長(zhǎng)寧地區(qū)龍馬溪組頁巖儲(chǔ)層低電阻率成因

王 瀅，何 嘉，寇一龍，周 昊

（1.中國(guó)石油川慶鉆探工程有限公司地質(zhì)勘探開發(fā)研究院，四川成都 610051；2.中國(guó)石油西南油氣田分公司四川長(zhǎng)寧天然氣開發(fā)有限責(zé)任公司，四川成都 610051）

中國(guó)頁巖氣資源已逐步進(jìn)入大規(guī)模開發(fā)階段，四川盆地發(fā)育多套富有機(jī)質(zhì)黑色頁巖，其下古生界沉積環(huán)境好、分布穩(wěn)定、厚度大、范圍廣，品質(zhì)與北美具有可比性［1］，具有較大的勘探開發(fā)潛力。其中龍馬溪組頁巖氣在威遠(yuǎn)-長(zhǎng)寧、昭通、涪陵礁石壩等地區(qū)形成了規(guī)?；a(chǎn)能［2-7］。四川盆地南部長(zhǎng)寧地區(qū)龍馬溪組頁巖氣資源十分豐富、地質(zhì)條件良好，2012 年被確定為國(guó)家級(jí)頁巖氣示范區(qū)，長(zhǎng)寧地區(qū)頁巖氣勘探開發(fā)歷經(jīng)了評(píng)層選區(qū)、先導(dǎo)試驗(yàn)、示范區(qū)建設(shè)、深化評(píng)價(jià)與規(guī)模上產(chǎn)階段4 個(gè)階段［8］，實(shí)現(xiàn)了頁巖氣規(guī)模效益開發(fā)。目前，長(zhǎng)寧地區(qū)在已普遍獲得較高含氣量的井區(qū)逐漸出現(xiàn)了含氣量微弱甚至不含氣的新完鉆評(píng)價(jià)井，研究發(fā)現(xiàn)這些微弱氣量的鉆井在龍馬溪組底部均存在低電阻率特征。電阻率間接反映了頁巖儲(chǔ)層的含氣性。最早低電阻率頁巖大規(guī)模出現(xiàn)在筇竹寺組，很多井的頁巖層段出現(xiàn)超低電阻率（＜2 Ω·m）特征。目前對(duì)頁巖儲(chǔ)層低電阻率成因的研究比較薄弱，中國(guó)還處于起步和探索階段。蔣珊等認(rèn)為有機(jī)質(zhì)石墨化是造成筇竹寺組頁巖超低電阻率的主要原因［9-12］。高和群等認(rèn)為頁巖層低電阻率的主要影響因素包括高黃鐵礦含量和高黏土礦物含量、高頁巖成熟度、高地層水礦化度、高頁巖頁理（層間裂縫）發(fā)育程度等，這幾種影響因素大多同時(shí)存在并相互疊加［13-15］。筆者在前人的研究基礎(chǔ)上，基于長(zhǎng)寧地區(qū)低電阻率頁巖特征，結(jié)合地震、構(gòu)造及斷層期次、測(cè)井、巖心實(shí)驗(yàn)等，對(duì)長(zhǎng)寧地區(qū)頁巖儲(chǔ)層低電阻率成因和主要影響因素進(jìn)行了分析和探討。

1 區(qū)域地質(zhì)概況

長(zhǎng)寧地區(qū)處在不同構(gòu)造帶相互疊加、影響的區(qū)域，構(gòu)造變形異常復(fù)雜。研究區(qū)構(gòu)造存在兩大構(gòu)造帶：一是北西西走向的構(gòu)造帶，以長(zhǎng)寧背斜及其東部區(qū)域以及北西區(qū)域的天宮堂背斜為代表；二是北東走向的構(gòu)造帶，主要分布在長(zhǎng)寧頁巖氣勘探區(qū)塊的中部羅場(chǎng)向斜、雙龍向斜，為華鎣山褶皺帶西傾伏段的延伸，平面上呈線狀分布，前后翼傾角較大。

在長(zhǎng)寧地區(qū)南部，向北西方向的擠壓仍然存在，源自大婁山的北西向擠壓造成山前多條逆沖斷層的發(fā)育，斷層由基底高角度向上往北西方向逆沖，在長(zhǎng)寧背斜南側(cè)的建武向斜北西、南東兩側(cè)形成了北東向背斜變形，北東向與北西向雙側(cè)擠壓作用的綜合結(jié)果，形成了現(xiàn)今短軸狀的建武向斜。在建武向斜的北西前陸方向，滑脫斷層依次出現(xiàn)逆沖或反沖過程，導(dǎo)致推覆褶皺帶的出現(xiàn)，形成了樓東背斜（圖1）。

