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      基于恒流自適應(yīng)功能的大功率變頻器預(yù)充電方案設(shè)計(jì)

      2022-08-09 08:07:36陳奉國
      電機(jī)與控制應(yīng)用 2022年3期
      關(guān)鍵詞:預(yù)充電恒流紋波

      王 鵬, 陳奉國

      [施耐德電氣(中國)有限公司研發(fā)中心,上海 200120]

      0 引 言

      變頻器在現(xiàn)代工業(yè)控制領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中需加入預(yù)充電電路,作為上電時(shí)限制儲(chǔ)能電容的充電電流,防止過大電流沖擊損壞功率模塊[1-2]。目前大功率變頻器(45 kW以上)預(yù)充電電路一般采用微控制單元(MCU)控制晶閘管開通角度的方案來實(shí)現(xiàn)[3-6]。該方案結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,技術(shù)成熟,但芯片控制方式復(fù)雜,調(diào)試不便。為進(jìn)一步優(yōu)化預(yù)充電電路的實(shí)現(xiàn)方案,本文設(shè)計(jì)了一種具有恒流自適應(yīng)功能的晶閘管控制方法,全部使用硬件實(shí)現(xiàn),不再需要MCU發(fā)波支持,同時(shí)避免了光耦和開關(guān)電源時(shí)序問題,一定程度上簡(jiǎn)化了調(diào)試難度。

      1 傳統(tǒng)大功率變頻器預(yù)充電電路

      大功率變頻器一般采用晶閘管加二極管作為半控整流模塊單元。圖1為其原理框圖。當(dāng)三相交流接入時(shí),同步電路采集輸入電壓并轉(zhuǎn)換成電平信號(hào),由光耦隔離送入MCU,再通過算法控制晶閘管的開通角度,使得母線電壓逐步抬升,充電完成后,MCU依然要精確控制晶閘管的開通角使其工作于二極管模式。

      這種電路主要存在以下問題:(1)因同步電路采樣的信號(hào)需要光耦隔離,在高低溫惡劣環(huán)境中光耦性能需要額外補(bǔ)償;(2)使用MCU軟件控制晶閘管開通角,算法復(fù)雜,調(diào)試不便;(3)必須注意時(shí)序問題。需要額外增加電路以使開關(guān)電源最先工作,保證控制電路優(yōu)先供電。

      2 新型大功率變頻器預(yù)充電電路

      新型大功率變頻器預(yù)充電電路原理框圖如圖2所示。在工作過程中主要由二極管充電和晶閘管控制單元兩個(gè)環(huán)節(jié)組成。與傳統(tǒng)電路拓?fù)湎啾?,使用二極管VD4和電阻R1直接給母線充電,母線電壓平穩(wěn)后進(jìn)入晶閘管控制階段,即半控整流模塊在變頻器運(yùn)行中充當(dāng)整流角色。晶閘管控制單元主要是對(duì)變頻器工作過程中三相電壓和母線電壓進(jìn)行采集,通過恒流自適應(yīng)電路實(shí)現(xiàn)3路晶閘管門極導(dǎo)通角的良好控制,以此實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)變頻器運(yùn)行系統(tǒng)的穩(wěn)定控制。二極管VD4的最大電流由輸入線電壓、R1及母線電容決定,從充電時(shí)間和充電電流兩方面折中考慮,電阻R1一般取30~40 Ω為宜,此時(shí)與傳統(tǒng)預(yù)充電方案相比,充電時(shí)間基本一致。

      圖2 新型大功率變頻器預(yù)充電電路框圖

      2.1 晶閘管控制單元設(shè)計(jì)

      晶閘管控制單元是變頻器預(yù)充電電路中非常重要的環(huán)節(jié),在具體的工作過程中主要分為以下步驟:(1)接收三相輸入電壓和母線電壓信號(hào),與預(yù)設(shè)參考電壓進(jìn)行比較產(chǎn)生各相晶閘管門極驅(qū)動(dòng)MOS的主信號(hào),以便產(chǎn)生每相晶閘管交錯(cuò)開通約180°的特征;(2)控制晶閘管門極驅(qū)動(dòng)MOS的供電VG。由MOS、二極管、電感、電流采樣電阻構(gòu)成恒流源,以及放大電路和滯回比較器放在一起組成閉環(huán)小系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)MOS門極自適應(yīng)通斷,維持閉環(huán)系統(tǒng)穩(wěn)定。在母線電壓平穩(wěn)后,該閉環(huán)自適應(yīng)系統(tǒng)立即開始工作,其中對(duì)電流的限制既實(shí)現(xiàn)了自適應(yīng)振蕩,又實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶閘管門極開通時(shí)的電流限制要求。同時(shí)添加了過流保護(hù)和欠壓保護(hù)模塊,也用于控制MOS通斷,使得控制功能更加完善,兼具過流保護(hù)和欠壓保護(hù)功能,從模塊化設(shè)計(jì)角度來看,結(jié)構(gòu)清晰,便于仿真和調(diào)試,大大簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)工作量。具體結(jié)構(gòu)如圖3所示。

      圖3 晶閘管控制單元結(jié)構(gòu)

      2.2 恒流自適應(yīng)供電

      晶閘管是電流驅(qū)動(dòng)型器件,恒流自適應(yīng)電路為3路晶閘管門極驅(qū)動(dòng)提供足夠電流,其電路結(jié)構(gòu)如圖4所示。MOS Q1,電感L,二極管VD構(gòu)成類Buck電路,R3為電流采樣電阻,運(yùn)放OP1及電阻R4=R5,R6=R7構(gòu)成放大電路,放大系數(shù)為α:

