第三代半導體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級

Filippo Di Giovanni

5G受到追捧是有充足的理由的。根據(jù)CCSInsight的預測，到2023年，5G用戶數(shù)量將達10億;2022年底，5G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施將承載近15%的全球手機流量。

高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G基礎(chǔ)設(shè)施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個第三代半導體技術(shù)，尤其是氮化鎵（GaN），5G開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN器件的開關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110GHz的高頻通信應(yīng)用，涵蓋移動通信、無線網(wǎng)絡(luò)、點對點和點對多點微波通信，以及雷達應(yīng)用。集這些優(yōu)點于一身，GaN已被證明非常適合5G基站功率放大器，取代4G以及前幾代無線基礎(chǔ)設(shè)施廣泛應(yīng)用的LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）。與LDMOS相比，GaN使系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度，有助于降低基站的尺寸，并可以使用不太復雜的冷卻硬件。GaN在5G頻譜中的更高能效表現(xiàn)可以降低位/秒的運營成本以及環(huán)境影響。同樣，GaN更適應(yīng)高濕度、多灰塵、極熱和功率波動的工作環(huán)境，性能受到的負面影響極小。

就寬帶性能、功率密度和能效而言，以硅LDMOS和GaAs為主要代表的傳統(tǒng)技術(shù)遠遠落后于GaN（高電子遷移率晶體管）技術(shù)，無論襯底是硅還是SiC，都是如此。正是這項技術(shù)滿足了5G應(yīng)用對散熱的嚴格要求，同時確保節(jié)省印刷電路板空間，滿足大規(guī)模MIMO天線陣列的安裝需求。在基站中，節(jié)省空間的多功能GaN（單片微博集成電路）芯片和多片模塊取代了分立設(shè)計。此外，5G新頻段射頻信號和數(shù)據(jù)處理硬件導致功耗不斷增加，使5G基站的整個供電系統(tǒng)，從電網(wǎng)容量到機柜尺寸、備用儲電系統(tǒng)、功率密度和電力電子設(shè)備的冷卻能力，不堪重負。因為在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的價值主張，例如，能效和功率密度比其它功率半導體技術(shù)更高，GaN再次成為5G熱點的最大受益者之一。

另一方面，5G的興起要求電信設(shè)備供應(yīng)商建立一個大規(guī)模生產(chǎn)且多廠供貨的彈性供應(yīng)鏈。GaN技術(shù)從典型的III-V制造工藝和晶圓廠到量產(chǎn)方法的過渡期是關(guān)鍵。在碳化硅襯底上生長GaN的方法可能會受到襯底供應(yīng)緊張的困擾，而硅基GaN可以通過合理的性能折衷來滿足這一需求。為了避免任何可能的材料供應(yīng)問題，意法半導體決定，開發(fā)GaN使用硅襯底而不是碳化硅。

5G時代不僅宏基站的密度將會更高，需要功率密度更高的基站收發(fā)臺，而且還會出現(xiàn)更小的網(wǎng)絡(luò)單元（“皮基站”和“飛基站”），以增加網(wǎng)絡(luò)容量，擴大網(wǎng)絡(luò)覆蓋范圍。當然，主要目標是減輕宏基站的過重負擔。5G開始商用還改變了射頻信號頻段，以及信號收發(fā)方式。當前，我們看到的大多數(shù)移動通信頻率是在3GHz以下和3GHz至6GHz（低于6GHz）的中頻段，不過，現(xiàn)在開始出現(xiàn)以前被認為不適合移動通信的新頻段，例如，高于24GHz的高頻毫米波。物聯(lián)網(wǎng)、V2V（車間通信）、自動駕駛、遠程醫(yī)療、智能制造等新興應(yīng)用刺激了對更高比特率和更短延遲的需求，迫使基站廠商采用基于多輸入和多輸出的新架構(gòu)，即可以處理大量信號的大規(guī)模MIMO（多輸入和多輸出）天線。預計基站有源天線波束成形技術(shù)將繼續(xù)取得進步，最大限度地提高頻譜利用率。在5G開始商用過程中，安裝小型蜂窩天線的部署將推動市場對緊湊、高效的RFGaN器件的需求。大規(guī)模MIMO基站中5G信號處理電路功耗的設(shè)計人員，將更加注重半導體能效，進而求助GaN供應(yīng)商開發(fā)出更高性能的產(chǎn)品。4EAFA7D6-BE52-47B1-9919-0D0AAEDED6CD