氧化鋁陶瓷基板鈷活化法化學(xué)鍍銅及其電磁屏蔽性能

摘要：為降低化學(xué)鍍前處理工藝中貴金屬離子的使用，提出了一種鈷活化法化學(xué)鍍銅前處理工藝。以硫酸鈷為鈷源，硼氫化鉀為還原劑，在氧化鋁陶瓷基板表面制備具有催化活性的鈷微粒，最后進(jìn)行化學(xué)鍍銅。利用正交試驗(yàn)優(yōu)化了鈷活化工藝，通過(guò)掃描電鏡觀(guān)察了鍍層表面形貌，利用能譜儀和X射線(xiàn)衍射儀分析了鍍層的物相組成和晶粒狀態(tài)，采用膠帶法、浸錫法和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀分別測(cè)試了鍍層的結(jié)合力、可焊性和電磁屏蔽性能。結(jié)果表明：當(dāng)硫酸鈷濃度為35 g/L、硼氫化鉀濃度為3.6 g/L、預(yù)活化溫度為30 ℃、活化時(shí)間5 min時(shí)，所得鍍層形貌均勻，具有良好的可焊性和結(jié)合力，平均電磁屏蔽效能可達(dá)到86.6 dB。該工藝在保證鍍層性能的同時(shí)，具有良好的環(huán)境友好性。

關(guān)鍵詞：氧化鋁陶瓷 鈷活化 化學(xué)鍍銅 可焊性 電磁屏蔽

中圖分類(lèi)號(hào)：TQ150; X592" 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A" 文章編號(hào)：1671-8755（2024）03-0079-07

Electroless Copper Plating on Alumina Ceramic Substrate by Cobalt

Ativation Method and Its Electromagnetic Shielding Properties

CUI Kaifang， ZHANG Zujun， WANG Yong， CHEN Yangjie， ZHONG Liang， LI Liuwei

（Engineering Technology Center，Southwest University of Science and Technology，

Mianyang 621010， Sichuan， China）

Abstract：" In order to reduce the use of precious metal ions in the pre-treatment process of electroless copper plating， this paper proposes a cobalt activation method for pre-treatment of electroless copper plating. Cobalt particles with catalytic activity were prepared on the surface of alumina ceramic substrate using cobalt sulfate as the cobalt source and potassium borohydride as the reducing agent， followed by chemical copper plating. The cobalt activation process was optimized by orthogonal test， the surface morphology of the plating layer was observed by scanning electron microscope， the physical phase composition and grain state of the plating layer were analyzed by energy spectrometer and X-ray diffraction analyzer， and the bonding， solderability and electromagnetic shielding properties of the plating layer were tested by adhesive tape method， immersion tin method， and vector network analyzer， respectively. The results show that when the cobalt sulfate is 35 g/L， the concentration of potassium borohydride is 3.6 g/L， the preactivation temperature is 30 ℃， and the activation time is 5 min， the resulting plated layer has uniform morphology， good solderability， and bonding， and the average electromagnetic shielding efficiency can reach 86.6 dB. This process has good environmental friendliness while ensuring the performance of the coating.

Keywords：" Alumina ceramics; Cobalt activation; Chemical copper plating; Solderability; Electromagnetic shielding

氧化鋁陶瓷具有較高的熱導(dǎo)率、硬度、強(qiáng)度和化學(xué)穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的封裝基板［1-4］。為保證氧化鋁陶瓷基板與半導(dǎo)體器件的良好連接性，需要對(duì)基板進(jìn)行金屬化處理。此外，金屬化處理也能有效增強(qiáng)基板對(duì)電磁波的反射，提高半導(dǎo)體器件的電磁兼容性［5-6］。