      α=R7/R5

      (1)

      圖4 恒流自適應(yīng)電路

      比較器COMP1和電阻R8、R9、R10構(gòu)成滯回比較電路,輸出只有0 V和VDC1兩種狀態(tài),其正向閾值電壓為

      (2)

      負(fù)向閾值電壓為

      (3)

      因此滯回回差電壓:

      (4)

      同時(shí),滯回回差由電感電流紋波的峰谷值來決定,即:

      ΔVt=αΔI·R3

      (5)

      式中:ΔI為電感電流紋波。若同時(shí)設(shè)定Ig1為電流紋波谷值,Ig2為電流紋波峰值,即:ΔI=Ig2-Ig1。

      在電流紋波谷值處,Q1開通,滯回比較器正向閾值電壓對(duì)應(yīng)為該谷值采樣后的放大值,即:

      Vt+=αIg1·R3

      (6)

      由式(2)、式(6)得:

      (7)

      當(dāng)Q1打開時(shí),電感L充電,電感電流近似斜坡上升,根據(jù)基爾霍夫電壓定律,即有以下算式:

      (8)

      式中:Δt1為Q1開通時(shí)間;Rg為晶閘管門極驅(qū)動(dòng)電阻;RSCR-g為晶閘管門極內(nèi)部等效電阻。

      當(dāng)Q1斷開時(shí),電感L放電,電感電流近似斜坡下降,根據(jù)基爾霍夫電壓定律,即有以下算式:

      (9)

      式中:Δt2為Q1關(guān)斷時(shí)間;VD為二極管VD正向?qū)妷骸?/p>

      由式(7)、式(5)可以看出,當(dāng)電路電阻值確定時(shí),電感電流紋波ΔI及谷值Ig1都是確定的,與R3后端的負(fù)載無關(guān),因此可以看作是帶有紋波的固定電流源。

      三相晶閘管依次交替開通約180°,在某一時(shí)刻,只存在一相晶閘管開通或者兩相同時(shí)開通這兩種狀態(tài)。這兩種狀態(tài)相當(dāng)于Rg+RSCR-g的值變更,由式(8)、式(9)可以看出,此時(shí)電路會(huì)自適應(yīng)調(diào)節(jié)Q1的占空比達(dá)到新的平衡,Δt1,Δt2自動(dòng)更新,但電感電流平均值不變。

      2.3 電路仿真

      使用PSIM對(duì)電路進(jìn)行仿真,參數(shù)選擇如下:L=220 μH,R3=0.2 Ω,R4=R5=1.5 kΩ,R6=R7=15 kΩ,R8=30.1 kΩ,R9=18.2 kΩ,R10=100 kΩ,VDC1=5 V,VDC2=15 V。理論計(jì)算滯回回差電壓0.51 V,電感電流紋波0.25 A,紋波峰值1.1 A。仿真波形如圖5所示,其中圖5(b)是圖5(a)中t時(shí)刻的放大波形,VL為L兩端電壓,I(L)和I(Rg)分別表示電感L和電阻Rg的電流。仿真結(jié)果顯示電感電流紋波0.253 6 A,紋波峰值1.101 7 A,這與理論計(jì)算結(jié)果一致。R3處的電流可以看成是帶有紋波的固定電流源,形如圖5中的I(L)。

      圖5 恒流自適應(yīng)供電仿真波形

      3 實(shí)例驗(yàn)證

      以上文的新型預(yù)充電拓?fù)錇榛A(chǔ),搭建60 kW變頻器樣機(jī)平臺(tái)。半控整流模塊使用塞米控的SEMiX365DH16,其門極觸發(fā)電流最小為0.1 A。充電電阻R1選擇36 Ω/55 W。恒流自適應(yīng)電路參數(shù)同仿真參數(shù)。三相380 V交流接入,變頻器運(yùn)行正常。實(shí)測(cè)Q1開通時(shí)間為5.25 μs,[見圖6,其中CH3…I(L);CH4…VL],與仿真結(jié)果(圖5)5.1 μs基本一致,實(shí)測(cè)電感電流紋波249.4 mA。調(diào)整滯回回差電壓,即可調(diào)整晶閘管門極電流的大小,調(diào)試方便靈活。

      圖6 實(shí)測(cè)自適應(yīng)供電電路波形

      圖7為預(yù)充電電路實(shí)測(cè)波形。其中CH1:L1對(duì)母線的電壓;CH2:母線電壓;CH3:VDC2;CH4:晶閘管Th1門極電壓。當(dāng)L1對(duì)母線電壓超過-232 V時(shí),晶閘管Th1開通。各相晶閘管交替開通約180°,符合預(yù)期控制效果,方案具有可行性。

      圖7 實(shí)測(cè)預(yù)充電電路波形

      4 結(jié) 語

      本文針對(duì)傳統(tǒng)變頻器預(yù)充電電路存在的問題,設(shè)計(jì)了一種具有恒流自適應(yīng)功能的預(yù)充電電路。該電路可以自適應(yīng)維持穩(wěn)定,為晶閘管觸發(fā)提供相對(duì)穩(wěn)定的供電,以此實(shí)現(xiàn)對(duì)每相晶閘管精確控制,不再依賴軟件參與,同時(shí)避免了光耦和開關(guān)電源時(shí)序問題。通過PSIM仿真和實(shí)物平臺(tái)測(cè)試表明,該電路方案切實(shí)可行,調(diào)試方便,具有一定的參考價(jià)值。

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