侯建強 李鵬杰 牛中奇 陳晉吉 王瑞華 吳仕喜 閆耀峰
(1.西安電子科技大學電子工程學院,陜西 西安 710071;2.西安電子科技大學生命科學技術(shù)學院,陜西 西安 710071)
透鏡天線相比于反射面天線具有獨特的優(yōu)點,如設(shè)計自由度更多、公差要求低、透鏡無遮擋、可較方便實現(xiàn)波束掃描等, 從而以其高增益、高定向波束的優(yōu)勢被廣泛應(yīng)用于毫米波、亞毫米波和太赫茲等波段. 透鏡天線的形式較多,按透鏡材料分為介質(zhì)透鏡和波導透鏡(金屬透鏡),按折射面分為單折射面透鏡和雙折射面透鏡. 對于透鏡的分析與設(shè)計可通過幾何光學與電磁場理論相結(jié)合的方法來實現(xiàn).
介質(zhì)平板透鏡是一種特殊的介質(zhì)透鏡,其兩個表面均不是折射面,但仍具有提高天線增益的功效. 文獻[1-2]均有介質(zhì)平板透鏡提高天線增益方法的報道. 另外,介質(zhì)平板透鏡可以有效地減小天線陣列規(guī)模、簡化饋電功分網(wǎng)絡(luò).
文獻[1]在寬頻帶縫隙耦合微帶貼片天線上通過加載介質(zhì)平板透鏡,采用商業(yè)電磁仿真軟件對介質(zhì)平板透鏡天線進行了仿真優(yōu)化,使得縫隙耦合微帶天線的增益提高了約7 dB. 文獻[3]提出了腔體縫隙天線前端加介質(zhì)平板覆層的方法,該方法可提高天線增益3 dB左右,并改善了天線的方向性. 本文采用基于光學理論與電磁理論相結(jié)合的分析方法,以及基于時域有限差分法(Finite Difference Time Domain ,F(xiàn)DTD)和有限元法(Finite Element Method, FEM)的全波三維電磁場仿真軟件,仿真分析了介質(zhì)平板透鏡對微帶天線電氣特性的影響,并就介質(zhì)平板透鏡提高天線增益的原理給出了相應(yīng)的解釋. 最后,通過實例仿真驗證了原理的有效性.
通常認為,當天線輻射(或者接收)的電磁波,通過介質(zhì)平板透鏡時只會發(fā)生透射和反射現(xiàn)象,不會發(fā)生能量的匯集或擴散現(xiàn)象,然而在微波頻段,出現(xiàn)了電磁能量的匯聚. 文獻[1]只給出了介質(zhì)平板透鏡提高天線增益的仿真和測試結(jié)果,文獻[3]則從光學透鏡的光線匯聚理論對其進行了解釋,文獻[2,4]基于傳輸線模型理論對其進行了分析,認為介質(zhì)平板透鏡滿足介質(zhì)覆蓋諧振條件時,能夠在邊射方向獲得很高的增益.
參照圖1(a),介質(zhì)基片厚度為T1,邊長為L1,介電常數(shù)為εr1,介質(zhì)平板透鏡的厚度為T2,邊長為L2,介電常數(shù)為εr2,至貼片天線的距離為H. 等效電路如圖1(b)所示. 天線獲得高增益的條件對應(yīng)的是將輸入波電壓Vin變換為貼片表面處的高電壓V1. 當諸參數(shù)選取合適時,介質(zhì)平板透鏡與天線反射地板構(gòu)成一個矩形介質(zhì)波導諧振腔,其基本原理和Fabry-Perot 諧振腔相似,即電磁波在諧振腔內(nèi)多次反射形成多波束干涉,使諧振頻段上的電磁波得到線性相位變化,進而得到色散補償,可使天線在邊射方向獲得高增益、高定向波束等特性[5-9].
通過對介質(zhì)平板透鏡下有、無放置天線這兩種情況進行對照研究,采用商業(yè)電磁仿真軟件觀測主要輻射面的電場分布,形象、直觀、深刻地研究和分析介質(zhì)平板透鏡對電磁波的反射和透射,得出介質(zhì)平板透鏡能夠提高天線增益的結(jié)論.
