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    美國勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室研制低成本高質(zhì)量納米線太陽能電池

    2011-02-13 20:39:56
    浙江電力 2011年12期
    關(guān)鍵詞:硫化銅納米線空穴

    美國勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室研制低成本高質(zhì)量納米線太陽能電池

    美 國 勞 倫 斯 伯 克 利 國 家 實(shí) 驗(yàn) 室 (Lawrence Berkeley National Laboratory)宣布研制出一種低成本高質(zhì)量且生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單的納米線(nanowire)太陽能電池。該電池采用半導(dǎo)體硫化鎘作為內(nèi)核,以硫化銅作為外殼。其在開路電壓以及填充系數(shù)(fill factor)方面均優(yōu)于傳統(tǒng)平板太陽能電池, 而這兩者決定了太陽能電池所能產(chǎn)生的最大電能。該電池轉(zhuǎn)換效率達(dá) 5.4%, 與平板太陽能電池相當(dāng)。

    研究人員表示,目前傳統(tǒng)太陽能電池采用高純度單晶硅晶圓制造, 厚度要求達(dá)到約 100 μm以滿足光吸收量的要求。另外,晶硅在純度上的高標(biāo)準(zhǔn)使得制造硅基平板太陽能電池成為高耗能、高成本的復(fù)雜過程。由于過去采用高溫?fù)诫s工藝進(jìn)行處理時(shí)表面復(fù)合和 p-n 結(jié)(p-n junction)質(zhì)量控制難度較大,因此其填充系數(shù)和開路電壓低于平板太陽能電池。而該項(xiàng)研究首次利用以溶液為基礎(chǔ)的陽離子交換化學(xué)工藝,制造以硫化鎘為內(nèi)核、硫化銅為外殼的高質(zhì)量單晶納米線。專家認(rèn)為半導(dǎo)體納米線最有潛力取代硅晶圓,這是一種一維條狀材料,其寬度僅為頭發(fā)的千分之一,而長度可達(dá)到毫米級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。該電池具有眾多優(yōu)點(diǎn),例如其電荷分離和聚集功能更強(qiáng)、無需使用深加工硅材料進(jìn)行制造等。

    電池核心部分由二層獨(dú)立材料組成,含有豐富電子的一層為負(fù)極,而含有電子空穴的另一層為正極。在吸收太陽光子后,利用光子能量產(chǎn)生電子空穴對(duì)(electron-hole pair), 該空穴對(duì)將在 pn結(jié)處分離并收集電能。研究人員在1年前曾采用一種低成本方法將球形 p-n 結(jié)替代傳統(tǒng)太陽能電池的平面 p-n 結(jié), 球形 p-n 結(jié)的 n 型硅層在 p型硅納米線的內(nèi)核周圍形成外殼。該結(jié)構(gòu)有效地將單個(gè)納米線轉(zhuǎn)變成一個(gè)光伏電池,大幅提高硅基光伏薄膜的光吸收率?,F(xiàn)在利用同樣方法采用硫化鎘和硫化銅制造太陽能電池,但工藝上則使用濕化學(xué)法,利用以溶液為基礎(chǔ)的陽離子交換反應(yīng)進(jìn)行制造。

    過去所采用的是物理氣相傳輸氣液固法(vapor-liquid-solid,VLS)來合成硫化鎘納米線, 但利用濕化學(xué)法同樣能得到具有高質(zhì)量和理想長度的材料。 單晶硫化鎘納米線直徑在 100~400 nm,長度為 50 mm, 將其浸入 50℃的氯化銅溶液 5~10 s, 表層硫化鎘通過陽離子交換反應(yīng)變?yōu)榱蚧~。該方法簡(jiǎn)單易行,成本低廉,可用于制取高質(zhì)量異 質(zhì) 外 延 (hetero-epitaxial)納 米 材 料 , 避 免 了 傳統(tǒng)氣相制造方法中的高溫?fù)诫s和沉積過程。研究人員認(rèn)為,通過增加硫化銅外殼材料用量可提高太陽能電池納米線的轉(zhuǎn)換效率。該電池如果要實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用, 其轉(zhuǎn)換效率至少需提高至 10%。

    摘譯自互聯(lián)網(wǎng)

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