龍馬溪組是長(zhǎng)寧地區(qū)頁巖氣勘探開發(fā)的主要目的層。龍馬溪組劃分為龍二段和龍一段共上下兩段。在龍一段內(nèi)部，自下而上可劃分出龍一1亞段和龍一2亞段。在龍一1亞段內(nèi)部，根據(jù)電性特征自下而上劃分出龍一11、龍一12、龍一13、龍一144 個(gè)小層（表1）。長(zhǎng)寧地區(qū)商業(yè)頁巖氣井的主力產(chǎn)氣層段為龍一1亞段。

表1 長(zhǎng)寧地區(qū)龍馬溪組地層劃分Table1 Stratigraphic division of Longmaxi Formation in Changning area

2 低電阻率頁巖儲(chǔ)層特征

研究區(qū)低阻4 井、低阻2 井在龍馬溪組底部相繼鉆遇頁巖，低阻4井電阻率為10 Ω·m左右，低阻2井自龍一13開始電阻率低于1 Ω·m，含氣性受到極大破壞，低阻2 井封井，低阻4 井日產(chǎn)氣量為19×104m3/d。隨后又相繼鉆了低阻3、低阻H11-5、低阻H9-1等低電阻率井，其中低阻H11-5井和低阻H9-1 井試油為干層。在研究區(qū)建武向斜開發(fā)井也存在部分水平段低電阻率的現(xiàn)象，日產(chǎn)氣量受影響（均小于25×104m3/d）。低電阻率井的出現(xiàn)嚴(yán)重阻礙了頁巖氣的勘探開發(fā)。筆者將研究區(qū)龍馬溪組底部?jī)?chǔ)層電阻率為2～20 Ω·m 的定義為低電阻率，底部?jī)?chǔ)層電阻率低于2 Ω·m 的定義為超低電阻率，有機(jī)質(zhì)石墨化是造成頁巖儲(chǔ)層超低電阻率的主要原因。本次研究主要針對(duì)長(zhǎng)寧地區(qū)頁巖儲(chǔ)層低電阻率的成因進(jìn)行分析。

2.1 分布特征

研究區(qū)頁巖儲(chǔ)層出現(xiàn)低電阻率的評(píng)價(jià)井主要分布在天宮堂背斜、雙龍-羅場(chǎng)向斜、建武向斜以西（圖1，表2），建武向斜31 口水平井呈局部水平段（平均長(zhǎng)度為630 m）低電阻率的特征，日產(chǎn)氣量平均為19×104m3/d。

表2 長(zhǎng)寧地區(qū)頁巖儲(chǔ)層低電阻率評(píng)價(jià)井龍13—龍11平均電阻率及日產(chǎn)氣量統(tǒng)計(jì)Table2 Average resistivity and daily gas production of Long13-Long11 Sublayers shale reservoirs in low resistivity evaluation wells in Changning area

2.2 電性特征

研究區(qū)龍二段電阻率正常，均大于20 Ω·m，從龍一段開始，電阻率逐步降低，自龍一13開始，電阻率呈現(xiàn)大幅度降低，均小于20 Ω·m。其中低阻2、低阻3、低阻9 井自龍一13開始電阻率極低，均為2 Ω·m 左右，甚至更低（表3）。電阻率極低的低阻2井測(cè)井電阻率曲線呈顯著的“細(xì)脖子型”特征，龍一2電阻率平均為12.82 Ω·m，龍一14電阻率平均為2.59 Ω·m，龍一13至龍一11電阻率基本小于0.3 Ω·m，呈箱狀低阻，電阻率與總有機(jī)碳含量（TOC）呈負(fù)相關(guān)（圖2）。

圖2 低阻2井龍13—龍11電阻率與TOC關(guān)系Fig. 2 Relationship between resistivity and average TOC of cores ofLong13-Long11 Sublayers in low resistivity Well2

表3 長(zhǎng)寧地區(qū)龍馬溪組頁巖儲(chǔ)層低電阻率評(píng)價(jià)井平均電阻率Table3 Resistivity of Longmaxi Formation shale reservoirs in low resistivity wells in Changning area Ω·m