(a) 幾何結(jié)構(gòu)
(b) 等效電路圖1 介質(zhì)平板透鏡天線幾何結(jié)構(gòu)和等效電路
在基于FDTD的商業(yè)電磁軟件里,僅建立介質(zhì)平板透鏡模型. 以中心頻率為35 GHz為例,在介質(zhì)平板透鏡正上方處插入幅度為{X=1 V/m,Y=0,Z=0},傳播方向為{φ=0,θ=0},極化方向為φ的平面波,垂直入射介質(zhì)平板透鏡,觀測YOZ平面(垂直平分介質(zhì)平板透鏡的平面)、Z=1.104 mm平面和Z=0.254 mm平面上的電場分布,具體如圖2、圖3所示.
圖2(a)為無天線時YOZ平面上電場的瞬態(tài)分布,圖2(b)則為穩(wěn)態(tài)分布,由圖2所示,平面電磁波垂直入射介質(zhì)平板透鏡時,介質(zhì)平板透鏡會對電磁波能量產(chǎn)生匯聚作用,即場源電場強度為1 V/m時,直射介質(zhì)平板透鏡后最大電場強度變?yōu)?.67 V/m,如圖2(b)所示.
圖3(a)和圖3(c)分別為Z=1.104 mm平面和Z=0.254 mm平面的電場瞬態(tài)分布. 從圖3(b)和圖3(d)可以看出:在所選的兩個位置處,電場增大,其中Z=1.104 mm平面的最大電場可達2.32 V/m,Z=0.254 mm平面最大電場為2.34 V/m,驗證了平板介質(zhì)平板透鏡對電磁波能量確實有匯聚作用.
作為參照實驗,在其他條件完全相同的情況下,僅在Z=1.104 mm平面和Z=0.254 mm平面創(chuàng)建雙層貼片天線,平面波和上述設(shè)置也完全一致,在電磁軟件里進行了仿真對比. 觀測YOZ平面、Z=1.104 mm平面和Z=0.254 mm平面上的電場分布,具體如圖4、圖5所示.
(a) 瞬態(tài)分布(φ=π/4) (b)穩(wěn)態(tài)分布圖2 無天線時YOZ平面上電場分布
(a) Z=1.104 mm瞬態(tài)分布 (b) Z=1.104 mm穩(wěn)態(tài)分布
(c) Z=0.254 mm瞬態(tài)分布 (d) Z=0.254 mm穩(wěn)態(tài)分布圖3 無天線時Z=1.104 mm和Z=0.254 mm平面上電場分布
圖4(a)為有天線時YOZ平面上電場的瞬態(tài)分布,圖4(b)則為穩(wěn)態(tài)分布. 參照圖2和圖4,有天線時,能量也得到加強,即場源電場強度為1 V/m時,直射介質(zhì)平板透鏡后最強場強變?yōu)?3.92 V/m,明顯大于不加天線時的2.67 V/m. 并且加天線后,雙層貼片天線所在的位置已成為能量匯聚最強的位置,如圖4(b)所示.
參照圖3(a)、圖3(b)和圖5(a)、圖5(b),圖3(c)、圖3(d)和圖5(c)、圖5(d),雙層貼片天線的輻射邊上的電場強度增大的程度最大,寄生單元輻射邊最大電場強度達到34.79 V/m,主輻射單元輻射邊最大電場強度也增加到6.49 V/m,均遠大于無天線時的2.34 V/m. 這驗證了介質(zhì)平板透鏡和天線相耦合,發(fā)生了諧振,使得天線的方向性增強,增益大幅度提高.
