劉秭君,肇杰
(吉林師范大學(xué)博達(dá)學(xué)院,吉林四平,136000)
白色的電致發(fā)光,一般可以由不同的發(fā)光顏色混合而成,例如混合兩互補(bǔ)色可以得到二波段型白光,或混合紅、藍(lán)、綠三原色得到三波段型白光。常見的OLED器件結(jié)構(gòu)主要有兩種,分別為多摻雜層發(fā)光器件和多重發(fā)光層器件。所謂多摻雜發(fā)光層器件是指將含有多種顏色發(fā)光材料的摻雜物共蒸鍍于同一發(fā)光層中,利用不完全能量轉(zhuǎn)換原理使電致發(fā)光呈現(xiàn)不同顏色混合而形成白光。而多重發(fā)光層器件是將不同顏色的發(fā)光材料分別摻混在各個發(fā)光層中,利用各單層發(fā)光再混合來實(shí)現(xiàn)多波段的發(fā)光。
最早報(bào)道的熒光系統(tǒng)WOLED是美國柯達(dá)公司制備的雙發(fā)光層的器件結(jié)構(gòu),主要是將黃光發(fā)光材料摻雜到NPB中,結(jié)合藍(lán)色發(fā)光材料,通過使用厚度匹配和調(diào)節(jié)濃度的方法制備出白光器件。2006年,SID會上,柯達(dá)公司發(fā)表了有關(guān)多波段藍(lán)、綠、黃的白光器件,獲得CIE色坐標(biāo)為(0.318,0.348),最大效率為9.9cd/A。提高器件效率最有效的方法是p-i-n結(jié)構(gòu),p-i-n結(jié)構(gòu)能有效的增加電子和空穴的注入數(shù)目,極大的增加電子和空穴的復(fù)合幾率,從而提高了器件的效率和亮度,降低了器件的啟亮電壓[33]。2008年,Duan等人用BPhen:Cs和MeO-TPD:F4-TCNQ的p-i-n結(jié)構(gòu),獲得了功率效率為8.7lm/W的白光器件。2008年,丁桂英等采用全熒光系統(tǒng),獲得最大亮度為25110cd/m2,CIE色坐標(biāo)為(0.30,0.34)的很好的白光。2013年,吳清洋等人使用熒光材料PT-01作為黃色熒光客體材料,PT-86作為藍(lán)色熒光客體材料,PT-05作為熒光主體材料制作出了全熒光白光有機(jī)電致發(fā)光器件。獲得的最大效率為11.2cd/A,最大亮度為20590cd/m2。
實(shí)驗(yàn)主要以DPVBi材料為藍(lán)色發(fā)光層,另外以DPVBi摻雜DCJTB作為第二層發(fā)光層,制備了雙層全熒光白光有機(jī)電致發(fā)光器件。器件結(jié)構(gòu)為ITO/MoO3/TCTA/DPVBi/DPVBi:DCJTB/TPBi/LiF/CdS/Al。通過改變摻雜層的摻雜比例,改變發(fā)光層位置和調(diào)節(jié)發(fā)光層厚度的方法獲得了白光。發(fā)現(xiàn)單DPVBi藍(lán)色發(fā)光層在摻雜層前面,摻雜比例為1:3%,并且DPVBi藍(lán)色發(fā)光層與DPVBi:DCJTB層厚度為15nm和10nm時獲得了白光有機(jī)電致發(fā)光器件。
采用的器件結(jié)構(gòu)和能級圖如圖1和圖2所示。MoO3作為電子注入層,TCTA作為電子傳輸層,DPVBi作為藍(lán)色發(fā)光層,DPVBi:DCJTB作為黃色發(fā)光層,TPBi作為電子傳輸層和空穴阻擋層,LiF/Al作為復(fù)合陰極。MoO3,TCTA,TPBi,CdS的厚度分別固定在10nm、20nm、20nm、0.6nm不變,實(shí)驗(yàn)過程首先研究了不同摻雜濃度的單層發(fā)光層DPVBi:DCJTB有機(jī)電致發(fā)光器件,器件結(jié)構(gòu)為ITO/MoO3/TCTA/DPVBi:DCJTB/TPBi/LiF/CdS/Al,摻雜濃度分別為1%,3%,5%,7%,制備了發(fā)現(xiàn)制備出的器件均顯橙黃色,且1%濃度較好。為了獲得白光,在此器件結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上又加入了一層藍(lán)色熒光材料DPVBi藍(lán)色熒光發(fā)光層,并改變DPVBi的位置,同時通過能級匹配的方法調(diào)節(jié)DPVBi層與DPVBi:DCJTB層厚度,獲得的器件均以藍(lán)光為主,無法獲得理想的白光,如此猜想,紅光發(fā)光較弱,且發(fā)光區(qū)域主要在DPVBi層,所以為了進(jìn)一步獲得白光,把摻雜濃度變?yōu)?:3%,并重復(fù)了第二次實(shí)驗(yàn),獲得器件A,B,C,D,器件A的發(fā)光層厚度為10nm,15nm,器件B的發(fā)光層厚度為15nm,10nm,器件C的發(fā)光層厚度為10nm,15nm,器件D的發(fā)光層厚度為15nm,10nm。