周玉青,艾立群,洪陸闊,孟凡峻,劉新亮,孫彩嬌
(華北理工大學 冶金與能源學院,河北 唐山 063210)
隨著我國鋼鐵行業(yè)進入高質量發(fā)展階段,近年來對薄板坯的品質要求也越來越高.鋼材潔凈度會直接影響產品質量,而鋼材冶煉屬于長流程工藝,其工序節(jié)點多且復雜.在此背景下,洪陸闊等[1]提出了一種生產高潔凈板帶鋼的全新思路,即將鐵水直接固化成薄板帶,再以氣固反應形式將薄板帶中的碳脫至所需水平,被稱之為“固態(tài)煉鋼”.與傳統(tǒng)方法相比,它減少了轉爐高強度吹氧、爐外精煉、合金脫氧等環(huán)節(jié),可最大限度地避免鋼中夾雜物和氣泡的生成,縮減了冶煉流程,同時還降低了能耗.
近年來,固態(tài)脫碳煉鋼新工藝的可行性已得到了初步證實[1-4].學者們對Fe-C合金的氣固脫碳規(guī)律進行了深入研究,發(fā)現(xiàn)內部碳原子向界面擴散為脫碳反應的限制性環(huán)節(jié),升高溫度可提高碳在內部的擴散系數(shù),且此時的脫碳反應為表觀一級反應[5-6].當內部碳原子擴散到界面進行脫碳反應時,會導致界面的碳含量低于內部的碳含量,且脫碳后薄帶中碳含量會呈階梯分布[7].還有研究發(fā)現(xiàn)硅可促進脫碳的效果,這主要是由于硅能增加鐵素體和奧氏體界面上鐵素體的平衡濃度[8].在加入其他合金元素后,脫碳過程中薄帶表面各元素的競爭氧化也是影響脫碳的一個關鍵[9].同時,適宜的溫度更有利于硅鋼脫碳.隨著溫度的升高,表面氧化顆粒的數(shù)量增多,此時過高的溫度反而會引起表面氧化嚴重,氧化層厚度過厚,阻礙脫碳反應的順利進行[10-12].根據(jù)化學分析和顯微組織表明,氧化層中存在細小分散的氧化硅和鐵沸石顆粒,對脫碳反應有一定的促進作用,可見氧化和脫碳反應動力學相關.此外,脫碳過程中鋼表面的氧化程度與氣氛條件有著重要的關系[13].Nagasaki等[14]在CO-CO2和H2-H2O氣氛條件下分別進行了脫碳反應,結果發(fā)現(xiàn)水蒸氣的脫碳能力最強,氣氛條件的氧化性強弱會影響表面氧化膜的面積和厚度,從而影響脫碳效果.
綜上,對于Fe-C合金的固態(tài)脫碳已有不少相關的研究[15-18],但關于其他合金元素的合金薄帶固態(tài)脫碳研究尚不多.在此基礎上,本文中對Fe-Si-C合金薄帶固態(tài)脫碳的相關影響因素開展系統(tǒng)研究.以1 mm厚的Fe-3.0%C-0.84%Si(質量分數(shù),下同)合金薄帶和Fe-4.0%C-xSi(x=0,0.84%,1.24%)合金薄帶作為研究對象,重點探究Fe-Si-C合金薄帶固態(tài)脫碳過程的脫碳速率、元素競爭氧化及相關反應動力學.
實驗采用高純的鐵粉、碳粉和硅粉作為原材料.按照比例(碳3%,硅0.84%,剩余為鐵;碳4%,硅分別為0,0.84%,1.24%,剩余為鐵)混勻原材料后,放入真空電弧熔煉旋粹一體機,經抽真空、反復洗爐后,通入Ar+15%H2(體積分數(shù))混合氣體,總流量設定為500 mL/min,在1 793 K下進行熔煉,得到一定配比的塊狀母合金.利用銅模噴鑄法制備成薄帶,使用高頻感應線圈加熱的方式快速熔化母合金,熔融的合金液在壓差的作用下直接噴注到銅模中,快速固化后即可制得所需尺寸的合金薄帶(見圖1).
