高恩雙,孫 雨,金艷花,宗 俊
(華東師范大學(xué)化學(xué)系,上海 200241)
納米氧化釔是一種新型高功能精細(xì)無機(jī)材料,廣泛應(yīng)用于光學(xué)玻璃、高溫涂層材料、超導(dǎo)體材料、陶瓷材料等。近幾年,國內(nèi)外對(duì)采用沉淀法制備納米氧化釔展開了研究,所用沉淀劑有草酸、碳酸氫銨、氨水、尿素等[1-3]。但是,由于納米粒子容易團(tuán)聚,使其應(yīng)用受到限制,而且納米材料合成機(jī)制以及納米氧化物結(jié)構(gòu)等還需要深入探討。筆者對(duì)以草酸銨為沉淀劑制備納米氧化釔新工藝進(jìn)行了初步研究。
儀器:JL-1166型激光粒度測試儀、減壓循環(huán)真空泵、SGM2893HA電阻爐(馬弗爐)、85-2A數(shù)顯恒溫磁力攪拌器、TGA851e/SF/1100差熱-熱重分析儀、D-78型X射線衍射儀、日立S-4800掃描電子顯微鏡。 試劑:Y2O3粉末(4N,微米級(jí))、濃硝酸(AR,HNO3質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 65%~68%)、草酸銨(AR)、十六烷基三甲基溴化銨(CTMAB)、去離子水。
將一定量微米級(jí)氧化釔和濃硝酸混合后加熱溶解,配成一定濃度的硝酸釔溶液備用。配制一定濃度的草酸銨溶液,加入一定量表面活性劑CTMAB。在恒溫?cái)嚢柘聦⑾跛後惾芤壕徛渭拥胶斜砻婊钚詣┑牟菟徜@水溶液中。滴加完畢后繼續(xù)攪拌1 h、陳化3 h。洗滌、過濾、干燥、煅燒得到納米氧化釔。
用激光粒度測試儀測試產(chǎn)品粒度分布;用X射線衍射儀和掃描電鏡分析產(chǎn)品晶型和形貌。
固定條件:草酸根與釔離子物質(zhì)的量比為2∶1,CTMAB加入量為1.0 mL,850℃煅燒2 h??疾旆磻?yīng)溫度對(duì)氧化釔產(chǎn)品純度的影響,制得氧化釔XRD譜圖見圖1。由圖1可知,在反應(yīng)溫度為60℃時(shí)得到氧化釔X射線衍射峰強(qiáng)度高,無雜質(zhì)峰,說明在此溫度下得到的產(chǎn)物純度最高。這是因?yàn)椋磻?yīng)溫度較低時(shí)反應(yīng)速度較慢,產(chǎn)品產(chǎn)率太低,因而影響產(chǎn)品純度;反應(yīng)溫度較高時(shí)反應(yīng)速度加快,生成大量中間產(chǎn)物 Y2(C2O4)3·xH2O 晶核,因而產(chǎn)品純度較高。 但溫度過高,晶核成長速度加快,結(jié)晶長大,影響中間產(chǎn)物的粒度[4]。因此,選擇反應(yīng)溫度為60℃。
圖1 不同反應(yīng)溫度所得產(chǎn)品XRD譜圖
固定條件:草酸根與釔離子物質(zhì)的量比為2∶1,CTMAB加入量為1.0 mL,反應(yīng)溫度為60℃。用差熱-熱重分析儀分析了前驅(qū)物草酸釔熱分解特性,結(jié)果見圖2。由圖2可知,前驅(qū)體在130℃左右開始失去結(jié)晶水和吸附水,這一過程持續(xù)到250℃左右,質(zhì)量損失率為6.0%;前驅(qū)體在250~800℃的分解包含了復(fù)雜的物理化學(xué)過程,質(zhì)量損失率為54.1%,其中250~500℃對(duì)應(yīng)于草酸釔的分解,由于晶體尺寸不均一,因此草酸釔的分解溫度有一個(gè)范圍;在500~800℃有一個(gè)連續(xù)放熱質(zhì)量損失過程,包括表面活性劑的氧化過程、草酸釔分解產(chǎn)物氧化過程等。當(dāng)溫度高于800℃時(shí),TG曲線和DTA曲線都沒有明顯變化,表明中間體已經(jīng)分解完全。因此氧化釔前驅(qū)體的煅燒溫度要高于800℃[5]。
圖2 前驅(qū)體草酸釔TG-DTA曲線
