TD-LTE芯片步入拐點 多模MTNET測試在即

本刊記者 | 魯義軒

TD-LTE芯片步入拐點 多模MTNET測試在即

本刊記者 | 魯義軒

經(jīng)過政府與產(chǎn)業(yè)界的共同推動，TD-LTE終端必須兼容TD-SCDMA模式成為TD-LTE發(fā)展的既定原則。

聯(lián)芯科技副總裁 劉積堂

即將于年底開始的TD-LTE規(guī)模試驗第二階段將在終端環(huán)節(jié)推進TD-LTE多模終端的研發(fā)，并于年底開展“雙芯片多模多待”的規(guī)模測試。為此，多家芯片廠商都在TD-LTE多模產(chǎn)品上制定了更新的研發(fā)與市場策略。

隨著試驗的推進，包括聯(lián)芯科技在內(nèi)的多家芯片廠商陸續(xù)推出雙?；蚨嗄Ｐ酒瑓⑴c到試驗中。從廠商視角，聯(lián)芯科技副總裁劉積堂為我們解答了TD-LTE多模芯片的研發(fā)與試驗關鍵。

雙模單待芯片已開測

《通信世界周刊》：在TD-LTE規(guī)模試驗中，聯(lián)芯科技已參與并完成第一階段測試。據(jù)您了解，面向今年底和明年上半年，工信部和中國移動對TD-LTE多模終端提出了哪些具體要求？從廠商角度是如何響應這些需求的？

劉積堂：聯(lián)芯科技始終認為，2G、3G、LTE三種制式將在很長一段時間內(nèi)長期共存，這就需要TD-LTE兼容以往的模式，這也是為什么我們從參與TD-LTE工作之初就致力于多模方案的原因。多模終端包括多模單待和多模雙待兩種方式。目前多模單待和多模雙待的MTnet測試都即將展開，之后還將進行規(guī)模技術試驗。對于雙模單待來說，目前主要的要求是支持空閑狀態(tài)下的跨系統(tǒng)小區(qū)重選，目前聯(lián)芯科技的終端已經(jīng)能支持此功能。

為了應對2013年左右LTE商用要求，聯(lián)芯科技還將在明年上半年推出支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GSM的多模芯片，支持包括手持機、數(shù)據(jù)卡在內(nèi)的多種終端形態(tài)。這款芯片還將支持祖沖之加密算法，該算法也是中國LTE商用必須支持的。

《通信世界周刊》：今年上半年聯(lián)芯科技重點宣傳了TDLTE/TD-HSPA雙模終端解決方案，在下半年以及明年上半年，還有哪些TD-LTE產(chǎn)品正在陸續(xù)推出？并且是否支持多模需求？

劉積堂：聯(lián)芯科技LC1760基于其自主研發(fā)，也是業(yè)內(nèi)首款TD-LTE/TD-HSPA雙?；鶐幚砥餍酒捎?5nm工藝。目前，基于該芯片及方案的數(shù)據(jù)卡產(chǎn)品正在參加工信部MTnet單模和雙模測試。我們會拿這個數(shù)據(jù)卡參加中國移動TD-LTE規(guī)模技術實驗第二階段多模測試，這意味著在終端層面，TD-LTE與TD-SCDMA協(xié)調發(fā)展的技術門檻將被跨越。

多模自動切換成大方向

《通信世界周刊》：據(jù)工信部稱，單芯片多模方案是TDLTE芯片整體發(fā)展方向，這需要芯片工藝的支持，即采用40nm工藝，支持至少TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模。對此聯(lián)芯科技在產(chǎn)品研發(fā)、芯片廠商合作等方面是否也有所準備？

劉積堂：明年第二季度聯(lián)芯科技將發(fā)布40nm LTE芯片，可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自動切換，支持下行150Mbit/s、上行50Mbit/s的數(shù)據(jù)吞吐率，更能滿足國際市場開拓需求，幫助TD-LTE邁入國際，支持終端企業(yè)在LTE的發(fā)展初期抓住市場機遇。

明年年底我們還將向28nm或者更先進工藝邁進。

《通信世界周刊》：在TD-LTE國際化發(fā)展上，聯(lián)芯科技是如何布局國際市場的？

劉積堂：多模設計能夠為終端提供更大的市場空間，由此而產(chǎn)生的規(guī)模效應將使得產(chǎn)品的成本更低，這對于TDLTE終端芯片的發(fā)展非常重要。而聯(lián)芯科技在TD-SCDMA研發(fā)與商用上已有深厚的積累，在TD-LTE和TD-SCDMA的多模終端開發(fā)方面也有明顯的優(yōu)勢。因此，聯(lián)芯一開始就確立了LTE多模的發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，我們認為這有利于TD-LTE的國際化步伐加快。

明年二季度，聯(lián)芯即將推出提供包括LTE TDD/FDD數(shù)據(jù)卡終端、LTE TDD/FDD智能手機以及LTE TDD/FDD平板電腦解決方案。

TD-LTE終端動態(tài)

● 華為近期推出全球首款基于3GPP R9協(xié)議的TD-LTE多模終端芯片Balong 710，該款芯片支持TDD、FDD、TD-SCDMA、WCDMA等五種制式，通過采用雙流Beamforming（波束賦形）和MIMO(多輸入多輸出)等技術，下行速率最高達150Mbit/s。

● 中興通訊11月中旬發(fā)布了全球首款TDLTE/EDGE多模uFi產(chǎn)品MF91T，并支持802.11b/g Wi-Fi。此前中興通訊已經(jīng)與和黃Hi3G合作獲得全球首個TDD/FDD終端產(chǎn)品商用合同，并在深圳大運會上發(fā)布全球首款TDD多模雙待手機。

● 高通MDM9600 3G/LTE多模芯片已與華為等完成GSM/WCDMA/TD-LTE現(xiàn)網(wǎng)互操作測試。今年5月高通芯片正式通過TD-LTE技術試驗“2x2”測試，進入規(guī)模試驗。據(jù)悉，高通還將推出支持LTE FDD和LTE TDD UE第4類移動寬帶標準的芯片組，將支持150Mbit/s的下行峰值數(shù)據(jù)傳輸速率。

● 意法愛立信今年2月推出了兩款HSPA+/LTE多模纖型調至解調器Thor M7300（支持TD-LTE、FDD LTE、HSPA+、TDSCDMA、EDGE）以及Thor M7400后，今年第二季度重點測試了多模LTE參考設計，目前正在參與中國移動TD-LTE技術試驗。

● 聯(lián)發(fā)科技多模TD-LTE（GSM/TD/TDLTE）整體方案已經(jīng)研發(fā)完成，明年有望量產(chǎn)。

● Sequans的SQN3010 TD-LTE基帶芯片方案已接受了數(shù)月的測試，并與華為、上海貝爾等廠商進行了互操作，目前正和華為在深圳合作進行TD-LTE規(guī)模試驗。

● 展訊今年發(fā)布了基于40nm的TD-HSPA/TD-SCDMA/2G基帶芯片，正在籌備推出28nm TD-LTE芯片。

● 華為、中興通訊等品牌TD-LTE數(shù)據(jù)卡已實現(xiàn)商用供貨水平。

● 中興通訊、酷派已推出多模雙待手機樣機。

● Altair、高通、創(chuàng)毅視訊、海思、三星、Sequans已推出TD-LTE數(shù)據(jù)卡。

● 廣達、諾基亞已提供TD-LTE平板電腦和上網(wǎng)本。

● 海思、創(chuàng)毅視訊已提供TD-LTE CPE。