李 磊,趙 翔,閆麗萍,周海京,黃卡瑪
(1.四川大學(xué)電子信息學(xué)院,四川成都 610064;2.北京應(yīng)用物理與計(jì)算數(shù)學(xué)研究所,北京 100088)
開(kāi)孔矩形腔中場(chǎng)分布的數(shù)據(jù)模型化初步研究
李 磊1,趙 翔1,閆麗萍1,周海京2,黃卡瑪1
(1.四川大學(xué)電子信息學(xué)院,四川成都 610064;2.北京應(yīng)用物理與計(jì)算數(shù)學(xué)研究所,北京 100088)
為快速估算開(kāi)孔矩形腔中的電磁場(chǎng)分布,本文提出一種數(shù)據(jù)模型化方法,對(duì)開(kāi)孔矩形腔的全波分析數(shù)據(jù)結(jié)果進(jìn)行模型化處理,即通過(guò)提取腔內(nèi)場(chǎng)分布數(shù)據(jù)的特征參數(shù),來(lái)重建場(chǎng)分布情況的原貌。計(jì)算實(shí)例表明,該方法的預(yù)測(cè)結(jié)果和全波分析結(jié)果吻合較好。該方法雖然是基于全波分析計(jì)算所得數(shù)據(jù),但這些數(shù)據(jù)的計(jì)算過(guò)程可以預(yù)先進(jìn)行,因此場(chǎng)分布數(shù)據(jù)的重建時(shí)間可以做到非常短。
開(kāi)孔矩形腔;數(shù)據(jù)模型化;全波分析;特征參數(shù)
許多電子、電氣設(shè)備的金屬外殼上都含有各種孔縫,用于通風(fēng)或與外界進(jìn)行能量/信號(hào)的交換。這些孔縫的存在使得有意或無(wú)意的外部電磁干擾能藉此進(jìn)入電子系統(tǒng),并在其內(nèi)部的電子元器件上產(chǎn)生感應(yīng)電流或電壓,從而可能對(duì)電子系統(tǒng)的正常工作狀態(tài)產(chǎn)生干擾[1-2]。由于矩形腔體最為常見(jiàn),因此研究開(kāi)孔矩形腔中的電磁場(chǎng)分布對(duì)電磁兼容設(shè)計(jì)和電磁效應(yīng)評(píng)估具有重要的指導(dǎo)意義。計(jì)算開(kāi)孔矩形腔中電磁場(chǎng)分布的數(shù)值計(jì)算方法包括傳輸線模型分析法[3-4]、時(shí)域有限差分法[5]、矩量法[6]、有限元法[7]及聯(lián)合頻域的混合技術(shù)等等。雖然這些方法可以較精確地計(jì)算外部電磁場(chǎng)耦合到復(fù)雜結(jié)構(gòu)模型中的電磁場(chǎng)分布,但電大尺寸帶來(lái)的巨大計(jì)算量和存儲(chǔ)量使分析過(guò)程變得相當(dāng)困難[8],而分析產(chǎn)生的數(shù)據(jù)結(jié)果也會(huì)因?yàn)閿?shù)據(jù)量太大而無(wú)法被恰當(dāng)?shù)赜涗浵聛?lái),以使得數(shù)據(jù)能被再次使用。同時(shí),一些基于模式分析的方法速度較快,但由于只考慮了單一模式,使得對(duì)電大多模腔的分析會(huì)產(chǎn)生較大誤差[2]。
為此,本文提出一種數(shù)據(jù)模型化方法,對(duì)開(kāi)孔矩形腔的全波分析數(shù)據(jù)結(jié)果進(jìn)行模型化處理,即通過(guò)提取腔內(nèi)場(chǎng)分布數(shù)據(jù)的特征參數(shù),來(lái)試圖重現(xiàn)場(chǎng)分布情況的原貌。這實(shí)際上構(gòu)成了一種快速估算開(kāi)孔矩形腔中電磁場(chǎng)分布的新方法。該方法雖然是基于全波分析計(jì)算所得數(shù)據(jù),但這些數(shù)據(jù)的計(jì)算過(guò)程可以預(yù)先進(jìn)行,因此場(chǎng)分布數(shù)據(jù)的重建時(shí)間可以做到非常短。
圖1 分析模型示意圖
以圖1所示模型為例介紹數(shù)據(jù)模型化方法。該模型由一個(gè)矩形金屬腔體組成,大小和普通計(jì)算機(jī)主機(jī)機(jī)箱相近。某側(cè)腔壁上開(kāi)有如圖1所示的一個(gè)矩形孔。其中腔體參數(shù)為a=182 mm,b=420 mm,l=430 mm,孔縫參數(shù)為w=144 mm,h1=19 mm,h2=40 mm。設(shè)一均勻平面波垂直入射該矩形腔。
1)最優(yōu)模式的確定
通過(guò)全波仿真軟件,對(duì)開(kāi)孔矩形腔中的電磁場(chǎng)分布進(jìn)行計(jì)算,頻率范圍從1 GHz到15 GHz。在各頻率下觀察場(chǎng)分布特征,發(fā)現(xiàn)與理想矩形腔中場(chǎng)模式分布情況關(guān)系密切。以2 GHz時(shí)的情況為例,圖2給出了電場(chǎng)強(qiáng)度模值在3個(gè)橫截面(x=a/2、y=b/2、z=l/2)上的分布情況。
