席有民,平麗浩,錢吉裕
(南京電子技術(shù)研究所,江蘇南京 210039)
雷達(dá)系統(tǒng)射頻前端電磁脈沖防護(hù)
席有民,平麗浩,錢吉裕
(南京電子技術(shù)研究所,江蘇南京 210039)
射頻前端是雷達(dá)系統(tǒng)最易受電磁脈沖影響的部位。在對(duì)國內(nèi)外相關(guān)研究及防護(hù)用限幅器進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上,著重對(duì)超導(dǎo)限幅器在雷達(dá)系統(tǒng)射頻前端電磁脈沖防護(hù)中的應(yīng)用進(jìn)行了可行性分析。
射頻前端;電磁脈沖;限幅器
20世紀(jì)80年代后期,隨著相關(guān)技術(shù)的成熟,一種以非核爆形式獲得高能電磁脈沖的微波武器問世,使得電磁脈沖武器成為現(xiàn)代常規(guī)戰(zhàn)爭中專門用于對(duì)付各種電子系統(tǒng)的“電磁殺手”。2003年伊拉克戰(zhàn)爭中,美軍使用電磁脈沖彈襲擊了伊拉克的電視臺(tái),造成伊拉克電視信號(hào)中止了數(shù)小時(shí),標(biāo)志著高功率微波武器正式登上歷史舞臺(tái)。面對(duì)“第五維戰(zhàn)場”——電磁空間日益激烈的角逐,面對(duì)軍事強(qiáng)國咄咄逼人的電磁攻擊優(yōu)勢,能否保護(hù)好己方電子設(shè)備的安全運(yùn)轉(zhuǎn)并有效發(fā)揮其功能,已成為我們爭奪制電磁權(quán)進(jìn)而達(dá)到制信息權(quán)的關(guān)鍵。
電磁脈沖進(jìn)入雷達(dá)系統(tǒng)的途徑主要有:1)通過殼體上的孔隙;2)通過對(duì)殼體的穿透;3)通過暴露表面上的天線。其中,電磁波對(duì)殼體的穿透是通過趨膚效應(yīng)實(shí)現(xiàn)的,一般對(duì)于2 GHz的微波信號(hào),在銅和鋁中的趨膚厚度分別為1.52μm和2.82μm,對(duì)于頻率更高的微波信號(hào),趨膚厚度更小。通過孔隙耦合進(jìn)入艙體內(nèi)部的電磁脈沖可以通過對(duì)屏蔽結(jié)構(gòu)或開孔方式等方面的改進(jìn),使其影響得到有效控制[1-3]。而從天線耦合進(jìn)入雷達(dá)系統(tǒng)的電磁脈沖對(duì)雷達(dá)系統(tǒng)來說是致命的。這是由于:為了使雷達(dá)有更遠(yuǎn)的作用距離或更容易發(fā)現(xiàn)目標(biāo),通常要求雷達(dá)能夠處理微弱的信號(hào)。例如超外差式雷達(dá)接收機(jī)靈敏度為10-14~10-12W,而保證這個(gè)靈敏度所需的增益為120~160 dB。當(dāng)雷達(dá)天線接收到很強(qiáng)的電磁脈沖時(shí),接收機(jī)再將此信號(hào)放大,則雷達(dá)前端接收裝置很容易受到不可逆損傷。雷達(dá)的靈敏度越高,作用距離越遠(yuǎn),其受到電磁損傷的可能性就越大[4]。
電磁脈沖的打擊和防護(hù)就像有矛必有盾一樣。伴隨著電磁脈沖武器的發(fā)展,各國對(duì)電磁脈沖的防護(hù)都開展了相應(yīng)的研究。目前,針對(duì)高功率微波武器及其防護(hù)開展研究的國外研究機(jī)構(gòu)主要有:俄羅斯的莫斯科無線電工程與電子學(xué)研究所、應(yīng)用物理研究所、莫斯科大學(xué)、哈爾科夫物理技術(shù)研究所等;美國的陸軍實(shí)驗(yàn)室、海軍研究實(shí)驗(yàn)室、空軍武器實(shí)驗(yàn)室、能源部橡樹嶺國家實(shí)驗(yàn)室、Mission研究公司、通用原子公司、麻省理工學(xué)院、哥倫比亞大學(xué)、田納西大學(xué)等。
