“寬禁帶功率半導(dǎo)體器件”專題前言

為實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”戰(zhàn)略目標(biāo)，我國(guó)正大力發(fā)展綠色經(jīng)濟(jì)，積極推進(jìn)節(jié)能減排。提高能源利用效率，特別是電能轉(zhuǎn)換效率，是社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展綠色轉(zhuǎn)型的重要手段之一。功率半導(dǎo)體器件是電能變換、控制和利用的核心器件，其特性直接影響著電力電子系統(tǒng)的性能。隨著應(yīng)用復(fù)雜程度的提升，傳統(tǒng)Si基器件物理極限無(wú)法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。寬禁帶功率半導(dǎo)體器件具備臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、電子飽和漂移速率高、工作溫度高等特點(diǎn)，可在新能源汽車、光伏、消費(fèi)類電子等應(yīng)用領(lǐng)域中實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效管理?！丁笆奈濉币?guī)劃綱要和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》明確提出以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體是我國(guó)集成電路領(lǐng)域的重點(diǎn)攻關(guān)方向之一。近年來(lái)，以SiC與GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體和以氧化鎵（Ga2O3）為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件和應(yīng)用等技術(shù)取得了令人矚目的進(jìn)步，但是其成熟、廣泛的應(yīng)用仍面臨諸多挑戰(zhàn)：（1）低缺陷材料生長(zhǎng)方法；（2）實(shí)現(xiàn)性能最大化的器件工藝方法和鈍化技術(shù)；（3）材料缺陷對(duì)器件性能的影響機(jī)制；（4）先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)技術(shù)與方法；（5）電路級(jí)和系統(tǒng)級(jí)集成。

圍繞上述挑戰(zhàn)，《電子與封裝》在2023年第1期推出“寬禁帶功率半導(dǎo)體器件”專題，共收錄11篇高質(zhì)量的綜述，其中包括9篇特邀綜述。內(nèi)容涵蓋寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的材料生長(zhǎng)工藝、器件新結(jié)構(gòu)、器件驅(qū)動(dòng)與應(yīng)用、電路級(jí)集成等關(guān)鍵技術(shù)的最新研究進(jìn)展和成果，討論了寬禁帶功率半導(dǎo)體器件發(fā)展所面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，并展望了技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。

“寬禁帶功率半導(dǎo)體器件”專題的順利出版得到了領(lǐng)域內(nèi)眾多知名專家的大力支持，在此衷心感謝為本專題提供高質(zhì)量論文的所有作者以及為專題出版付出心血和汗水的所有專家，相信在大家的共同努力下，此專題的出版能有助于推動(dòng)我國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展進(jìn)程。