伴中央顳區(qū)棘波的自限性癲癇腦電圖特征及睡眠中癲癇電持續(xù)狀態(tài)危險因素分析＊

毛云青 劉龍芳 楊萍萍

新鄉(xiāng)醫(yī)學院第一附屬醫(yī)院功能檢查科 (河南 新鄉(xiāng) 453100)

伴中央顳區(qū)棘波的自限性癲癇(SeLECTS)是兒童期較為常見的局灶性癲癇，主要臨床表現(xiàn)為口、咽部和一側(cè)面部陣性抽搐，常伴有舌部僵直感，言語和吞咽困難，目前臨床上需依靠腦電圖等方式對伴中央顳區(qū)棘波的自限性癲癇進行診斷，一般預后效果良好[1-2]。睡眠中癲癇電持續(xù)狀態(tài)(ESES)是指由睡眠誘發(fā)的接近持續(xù)棘慢波發(fā)放的一種特殊腦電波現(xiàn)象，在SeLECTS發(fā)作期出現(xiàn)頻率較高[3]。相關(guān)研究認為[4]，SeLECTS出現(xiàn)ESES現(xiàn)象最終會導致患兒出現(xiàn)不同程度的認知倒退及精神行為異常等情況，為分析SeLECTS患兒出現(xiàn)ESES現(xiàn)象的危險因素，本文做了以下研究。

1 資料與方法

1.1 一般資料回顧性分析2021年2月至2022年9月收入本院進行治療的SeLECTS患兒100例。

納入標準：經(jīng)符合SeLECTS臨床診斷依據(jù)者[5]；年齡≤12歲；至少發(fā)生一次典型癥狀者；頭顱MRI和頭顱CT正常者。排除標準：存在抗癲癇藥物過敏史者；存在先天性認知功能障礙者；其他原因?qū)е掳d癇發(fā)作者。最后將選取的100例，根據(jù)患兒是否發(fā)生ESES將其分為觀察組和對照組，其中觀察組納入44例，對照組納入56例。

1.2 檢測方法所有患兒均進行采用腦電圖儀(日本光電1200C)進行24h視頻腦電圖監(jiān)測檢查，依據(jù)10-20國際標準導聯(lián)系統(tǒng)確定電極安放位置，對電極進行記錄，至少記錄兩個完整的清醒-睡眠周期，依據(jù)電極安放位置確定矢狀線和冠狀線。

1.3 觀察指標比較兩組患兒的一般資料，包括年齡等臨床信息。比較兩組患兒的睡眠中放電側(cè)別和部位，根據(jù)腦電圖放電側(cè)邊比較單側(cè)還是雙側(cè)放電，根據(jù)腦電圖放電部位比較左側(cè)、右側(cè)、高位中央?yún)^(qū)以及低位中央?yún)^(qū)。

1.4 統(tǒng)計學方法本文所有數(shù)據(jù)的均采用SPSS 22.0軟件進行統(tǒng)計分析，計數(shù)資料采用百分比(%)表示，采用χ2檢驗，計量資料采用平均數(shù)±標準差以(±s)形式表示，采用t檢驗。采用多因素Logistic回歸分析患兒睡眠中癲癇電持續(xù)狀態(tài)的危險因素，均以0.05為劃分標準。

2 結(jié) 果

2.1 一般資料比較兩組患兒的年齡、性別、首發(fā)年齡、高熱驚厥史以及癲癇家族史均無顯著統(tǒng)計學意義(P>0.05)，觀察組患兒治療后復發(fā)比例顯著高于對照組，差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05)，見表1。

表1 兩組患兒的一般資料比較[例(%)]

2.2 睡眠中放電側(cè)別和部位分析觀察組雙側(cè)放電人數(shù)和低位中央?yún)^(qū)放電人數(shù)均顯著高于對照組(P<0.05)，兩組患兒腦部左右側(cè)無顯著統(tǒng)計學意義(P>0.05)，見表2。

表2 兩組患兒睡眠中放電側(cè)別和部位比較[例(%)]

2.3 多因素Logistic回歸分析Logistic回歸分析顯示，治療后復發(fā)和腦電圖放電側(cè)邊與ESES的發(fā)生具有顯著相關(guān)性(P<0.05)，腦電圖放電低位中央?yún)^(qū)不是ESES的發(fā)生的獨立危險因素(P>0.05)，見表3。

3 討 論

SeLECTS是兒童期常見的特發(fā)性癲癇綜合征，在青春期可自行緩解，被臨床認為是預后較好的兒童癲癇綜合征之一[6-7]。臨床上一般通過腦電圖協(xié)助診斷，中央顳區(qū)棘波是SeLECTS患兒的典型腦電圖，在病情發(fā)作過程中，腦電圖背景活動不會出現(xiàn)明顯異常，且具備正常的睡眠結(jié)構(gòu)，部分患兒會出現(xiàn)ESES，ESES是大腦神經(jīng)元放電引起的中樞失常，由于異常放電的傳遞方式或起始部位不同，導致對患者的臨床表現(xiàn)也不同[8-10]，且相關(guān)研究證實，ESES可影響神經(jīng)突觸的建立和形成，損壞神經(jīng)環(huán)路，影響兒童語言表達、警覺性等能力，對患兒造成不同程度的認識倒退等不良結(jié)局[11]。本次研究結(jié)果顯示，觀察組患兒治療后復發(fā)比例顯著高于對照組，差異有統(tǒng)計學意義，且Logistic回歸分析顯示，治療后復發(fā)和ESES的發(fā)生具有顯著相關(guān)性，這是因為：(1)SeLECTS患兒治療后復發(fā)會導致中央顳區(qū)棘波持續(xù)發(fā)放形成ESES，導致正常的睡眠波受到干擾，正常睡眠波多以慢波活動為主，慢波活動長時間受到干擾會影響腦代謝及生化活動，對患兒的認識行為和神經(jīng)系統(tǒng)的發(fā)育產(chǎn)生不利影響[12-14]。

本次研究還發(fā)現(xiàn)，腦電圖放電側(cè)邊與ESES的發(fā)生具有顯著相關(guān)性，腦電圖放電低位中央?yún)^(qū)不是ESES的發(fā)生的獨立危險因素，分析其原因：(1)SeLECTS患兒致癇區(qū)和遠程網(wǎng)絡中，疾病發(fā)作期間，雙側(cè)大腦均放電會進一步加重了組織結(jié)構(gòu)的紊亂，因此產(chǎn)生ESES現(xiàn)象[15-16]；(2)高位中央?yún)^(qū)放電主要與局限性手的癥狀有關(guān)，而低位中央?yún)^(qū)主要與口咽部等癥狀有關(guān)，而部分伴有ESES的SeLECTS患兒的臨床癥狀中并無典型的手或者口咽部的癥狀出現(xiàn)，由此可見SeLECTS患兒出現(xiàn)ESES的發(fā)生與放電的高低位區(qū)無顯著關(guān)系[17-18]。

綜上所述，治療后復發(fā)和腦電圖放電側(cè)邊是SeLECTS患兒發(fā)生ESES的獨立危險因素，臨床上可針對患兒的病情采取不同的措施進行治療，以達到減少ESES發(fā)生的目的，可有效減少患兒認知功能受到損傷。