據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，頁巖儲(chǔ)層龍13—龍11電阻率平均為2 Ω·m 以下的井，均不產(chǎn)氣，龍13—龍11電阻率平均為5 Ω·m 以上的井，具產(chǎn)氣能力（圖3）。其中低阻10 井電阻率高于5 Ω·m，但孔隙度低，含水飽和度高，儲(chǔ)層含氣性差，導(dǎo)致產(chǎn)微氣且產(chǎn)水。

圖3 長(zhǎng)寧地區(qū)龍13—龍11平均電阻率柱狀圖Fig. 3 Histogram of average resistivity of Long13-Long11 Sublayersin Changning area

2.3 物性特征

2.3.1 孔隙度和含氣性

由評(píng)價(jià)井平均孔隙度、含氣量和含氣飽和度（表4，圖4—圖6）可知，電阻率與含氣飽和度正相關(guān)，相關(guān)系數(shù)達(dá)0.76，說明儲(chǔ)層含氣性影響電阻率?？紫抖鹊陀?.2%，含氣量低于2.0 m3/t，含氣飽和度低于60%的低電阻率井，含氣性被破壞，均不具產(chǎn)氣能力；孔隙度高于4.2%，含氣量高于2.0 m3/t，含氣飽和度高于60%的低電阻率井，含氣性受影響但未被破壞，具產(chǎn)氣能力。

圖6 長(zhǎng)寧地區(qū)龍13—龍11電阻率與巖心平均含氣飽和度散點(diǎn)圖Fig. 6 Scatter plot of resistivity and average gas

表4 長(zhǎng)寧地區(qū)評(píng)價(jià)井物性參數(shù)Table4 Physical parameters of evaluation wells in Changning area

圖4 長(zhǎng)寧地區(qū)龍13—龍11電阻率與巖心平均孔隙度柱狀圖Fig. 4 Histogram of resistivity and average porosity of cores from Long13-Long11 Sublayers in Changning area

圖5 長(zhǎng)寧地區(qū)龍13—龍11電阻率與巖心平均含氣量柱狀圖Fig. 5 Histogram of resistivity and average gas content of cores from Long13-Long11 Sublayers in Changning area

2.3.2 錄井全烴含量

長(zhǎng)寧地區(qū)不具產(chǎn)氣能力的低電阻率井的全烴含量均低于2%，變化范圍為0.19%～1.62%，平均為0.78%。具產(chǎn)氣能力的低電阻率井全烴含量高于2%，變化范圍為2.36%～13.9%，平均為6.58%。具產(chǎn)氣能力的正常電阻率井全烴含量高于2%，變化范圍為2.11%～16.08%，平均為7.388%（圖7）。

圖7 長(zhǎng)寧地區(qū)龍13—龍11平均全烴含量散點(diǎn)圖Fig. 7 Scatter plot of average total hydrocarbon ofsaturation of cores from Long13-Long11 Sublayers in Changning area Long13-Long11 Sublayers in Changning area

3 低電阻率成因分析

3.1 與距斷層距離有關(guān)

研究區(qū)已鉆水平井顯示，水平段越靠近斷層，電阻率有下降的趨勢(shì)（圖8），斷層是引起電阻率降低的主要因素。常9H16-4 井位于寧39 號(hào)斷層下盤，在寧39 號(hào)斷層消失處，斷距較小，為25 m，為正常電阻率井，水平段電阻率由65 Ω·m 降低至31 Ω·m，平均為51 Ω·m，越靠近斷層，電阻率越低，相關(guān)系數(shù)為0.929 5。常H28-2井位于寧39號(hào)斷層下盤，在寧39 號(hào)斷層中部，斷距較大，為110 m，水平段電阻率由50 Ω·m 降低至13 Ω·m，平均為29 Ω·m，越靠近斷層，電阻率越低，其中有350 m 水平段電阻率低于20 Ω·m，電阻率與井至斷層距離呈明顯正相關(guān)，相關(guān)系數(shù)為0.973 1。寧39號(hào)下盤水平井電阻率分布表明，越靠近斷層，電阻率越低，斷距影響電阻率基值和低電阻率波及范圍，斷距越大，電阻率基值越低，低電阻率波及范圍越大。

