱層內(nèi)部分層等,圖3(a)所示為發(fā)動(dòng)機(jī)前封頭的襯層與藥柱脫粘(即第三界面脫粘),通常采用切線照相方法檢測(cè)。一般情況下,某角度的界面脫粘缺陷會(huì)直接反映在底片相應(yīng)界面結(jié)構(gòu)上,其它角度的缺陷影像因黑度反差小而不易被發(fā)現(xiàn)。特殊情況下,其它角度脫粘可投影到該角度底片上,影像較清晰,評(píng)定時(shí)注意排除干擾。
建立發(fā)動(dòng)機(jī)結(jié)構(gòu)的三維坐標(biāo)系ζ(x,r,θ),發(fā)動(dòng)機(jī)軸線為X軸,半徑方向?yàn)閞軸,周向方向?yàn)棣容S。以封頭某角度的粘接界面脫粘F1F2(F1為起始點(diǎn),F(xiàn)2為終點(diǎn))為例,對(duì)其進(jìn)行定位,如圖4所示。定位步驟為:
圖3 固體發(fā)動(dòng)機(jī)界面脫粘和藥柱氣孔缺陷
圖4 界面脫粘缺陷定位方法
(1)選取產(chǎn)品上易識(shí)別部位的影像作為參考點(diǎn)C(若底片上無產(chǎn)品易識(shí)別部位的影像,則可以在產(chǎn)品表面放置鉛制標(biāo)記,將其在底片上的影像作為參考點(diǎn)),再在底片上用量具測(cè)量缺陷至參考點(diǎn)的弧長CF1,然后除以放大倍數(shù),得出缺陷起始點(diǎn)至參考點(diǎn)的實(shí)際距離。
(2)以產(chǎn)品Ⅰ象限刻度線為角度坐標(biāo)零點(diǎn),檢測(cè)部位過發(fā)動(dòng)機(jī)軸線切面OCF1F2與Ⅰ象限刻度線的夾角φ作為缺陷的角度坐標(biāo)。
(3)根據(jù)缺陷F1F2至產(chǎn)品殼體內(nèi)表面(或產(chǎn)品軸線)的距離判定其所在界面。
射線照相方法是把工件的三維信息反映在底片上,一次照相無法確定空間信息,可通過多次照射反推缺陷的空間位置,理論上照射次數(shù)越多定位精度越高,但工程上兩次照射就能夠滿足基本要求。固體發(fā)動(dòng)機(jī)一般為旋轉(zhuǎn)對(duì)稱體,結(jié)合射線源的特點(diǎn),兩次照相可分別通過移動(dòng)X射線源和旋轉(zhuǎn)工件實(shí)現(xiàn),即平移二次成像法和旋轉(zhuǎn)二次成像法。藥柱內(nèi)缺陷一般包括氣孔、夾雜、裂紋等,圖3(b)為星型藥柱內(nèi)氣孔缺陷,氣孔與夾雜為非方向性缺陷,兩種方法都可以使用,并對(duì)平移距離和旋轉(zhuǎn)角度沒有嚴(yán)格要求。裂紋為方向性缺陷,不適用該方法。2.2.1 平移二次成像法
如圖5所示,以燃燒室縱軸線和橫截面的交點(diǎn)為原點(diǎn),建立直角坐標(biāo)系ζ(x,y)。當(dāng)發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí),通過垂直平移焦點(diǎn)位置,以相同工藝二次透照,根據(jù)缺陷在底片上的位置變化及照相參數(shù)確定缺陷在發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)位置f(x,y)。
圖5 平移二次照相定位方法
缺陷P的位置坐標(biāo)計(jì)算公式如下:
式中:D為焦點(diǎn)至燃燒室軸心的距離;F為焦點(diǎn)至膠片的距離D+T;y0為兩次照相焦點(diǎn)垂直移動(dòng)距離;y1為一次照相時(shí)的缺陷影像相對(duì)X軸的偏移量;y2為二次照相時(shí)同一缺陷影像相對(duì)X軸的偏移量。
2.2.2 旋轉(zhuǎn)二次成像法
圖6 旋轉(zhuǎn)二次照相定位
