王 躍
(重慶第二師范學(xué)院,重慶 400065)
自從20世紀(jì)70年代,全球所面臨的環(huán)境污染和能源短缺危機(jī)越來(lái)越凸顯. 為了人類(lèi)社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展,開(kāi)發(fā)環(huán)境友好的污染消除技術(shù)和開(kāi)發(fā)能制備清潔能源的技術(shù)已成為一項(xiàng)全世界亟待解決的任務(wù). 在目前眾多的綠色地球和可再生能源項(xiàng)目中,半導(dǎo)體光催化技術(shù)因其能方便地利用世界各地都大量存在的太陽(yáng)光和人造的室內(nèi)燈光,已經(jīng)成為最有發(fā)展前景的技術(shù)之一[1]. 光催化是一種環(huán)境相當(dāng)友好的技術(shù),借助于太陽(yáng)光,光催化劑可以在大氣的氛圍中徹底降解有機(jī)污染物,能夠光催化分解水生成清潔的氫能源,甚至還能把二氧化碳轉(zhuǎn)化成碳?xì)淙剂蟍2-3].
從物質(zhì)類(lèi)別上看,光催化劑通常都是一些固態(tài)的半導(dǎo)體材料,它們都有著共同的特性,如:能吸收紫外和(或)可見(jiàn)光,在化學(xué)和生物上都是惰性且光穩(wěn)定,而且一般比較便宜又無(wú)毒性[4]. 在最近的三十年中,各種各樣的半導(dǎo)體材料經(jīng)由各種方法被制備出來(lái),包括經(jīng)過(guò)修飾的二氧化鈦[5-6],多金屬氧化物[7-8],硫化物[9-10],氮氧化合物[11-12]和異質(zhì)結(jié)構(gòu)[13-14],同時(shí)它們新穎和獨(dú)特的光催化性能也得到了廣泛的研究. 在這些光催化劑中,銳鈦礦型的二氧化鈦(TiO2)由于其特殊的結(jié)構(gòu)(光催化性能穩(wěn)定、對(duì)有機(jī)物降解普適性強(qiáng)且有良好的電荷載流子處理性質(zhì)),是目前研究最為透徹的一種[4]. 遺憾的是,由于TiO2的能隙高達(dá)3.2 eV,它只能吸收 400 nm 以下的紫外光,而紫外光只占太陽(yáng)光總能量的 4%(相對(duì)地,占太陽(yáng)光總能量 43% 的可見(jiàn)光部分卻得不到利用),這一缺陷限制了TiO2的實(shí)際應(yīng)用. 因此,尋找能在可見(jiàn)光下有高催化活性的新穎半導(dǎo)體材料是必要的[15-16]. 本文作者著重介紹一類(lèi)能在可見(jiàn)光下有良好催化性能的半導(dǎo)體材料——銀基微納米半導(dǎo)體材料. 文章從光催化原理和能隙調(diào)節(jié)手段入手,著重探討了目前研究較多的4類(lèi),即簡(jiǎn)單的含銀化合物、含銀的異質(zhì)結(jié)構(gòu)、含銀的多金屬氧化物和含銀的固溶體. 最后,文章對(duì)整個(gè)銀基微納米半導(dǎo)體的研究狀況進(jìn)行了總結(jié).
如圖1所示,半導(dǎo)體光催化的進(jìn)程通常包含三個(gè)步驟:第一步,在光照的條件下,電子從價(jià)帶(VB)躍遷至導(dǎo)帶(CB);第二步,受激的電子和空穴遷移至催化劑表面;第三步,遷移至表面的電子和空穴分別與電子受體(A)和電子給體(D)反應(yīng). 在第二步中,大部分的電子-空穴對(duì)會(huì)重新復(fù)合,并以光或熱的形式把吸入的能量散發(fā)出去. 為了抑制電子-空穴的復(fù)合,通常會(huì)在母體半導(dǎo)體的表面負(fù)載諸如Pt、Pd等共催化劑. 這種異質(zhì)結(jié)構(gòu)能使兩者之間形成一個(gè)內(nèi)部電場(chǎng),從而促進(jìn)電子-空穴對(duì)的分離,并加速載流子的遷移. 因此,與母體半導(dǎo)體相比,共催化劑能擁有更優(yōu)秀的電導(dǎo)率、更低的過(guò)電勢(shì)和更高的催化活性.
