王永存,薛晨陽,劉耀英,田學(xué)東,張文棟,李 鐵
(1.中北大學(xué),儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,電子測試技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 山西太原 030051;2.中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所,上?!?00050)
石墨烯(Graphene)是一種由碳原子構(gòu)成的零帶隙二維納米結(jié)構(gòu)的新材料,2004年由英國曼徹斯特大學(xué)物理學(xué)家安德烈-海姆和康斯坦丁-諾沃肖洛夫從石墨中分離出來,證明了二維材料石墨烯可以穩(wěn)定存在。石墨烯是現(xiàn)有材料中最薄的,它的厚度只有0.335 nm,但它卻是現(xiàn)有材料中最堅(jiān)硬的。同時(shí)石墨烯的導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5 300 W/(m·K),這一數(shù)值高于金剛石,常溫下石墨烯中電子的遷移率約為15 000 cm/(V·s),遠(yuǎn)高于硅中電子的遷移率。由于石墨烯具有優(yōu)異的電學(xué)特性,所以它非常適合用來制造電子元件,科學(xué)家認(rèn)為石墨烯有望替代硅成為下一代半導(dǎo)體材料[1-4]。石墨烯的制備方法主要有機(jī)械剝離法、化學(xué)氣相沉積法和熱分解法等。機(jī)械剝離法可以制備晶格完好的高質(zhì)量石墨烯,但是不適合大量生產(chǎn);熱分解法可以制備大面積石墨烯,但是條件苛刻,需在高溫高真空下進(jìn)行;化學(xué)氣相沉積方法是最適合大面積制備石墨烯薄膜的方法?;瘜W(xué)氣相沉積法具有工藝限制條件少和可控性高等優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)在大面積制備石墨烯薄膜多采用這種方法[5-6]。
石墨烯晶體管以石墨烯薄膜作為導(dǎo)電溝道,一方面石墨烯薄膜厚度很薄,可以加工成幾納米寬的條狀,大大縮小晶體管器件尺寸,延續(xù)摩爾定律;另一方面,石墨烯電子遷移率高,可以提高晶體管的響應(yīng)速度,使晶體管具有更高的截止頻率[7-8]。該試驗(yàn)通過轉(zhuǎn)移化學(xué)氣相沉積法制備的石墨烯薄膜到Si/SiO2基底,制作了頂柵石墨烯晶體管和背柵石墨烯晶體管,比較兩種結(jié)構(gòu)晶體管的電學(xué)性能。
通過化學(xué)氣相沉積法在銅箔襯底上制備出石墨烯薄膜,圖1為石墨烯薄膜的拉曼測試圖。然后,在石墨烯薄膜表面旋涂一層聚甲基丙烯酸甲酯PMMA薄層,溶解掉銅箔,再將附在PMMA上的石墨烯轉(zhuǎn)移到Si/SiO2基底上,去除PMMA使石墨烯吸附在Si/SiO2基底上,通過退火提高石墨烯與Si/SiO2基底的結(jié)合,圖2為Si/SiO2基底上的石墨烯邊緣形貌圖。
圖1 石墨烯的拉曼測試圖
圖2 石墨烯表面圖
通過電子束光刻和氧等離子體刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)石墨烯薄膜圖形化。電子束光刻將圖形轉(zhuǎn)移到石墨烯薄膜上,利用光刻膠作為氧等離子體刻蝕的掩膜層,保護(hù)作為晶體管導(dǎo)電溝道部分的石墨烯薄膜,從而將其他部分的石墨烯薄膜刻蝕掉。這步工藝要注意氧等離子體刻蝕的功率和時(shí)間,功率過大或者時(shí)間過長會刻蝕掉部分的光刻膠導(dǎo)致石墨烯導(dǎo)電溝道存在缺陷,時(shí)間過短會導(dǎo)致石墨烯薄膜無法刻蝕干凈,通過幾次驗(yàn)證,試驗(yàn)中選擇功率為200 W、刻蝕時(shí)間為5 min的刻蝕條件,這樣既可以刻蝕干凈石墨烯薄膜又保障光刻膠不會被刻蝕掉,圖3為刻蝕后的石墨烯薄膜圖。
圖3 刻蝕后的石墨烯圖形
然后電子束光刻和電子束蒸鍍制作石墨烯晶體管的源極、漏極和柵極,源極、漏極和柵極金屬選擇Cr/Au(Cr 10 nm,Au 80 nm)。圖4為石墨烯薄膜制備了源極和漏極之后的結(jié)構(gòu)圖。對于頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管,需要在石墨烯薄膜上利用ALD沉積一層5 nm厚的Al2O3作為柵介質(zhì)層,這層介質(zhì)層的質(zhì)量直接決定了頂柵結(jié)構(gòu)的晶體管的性能,所以在ALD沉積Al2O3之前要充分做好前處理工藝。
圖4 石墨烯晶體管源和漏極
加工過程中,光刻膠和清洗液等都會對石墨烯薄膜造成污染,所以整體工藝完成后還要進(jìn)行一步退火工藝,進(jìn)一步提高器件性能。