如圖6所示,以發(fā)動(dòng)機(jī)某軸切面中心為原點(diǎn)建立極坐標(biāo)系。在第一次照相發(fā)現(xiàn)缺陷的情況下,保持加速器焦點(diǎn)位置和發(fā)動(dòng)機(jī)軸切面不變,將發(fā)動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)一定角度θ,進(jìn)行二次照相,通過對(duì)底片缺陷和照相參數(shù)的測(cè)量,計(jì)算缺陷的極坐標(biāo)值(R,α)。
缺陷P的位置坐標(biāo)計(jì)算公式如下:
式中:a=DFn+F2h-m(Fcosθ-nsinθ);
b=m(Fsinθ+ncosθ)-DE;
m=DH+HT;
n=H+d-h(huán);
F=D+h;
E=H-h(huán)。
A,B面分別為兩個(gè)垂直方向的軸心面;h為焦點(diǎn)至A面距離;D為焦點(diǎn)至B面距離;T為膠片至B面距離;H為一次照相缺陷在底片上的影像距離A面距離;缺陷兩次成像之間距離為d;旋轉(zhuǎn)角度θ。
2.2.3 幾何作圖法
幾何作圖法利用射線照相的幾何原理,可快速確定缺陷位置,適用于定位精度要求不高的工程應(yīng)用。
固體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)射線照相工藝一般要求D/T不小于3,焦距較大,可以假設(shè)射線束為平行束。這樣,某一照相角度θ1的底片上測(cè)量缺陷中心至發(fā)動(dòng)機(jī)水平軸線的距離d,根據(jù)幾何原理反推缺陷位置,一定在以發(fā)動(dòng)機(jī)軸線為中心,以d為半徑的圓的切線上,且在發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)部,如圖7所示的L1+L2線段。同樣原理,當(dāng)發(fā)動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)至角度θ2時(shí),也可以得到L′1+L′2線段。將兩個(gè)角度幾何作圖合成,兩線段的交點(diǎn)c即為缺陷位置。測(cè)量c點(diǎn)距離圓心O的距離R,以及OC連線與I-Ⅲ象限線的夾角α,缺陷C位置坐標(biāo)為(R,α),如圖8所示。
圖7 幾何作圖法原理
一般情況,兩個(gè)角度的底片即可確定缺陷位置。若有n個(gè)角度底片均能反映同一缺陷,幾何作圖產(chǎn)生的n條線段相交產(chǎn)生n(n-1)/2個(gè)交點(diǎn),用涵蓋所有交點(diǎn)的最小包絡(luò)圓的圓心表示缺陷位置,測(cè)量圓心的坐標(biāo)(R,α),如圖8所示。該方法可以減小系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
圖8 幾何作圖法對(duì)缺陷定位
固體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)缺陷分為界面脫粘缺陷和推進(jìn)劑內(nèi)部缺陷,兩類缺陷分別需要采用切線照相和徑向透照工藝。界面脫粘可通過一次切線照相進(jìn)行三維定位,推進(jìn)劑內(nèi)部缺陷通常采用平移二次成像法和旋轉(zhuǎn)二次成像法,幾何作圖法可作為一種實(shí)用的工程方法被應(yīng)用于實(shí)踐。
[1]美國無損檢測(cè)學(xué)會(huì).美國無損檢測(cè)手冊(cè)·射線卷[M].上海:世界圖書出版公司,1992.
[2]楊飛.X射線數(shù)字成像中的缺陷定位檢測(cè)技術(shù)研究[D].山西:華北工學(xué)院,2003.
[3]張勤儉,張建華,李敏,等.射線照相缺陷三維定位的數(shù)學(xué)模型[J].無損檢測(cè),2001,23(2):59-61.