為了能更加充分地利用太陽(yáng)能,除了尋找本身吸收帶位于可見(jiàn)光范圍內(nèi)的新穎材料外,對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行能帶結(jié)構(gòu)調(diào)控進(jìn)而使之對(duì)可見(jiàn)光有較高的響應(yīng)也是一種非??扇〉霓k法. 為了使半導(dǎo)體的能隙變窄,通常有三種策略(如圖2所示):(I)調(diào)節(jié)價(jià)帶;(II)調(diào)節(jié)導(dǎo)帶;(III)同時(shí)調(diào)節(jié)價(jià)帶和導(dǎo)帶.
圖1 半導(dǎo)體光催化進(jìn)程的基本機(jī)理示意圖Fig.1 Schematic illustration of basic mechanism of a semiconductor photocatalytic process
圖2 三種使半導(dǎo)體光催化劑能隙變窄的策略Fig.2 Three strategies to narrow the bandgap of semiconductor photo catalysts
近些年,由于Ag+擁有d10的電子結(jié)構(gòu)(d10或d0電子結(jié)構(gòu)比較有利于提升材料的光催化性能),基于Ag的微納米半導(dǎo)體材料在光催化制氫和光催化降解有機(jī)污染物方面獲得了廣泛的關(guān)注. 科技工作者們利用上述三種策略,制備了各種各樣能在可見(jiàn)光下有較高響應(yīng)的銀基微納米半導(dǎo)體材料,下面詳細(xì)論述.
此類(lèi)化合物以Ag2O和Ag3PO4為代表. 其中,Ag2O的優(yōu)秀光催化性能是近期才得到確認(rèn)的. 在WANG等[17]的工作以前,盡管Ag2O 擁有窄的能隙(~1.2 eV),能夠很好吸收可見(jiàn)光,但科技工作者們普遍認(rèn)為Ag2O光敏特性強(qiáng),在光催化時(shí)易分解成單質(zhì)Ag而導(dǎo)致光催化性能不穩(wěn)定. 因此,此前Ag2O很少用作主流的光催化材料. 有趣的是,在WANG等報(bào)道的工作中,情況并非如此. 通過(guò)對(duì)甲基橙(MO)光催化降解的實(shí)驗(yàn)得知,即使在5個(gè)循環(huán)后,尺寸僅為200 nm的Ag2O納米顆粒仍能在160 min內(nèi)降解大約 90%的甲基橙,僅僅比首次降解的93%低了3個(gè)百分點(diǎn). 不僅如此,XRD與XPS都表明,循環(huán)5次后的Ag2O樣品沒(méi)有發(fā)生明顯的組分變化,足見(jiàn)其良好的光催化穩(wěn)定性. 之所以與主流觀點(diǎn)有這么大的差異,是因?yàn)锳g2O在光催化降解有機(jī)物時(shí),位于催化劑表面的Ag2O部分分解為單質(zhì)Ag,并形成了穩(wěn)定的Ag/Ag2O結(jié)構(gòu). 新生成的Ag覆蓋在Ag2O外層,從而形成異質(zhì)結(jié)構(gòu),不僅有利于電子-空穴對(duì)的有效分離,還增大了載流子的遷移速度;此外,包裹在外層的單質(zhì)Ag阻礙了內(nèi)層Ag2O的進(jìn)一步分解,從而確保光催化的穩(wěn)定性.