圖2 2 GHz時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度模值的分布情況
從圖2可以看出,一定大小的孔縫對(duì)腔體內(nèi)電磁場(chǎng)分布特征的影響有限,其分布特征和未開(kāi)孔的矩形諧振腔中特定模式(即“最優(yōu)模式”)的電磁場(chǎng)分布特征具有較多的相似性。因此,本文首先根據(jù)矩形諧振腔各模式的場(chǎng)值計(jì)算公式[9](這里以TM模式為例):
其中M為腔內(nèi)采樣點(diǎn)數(shù)目,ri=(xi,yi,zi)為采樣點(diǎn)坐標(biāo),(?Ex,?Ey,?Ez)為全波分析算出的在某點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度,(Ex,Ey,Ez)為某模式在相同點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度,α為模式權(quán)重系數(shù)。通過(guò)比較不同模式擬合后的最優(yōu)目標(biāo)值來(lái)確定最優(yōu)模式。擬合結(jié)果表明本例中的最優(yōu)模式為TM151。
2)特征參數(shù)的提取
接下來(lái)對(duì)全波分析獲得的場(chǎng)分布數(shù)據(jù)進(jìn)行特征參數(shù)的提取。這些特征參數(shù)可以是腔體內(nèi)電磁場(chǎng)量的均值、方差和最大值等等。
下面介紹將場(chǎng)值的區(qū)域最大值作為特征參數(shù)的情況。首先,根據(jù)TM151模式的場(chǎng)結(jié)構(gòu)特征將腔內(nèi)區(qū)域均分為10個(gè)子區(qū)域,上、下各5個(gè)子區(qū)域。然后,求出這10個(gè)子區(qū)域中各自的全波分析結(jié)果最大值?Emaxi(i=1,2,…,10)和TM151模式下的最大值Emaxi(i=1,2,…,10),并由此得到對(duì)應(yīng)子區(qū)域的兩個(gè)最大值之比vi。
采用數(shù)據(jù)擬合的方法在若干模式中找出該最優(yōu)模式。本文通過(guò)最小化如下目標(biāo)函數(shù)來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)擬合:
最后將該比值vi記為該子區(qū)域的特征參數(shù)。表1是本例中提取的10個(gè)特征參數(shù)。
表1 提取的10個(gè)子區(qū)域的特征參數(shù)
這些特征參數(shù)通過(guò)對(duì)最優(yōu)模式的場(chǎng)分布函數(shù)進(jìn)行微擾,來(lái)重建開(kāi)孔矩形腔中的場(chǎng)分布。一種較為簡(jiǎn)單的處理方法是,開(kāi)孔矩形腔中任意位置處的場(chǎng)值用最優(yōu)模式在該位置的場(chǎng)值乘以該位置所在子區(qū)域的特征參數(shù)來(lái)得到。
基于上述方法,對(duì)開(kāi)孔腔體內(nèi)的電磁場(chǎng)分布進(jìn)行了部分頻率的預(yù)測(cè)(重建)。圖3給出了2 GHz時(shí)的預(yù)測(cè)結(jié)果。比較圖2和圖3可知,在x=a/2和y=b/2截面,預(yù)測(cè)和仿真的腔體內(nèi)的電磁場(chǎng)分布比較吻合,幅度也保持一致,但是在z=l/2截面,預(yù)測(cè)結(jié)果的相對(duì)誤差較前兩者稍大,這是因?yàn)樵摻孛嫠巺^(qū)域的場(chǎng)值整體都很小。
為快速估算開(kāi)孔矩形腔中的電磁場(chǎng)分布,筆者提出一種數(shù)據(jù)模型化方法,對(duì)開(kāi)孔矩形腔的全波分析數(shù)據(jù)結(jié)果進(jìn)行模型化處理,即通過(guò)提取腔內(nèi)場(chǎng)分布數(shù)據(jù)的特征參數(shù),來(lái)重建場(chǎng)分布情況的原貌。計(jì)算實(shí)例表明,該方法的預(yù)測(cè)結(jié)果和全波分析結(jié)果吻合較好。該方法雖然是基于全波分析計(jì)算所得數(shù)據(jù),但這些數(shù)據(jù)的計(jì)算過(guò)程可以預(yù)先進(jìn)行,因此場(chǎng)分布數(shù)據(jù)的重建時(shí)間可以做到非常短。
圖3 2 GHz時(shí)腔內(nèi)場(chǎng)分布的預(yù)測(cè)結(jié)果
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1008-1542(2011)12-0162-03
2011-06-20;責(zé)任編輯:王士忠
李 磊(1986-),男,河南周口人,碩士研究生,主要從事電磁兼容方面的研究。