化學(xué)鍍是目前陶瓷表面金屬化最常用的處理技術(shù)［7-9］?；瘜W(xué)鍍反應(yīng)屬于氧化還原反應(yīng)，需要對(duì)基體表面進(jìn)行活化，使基體表面附著具有催化活性的微粒以促進(jìn)化學(xué)鍍反應(yīng)的進(jìn)行。傳統(tǒng)的活化工藝所用到的化學(xué)試劑多含鈀、銀等貴金屬，不僅成本高，而且會(huì)造成嚴(yán)重的貴金屬污染［10-14］。因此，研究者們正致力于尋找更加環(huán)保和低成本的活化工藝。黨興等［15］以硫酸鎳為主鹽配制活化液，通過(guò)霧化噴淋的方法將活化液噴涂于高溫氧化鋁陶瓷表面，利用陶瓷基體的高溫完成活化處理，施鍍后獲得了結(jié)合力良好的銅鍍層。劉帥等［16］采用硫酸鎳超聲活化法在棉織物表面進(jìn)行了化學(xué)鍍鎳，當(dāng)活化液中硫酸鎳、次磷酸鈉和水的質(zhì)量比為1.5∶2.0∶30.0、溫度為60 ℃、超聲功率為320 W時(shí)，棉織物在化學(xué)鍍后獲得了性能最佳的鎳鍍層。張立紅等［17］以氧化鋁陶瓷為基體，先通過(guò)堿處理進(jìn)行改性，再通過(guò)熱處理在陶瓷基體表面制備鎳微粒，最后進(jìn)行化學(xué)鍍鎳，得到了均勻致密、結(jié)合性和可焊性良好的鎳鍍層。根據(jù)以上研究可知，目前的無(wú)鈀活化工藝中活化液成分復(fù)雜，不利于降低成本，活化工藝中的熱處理可能損壞基體。因此，尋找新的活化方法具有重要意義。金屬鈷具有較高的催化活性，可有效催化化學(xué)鍍反應(yīng)的進(jìn)行，且離子鈷作為人體的必需元素，相對(duì)于常見(jiàn)的鈀、銀、鎳等離子而言具有更高的環(huán)境友好性［18］。因此，以鈷離子作為活化工藝中的主鹽，開(kāi)發(fā)一種更加綠色、安全的化學(xué)鍍活化工藝具有重要的研究意義。本文以氧化鋁陶瓷為基材，首先將前期處理后基板浸于硫酸鈷溶液，然后通過(guò)硼氫化鉀將基體表面的鈷離子還原為金屬鈷，以起到鍍前活化的作用，再通過(guò)化學(xué)鍍工藝獲得具有良好導(dǎo)電性、結(jié)合力以及電磁屏蔽性能的鍍銅層。

1 實(shí)驗(yàn)

1.1 基體材料

實(shí)驗(yàn)采用的白色氧化鋁陶瓷基板由廣州越秀區(qū)耿馨電子商務(wù)有限公司提供，規(guī)格為20 mm×14 mm×1 mm。

1.2 化學(xué)鍍銅的工藝流程

化學(xué)鍍銅的總體工藝流程為：除油→粗化→鈷活化→化學(xué)鍍銅。

1.2.1 除油

將氧化鋁陶瓷置于無(wú)水乙醇中超聲清洗5 min除去表面油質(zhì)。

1.2.2 粗化

為保證鍍層能夠有效附著在氧化鋁陶瓷基體表面，需要對(duì)其進(jìn)行粗化處理。粗化液由氫氟酸和硫酸混合制備，兩者的質(zhì)量配比為3∶2，粗化時(shí)間為6 min，粗化溫度為常溫。

1.2.3 鈷活化

將粗化后的氧化鋁陶瓷置于28～42 g/L的硫酸鈷溶液中進(jìn)行預(yù)活化1 min，預(yù)活化溫度為30～40 ℃；然后將預(yù)活化后的氧化鋁陶瓷放入1.2～3.6 g/L的硼氫化鉀溶液中進(jìn)行活化，活化時(shí)間3～7 min，活化溫度為常溫。在活化過(guò)程中，氧化鋁陶瓷基體表面吸附的鈷離子可被硼氫化鉀還原為具有催化活性的鈷微粒。

1.2.4 化學(xué)鍍銅

化學(xué)鍍配方及施鍍條件如下：硫酸銅13 g/L，乙二胺四乙酸二鈉（EDTA-2Na）18 g/L，氫氧化鈉（NaOH）14 g/L，甲醛（HCHO）12 ml/L，穩(wěn)定劑痕量，施鍍溫度為35 ℃，施鍍時(shí)間為45 min。

1.3 性能表征與檢測(cè)