與Ag2O類(lèi)似,Ag3PO4也是近期才被報(bào)道具有超好的光催化分解水和光催化降解有機(jī)污染物的性能. 根據(jù)YE課題組[18]在《自然·材料》雜志中的報(bào)道,以 Na2HPO4(或Na3PO4) 與 AgNO3為起始原料,采用簡(jiǎn)單的液相沉淀法制備的尺寸小于1 μm 的金黃色Ag3PO4,盡管只是不規(guī)則的顆粒,然因其擁有合適的能隙(2.36~2.43 eV),在可見(jiàn)光照射下的光催化活性很高,其表觀量子產(chǎn)率(Apparent quantum yields,AQY)接近90%. 當(dāng)用波長(zhǎng)大于420 nm的可見(jiàn)光照射分散有Ag3PO4納米顆粒的AgNO3溶液時(shí),其O2的生成速率高達(dá)636 μmol/h,分別是另外兩種優(yōu)秀光催化劑 BiVO4(246 μmol/h)和 WO3(72 μmol/h)的2.58倍和8.83倍. 此外,對(duì)于降解有機(jī)物,Ag3PO4也表現(xiàn)搶眼. 在420 nm的可見(jiàn)光照射下,Ag3PO4可以在4 min內(nèi)把亞甲基藍(lán)完全降解,而同樣條件下采用TiO2-xNx或 BiVO4作為催化劑,則至少需要90 min才能實(shí)現(xiàn)完全降解. Ag3PO4之所以有這么好的光催化活性,很大程度上得益于它獨(dú)特的電子能帶結(jié)構(gòu). 通過(guò)密度泛函理論 (DFT) 計(jì)算得知,由于P原子的參與,Ag3PO4價(jià)帶和導(dǎo)帶的態(tài)密度都很彌散,非常有利于受激電子和空穴的轉(zhuǎn)移,從而有效地抑制了電子-空穴對(duì)的復(fù)合,故而擁有高的光催化活性. 而沒(méi)有P原子的Ag2O,盡管能隙更低(~1.2 eV),其光催化活性卻不如Ag3PO4.
除了能帶結(jié)構(gòu),形貌對(duì)Ag3PO4的光催化活性也有很大的影響. 例如,對(duì)于甲基橙,球形的Ag3PO4需要大約28 min才能降解完全,立方塊的Ag3PO4則需要14 min,而呈十二面體的Ag3PO4僅需要4 min;類(lèi)似地,對(duì)于羅丹明B,完全降解的時(shí)間分別為球形14 min、立方塊8 min和十二面體3 min. 之所以會(huì)有這樣的差異,是因?yàn)椴煌蚊菜哂械谋砻婺懿煌? 此處,十二面體Ag3PO4所暴露的表面是(110)晶面,其能量為1.31 J/m2,而立方塊所暴露的是(100)晶面,其能量值為1.12 J/m2,所以(110)晶面的反應(yīng)活性比(100)晶面高,也即是十二面體Ag3PO4的反應(yīng)活性比立方塊Ag3PO4的高[19]. 當(dāng)然,Ag3PO4作為光催化劑也有其自身的不足之處,如:①Ag/Ag3PO4的電極電勢(shì)低于 H+的還原電勢(shì),在光解水的過(guò)程中并不能獲得氫氣;② Ag3PO4在水中微溶,其光穩(wěn)定性不是很好. 這些是我們今后需要對(duì)其進(jìn)一步改進(jìn)的地方.
Ag3PO4在水中微溶的性質(zhì)導(dǎo)致其光穩(wěn)定性不好. 鑒于此,BI等[20]采用簡(jiǎn)易的溶液法,通過(guò)在新制備的Ag3PO4十二面體納米顆粒中添加NaX (X = Cl、Br、I) 溶液,獲得了AgX/Ag3PO4核-殼結(jié)構(gòu). 這種核-殼結(jié)構(gòu),不僅能保持Ag3PO4母體十二面體的形貌,還能使光催化劑的能隙適當(dāng)減小,進(jìn)而提高可見(jiàn)光響應(yīng)的范圍. 另一方面,核-殼異質(zhì)結(jié)構(gòu)的形成,會(huì)促進(jìn)光生電子-空穴對(duì)的轉(zhuǎn)移和有效分離,從而降低了電子-空穴對(duì)的重新復(fù)合;更為重要的是,由于鹵化銀(AgX)在水中的溶解度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于Ag3PO4,因此,覆蓋在Ag3PO4外圍的AgX阻止了內(nèi)部Ag3PO4的進(jìn)一步溶解,也即是克服了Ag3PO4在水中微溶的缺陷,如此必定會(huì)提高Ag3PO4的光催化穩(wěn)定性.