經(jīng)過大量試驗(yàn)后,美國在高功率微波武器和防護(hù)技術(shù)2方面都取得了豐富的研究成果,其中美國陸軍實(shí)驗(yàn)室的《HPM加固技術(shù)手冊大綱》對(duì)電子設(shè)備電磁脈沖防護(hù)的研究成果進(jìn)行了總結(jié)。由該書可知,為降低或限制耦合到雷達(dá)系統(tǒng)的電磁脈沖能量,在射頻前端可采取如下方法:1)限制天線的耦合;2)限制耦合能量傳播到系統(tǒng)內(nèi)部的數(shù)量。這2種方法可以通過采用各種形式的濾波器和限幅器來實(shí)現(xiàn),其中限幅器是射頻前端防護(hù)的關(guān)鍵器件。《HPM加固技術(shù)手冊大綱》羅列的微波限幅器:半導(dǎo)體限幅器、氣體等離子體限幅器、高速微波功率開關(guān)、鐵氧體限幅器。下面對(duì)所羅列的幾種限幅器的研究現(xiàn)狀進(jìn)行相應(yīng)的介紹。
PIN限幅器是雷達(dá)接收系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體限幅器,包括PIN二極管和射頻扼流電感。PIN二極管結(jié)構(gòu)如圖1所示,由輕摻雜本征層,即I層,重?fù)诫sP型半導(dǎo)體構(gòu)成的P層和重?fù)诫sN型半導(dǎo)體構(gòu)成的N層組成。工作時(shí)PIN二極管一端接地,在外加電場很小時(shí),載流子無法穿越低摻雜本征層進(jìn)行復(fù)合,二極管處于截止?fàn)顟B(tài),微波信號(hào)可以完整地通過限幅器;當(dāng)大功率干擾信號(hào)出現(xiàn)時(shí),PIN二極管載流子才能在低摻雜本征層不斷復(fù)合,使PIN二極管得以導(dǎo)通,其導(dǎo)通程度在一定范圍內(nèi)與外加電場成正比,從而完成限幅器的功能。
針對(duì)電磁脈沖瞬時(shí)功率大的特點(diǎn),國內(nèi)已開發(fā)出限幅水平40 m W、最大承受功率5 W的多個(gè)頻段Ga As限幅單片電路[5]。由于PIN限幅器在微波領(lǐng)域單片電路中的優(yōu)越性能,國內(nèi)外對(duì)電磁脈沖前沿和后沿作用下大功率PIN限幅器的響應(yīng)特性進(jìn)行了研究[6-8]。由于PIN限幅器具有一定的響應(yīng)時(shí)間,在達(dá)到穩(wěn)定限幅功能之前,有一個(gè)較大的微波脈沖功率可漏過限幅器,即尖峰泄露。在脈沖后沿,在限幅器射頻扼流電感和PIN二極管綜合作用下會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反向脈沖。反向脈沖幅值大小可能與限幅器尖峰泄露值相當(dāng)甚至更大。PIN限幅器在階躍脈沖作用下的瞬態(tài)響應(yīng)如圖2所示。尖峰泄露和反向脈沖都可能造成限幅器自身和后級(jí)功率敏感器件受損。
圖1 PIN結(jié)構(gòu)示意圖
圖2 階躍脈沖作用下PIN限幅器瞬態(tài)響應(yīng)
波導(dǎo)等離子體限幅器是由密封腔體充有易電離的氣體組成的。當(dāng)高功率微波入射時(shí)使氣體電離,產(chǎn)生頻率高于入射微波的等離子體,該等離子體反射微波能量,起到保護(hù)敏感電子設(shè)備的作用。通過選擇不同的氣體及充氣壓強(qiáng)可以改變等離子體限幅器的響應(yīng)速度和功率容限[9]。
等離子體限幅器在防護(hù)高功率微波時(shí)可能存在以下2個(gè)問題:1)為了將限幅器中氣體擊穿產(chǎn)生等離子體,入射微波電場強(qiáng)度需要達(dá)到或超過氣體擊穿閾值。若來襲高功率微波電場低于其閾值,則氣體不能電離,將導(dǎo)致微波功率泄露;2)入射高功率微波將限幅器中的氣體擊穿,形成等離子體需要一段時(shí)間,限幅器響應(yīng)時(shí)間過長可能造成微波功率泄露[10]。
