專利信息

一種泛紅暈物理著色建筑陶瓷的制備方法

本發(fā)明公開了基于熱彎工藝的防污曲面陶瓷拋光磚及其制備方法，屬于曲面陶瓷拋光磚技術領域，采用陶瓷磚胚體和陶瓷噴墨打印墨水制備而成，先制備陶瓷磚胚體，之后將陶瓷噴墨打印墨水打印在陶瓷磚胚體表面，再經(jīng)過熱彎工藝、拋光工藝和燒制工藝后得到防污曲面陶瓷拋光磚。本發(fā)明改性黏土的使用有利于優(yōu)化瓷磚的晶體結構，使瓷磚的結構更加致密，減少孔隙，從而降低污漬進入瓷磚內部的可能性，有利于提高耐污性能和機械強度，降低裂紋風險。本發(fā)明通過合理控制升溫溫度、外力施加時間和升溫速率，可有效避免裂紋缺陷。本發(fā)明制備的防污曲面陶瓷拋光磚的防污等級可以達到5級。產(chǎn)品外觀無裂紋，抗折強度可達 60.8MPa

申請?zhí)枺?025105338116

基于熱彎工藝的防污曲面陶瓷拋光磚及其制備方法

申請?zhí)枺?025101928720

一種吸波陶瓷及其制備方法

摘要：本發(fā)明提供一種吸波陶瓷及其制備方法，制備過程具體為：首先制備氧化石墨烯和聚硅氧烷（PSO）分散液，并分別加入交聯(lián)劑調節(jié)pH值，混合后得到溶液 A 接著，將溶液A在惰性氣體保護下進行交聯(lián)固化處理生成固態(tài)產(chǎn)物B。對產(chǎn)物B進行球磨、烘干并篩分，部分壓制成塊狀B。將塊狀B在惰性氣體氣氛中熱處理生成塊狀產(chǎn)物C，進行球磨、烘干及篩分并與之前獲得的粉末B混合，壓模成型為塊體 D 。最后，對塊體D進行惰性氣體保護下的熱處理，生成包含原位共生 SiO₂/SiC 異質納米線的SiOC吸波陶瓷材料。本發(fā)明通過精確控制PSO與GO比例及熱解條件，在SiOC陶瓷中引入原位生成的 SiO₂/SiC 異質納米線，顯著提升其吸波性能。

申請?zhí)枺?02510216618X

一種具有氮化鋁晶須增韌、彌散氮化鋯和粒徑級配增強的氮化鋁陶瓷制備方法

摘要：一種具有氮化鋁晶須增韌、彌散氮化鋯和粒徑級配增強的氮化鋁陶瓷制備方法，涉及氮化鋁陶瓷材料的技術領域。使用亞微米級細粉與微米級大顆粒氮化鋁粉級配強化熱導率，對大顆粒氮化鋁粉與晶須進行表面改性解決其燒結活性問題；添加氮化鋁晶須強化熱導率與斷裂韌性；添加氧化鋯反應前驅體，使其在燒結過程中原位反應生成彌散氮化鋯顆粒強化抗彎強度。多種強化手段起協(xié)同效應，強化缺點互相彌補，強化效果互相促進，所獲得的氮化鋁陶瓷基板具有很高的綜合性能，具有較高的商業(yè)價值及現(xiàn)實意義。

申請?zhí)枺?025101915665

一種添加含砷廢渣的地鋪石及其制備方法

摘要：本發(fā)明涉及地鋪石技術領域，尤其涉及一種添加含砷廢渣的地鋪石及其制備方法，包括以下原料：電石渣、脫硫石膏、礦粉、核殼廢渣顆粒、細集料和水；所述核殼廢渣顆粒由內至外依次包括廢渣內核層和阻隔包裹層；所述廢渣內核層包括以下原料：氧化鎂、礦粉、爐渣粉、赤泥、含砷廢渣、磷酸鹽和水；按照質量份數(shù)計算，所述阻隔包裹層包括以下原料：爐渣粉 45～50 份、礦粉 35～42 份、硅酸鈉 7～8 份和水 5～6 份。本發(fā)明提出的一種添加含砷廢渣的地鋪石，將含砷廢渣應用于地鋪石中，在降低生產(chǎn)成本的前提下，不僅具有優(yōu)異且持久的極低砷浸出毒性，而且可提高地鋪石的力學性能和耐久性，以克服現(xiàn)有技術中的不足之處。

申請?zhí)枺?025105493520