如圖3所示,相比純的Ag3PO4,AgX/Ag3PO4核-殼結(jié)構(gòu)在光催化降解甲基橙(MO)時(shí),其降解效果要明顯好很多. 即使是效果最差的AgCl/Ag3PO4,也只需30 min就能完全降解MO;而效果最好的AgBr/Ag3PO4核-殼結(jié)構(gòu),其降解速率大概是純Ag3PO4的14倍(AgBr/Ag3PO4僅需4 min,而純Ag3PO4需要55min). 不僅如此,在光催化降解MO后,AgX/Ag3PO4的十二面體形貌和整個(gè)晶體結(jié)構(gòu)沒(méi)有發(fā)生明顯的改變,而純Ag3PO4則不僅十二面體形貌被嚴(yán)重破壞,其中還有部分Ag3PO4被還原成單質(zhì)銀. 由此可知,AgX/Ag3PO4的穩(wěn)定性的確要優(yōu)于純的Ag3PO4. 這與最初的理論分析相吻合.
目前,Ag-M-O類(lèi)半導(dǎo)體光催化材料種類(lèi)較多,如:AgAlO2[21]、AgGaO2[22]、AgInO3[22]、AgSbO3[23]、AgNbO3[24]、Ag2GeO3[25]、Ag2CrO4[26]等. 這些多金屬氧化物,實(shí)際上是通過(guò)提升價(jià)帶使能隙變窄的. 總的來(lái)說(shuō),能有效提升價(jià)帶的方法通常有三種,即摻雜3d-過(guò)渡元素,摻雜d10或d10s2構(gòu)型的離子,以及摻雜非金屬元素. 上述多金屬氧化物正是摻雜d10或d10s2構(gòu)型的離子這一方法的典型例證. 在這些多金屬氧化物中,d10或d10s2構(gòu)型的離子能夠誘導(dǎo)有電子占據(jù)的d或s態(tài)進(jìn)入價(jià)帶(VB). 這些d/s態(tài)與O2p態(tài)雜化,引起價(jià)帶的頂部向上移動(dòng),從而使能隙變窄.
圖3 在室溫可見(jiàn)光(λ > 420 nm)照下不同光催化劑對(duì)甲基橙(MO)的降解效果Fig.3 Degradation of MO with different photocatalysts under visible light irradiation (λ > 420 nm) at room temperature
理論計(jì)算表明,AgMO2(M =Al、Ga、In) 的能帶呈間接帶隙,其導(dǎo)帶主要由Ag的5s,5p和M的s, p態(tài)構(gòu)成,而價(jià)帶則是都含有Ag 4d 和 O2p 態(tài). 由于AgMO2(M =Al、Ga、In)的價(jià)帶最高值非常相近,而當(dāng)M從Al變?yōu)镚a時(shí),M的s, p態(tài)的貢獻(xiàn)值使導(dǎo)帶的最底端變得越來(lái)越負(fù). 因此,它們的能隙隨著M的變化逐漸減小,即Eg(α-AgAlO2) >Eg(α-AgGaO2) >Eg(α-AgInO2),這與實(shí)測(cè)值(2.95 eV > 2.38 eV > 1.90 eV)的趨勢(shì)是完全一致的. 另一方面,這類(lèi)多金屬氧化物在可見(jiàn)光下的光催化活性也很強(qiáng),如:α-AgGaO2對(duì)氣相異丙醇(IPA)的降解活性可達(dá)到19.1 μg/(h·m2);AgSbO3對(duì)乙醛的光催化降解速率大約是純TiO2的8倍;Ag2GeO3在氙燈的照射下,能光催化降解各種有機(jī)染料,如亞甲基藍(lán)、羅丹明B、酸性品紅和橙黃II,且在25 min后的降解率高達(dá)90 %以上;Ag2CrO4則能在光照下徹底礦化有機(jī)苯和甲基橙.