固定條件:草酸根與釔離子物質(zhì)的量比為2∶1,CTMAB加入量為1.0 mL,反應(yīng)溫度為60℃,煅燒溫度為850℃。考察煅燒時(shí)間對(duì)前驅(qū)物草酸釔質(zhì)量損失的影響,結(jié)果見圖3。由圖3可知,2 h后質(zhì)量損失率無明顯變化,因此煅燒時(shí)間為2 h時(shí)中間產(chǎn)物分解完全。
圖3 煅燒時(shí)間對(duì)前驅(qū)物質(zhì)量損失的影響
固定條件:CTMAB加入量為1.0 mL,反應(yīng)溫度為60℃,850℃煅燒2 h。表1為草酸根與釔離子物質(zhì)的量比對(duì)氧化釔產(chǎn)品粒徑的影響。由表1可知,隨著草酸根與釔離子物質(zhì)的量比的增加產(chǎn)品粒徑先減小后增大,當(dāng)草酸根與釔離子物質(zhì)的量比為3∶1時(shí)所得產(chǎn)品粒徑最小。改變草酸根與釔離子物質(zhì)的量比主要是改變草酸銨溶液濃度,草酸銨濃度主要影響前驅(qū)體成核速度和長大速度,濃度太低成核速度緩慢,晶粒容易長大;濃度太高,均相成核作用顯著,生成的晶粒容易發(fā)生團(tuán)聚,也會(huì)使微粒的粒徑變大[4]。
表1 反應(yīng)物物質(zhì)的量比對(duì)產(chǎn)品粒徑的影響
在納米顆粒的制備過程中,加入表面活性劑可以有效減小氧化釔前驅(qū)體顆粒粒徑。這是因?yàn)?,表面活性劑可以吸附在前?qū)物顆粒表面,形成空間位阻層,減少粒子間的直接接觸,使顆粒之間不容易發(fā)生團(tuán)聚,從而達(dá)到分散沉淀顆粒的目的[6]。圖4為CTMAB加入量對(duì)氧化釔產(chǎn)品粒徑的影響。固定條件:草酸根與釔離子物質(zhì)的量比為2∶1,反應(yīng)溫度為60℃,850℃煅燒2 h。由圖4可知,當(dāng)CTMAB加入量為0.75 mL時(shí)所得產(chǎn)品粒徑較小,隨后減小趨勢緩慢,因此選用CTMAB加入量為0.75 mL。
圖4 CTMAB加入量對(duì)產(chǎn)品粒徑的影響
對(duì)最優(yōu)條件下制得的納米氧化釔粉末進(jìn)行X射線衍射分析,結(jié)果見圖5。由圖5可知,產(chǎn)品衍射峰強(qiáng)度大,半峰寬小,無雜質(zhì)峰,表明制備的納米氧化釔粉體純度高、晶形完整[4]。圖6為最佳條件下制得納米氧化釔SEM照片。由圖6可知,納米氧化釔顆粒為橢球形,平均粒徑在40 nm左右。
圖5 納米氧化釔XRD譜圖
圖6 納米氧化釔SEM照片
以氧化釔、濃硝酸為原料,采用草酸銨沉淀法,通過添加表面活性劑制得納米氧化釔。最佳條件:草酸根與釔離子物質(zhì)的量比為3∶1、CTMAB加入量為0.75 mL、反應(yīng)溫度為60℃、850℃煅燒2 h。
[1]劉志強(qiáng),李杏英,梁振峰.碳銨沉淀法制備納米氧化釔過程中氯離子的行為[J].中國稀土學(xué)報(bào),2005,23(3):373-377.
[2]張順利,黃小衛(wèi),崔大立,等.碳酸氫銨沉淀法制備氧化釔粉體時(shí)反應(yīng)條件對(duì)產(chǎn)物粒度的影響[J].中國稀土學(xué)報(bào),2003,21(6):643-646.
[3]王小蘭,李歷歷,段學(xué)臣.氧化釔納米粉末的制備[J].稀有金屬與硬質(zhì)合金,2004,32(1):26-28.
[4]武艷妮,左白燕,李領(lǐng),等.工業(yè)草酸與氫氧化鎂制備納米氧化鎂的研究[J].無機(jī)鹽工業(yè),2011,43(7):29-31.
[5]李艷,朱達(dá)川,涂銘旌.室溫球磨固相化學(xué)反應(yīng)法制備納米氧化釔[J].稀土,2006,27(6):80-82.
[6]侯潔,董哲,劉宗瑞,等.表面活性劑在納米氧化鋅制備中的應(yīng)用研究進(jìn)展[J].內(nèi)蒙古民族大學(xué)學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2009,24(3):266-268.