圖1 銅模噴鑄法制備薄帶示意圖Fig.1 Schematic diagram of thin strip prepared by copper mold spray casting
固態(tài)脫碳實驗在可控氣氛脫碳爐內進行,實驗裝置如圖2所示.開始脫碳實驗之前,將薄帶置于脫碳爐石英管內中心位置.關閉爐口后,需反復抽真空并充入Ar進行洗爐.在脫碳爐升溫過程中,爐內通入流量為558 mL/min,Ar+3.5%H2(體積分數(shù))混合氣體.當溫度升至預定脫碳溫度后,調節(jié)質量流量計將爐內氣體流量控制在實驗所需的流量(Ar+15%H2混合氣體,總流量設定為500 mL/min),并開啟氣路管道加熱裝置.轉換入爐前氣體路徑,使其通過水浴箱,根據(jù)露點設置來調節(jié)混合氣體帶出的水蒸氣含量,利用氣氛中的水蒸氣與薄帶表面的碳發(fā)生氧化還原反應,即可達到脫碳的目的.試樣的初始碳含量和脫碳后的碳含量均采用CS-800紅外碳硫分析儀來測定.
圖2 固態(tài)脫碳設備圖Fig.2 Solid state decarbonization equipment diagram
為了判斷初始試樣合金元素的賦存狀態(tài),對脫碳前的薄帶試樣界面進行了XRD檢測,結果如圖3所示.通過分析可知,脫碳之前試樣中已形成碳化物(滲碳體Fe3C),但Si并未形成碳化物,基體中除部分滲碳體(Fe3C)存在外,合金元素C,Si主要以固溶態(tài)形式存在.
圖3 薄帶截面XRD分析Fig.3 XRD analysis of thin strip surface
根據(jù)Fe-Si-C合金XRD物相的分析結果,在H2O-H2氣氛下Fe-C-Si合金脫碳過程可能發(fā)生以下反應:
高溫下,氣氛中的水蒸氣與薄帶表面的碳發(fā)生反應,實現(xiàn)固態(tài)脫碳,但同時也會與表面的硅反應生成SiO2.此時生成的SiO2和氣氛中的H2O會與薄帶表面Fe生成硅鐵復合氧化物(FeSiO3或Fe2SiO4),且氣氛中的H2O還會將薄帶表面的Fe氧化.當Fe,Si發(fā)生大量氧化形成氧化層時,將會阻礙脫碳反應的持續(xù)進行,故在H2O-H2氣氛下Fe和Si選擇性氧化的熱力學條件是研究固態(tài)脫碳過程需重點考慮的因素.為了研究Fe和Si選擇性氧化的熱力學條件,實驗利用Factsage熱力學軟件對固溶Si活度及反應過程中各氧化物熱力學平衡相圖進行計算,結果如圖4所示.
圖4 Fe-Si-C系各相穩(wěn)定區(qū)Fig.4 Fe-Si-C system phase stable region
從圖4(a)中可以看出:在一定溫度下,Si優(yōu)先于Fe與O結合,發(fā)生選擇性氧化反應生成SiO2,這主要是由于Si與O的親和力要高于Fe;隨著φ(H2O)/φ(H2)(即爐內水蒸氣體積分數(shù)與H2體積分數(shù)的比值)升高,合金表面優(yōu)先形成硅鐵復合氧化物;當φ(H2O)/φ(H2)繼續(xù)升高,會逐漸形成鐵的氧化物.在脫碳過程中,若合金表面過度氧化形成氧化層,則會阻礙內部碳與氣氛中的氧反應,導致脫碳反應無法順利進行.因此,溫度和脫碳氣氛條件在固態(tài)脫碳過程中起著至關重要的作用.
為驗證熱力學計算結果的準確性,在1 413 K及不同φ(H2O)/φ(H2)(0.39,0.42,0.44)的條件下,對1 mm厚的Fe-3%C-0.84%Si試樣進行脫碳實驗研究,脫碳時間為30 min,實驗結果如圖4(b)所示.
圖5為脫碳后試樣XRD檢測分析結果.當φ(H2O)/φ(H2)=0.39時[圖5(a)],脫碳爐內為弱氧化性氣氛,薄帶表面檢測到的氧化物主要為SiO2;當φ(H2O)/φ(H2)升至0.42和0.44時[圖5(b)和(c)],檢測到薄帶表面的氧化物質主要為Fe2SiO4.這是因為隨著φ(H2O)/φ(H2)升高,合金表面的氧位覆蓋率逐漸提高,氣氛中的氧勢隨之增強,合金表面發(fā)生的選擇性氧化逐漸由Si和O的結合轉變?yōu)镾i和Fe同時參與反應生成復合氧化物.