電磁脈沖武器的發(fā)展使得傳統(tǒng)的限幅器在響應(yīng)時(shí)間、功率容限、插入損耗、恢復(fù)時(shí)間等方面無法滿足雷達(dá)系統(tǒng)射頻前端電磁脈沖防護(hù)要求。國外已意識(shí)到這一點(diǎn),并積極探索各種新材料、新技術(shù)和新工藝用于射頻前端電磁脈沖防護(hù)技術(shù)。其中2004年美國NIST開展的超導(dǎo)限幅器的研究在雷達(dá)系統(tǒng)射頻前端電磁脈沖防護(hù)的應(yīng)用極具潛力[11]。
超導(dǎo)限幅器利用超導(dǎo)材料超導(dǎo)態(tài)—正常態(tài)轉(zhuǎn)變的物理特性來達(dá)到限流目的。當(dāng)傳輸微波電流高于某一特定值時(shí),超導(dǎo)限幅器中的超導(dǎo)薄膜材料將失去超導(dǎo)電性。由于高溫超導(dǎo)材料多為陶瓷材料,失超后的超導(dǎo)材料將進(jìn)入高損耗狀態(tài),從而將微波電流集中而達(dá)到降低限幅功率的目的。圖3為某種超導(dǎo)材料在不同頻率電磁場作用下電阻的變化曲線。由圖3可見,超導(dǎo)材料由超導(dǎo)態(tài)進(jìn)入正常態(tài)時(shí),其電阻值增大2—3個(gè)數(shù)量級(jí)。因此,超導(dǎo)限幅器具有功率容限大的特點(diǎn)。
超導(dǎo)限幅器的響應(yīng)時(shí)間受限幅器超導(dǎo)薄膜的材料、物理尺寸、電磁脈沖特性等因素的影響。以2004年美國NIST研制的超導(dǎo)限幅器為例,在10 W連續(xù)波和3 GHz,100 W脈沖信號(hào)作用下響應(yīng)時(shí)間為納秒(ns)量級(jí),恢復(fù)時(shí)間約為10 ns??梢姡瑢?dǎo)限幅器具有響應(yīng)時(shí)間短的特點(diǎn)。
超導(dǎo)材料失超臨界點(diǎn)參量包括臨界溫度、臨界磁感應(yīng)強(qiáng)度和臨界電流,只要有一個(gè)參量超過臨界值,超導(dǎo)材料就會(huì)失超。而為了節(jié)約成本及延長超導(dǎo)用低溫制冷機(jī)壽命,超導(dǎo)器件的工作溫度一般略低于臨界溫度。正是由于在臨界點(diǎn)附近工作,以及超導(dǎo)轉(zhuǎn)變過程本身速度極快,因而超導(dǎo)限幅器響應(yīng)速度快。
超導(dǎo)薄膜材料極低的表面電阻使得超導(dǎo)限幅器正常工作時(shí)插入損耗小,此外超導(dǎo)限幅器還可以與超導(dǎo)濾波器集成,即在同一微波器件中實(shí)現(xiàn)限幅和濾波功能[12]。因而超導(dǎo)限幅器在射頻前端電磁脈沖防護(hù)中有著極其突出的特點(diǎn),尤其是其極高的響應(yīng)速度對(duì)電磁脈沖防護(hù)有著重要意義。
圖3 超導(dǎo)材料在電磁場作用下電阻變化曲線
隨著電磁脈沖技術(shù)的發(fā)展,雷達(dá)系統(tǒng)射頻前端防護(hù)成為現(xiàn)代雷達(dá)有效工作首先要解決的關(guān)鍵技術(shù)之一?,F(xiàn)有的各種限幅器在響應(yīng)時(shí)間、功率容限、恢復(fù)時(shí)間、插入損耗等方面已無法滿足現(xiàn)代雷達(dá)對(duì)電磁脈沖防護(hù)的要求。超導(dǎo)限幅器是超導(dǎo)材料在微波領(lǐng)域應(yīng)用的一個(gè)新器件,其突出的綜合性能有望在雷達(dá)系統(tǒng)射頻前端電磁脈沖防護(hù)中得到應(yīng)用。
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1008-1542(2011)12-0043-03
2011-06-20;責(zé)任編輯:王海云
席有民(1978-),男,山西臨汾人,博士后,主要從事超導(dǎo)低溫制冷機(jī)、電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)等方面的研究。