圖8 低電阻率水平井的分布及電阻率與距斷層距離關(guān)系Fig. 8 Relationship between resistivity and distance to faults

研究區(qū)斷層下盤對(duì)電阻率的影響大于上盤，如羅場(chǎng)向斜與建武向斜之間，褶皺強(qiáng)烈，構(gòu)造受斷層控制，區(qū)內(nèi)發(fā)育北東向斷裂體系，多條斷層斷距大、延伸長(zhǎng)。其中羅7 號(hào)斷層最大斷距為510 m，寧175號(hào)斷層最大斷距為200 m（圖9）。羅7 號(hào)、寧175 號(hào)斷層下盤受擠壓應(yīng)力集中，含氣性破壞較嚴(yán)重，導(dǎo)致頁巖儲(chǔ)層低電阻率，下盤低阻2 井巖心掃描電鏡下有機(jī)孔不發(fā)育，孔隙度較低，為1.19%（圖10）。羅7 號(hào)斷層下盤低阻3、低阻4 井巖心照片可見明顯強(qiáng)應(yīng)力作用下形成的擦痕及復(fù)雜網(wǎng)狀縫等（圖11），下盤低阻3 井距羅7 號(hào)斷層斷距510 m 處長(zhǎng)度為1 000 m，電阻率為1.93 Ω·m，下盤低阻H11-5 井距離寧175 號(hào)斷層斷距200 m 處長(zhǎng)度為800 m，電阻率為1 Ω·m，試油均為干層；上盤受擠壓有張力釋放，受力相對(duì)較小，可能存在下盤天然氣向上盤運(yùn)移，電阻率相對(duì)更高。常17 井位于寧175 號(hào)、羅7 號(hào)斷層的上盤，電阻率為22.63 Ω·m，為正常電阻率井，弱擠壓作用，有利于原生孔隙保留，巖心掃描電鏡下有機(jī)孔發(fā)育，巖心孔隙度為4.2%（圖12），測(cè)試日產(chǎn)氣量為11.12×104m3/d，自2019 年5 月投產(chǎn)以來，已累積產(chǎn)氣量為6 165.21×104m3，產(chǎn)氣情況較好。

圖9 過羅7、寧175號(hào)斷層地震剖面Fig. 9 Seismic profile of Luo7 and Ning175 faults

圖10 低阻2井巖心掃描電鏡下有機(jī)孔分布Fig. 10 SEM images of organic pores in low resistivity Well2

圖11 羅7號(hào)斷層下盤低電阻率井巖心照片F(xiàn)ig. 11 Core photos of low resistivity wells in footwall of Luo7 fault

由圖1 和表4 可知，研究區(qū)所有低電阻率井多位于斷層附近，由此認(rèn)為頁巖儲(chǔ)層低電阻率原因與斷層有關(guān)。大型斷層強(qiáng)烈的破碎作用對(duì)頁巖氣保存條件具有明顯的破壞作用，強(qiáng)烈的構(gòu)造變形造成頁巖氣儲(chǔ)層及頂板和底板裂縫發(fā)育，導(dǎo)致頁巖氣散失［16-19］。斷層的擠壓作用破壞儲(chǔ)層含氣性，導(dǎo)致電阻率相對(duì)較低。巖心掃描電鏡顯示，正常井常17井有機(jī)孔形態(tài)總體完整，未發(fā)生大規(guī)模壓實(shí)、坍塌（圖12），而在雙龍-羅場(chǎng)低電阻率井低阻2 井有機(jī)孔被斷層擠壓，出現(xiàn)孔隙被壓實(shí)，發(fā)育大量扁平孔（圖10），孔隙中氣體散失、含水飽和度增高，導(dǎo)致低孔隙度，推測(cè)強(qiáng)構(gòu)造運(yùn)動(dòng)對(duì)頁巖氣成藏有破壞作用，電阻率偏低。

圖12 常17井巖心掃描電鏡下有機(jī)孔分布Fig. 12 SEM images of organic pores in cores from Well Chang17

3.2 與斷層期次有關(guān)

研究區(qū)五峰組沉積時(shí)期地層整體呈西南高、東北低的古地貌特征，后期經(jīng)歷加里東期、海西期、印支期、燕山期、喜馬拉雅期等多次改造，五峰組-龍馬溪組的斷層非常發(fā)育，規(guī)模大小不等，斷層走向也呈多組系展布。