A,B器件結(jié)構(gòu)參照圖1(a)所示,器件C,D參照圖1(b)所示,發(fā)現(xiàn)DPVBi藍(lán)色發(fā)光層在摻雜層前面,并且DPVBi層與DPVBi:DCJTB層厚度為15nm和10nm時獲得了白光。器件的陽極用的是ITO玻璃。在蒸鍍有機(jī)材料薄層之前,依次用丙酮、無水乙醇、去離子水超聲反復(fù)清洗ITO玻璃基片,干燥后置于多源有機(jī)分子氣相沉積系統(tǒng)的腔室內(nèi),腔內(nèi)真空度小于5×10-4Pa,有機(jī)薄膜的蒸發(fā)速率控制在0.1-0.2nm/s的范圍內(nèi),LiF的蒸發(fā)速率約0.01nm/s,金屬Al的蒸發(fā)速率約1.5nm/s,蒸鍍過程中采用FTM-V型石英晶體膜厚監(jiān)測儀監(jiān)測厚度,通過keithley 2400和光譜掃描光度計(jì)PR655對器件的亮度,電流,電壓,發(fā)光光譜,色度進(jìn)行測量。測量在空氣中室溫條件下進(jìn)行。
圖1 器件結(jié)構(gòu)圖
圖2 器件A的能級圖
圖3為器件A,B,C,D的電壓-亮度曲線,器件A和器件B中,DPVBi藍(lán)色發(fā)光層位于DPVBi:DCJTB前面,且改變兩發(fā)光層厚度(10nm,15nm)和(15nm,10nm),由圖可知,器件A的最大亮度為8500cd/cm2,器件B的最大亮度為11000cd/cm2,且器件B隨電壓增大亮度高于A器件,原因是器件B比器件A厚度更加匹配,載流子注入更加平衡,參加發(fā)光的激子的數(shù)目增多,導(dǎo)致亮度增大。器件C和器件D為發(fā)光層調(diào)換位置后的圖像,可以看出器件C隨電壓增加亮度要比器件D隨電壓增加的亮度大,同樣是因?yàn)槠骷﨏比器件D厚度更加匹配,參加發(fā)光的激子數(shù)目增多導(dǎo)致的。
圖3 電壓-亮度曲線
由圖4電流密度-效率曲線可以看出,器件A,B,C,D隨電流密度的增加,效率滾降不大,基本是一條平直的曲線,可以說器件A,B,C,D載流子注入基本趨于平衡。器件A最大效率為1.8cd/A,器件B最大效率為2.5cd/A,器件C最大效率為4.6cd/A,器件D最大效率為4.9cd/A,由此可知器件C獲得的效率最大。
圖4 電流密度-效率曲線
圖5為器件A,B,C,D歸一化光譜圖,從光譜圖中可以看到主要有兩個發(fā)光峰,一個為藍(lán)色發(fā)光峰,一個為紅色發(fā)光峰,它們分別來自DPVBi和DCJTB的發(fā)光。其中器件B的CIE在(0.38,0.32)附近,色度較好屬于暖白光發(fā)射。器件B單層DPVBi在摻雜層DPVBi:DCJTB前面,之所以白光的顯色性比交換發(fā)光層位置的C,D器件好,主要是由于器件C,D在外加電壓下,DPVBi到DCJTB的能量傳遞主要占優(yōu)勢,導(dǎo)致發(fā)光區(qū)域主要集中在摻雜發(fā)光層中,隨電壓增加,紅光的強(qiáng)度增強(qiáng),器件的顯色性偏于紅色,最終導(dǎo)致白光色度較差。器件B與器件A相比,摻雜層的厚度薄,單層藍(lán)光層的厚度厚,各材料厚度匹配較好,把發(fā)光區(qū)域限制在了藍(lán)光發(fā)光層和摻雜發(fā)光層中,導(dǎo)致了電子和空穴向藍(lán)光和紅光發(fā)射層的注入較均勻,使器件的紅光和藍(lán)光發(fā)射強(qiáng)度比較均衡,器件的白光色度較好。
圖5 器件A,B,C,D歸一化光譜圖
當(dāng)DPVBi層位置在前面時,器件的紅色和藍(lán)色發(fā)光強(qiáng)度比較均勻,且發(fā)光層厚度為15nm和10nm時,器件的厚度較匹配,增加了電子的注入和載流子的復(fù)合增加了電子的注入和載流子的復(fù)合幾率,并獲得白光器件,且器件的CIE坐標(biāo)為(0.38,0.32),器件最大效率為2.5cd/A,最大亮度為11000cd/cm2。