1.3.1 鍍層的沉積速率

氧化鋁陶瓷表面鍍層的沉積速率計(jì)算公式如下：

v=m1-m2S×t（1）

式中：v為沉積速率，單位為g/（m2·min）；m1為氧化鋁陶瓷的鍍前質(zhì)量，單位為g；m2為氧化鋁陶瓷的鍍后質(zhì)量，單位為g；S為鍍層面積，單位為m2；t為施鍍時(shí)間，單位為min。氧化鋁陶瓷施鍍前后的質(zhì)量采用上海舜宇恒平科學(xué)儀器有限公司的FB223型電子天平（精度為0.001 g）稱(chēng)量。

1.3.2 微觀(guān)結(jié)構(gòu)和成分表征與測(cè)試

采用德國(guó)蔡司儀器公司的ULTRA 55型場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（SEM） 觀(guān)察氧化鋁陶瓷化學(xué)鍍前后的微觀(guān)形貌，并通過(guò)其自帶的能譜（EDS）儀分析樣品的表面成分。氧化鋁陶瓷表面鍍層的物相采用荷蘭帕納科公司的X’Pert PRO多晶X射線(xiàn)衍射儀（XRD）進(jìn)行測(cè)試。

1.3.3 電磁屏蔽性能和方塊電阻測(cè)試

氧化鋁陶瓷施鍍前后的電磁屏蔽性能采用深圳市峰豪電子科技有限公司E3864A型矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行測(cè)試。鍍層的方塊電阻（Rsq）采用HPS2523型鍍膜方塊電阻測(cè)試儀檢測(cè)，每個(gè)樣品測(cè)5個(gè)點(diǎn)，計(jì)算平均值。

1.3.4 結(jié)合力測(cè)試

根據(jù)GB/T 9286—2021，采用膠帶法測(cè)試鍍層的結(jié)合力。膠帶法測(cè)試過(guò)程中將膠帶貼于陶瓷表面的上下端位置以此固定，然后用膠帶貼于陶瓷基板中間裸露鍍層的區(qū)域并在穩(wěn)定的力作用下將膠帶與鍍層分離，若鍍層未被剝離，則表明結(jié)合力良好［19］。

1.3.5 可焊性檢測(cè)

用助焊劑在化學(xué)鍍后的氧化鋁陶瓷基板的浸錫區(qū)域進(jìn)行均勻涂飾，然后對(duì)測(cè)試區(qū)域進(jìn)行焊錫處理，并在常溫下冷卻。通過(guò)顯微鏡觀(guān)察浸焊區(qū)域的浸潤(rùn)情況，若針孔區(qū)域和半浸潤(rùn)面積小于總浸潤(rùn)的5%，則說(shuō)明焊錫在鍍層表面的浸潤(rùn)性良好，鍍層的可焊性滿(mǎn)足需求［20］。

1.3.6 浸潤(rùn)性檢測(cè)

采用東莞市晟鼎精密儀器有限公司的SDC-350H型光學(xué)接觸角測(cè)量?jī)x測(cè)量氧化鋁陶瓷表面的水接觸角，具體操作如下：將氧化鋁陶瓷片放置在測(cè)試平臺(tái)上，然后通過(guò)軟件控制液滴滴落在陶瓷表面（滴液針管的液滴體積為5 μL），靜止1 min后通過(guò)軟件自動(dòng)擬合得到水滴的接觸角值。

2 結(jié)果與討論

2.1 活化工藝優(yōu)化

為探究氧化鋁陶瓷的最優(yōu)活化工藝，以硫酸鈷和硼氫化鉀的質(zhì)量濃度、預(yù)活化溫度和活化時(shí)間為因素設(shè)計(jì)正交實(shí)驗(yàn)，以鍍層的沉積速率為指標(biāo)尋找最優(yōu)活化工藝。結(jié)合前期實(shí)驗(yàn)結(jié)果選取如表1所示各因素用量，按三水平四因素L9（34）進(jìn)行正交實(shí)驗(yàn)。