加里東期南北向擠壓形成的近東西向斷層影響頁巖儲(chǔ)層含氣性但未造成破壞（圖13）。研究區(qū)建武向斜所有低電阻率水平井均分布在加里東期形成的斷層下盤，影響產(chǎn)氣量，斷層上盤頁巖氣富集，高產(chǎn)氣井眾多（圖13，圖14）。

圖13 建武向斜斷層活動(dòng)期次Fig. 13 Faulting stages in Jianwu syncline

圖14 加里東期斷層天然氣運(yùn)移模式Fig. 14 Natural gas migration model of Caledonian faults

加里東期研究區(qū)建武向斜內(nèi)斷層下盤附近的頁巖儲(chǔ)層因受斷層影響，部分天然氣運(yùn)移散失，地層水進(jìn)入斷層產(chǎn)生的裂縫中，水在近距離向構(gòu)造低部位聚集，導(dǎo)致斷層下盤附近頁巖儲(chǔ)層低電阻率，井產(chǎn)氣量受損；斷層上盤的頁巖儲(chǔ)層由于應(yīng)力釋放，在相對(duì)構(gòu)造高部位形成大面積的構(gòu)造裂縫帶，不同級(jí)別的斷層系統(tǒng)在空間上既可以構(gòu)成復(fù)式輸導(dǎo)通道，又可以形成大規(guī)模斷縫儲(chǔ)集體，斷層下盤部分天然氣沿著斷層運(yùn)移至上盤，有利于上盤天然氣的富集，斷層上盤附近實(shí)施井均獲得高產(chǎn)氣量。寧56 號(hào)斷層下盤附近低電阻率井測(cè)試日產(chǎn)氣量平均為20.2×104m3/d，上盤附近水平井測(cè)試日產(chǎn)氣量為33.6×104m3/d，通過低電阻率井段長(zhǎng)度、電阻率、產(chǎn)能與相鄰正常井對(duì)比分析，下盤低電阻率井電阻率小于20 Ω·m 條件下每100 m 水平段長(zhǎng)度損失日產(chǎn)氣量約為1.0×104m3/d，單井平均損失日產(chǎn)氣量為6.7×104m3/d，下盤損失的天然氣運(yùn)移至上盤，致使上盤附近水平井產(chǎn)氣量高。研究區(qū)建武向斜所有低電阻率井均受加里東期形成的斷層影響。

喜馬拉雅中晚期形成的北東向斷層破壞頁巖儲(chǔ)層含氣性，如雙龍-羅場(chǎng)向斜的鷹1、鷹2、燈1、燈2、羅7等斷層（圖1），這些斷層均發(fā)育在喜馬拉雅中晚期，規(guī)模較大，基本都是一級(jí)斷層。天宮堂背斜、雙龍-羅場(chǎng)向斜、建武向斜以西所有低電阻率井均與喜馬拉雅中晚期形成的北東向斷層有關(guān)。

低阻10 井磷灰石裂變徑跡測(cè)量和熱演化史分析表明（圖15），新生代早期距今50～45 Ma 開始緩慢抬升，直至距今30～25 Ma 以來逐漸發(fā)生中等速率抬升剝蝕，結(jié)合周邊井?dāng)鄬臃植记闆r認(rèn)為宮1 號(hào)斷層可能在喜馬拉雅早中期，尤其是距今10 Ma 以來發(fā)生快速抬升剝蝕，總體導(dǎo)致地表抬升剝蝕量達(dá)3 500～4 000 m。宮1 號(hào)斷層被鷹1、鷹2 號(hào)斷層截?cái)啵▓D1），說明鷹1、鷹2 號(hào)斷層發(fā)育時(shí)期更晚，鷹1、鷹2 號(hào)斷層可能發(fā)生在喜馬拉雅中晚期，破壞性更大。天宮堂背斜評(píng)價(jià)井距鷹2號(hào)斷層距離與電阻率呈明顯正比關(guān)系（圖16），相關(guān)系數(shù)達(dá)0.977 9，說明鷹2號(hào)斷層影響天宮堂背斜頁巖儲(chǔ)層電阻率。因此天宮堂背斜、雙龍-羅場(chǎng)向斜所有低電阻率井均受喜馬拉雅中晚期形成的北東向的斷層影響。

圖15 低阻10井熱演化史分析（據(jù)文獻(xiàn)［19］修改）Fig. 15 Thermal evolution history of low resistivity Well10（Modified by Reference［19］）