圖4 β-AgAl1-xGaxO2 樣品的能帶、顏色和光催化降解異丙醇時(shí)的丙酮生產(chǎn)速率Fig.4 Evolution rates of acetone, band gaps, and colors of the β-AgAl1-xGaxO2 samples
一般而言,固溶體類(lèi)的光催化劑是通過(guò)連續(xù)改變價(jià)帶或?qū)?,或同時(shí)連續(xù)改變兩者來(lái)實(shí)現(xiàn)窄化能隙的目的的. 以β-AgAl1-xGaxO2[27]為例,當(dāng)x的值從0逐漸增大至1時(shí),固溶體的能隙也相應(yīng)地從2.83 eV降至2.19 eV(見(jiàn)圖4),樣品的顏色則從灰色逐漸變?yōu)榱碎冱S色,可見(jiàn)固溶體樣品對(duì)可見(jiàn)光的響應(yīng)也逐漸增強(qiáng). 由圖4可知,相比純的AgAlO2和AgGaO2,AgAl1-xGaxO2的價(jià)帶并無(wú)明顯變化,均是由Ag4d 和 O2p 態(tài)組成,而導(dǎo)帶的底部卻隨著x的增大而逐漸降低. 這是因?yàn)殡S著x的增大,導(dǎo)帶中的Al3s3p 逐漸被 Ga4s4p取代,使得AgAl1-xGaxO2導(dǎo)帶的最底端持續(xù)往下移動(dòng),所以能隙變得越來(lái)越窄.
此外,從圖4還可知,在可見(jiàn)光照射下(λ= 425 ± 12 nm),β-AgAl0.6Ga0.4O2(即x= 0.4) 催化降解異丙醇的表觀量子效率最大(AQE),達(dá)到37.3%. 如此高的AQE,使得β-AgAl0.6Ga0.4O2光催化降解異丙醇的活性分別是純?chǔ)?AgAlO2和純?chǔ)?AgGaO2的35倍和63倍,足見(jiàn)這一策略的可行性和優(yōu)越性. 類(lèi)似的,固溶體Ag1-xNaxNbO3[28]和(AgNbO3)1-x(SrTiO3)x[29]等同樣表現(xiàn)出強(qiáng)勁的光催化性能. 其中,(AgNbO3)1-x(SrTiO3)x除了能有效降解氣態(tài)異丙醇外,還能光催化分解水以制備氧氣,是一種很有潛在應(yīng)用價(jià)值的功能材料.
結(jié)論與展望:銀基微納米半導(dǎo)體材料因具有合適的能隙,其在可見(jiàn)光照射下會(huì)受激發(fā)產(chǎn)生光生電子-空穴對(duì)而具有較高的光催化性能. 目前,對(duì)銀基微納米半導(dǎo)體材料的研究主要集中在簡(jiǎn)單的含銀化合物、含銀的異質(zhì)結(jié)構(gòu)、含銀的多金屬氧化物和含銀的固溶體這幾類(lèi). 實(shí)驗(yàn)表明,盡管這些材料存在形貌與尺寸上不易調(diào)控的不足,但它們?cè)诳梢?jiàn)光下都具有良好的光催化性能. 尤其是Ag3PO4,其表觀量子產(chǎn)率高達(dá)90%,能在可見(jiàn)光下有效地分解水來(lái)制備氧氣,具有很好的潛在應(yīng)用價(jià)值.
其實(shí),光催化劑的性能除了取決于自身的能隙外,還受形貌和比表面積等因素的影響. 因此,如何有效調(diào)控半導(dǎo)體能隙使之能充分吸收可見(jiàn)光,如何提高比表面積以及如何操控樣品使其裸露高表面能的晶面,既是目前面臨的挑戰(zhàn),也為今后進(jìn)一步制備新穎光催化材料提供了思路. 為此,我們可以從能帶工程、納米技術(shù)、現(xiàn)代材料表征方法、先進(jìn)的理論計(jì)算與模擬等各方面進(jìn)行深入系統(tǒng)的研究. 特別是要充分利用好納米技術(shù),這樣不但能急劇提高光催化劑的比表面積,還能誘發(fā)光催化劑擁有某些常規(guī)塊材不具備的特性.
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