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      基于CPLD的功率MOSFET保護(hù)電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

      2013-12-31 00:00:00汶宏剛
      電子世界 2013年24期

      【摘要】介紹了一種基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。該電路設(shè)計(jì)方案具有抗干擾能力強(qiáng)、響應(yīng)速度快和通用性好的優(yōu)點(diǎn)。通過試驗(yàn)驗(yàn)證了該方案的正確性和可行性。

      【關(guān)鍵詞】CPLD;保護(hù)電路;功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)

      1.概述

      功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的,它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓,從而實(shí)現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動(dòng)[1]。功率MOSFET已大量應(yīng)用于電力電子,消費(fèi)電子、汽車電子和水聲工程等領(lǐng)域。雖然功率MOSFET具有效率高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、便于數(shù)字化控制等優(yōu)點(diǎn),但是其采用的電力電子器件對(duì)過壓過流的承受能力較差,容易燒毀,因此保護(hù)電路的設(shè)計(jì)非常重要,并且要求保護(hù)響應(yīng)時(shí)間做到微秒級(jí)[2]。功率MOSFET保護(hù)主要是指過流保護(hù),對(duì)于過壓的情況一般采用吸收電路來進(jìn)行抑制。在水聲發(fā)射機(jī)功率MOSFET的設(shè)計(jì)和使用中,常常由于輸入信號(hào)的異常和環(huán)境干擾,而導(dǎo)致功率放大器容易燒毀。

      針對(duì)功率MOSFET易受損或燒壞的情況,在水聲發(fā)射機(jī)應(yīng)用中專門設(shè)計(jì)了一種以CPLD(復(fù)雜可編程邏輯器件)為核心器件的可編程保護(hù)電路。目前CPLD已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。它具有體系結(jié)構(gòu)/邏輯單元靈活、處理速度快、集成度高、可實(shí)現(xiàn)較大規(guī)模電路、編程靈活、設(shè)計(jì)開發(fā)周期短、設(shè)計(jì)制造成本低、開發(fā)工具先進(jìn)、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無需測(cè)試、質(zhì)量穩(wěn)定、可實(shí)時(shí)在線檢驗(yàn)以及適用范圍廣等優(yōu)點(diǎn),因此逐步被應(yīng)用于各類保護(hù)電路設(shè)計(jì)中[3]。

      鑒于CPLD的諸多優(yōu)點(diǎn),本設(shè)計(jì)采用單獨(dú)CPLD芯片為核心,不需要單片機(jī)或DSP進(jìn)行控制,來解決以MOSFET為核心的大功率發(fā)射機(jī)激勵(lì)信號(hào)異?;蚬收纤鶐淼膰?yán)重問題,為發(fā)射機(jī)的MOSFET電路的安全穩(wěn)定運(yùn)行起到保護(hù)作用。CPLD保護(hù)電路在輸入高電平長(zhǎng)脈沖、連續(xù)信號(hào)和短周期脈沖等典型異常信號(hào)情況下,通過簡(jiǎn)單改變代碼參數(shù)就可以防止異常的信號(hào)進(jìn)入到后級(jí)損壞功率MOSFET,實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的保護(hù)作用。

      2.功率MOSFET基本原理

      功率MOSFET電路的基本原理是:采用V1,V2,V3和V4四只可關(guān)斷的功率器件組成一個(gè)H橋型丁類開關(guān)放大器(如圖1所示)。圖1中,對(duì)角的2只功率器件(V1和V4,V2和V3)同時(shí)導(dǎo)通和關(guān)斷。同一側(cè)(V1和V2,V3和V4)的器件交替導(dǎo)通和關(guān)斷,且激勵(lì)信號(hào)相差180。這樣,當(dāng)上邊的器件關(guān)斷(導(dǎo)通)時(shí),下邊的就導(dǎo)通(關(guān)斷)。因此輸出A,B兩點(diǎn)的電位按照輸入激勵(lì)信號(hào)設(shè)定的頻率(或脈寬),輪流在電源的“+”和“-”之間切換。

      功率MOSFET在實(shí)際應(yīng)用過程中,電路上存在高電壓和大電流,并且回路上的分布電容和分布電感都很大,功率器件門極激勵(lì)信號(hào)稍有故障就會(huì)在功率回路上引起過電壓(或過電流)而燒毀設(shè)備或器件。所以,這種功率放大器不僅要有完備的過壓過流保護(hù)功能,更重要的是要求輸入至功率放大器橋路上的功率器件門極激勵(lì)信號(hào)穩(wěn)定可靠[4]。