圖16 天宮堂背斜評(píng)價(jià)井距鷹2號(hào)斷層距離與電阻率關(guān)系Fig. 16 Relationship between distance to Ying2 fault and resistivity of evaluation well in Tiangongtang anticline

3.3 與斷層附近含水飽和度增高有關(guān)

對(duì)電阻率影響較大的還有一個(gè)因素是存在于頁巖氣儲(chǔ)層中的地層水。建武向斜低電阻率井均分布在斷層附近微裂縫發(fā)育處（圖17）。斷層附近的井鉆遇的微裂縫較發(fā)育，頁巖儲(chǔ)層儲(chǔ)存較多水分，增強(qiáng)導(dǎo)電能力，降低電阻率。從見氣返排率和氣量最高返排率（表5）可知，建武向斜低電阻率水平井返排率明顯高于正常電阻率水平井。天宮堂背斜低阻10 井靠近宮1 號(hào)斷層，巖心含水飽和度為61.6%，返排率達(dá)103.11%，證實(shí)產(chǎn)水（折算日產(chǎn)水量為12.7 m3/d）。由圖6 可知，儲(chǔ)層含氣飽和度與電阻率呈正比，含氣飽和度越高，電阻率越高，低電阻率不產(chǎn)氣井的含水飽和度高，證明了研究區(qū)部分井存在低電阻率原因是因?yàn)榭拷鼣鄬痈浇捻搸r儲(chǔ)層含水飽和度增高引起電阻率降低。

圖17 建武向斜螞蟻體裂縫預(yù)測(cè)Fig. 17 Ant-tracking based prediction of fractures in Jianwu syncline

表5 建武向斜水平井見氣返排率和氣量最高返排率Table5 Gas breakthrough flowback rate and maximum gas flowback rate of horizontal wells in Jianwu syncline

4 結(jié)論

長(zhǎng)寧地區(qū)低電阻率評(píng)價(jià)井電阻率為0.20～15.92 Ω·m，龍二段電阻率正常，均大于20 Ω·m，從龍一段開始，電阻率逐步降低，自龍一1 3開始，電阻率呈現(xiàn)大幅度降低，均小于20 Ω·m。測(cè)井電阻率曲線呈顯著的“細(xì)脖子型”特征，電阻率與總有機(jī)碳含量呈負(fù)相關(guān)。研究區(qū)低電阻率頁巖儲(chǔ)層的產(chǎn)氣能力特征為，電阻率相對(duì)較高（＞5 Ω·m），全烴含量正常（＞2%），孔隙度較高（＞4.2%），含氣量較高（＞2.0 m3/t），含氣飽和度高（＞60%）。龍馬溪組頁巖儲(chǔ)層低電阻率成因與斷層有關(guān)，斷層的擠壓破壞儲(chǔ)層含氣性，導(dǎo)致低電阻率，斷層下盤對(duì)電阻率的影響大于上盤，斷層下盤頁巖儲(chǔ)層易出現(xiàn)低電阻率，斷層上盤電阻率正常。另外與斷層期次有關(guān)，建武向斜低電阻率頁巖儲(chǔ)層受加里東期形成的斷層影響，下盤儲(chǔ)層部分天然氣運(yùn)移散失，地層水進(jìn)入斷層產(chǎn)生的裂縫中，水在近距離向構(gòu)造低部位聚集，導(dǎo)致斷層下盤附近頁巖儲(chǔ)層低電阻率，實(shí)施井產(chǎn)氣量受損，而上盤儲(chǔ)層天然氣富集，實(shí)施井均獲得高產(chǎn)氣量。下盤低電阻率井電阻率小于20 Ω·m 水平井段每100 m 長(zhǎng)度損失日產(chǎn)氣量約為1.0×104m3/d，單井平均損失日產(chǎn)氣量為6.7×104m3/d，下盤損失的天然氣運(yùn)移至上盤，導(dǎo)致上盤附近水平井產(chǎn)氣量高。天宮堂背斜、雙龍-羅場(chǎng)向斜、建武向斜以西所有低電阻率井均受喜馬拉雅中晚期形成的北東向斷層影響。研究區(qū)部分井存在低電阻率原因是因?yàn)榭拷鼣鄬痈浇捻搸r儲(chǔ)層含水飽和度增高引起電阻率降低。