石墨烯晶體管尺寸參數(shù):溝道長度1 μm,寬度100 μm.圖5為石墨烯晶體管的總體結(jié)構(gòu)圖。利用安捷倫半導(dǎo)體分析儀對加工的頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管和背柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管進(jìn)行測試。首先是柵調(diào)制測試,在幾個(gè)變化的柵壓VG下測量石墨烯溝道電流ID隨源漏之間電壓VD的變化,其中VD為源極和漏極之間的電壓,VG為柵極電壓,ID為石墨烯溝道電流。
圖5 石墨烯晶體管總體結(jié)構(gòu)圖
圖6是兩種結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管的I-V曲線,其中電流較大一簇(曲線1)是頂柵結(jié)構(gòu)石墨烯晶體管的I-V曲線,電流較小的一簇(曲線2)是背柵結(jié)構(gòu)石墨烯晶體管的I-V曲線。圖中,曲線1、2的VG由上至下依次為4 V,3 V,2 V,1 V,0 V,-1 V,-2 V,-3 V,-4 V.圖6中,隨著VD增大ID增大,ID-VD呈線性關(guān)系,VD/ID即為石墨烯溝道電阻。隨著柵壓變化石墨烯溝道電阻值也在變化,即柵壓對石墨烯的調(diào)制作用。從圖6的曲線得出相同VD下,頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯導(dǎo)電溝道電流ID隨柵壓變化而產(chǎn)生的變化更大,說明頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管的柵調(diào)制效果好于背柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管。
圖6 石墨烯晶體管I-V特性曲線
石墨烯導(dǎo)電溝道的狄拉克點(diǎn)測試是在VD恒定的情況下,掃描一定范圍內(nèi)的VG,測量石墨烯導(dǎo)電溝道的電流ID.石墨烯的狄拉克點(diǎn)對應(yīng)石墨烯中載流子最少,導(dǎo)電性最差,即電阻最大的點(diǎn)。純凈的石墨烯其狄拉克點(diǎn)對應(yīng)柵壓為零的位置,圖7中石墨烯的狄拉克點(diǎn)偏移了,這是由于石墨烯吸附水分子和加工工藝中引入了雜質(zhì)導(dǎo)致的,其中曲線1對應(yīng)頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管,曲線2對應(yīng)背柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管。圖7顯示出石墨烯導(dǎo)電溝道的最大電流和最小電流,通過計(jì)算可以分別得出兩種結(jié)構(gòu)石墨烯晶體管的開關(guān)比。頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管的開關(guān)比約為20,背柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管的開關(guān)比約為5,可以知道頂柵結(jié)構(gòu)晶體管的開關(guān)比略大于背柵結(jié)構(gòu)晶體管的。但是兩種結(jié)構(gòu)石墨烯晶體管的開關(guān)比都較小,這是由于石墨烯的禁帶寬度為零,電流無法無法完全截止,通過對石墨烯進(jìn)行禁帶寬度調(diào)控可以有效提高開關(guān)比。
圖7 石墨烯晶體管Dirac點(diǎn)測試圖
通過對化學(xué)氣相沉積法制備的石墨烯薄膜進(jìn)行轉(zhuǎn)移和加工,制備出頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管和背柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管,通過對兩種結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管進(jìn)行測試,得到頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管和背柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管的I-V和狄拉克點(diǎn)的測試曲線,結(jié)果表明頂柵結(jié)構(gòu)的晶體管在柵調(diào)制和開關(guān)比上優(yōu)于背柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管,為石墨烯材料的研究奠定了基礎(chǔ)。
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