      3.保護(hù)電路CPLD實(shí)現(xiàn)

      CPLD保護(hù)電路的內(nèi)部主要由電源轉(zhuǎn)換,晶體振蕩器,CPLD,輸出端口驅(qū)動(dòng)等部分組成。保護(hù)電路組成框圖如圖2所示。

      保護(hù)電路的核心部分主要是一個(gè)CPLD,所有的功能都是通過對(duì)此器件進(jìn)行邏輯編程來實(shí)現(xiàn)。硬件上是對(duì)來自DSP電路的模擬輸出脈沖進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換和保護(hù),對(duì)應(yīng)的輸出為兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)和一路包絡(luò)信號(hào)。兩路輸出信號(hào)包絡(luò)相同,時(shí)間同步,信號(hào)高低電平相反。包絡(luò)信號(hào)就是兩路輸出信號(hào)的包絡(luò),時(shí)間同步。兩路輸出信號(hào)經(jīng)過光隔隔離并反相后為功率MOSFET提供發(fā)射激勵(lì)信號(hào)源,包絡(luò)信號(hào)經(jīng)光隔后為功率電路提供控制信號(hào)。

      CPLD保護(hù)電路主要對(duì)輸入MOSFET電路的典型異常信號(hào),包括連續(xù)波信號(hào)、短周期脈沖信號(hào)和高電平長(zhǎng)脈沖信號(hào)進(jìn)行輸入保護(hù)。所有異常輸入信號(hào)通常由這三種信號(hào)組合而成。假設(shè)連續(xù)波信號(hào)是超過10ms脈沖寬度的信號(hào);短周期脈沖信號(hào)是小于200ms脈沖周期的信號(hào)。對(duì)其他不同參數(shù)異常信號(hào)的處理,可通過簡(jiǎn)單設(shè)置軟件計(jì)數(shù)器來改變。保護(hù)電路軟件流程圖如圖3所示。

      保護(hù)電路的具體保護(hù)功能與時(shí)序圖如下所示:

      當(dāng)DSP電路給保護(hù)電路輸入連續(xù)高電平,保護(hù)電路會(huì)以第一個(gè)上升沿為基準(zhǔn),開始檢測(cè)10kHz頻率信號(hào)的第一個(gè)周期(即100μs),如果沒有下跳沿,保護(hù)輸出50μs長(zhǎng)高電平后,關(guān)閉輸出端口,保持低電平,兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出和輸入時(shí)序如圖4所示。

      若DSP電路給保護(hù)電路輸入連續(xù)波形信號(hào),保護(hù)電路將會(huì)以第一個(gè)上升沿為基準(zhǔn),每隔200ms輸出一個(gè)10ms的脈沖波,避免連續(xù)工作損壞功率MOSFET,兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出和輸入信號(hào)時(shí)序如圖5所示。

      若輸入信號(hào)兩脈沖之間的間隔小于200ms,保護(hù)模塊在第一個(gè)脈沖輸入之后將會(huì)管制200ms的時(shí)間,保持在這200ms以內(nèi)持續(xù)低電平后恢復(fù)正常,響應(yīng)下一個(gè)脈沖信號(hào)的到來,以脈沖信號(hào)的周期為20ms為例。兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出和輸入時(shí)序如圖6所示。

      CPLD保護(hù)電路實(shí)現(xiàn)的邏輯圖見圖7所示。

      OSC-晶振輸入信號(hào);PWM_IN-輸入脈沖信號(hào)或者異常干擾信號(hào);SIG1_OUT-輸出信號(hào)1;SIG2_OUT-輸出信號(hào)2;ENVE----_OUT-控制信號(hào);TEST1-10ms包絡(luò)信號(hào)、輸出信號(hào)包絡(luò)和高電平檢測(cè)信號(hào)的與;TEST2-高電平檢測(cè)信號(hào);TEST3-信號(hào)包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)。SIG1_OUT、SIG2_OUT和ENVE----_OUT信號(hào)進(jìn)入MOSFET功率管驅(qū)動(dòng)芯片輸入端,其輸出是MOSFET的輸入信號(hào)。