圖5 不同φ(H 2O)/φ(H 2)下含硅薄帶表面XRD分析Fig.5 XRD analysis of silicon-containing strips at differentφ(H 2O)/φ(H 2)
為了觀察薄帶表面氧化情況和判斷是否形成致密氧化層,利用掃描電鏡對φ(H2O)/φ(H2)=0.42時試樣表面氧化物的形貌及試樣面進行分析,結果如圖6所示.
由圖6可知,薄帶表面的元素為Fe,C,O和Si,且主要是一層覆葉片狀氧化膜,并未形成致密氧化層.通過面掃描結果可以看出,薄帶表面的O主要集中在葉片狀硅鐵復合氧化物上,合金基體上未見明顯的氧覆蓋現(xiàn)象.利用Image軟件計算,得到表面氧化物覆蓋率為58.76%,基體未氧化部分為41.24%,也就是說1 mm厚的Fe-3%C-0.84%Si試樣在1 413 K和φ(H2O)/φ(H2)=0.42氧化氣氛下脫碳30 min,有效的氧位覆蓋率仍可達到41.24%.根據(jù)羅海文等[19]對取向硅鋼的研究可知,當鋼帶表面有效氧位覆蓋率在10%以上時,脫碳速率不受表面氧化的影響.
圖6 掃描電鏡分析Fig.6 Scanning electron microscope analysis
圖7為此實驗條件下φ(H2O)/φ(H2)(0.39,0.42,0.44)與薄帶脫碳后碳含量的關系.依據(jù)圖7分析可得,在脫碳爐溫度為1 413 K的情況下,1 mm厚的Fe-3%C-0.84%Si薄帶試樣的終點碳在φ(H2O)/φ(H2)=0.42時,脫碳效果比較好,因此實驗選擇在此條件下進行.
圖7 不同φ(H 2O)/φ(H 2)脫碳后碳含量Fig.7 Residual carbon content of differentφ(H 2O)/φ(H 2)
為研究硅含量對薄帶脫碳的影響,采用單因素變量法對1 413 K下1 mm厚的Fe-4%C-xSi(x=0,0.84%,1.24%)合金薄帶進行實驗研究.在實驗過程中,混合氣體里H2體積分數(shù)為15%,氣體流量設定為500 mL/min,結果如圖8所示.
由圖8可以看出:3種薄帶試樣的脫碳量曲線均隨脫碳時間的延長呈上升趨勢;當脫碳時間一定時,硅含量越大,薄帶試樣的脫碳量也越大.這說明在本實驗研究范圍內,Si在一定程度上可促進脫碳反應的進行,主要是由于Si可提高碳原子的擴散系數(shù).因此,調整爐內脫碳氣氛來控制合金表面的氧化程度,可保證脫碳反應的順利進行.羅海文等[19]在研究取向硅鋼退火過程中發(fā)現(xiàn),控制表面氧化程度可確保脫碳速度不受影響,但僅限于低碳高硅合金.為了證明高碳低硅合金在一定程度上具有相似規(guī)律,以Fe-0.48%C-3.5%Si合金薄帶為研究對象,在1 423 K下開展脫碳實驗研究,結果如圖9所示.由圖9可知,隨時間的延長,脫碳速率逐漸降低.
圖8 不同硅含量下的脫碳量Fig.8 Decarburization amount under different silicon content
圖9 Fe-0.48%C-3.5%Si的脫碳效果Fig.9 Decarburization effect of Fe-0.48%C-3.5%Si
從圖10中還可看出,表面氧化膜與基體分界明顯,氧化膜厚度為10~20μm.造成這些變化的主要原因如下:與Fe-4.0%C-1.24%Si薄帶相比,該薄帶試樣含碳量低,脫碳過程中試樣表面與內部的碳含量梯度較小,導致內部碳擴散的驅動力不足,碳向表面擴散的速率降低.此外,該薄帶含硅量較高,由于Si更易與水蒸氣反應,使得Si被氧化的區(qū)域擴大,碳與水蒸氣的接觸面積減少,從而降低脫碳速率.隨著時間的增長,表面Si氧化膜的區(qū)域持續(xù)擴大,氧化膜厚度繼續(xù)增加,最終將阻礙脫碳的進行.
圖10 Fe-0.48%C-3.5%Si截面氧化圖Fig.10 Oxidation diagram of Fe-0.48%C-3.5%Si section
為了探索溫度對Fe-C-Si合金薄帶固態(tài)脫碳效果的影響,分別在不同溫度(1 293,1 353,1 413 K)下開展脫碳量隨時間變化的實驗研究.采用厚度1 mm Fe-4.0%C-0.84%Si薄帶為研究對象,φ(H2O)/φ(H2)為0.42,混合氣體中H2體積分數(shù)為15%,混合氣體流量為500 mL/min,實驗結果如圖11所示.