表2為實(shí)驗(yàn)結(jié)果和極差分析結(jié)果。從表2可以看出，這4個(gè)因素對(duì)鍍層沉積速率影響程度的大小關(guān)系為：硫酸鈷濃度＞硼氫化鉀濃度＞活化時(shí)間＞預(yù)活化溫度。硫酸鈷濃度對(duì)鍍層沉積速率影響最大，這是由于較高的硫酸鈷濃度有利于氧化鋁陶瓷表面附著更多的鈷離子，被硼氫化鉀還原后可形成更多的催化活化中心從而加快沉積速率?；罨瘯r(shí)間反映的是硼氫化鉀還原鈷離子的時(shí)間，活化時(shí)間越長(zhǎng)，導(dǎo)致其活化反應(yīng)越完全，得到的具有活性鈷微粒的覆蓋率越大，而預(yù)活化溫度則影響較小。

由表2得到各因素的最佳組合為A2B2C3D3，這與鍍速最佳結(jié)果A2B3C1D2組合不符。再次實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，A2B2C3D3組合的鍍速為2.13 g·（m2·min）-1，小于鍍速最佳結(jié)果，因此，根據(jù)鍍速結(jié)果選擇最佳活化工藝為硫酸鈷濃度35 g·L-1，硼氫化鉀濃度 3.6 g·L-1，預(yù)活化溫度30 ℃，活化時(shí)間5 min。

2.2 氧化鋁陶瓷化學(xué)鍍前后的表面形貌及成分分析

2.2.1 微觀(guān)形貌

圖1為氧化鋁陶瓷基板微觀(guān)形貌。由圖1可知，粗化前基體表面相對(duì)光滑，缺少活化種附著點(diǎn)，這不利于鍍銅層的沉積。圖2為粗化并活化后基體表面微觀(guān)形貌，粗化后基體表面存在大量刻蝕孔洞，晶粒之間的空隙也更加明顯，這將有利于活性微粒的附著和浸潤(rùn)性的提升。活化后基體表面附著有大量的細(xì)小微粒聚集體，這可能是鈷離子被還原得到的鈷微粒。圖3為化學(xué)鍍銅后基體表面微觀(guān)形貌，鍍銅層完全覆蓋基體表面，且鍍層的晶粒均勻、結(jié)構(gòu)致密。

2.2.2 表面成分分析

氧化鋁陶瓷基板化學(xué)鍍銅后的X射線(xiàn)衍射圖譜如圖4所示。位于43.3°，50.4°，74.1° 的衍射峰為銅的衍射峰（JCPDS 04-0836），分別對(duì)應(yīng)其（111），（200）和（220）晶面。銅衍射峰比較尖銳，呈

現(xiàn)較為強(qiáng)烈的（111）結(jié)構(gòu)，說(shuō)明其表面銅層的晶粒

化程度較好，鍍層結(jié)構(gòu)缺陷較少也較為精細(xì)。位于

25.5°，35.1°，57.5° 的衍射峰屬于氧化鋁（JCPDS 46-1212），但這些峰的強(qiáng)度較低，這是由于X射線(xiàn)穿過(guò)表面的銅層有所減弱導(dǎo)致的。

通過(guò)EDS能譜進(jìn)一步分析了氧化鋁陶瓷表面施鍍前后的元素含量，如圖5和圖6所示。從圖5可知，氧化鋁陶瓷活化后表面含有鈷元素，原子占比為9.55%。Au元素的存在是由于在形貌檢測(cè)之前濺射的Au納米顆粒（增強(qiáng)表面的導(dǎo)電性便于對(duì)形貌和元素進(jìn)行檢測(cè)）。從圖6可以看出，氧化鋁陶瓷施鍍后的表面元素主要為銅元素，占到了80.64％，氧和鋁元素的占比為1.65％和0.17％，證明鍍銅層的純度較好，氧元素的存在是由于銅在空氣中氧化所致。鍍層表面沒(méi)有檢測(cè)到鈷元素，這是由于活化層被鍍層完全覆蓋。鍍層的成功沉積進(jìn)一步證明了氧化鋁陶瓷活化后表面的納米顆粒為具有催化活性的鈷顆粒。

2.3 粗化前后的氧化鋁陶瓷浸潤(rùn)性分析

從圖7（a）可看出，粗化前的氧化鋁陶瓷基板的水接觸角為75.9°，浸潤(rùn)性能較差。粗化后，其水接觸角降到了34.1°（圖7（b）），浸潤(rùn)性能大幅提升，這是由于陶瓷表面形成了大量凹坑，增大了與水滴的接觸面積，這將為后續(xù)硫酸鈷的浸潤(rùn)提供鈷離子的附著點(diǎn)，改善活化效果。