(a) 瞬態(tài)分布(φ=π/4) (b) 穩(wěn)態(tài)分布圖4 有天線時YOZ平面上電場強度分布
(a) Z=1.104 mm瞬態(tài)分布 (b) Z=1.104 mm穩(wěn)態(tài)分布
(c) Z=0.254 mm瞬態(tài)分布 (d) Z=0.254 mm穩(wěn)態(tài)分布圖5 有天線時Z=1.104 mm和Z=0.254 mm平面上電場強度分布
使用基于FEM的商業(yè)電磁仿真軟件進行實驗仿真分析. 無介質(zhì)平板透鏡時,天線單元的阻抗特性和方向特性如圖6、圖7所示. 圖6表明,天線的駐波特性優(yōu)良,在34.75~35.25 GHz內(nèi),電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio,VSWR)小于1.2. 圖7表明,天線單元的最大增益為9.1 dB.
下面對加載介質(zhì)平板透鏡的情況進行仿真分析,對加載介質(zhì)平板透鏡的雙層貼片微帶天線進行建模,并對介質(zhì)平板透鏡的相關(guān)參數(shù)進行優(yōu)化分析,以驗證加載介質(zhì)平板透鏡對天線電氣特性的影響.
圖6 無介質(zhì)平板透鏡的天線VSWR曲線
圖7 無介質(zhì)平板透鏡的天線方向圖
設(shè)計了一個Ka波段的天線,結(jié)構(gòu)如圖8(a)所示,由邊饋的主輻射貼片單元和寄生貼片單元組成. 圖8(b)給出相關(guān)天線的參數(shù):主輻射貼片尺寸為2.9 mm×3 mm,兩個介質(zhì)基片均采用厚度為0.254 mm的Rogers 5 880(εr=2.2, tanδ=0.001),尺寸為6.6 mm ×7.3 mm,金屬反射地板板的尺寸也為6.6 mm×7.3 mm. 天線的中心頻率為35 GHz,工作波長為λ0=12.5 mm.
寄生單元為寬邊開槽的矩形貼片結(jié)構(gòu),主要作用是降低主輻射單元尺寸對天線阻抗匹配和方向性的敏感度,便于展寬帶寬和改善天線電氣特性.
加載矩形介質(zhì)平板透鏡,通過全波電磁仿真軟件,分別對如圖8(b)所示的介質(zhì)平板透鏡與貼片的距離H、介質(zhì)平板透鏡厚度T和邊長L以及介質(zhì)平板透鏡的相對介電常數(shù)進行了仿真優(yōu)化. 優(yōu)化結(jié)果表明:當介質(zhì)平板透鏡的相對介電常數(shù)εr=6.15,損耗角正切tanδ=0.001,而幾何尺寸為H=14 mm,T=1.8 mm,L=14 mm時,可使貼片天線增益提高6~7 dB,同時天線單元具有良好的電氣特性.
(a) 天線結(jié)構(gòu)
(b) 天線參數(shù)圖8 加載介質(zhì)平板透鏡的貼片天線結(jié)構(gòu)示意圖
通過優(yōu)化分析介質(zhì)平板透鏡至貼片間的距離H發(fā)現(xiàn),參數(shù)H是影響天線電氣特性的最主要因素. 這一結(jié)論可由仿真結(jié)果圖9(a)看出,在其他參數(shù)不變時,隨著H從6 mm開始,以3 mm為步長,增長到24 mm,增益隨H的增大而增大. 與此同時,也將回波損耗S11隨參數(shù)H的變化以曲線形式顯示于圖9(b).
從圖9(a)可以看出,當H=14 mm時,增益最高,提高了6~7 dB. 從圖9(b)可以看出,天線的諧振頻率隨著H的增大而周期性出現(xiàn). 這顯示了介質(zhì)平板透鏡具有傳統(tǒng)介質(zhì)透鏡所不具備的電磁能量匯集功能.
(a) 增益曲隨H變化曲線
(b) 回波損耗S11隨H變化曲線圖9 參數(shù)H對天線電氣特性影響
介質(zhì)平板透鏡的厚度T是影響天線電氣特性的另一重要參數(shù). 對參數(shù)T進行參數(shù)掃描,T從0.6 mm開始以0.2 mm的步長變化到2.8 mm時,天線電氣特性變化的分析結(jié)果以曲線形式顯示于圖10.