      圖7中三角形符號(hào)輸出表示的是對(duì)輸入信號(hào)增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力;矩形表示的是邏輯模塊;其他圖形標(biāo)識(shí)的是輸入輸出和邏輯符號(hào)。邏輯圖的五大功能模塊介紹如下:

      ①分頻模塊:

      該模塊的功能是起到分頻作用,保證每個(gè)模塊在做延時(shí)的時(shí)候誤差保持在要求的范圍內(nèi),還能夠保證占用系統(tǒng)資源很小。

      ②10ms包絡(luò)模塊:

      該模塊的功能是使輸出信號(hào)的脈沖寬度不會(huì)大于10ms,根據(jù)時(shí)鐘頻率產(chǎn)生一個(gè)10ms的包絡(luò)信號(hào)與信號(hào)包絡(luò)模塊的輸出信號(hào)相與,就會(huì)得到一個(gè)10ms的包絡(luò),在沒有信號(hào)輸入的情況下,輸出為低。

      ③根據(jù)信號(hào)產(chǎn)生包絡(luò)模塊:

      該模塊的功能是根據(jù)輸入信號(hào),輸出一個(gè)與輸入信號(hào)同相位的包絡(luò)信號(hào)。沒有信號(hào)輸入的情況下,輸出為低。

      ④連續(xù)高電平檢測(cè)模塊:

      該模塊的功能是檢測(cè)輸入信號(hào)是否是連續(xù)高電平,如果是連續(xù)高電平,使輸出為一個(gè)脈寬很窄的信號(hào),然后拉低,在沒有信號(hào)輸入的情況下,輸出為低。

      4.試驗(yàn)驗(yàn)證

      在功率MOSFET保護(hù)電路輸入端分別輸入正常信號(hào)、連續(xù)高電平、連續(xù)波信號(hào)和短周期的脈沖信號(hào)。在沒有保護(hù)電路的情況下,若輸入端輸入這幾種異常信號(hào),發(fā)射機(jī)功率MOSFET電路必將燒毀。保護(hù)電路輸出經(jīng)光隔隔離并高低電平轉(zhuǎn)換后驅(qū)動(dòng)MOSFET工作。在試驗(yàn)室情況下,各種情況的正常、異常輸入信號(hào)經(jīng)CPLD保護(hù)電路后輸出信號(hào)實(shí)測(cè)波形如圖8~11所示。第一路是原始輸入激勵(lì)信號(hào),第二路是保護(hù)電路的輸出信號(hào),第三路是包絡(luò)信號(hào)。

      由圖中可知,異常信號(hào)經(jīng)CPLD保護(hù)電路邏輯處理后,輸出滿足系統(tǒng)要求并且使功率MOSFET可以接受的輸入信號(hào)。

      5.結(jié)論

      本文提出了采用CPLD芯片解決大功率發(fā)射機(jī)激勵(lì)信號(hào)異常或故障帶來重大危害的方法。通過系統(tǒng)模擬測(cè)試以及實(shí)際拷機(jī)測(cè)試,驗(yàn)證了本設(shè)計(jì)的正確性和可行性?,F(xiàn)已將此設(shè)計(jì)應(yīng)用于某大功率發(fā)射機(jī)項(xiàng)目的保護(hù)電路中,最大限度減小了因激勵(lì)信號(hào)異常和故障給發(fā)射機(jī)帶來的危害。另外,本設(shè)計(jì)的硬件電路具有較強(qiáng)的通用性,只需稍加改變軟件編程,就可以應(yīng)用于其他電路的信號(hào)處理設(shè)計(jì)中。

      參考文獻(xiàn)

      [1]王銳,石會(huì)平,張學(xué)濤,閆鳳群.功率MOSFET技術(shù)發(fā)展概述[C].第二十五屆中國(guó)(天津)2011'IT、網(wǎng)絡(luò)、信息技術(shù)電子、儀器儀表創(chuàng)新學(xué)術(shù)會(huì)儀.

      [2]王衡,沈運(yùn)先,查明,邊鋼.基于CPLD的固態(tài)功率放大器的保護(hù)電路設(shè)計(jì)[J].船舶電子工程,201,32(4):131-132.

      [3]肖強(qiáng)暉,瞿遂春.CPLD器件在電力電子保護(hù)系統(tǒng)中的應(yīng)用[J].長(zhǎng)沙電力學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版),2005,20(2):15-17.

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