2.4 施鍍后的氧化鋁陶瓷鍍層結(jié)合力

膠帶法測(cè)試前后鍍層表面形貌如圖8所示。從圖8可以看出，測(cè)試后氧化鋁陶瓷基板表面的鍍層無(wú)明顯脫落，說(shuō)明該鈷活化法在氧化鋁陶瓷表面得到的鍍層結(jié)合力性能可靠。

2.5 氧化鋁陶瓷的焊接性能

由圖9（a）可看出，焊錫在氧化鋁陶瓷表面冷卻后呈球粒，無(wú)法在助焊劑共同作用下與基體接合?；瘜W(xué)鍍銅后，金屬焊錫能在鍍層表面均勻分布（圖9（b）），且錫層的孔洞和半浸潤(rùn)區(qū)域低于總焊錫層浸潤(rùn)面積的5％，說(shuō)明該鍍層滿(mǎn)足焊接性能的需要。

2.6 氧化鋁陶瓷施鍍后的導(dǎo)電性及電磁屏蔽性能

鍍層的導(dǎo)電性能是反映電磁屏蔽性能的重要指標(biāo)之一，鍍層的導(dǎo)電性越好，電磁屏蔽性能越強(qiáng)。鍍層導(dǎo)電性和電磁屏蔽性能測(cè)試結(jié)果如圖10、圖11所示。圖10為氧化鋁陶瓷在不同濃度硫酸銅鍍液中進(jìn)行施鍍后的電阻值，可以看出，當(dāng)硫酸銅濃度為7 g/L時(shí)，其電阻值為5.9×10-8 Ω·m，而當(dāng)硫酸銅濃度為13 g/L時(shí)，鍍層的電阻值迅速降低至 2.2 × 10-8" Ω·m。 硫酸銅濃度繼續(xù)增大到 16 g/L和19 g/L，鍍層的方塊電阻值并無(wú)太大的變化。鍍層的電阻值越低，導(dǎo)電性越好，這意味著鍍層的電磁屏蔽性能將會(huì)隨著硫酸銅濃度的上升而增強(qiáng)。

圖11為不同硫酸銅濃度下鍍層的電磁屏蔽值，當(dāng)鍍液中硫酸銅濃度分別為7，10，13 g/L時(shí)，鍍層在8.0～12.4 GHz頻段的電磁屏蔽性能隨硫酸銅濃度的提高而增強(qiáng)，平均電磁屏蔽值分別為46.7，69.4，86.6 dB。增強(qiáng)的電磁屏蔽性能可歸因于較高的硫酸銅濃度提升了鍍層的沉積速率，在相同的時(shí)間下能得到更厚的鍍層，這有利于對(duì)電磁波的吸收和反射，增強(qiáng)屏蔽性能。

3 結(jié)論

（1）利用硼氫化鉀可將氧化鋁陶瓷基板表面浸潤(rùn)的鈷離子還原成具有催化活性的鈷微粒，并催化鍍銅反應(yīng)的進(jìn)行，所得銅鍍層晶粒分布較為均勻，結(jié)合力和可焊性良好。

（2）氧化鋁陶瓷基板鈷活化法化學(xué)鍍銅的最佳活化工藝參數(shù)為：硫酸鈷35 g/L，硼氫化鉀3.6 g/L，活化時(shí)間5 min，預(yù)活化溫度30 ℃。該活化工藝避免了鈀、銀等貴金屬污染，成本低。

（3）當(dāng)鍍液中硫酸銅濃度為13 g/L時(shí)，所得鍍層具有良好的導(dǎo)電性和電磁屏蔽性能，在8.2～12.4 GHz頻段的平均電磁屏蔽效能可達(dá)86.6 dB。

參考文獻(xiàn)

［1］ WANG D Y， CHEN T， ZENG Y， et al. Optimization of UV-curable alumina suspension for digital light processing of ceramic membranes［J］. Journal of Membrane Science， 2022， 643： 120066.

［2］ WANG Y， XU Y H， CAO Z Y， et al. A facile process to manufacture high performance copper layer on ceramic material via biomimetic modification and electroless plating［J］. Composites Part B： Engineering， 2019， 157： 123-130.