圖10(a)給出的是增益隨參數(shù)T的變化曲線,仿真結(jié)果表明,介質(zhì)平板透鏡并不是越厚或越薄,增益提高越明顯. 只有厚度適當,即T=1.8 mm時,才會顯著地提高天線的增益,提高了5~6 dB.
回波損耗S11隨參數(shù)T的變化曲線如圖10(b)所示,參數(shù)T過大或者過小,天線的阻抗特性都較差,而只有當T=2 mm時,天線阻抗特性達到最優(yōu)值,S11=-22.45 dB.
(a) 增益隨T變化曲線
(b) 回波損耗S11隨T變化曲線圖10 參數(shù)T對天線電氣特性影響
介質(zhì)平板透鏡的邊長L也是影響天線電氣特性的重要因素. 仿真結(jié)果見圖11. 從圖11(a)中可看出:當介質(zhì)平板透鏡的邊長L由4 mm開始,以2 mm為步長增加18 mm的過程中,在達到L=14 mm時,天線增益達到最大值;當L再增加時,天線增益反而略有下降. 這表明并不是L越大天線增益越高. 隨著L的增加,天線的阻抗特性變隨L的改變結(jié)果示于圖11(b),在L=8~14 mm時,天線的阻抗特性最差,S11>-13 dB,之后再隨著L的增加,有所改善,S11<-14 dB.
(a) 增益隨L變化曲線
(b) 回波損耗S11隨L變化曲線圖11 參數(shù)L對天線電氣特性影響
之前介質(zhì)平板透鏡材料特性對天線電氣特性影響的研究較少,為此文章就介質(zhì)平板透鏡的介電常數(shù)對微帶天線增益的影響進行仿真分析,現(xiàn)將分析結(jié)果以表格形式列于表1. 值得說明的是,表中介質(zhì)平板透鏡的其它參數(shù)取前文已優(yōu)化的值.
結(jié)合表1,全面考察加載介質(zhì)平板透鏡后的微帶天線特性,選取H=14 mm、T=1.8 mm、L=14 mm和εr=6.15一組參數(shù)可以獲得最佳的綜合效果. 故在選取該組參數(shù)的條件下對微帶天線的增益和阻抗特性進行仿真分析,結(jié)果如圖12所示.
表1 介質(zhì)平板透鏡的介電常數(shù)對天線增益的影響
(a) VSWR曲線
(b) 方向圖圖12 加載介質(zhì)平板透鏡的微帶貼片天線電氣特性
參照圖12(a),在35.0~35.8 GHz頻段內(nèi),VSWR<1.5,最大增益為15.9 dB.
通過圖12(a)和圖6比較,加載介質(zhì)平板透鏡使得天線的阻抗特性和工作帶寬均有所變差,然而能夠極大地提高天線的增益,往往可以提高7~8 dB. 因此,介質(zhì)平板透鏡天線廣泛應(yīng)用于毫米波、亞毫米波和太赫茲等頻段. 加載介質(zhì)平半透鏡有效地較少了天線陣列的規(guī)模,減小天饋系統(tǒng)的尺寸. 文章下一步工作是,通過研究陣列面幅度和相位的分布,結(jié)合饋電網(wǎng)絡(luò),實現(xiàn)對天線陣列的二次賦形.
通過插入平面波,對介質(zhì)平板透鏡正下方有無放置天線兩種情況對照研究,給出了合理的、確切的介質(zhì)平板透鏡提高天線增益的原理. 一方面,介質(zhì)平板透鏡與天線反射地板構(gòu)成矩形介質(zhì)波導諧振腔,通過多次反射電磁波,提高了天線的增益;另一方面,介質(zhì)平板透鏡對電磁波具有匯聚功能,一定程度上也提高了天線的增益. 最后通過實例驗證了原理的有效性.
文章的研究對于介質(zhì)平板透鏡,乃至毫米波介質(zhì)透鏡在毫米波天線和陣列的應(yīng)用提供了一個新的研究理論.
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