圖11 脫碳量隨時間變化關系Fig.11 Relationship between decarburization amount and time
從圖11中可以看出:當脫碳時間一定時,F(xiàn)e-4.0%C-0.84%Si合金薄帶的脫碳量隨溫度的升高而顯著增大;在相同的脫碳溫度下,該薄帶的脫碳量隨脫碳時間的延長而增大,并且脫碳溫度越高,脫碳量增大得越顯著.根據(jù)曲線斜率可定性估算出該時間段內反應速率的大?。涸诜磻跏茧A段(0~5 min),溫度越高,反應速率越高;當反應5~10 min時,3種溫度的曲線斜率趨于一致(即反應速率一致);當反應超過10 min后,溫度對反應速率的影響較為顯著.在本實驗的時間范圍內,1 293 K的曲線斜率在反應20~30 min時小于1 353和1 413 K的曲線斜率,且逐漸趨于平緩,這表示此時隨溫度的降低反應速率在減慢.在1 353和1 413 K下,脫碳量隨時間呈近似線性增大的趨勢,說明在該溫度下脫碳反應速率基本保持不變,且反應過程可保持在相對較高的脫碳反應速率上.
為進一步研究實驗條件下固態(tài)脫碳反應動力學,分別對1 293,1 353,1 413 K下Fe-4%C-0.84%Si合金薄帶脫碳后剩余的平均碳含量w(C)隨時間變化的數(shù)據(jù)進行擬合,結果如圖12所示.
圖12 碳含量隨時間的變化Fig.12 Carbon content with decarburization time
在本實驗條件下,對1 293,1 353,1 413 K下薄帶的平均碳含量取對數(shù),可得lnw(C)隨時間變化的關系,如圖13所示.
由圖13可知,在本實驗條件下,可將1 293,1 353,1 413 K下Fe-C-Si合金薄帶的宏觀脫碳反應近似看作表觀一級反應,lnw(C)與t成線性關系.圖中直線斜率可近似視為表觀速率常數(shù)k,表達式如下:
圖13 ln w(C)隨時間變化關系Fig.13 The relationship between ln w(C)and time
式中:C為摩爾濃度,mol/cm3;w(C)0為初始碳的質量分數(shù),%;w(C)t為瞬時碳的質量分數(shù),%;t為反應時間,min.
利用式(6)求出表觀速率常數(shù)k,并得到lnk與溫度倒數(shù)1/T的關系,如圖14所示.
依據(jù)圖14的擬合參數(shù)可得到:
圖14 ln k與1/T關系Fig.14 The relationship btween ln k and 1/T
根據(jù)阿累尼烏斯方程[20]可得出,脫碳反應的表觀活化能為111.475 kJ/mol,低于碳在奧氏體中擴散的活化能.這說明硅可以提高碳的擴散,促進碳活度,降低碳擴散的激活能.隨著反應時間的延長,溫度對脫碳的影響越發(fā)顯著.在反應初期,固溶碳充足,界面反應為脫碳的主要環(huán)節(jié);在脫碳后期,內部間隙碳原子的擴散逐漸成為控速環(huán)節(jié).
(1)在脫碳過程中合金表面的氧化順序,先是Si氧化生成SiO2,隨著φ(H2O)/φ(H2)的升高,薄帶氧化生成復合硅鐵氧化物(Fe2SiO4).
(2)通過熱力學計算結合實驗分析,當H2體積分數(shù)為15%,氣體流量為500 mL/min時,在Ar-H2-H2O氣氛下,能快速脫碳且鐵不被氧化的條件為φ(H2O)/φ(H2)=0.42.
(3)硅含量越高,脫碳效果越好.表明硅在一定程度上可以提高脫碳的活度,加速脫碳的進行.
(4)在脫碳過程中,F(xiàn)e-C-Si合金表面的氧化同樣是影響脫碳效果的因素,成分比例不同的合金薄帶脫碳受表面氧化的影響也不同.
(5)當φ(H2O)/φ(H2)=0.42時,脫碳反應的活化能為111.475 kJ/mol,低于碳在奧氏體中的擴散活化能.在一定時間范圍內,界面反應為脫碳的控速環(huán)節(jié).但隨著脫碳反應的進行,界面碳含量降低,內部碳的擴散轉變?yōu)榭厮侪h(huán)節(jié).