［3］ LI H， WU R J， LIU H B， et al. A novel catalytic-type gas sensor based on alumina ceramic substrates loaded with catalysts and printed electrodes［J］. Chinese Journal of Analytical Chemistry， 2021， 49（11）： 93-101.

［4］ WANG H， JIA J F， SONG H Z， et al. The preparation of Cu-coated Al2O3 composite powders by electroless plating［J］. Ceramics International， 2011， 37（7）： 2181-2184.

［5］ ZHANG X， TANG J B， ZHONG Y， et al. Asymmetric layered structural design with metal microtube conductive network for absorption-dominated electromagnetic interference shielding［J］. Colloids and Surfaces A： Physicochemical and Engineering Aspects， 2022， 643： 128781.

［6］ MA Z N， LI J W， ZHANG J J， et al. Ultrathin， flexible， and high-strength Ni/Cu/metallic glass/Cu/Ni composite with alternate magneto-electric structures for electromagnetic shielding［J］. Journal of Materials Science amp; Technology， 2021， 81： 43-50.

［7］ 鄭強(qiáng)， 蔡葦， 陳飛， 等. 氧化鋁陶瓷基板化學(xué)鍍銅工藝優(yōu)化［J］. 表面技術(shù)， 2017， 46（4）： 212-216.

［8］ MA H F， LIU Z B， WU L， et al. Study of a pre-treatment process for electroless copper plating on ceramics［J］. Thin Solid Films， 2011， 519（22）： 7860-7863.

［9］ 由勁博， 龍晉明， 朱曉云， 等. 氧化鋁陶瓷局部活化及選擇性化學(xué)鍍銅的研究［J］. 材料科學(xué)與工藝， 2015， 23（2）： 91-97.

［10］代竟雄， 鐘良， 龔偉， 等. ABS塑料化學(xué)鍍鎳激光無(wú)鈀活化工藝［J］. 中國(guó)表面工程， 2018， 31（1）： 106-113.

［11］鄭曉輝， 單冬冬， 宋皓， 等. 氧化鋁陶瓷表面化學(xué)鍍鎳工藝及鍍層性能研究［J］. 表面技術(shù)， 2017， 46（10）： 128-134.

［12］王攀， 崔開(kāi)放， 鐘良. 聚酰亞胺塑料表面激光誘導(dǎo)活化化學(xué)鍍銅［J］. 電鍍與環(huán)保， 2020， 40（3）： 30-33.

［13］CHEN M L， CHEN S S， SHI Y， et al. Research on low-mass concentration salt-based colloidal palladium for PCB electroless plating［J］. Fine Chemicals， 2011， 28（3）： " 34-38.

［14］ZHANG J H， LU Z Y， YANG W B， et al. Study on " preparation of laser ICF magnetic PS target by electroless plating［J］. Fine Chemicals， 2007， 24（6）： 531-534.

［15］黨興， 鐘良， 何云飛， 等. 氧化鋁陶瓷基板化學(xué)鍍銅霧化淬火活化新工藝［J］. 西南科技大學(xué)學(xué)報(bào)， 2023， 38（1）： 84-90.

［16］劉帥， 蘇青春， 張丹， 等. 無(wú)鈀活化鍍鎳導(dǎo)電棉織物的制備及其導(dǎo)電性能［J］. 精細(xì)化工， 2021， 38（2）： 329-334.

［17］張立紅， 唐光超， 崔開(kāi)放. 氧化鋁陶瓷基板無(wú)鈀活化化學(xué)鍍鎳新工藝［J］. 西南科技大學(xué)學(xué)報(bào)， 2021， 36（2）： 62-67.

［18］董錚， 王晨希， 王琳， 等. 一種嘌呤類(lèi)熒光探針對(duì)土壤中鈷離子檢測(cè)性能的研究［J］. 環(huán)境監(jiān)控與預(yù)警， 2023， 15（6）： 50-55.

［19］黎思琦， 鐘良， 裴士鋒， 等. 環(huán)氧樹(shù)脂曲面三維電路制備工藝［J］. 塑料工業(yè)， 2022， 50（9）： 174-179， 185.

［20］劉永超， 路亞娟， 李潤(rùn)清， 等. 陶瓷表面金屬化工藝研究［J］. 電鍍與精飾， 2023， 45（6）： 38-42.