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      連接器信號串?dāng)_優(yōu)化淺析

      2022-05-06 04:17:48劉興平岳明旗
      機電元件 2022年2期
      關(guān)鍵詞:走線互感耦合度

      劉興平,左 靜,陳 惠,王 超,岳明旗

      (四川華豐科技股份有限公司,四川綿陽,621000)

      1 引言

      近年來,隨著技術(shù)發(fā)展,消費者對產(chǎn)品的傾向越來越小,速率越來越高,在這種情況下,就必須更加注意電路中串?dāng)_現(xiàn)象。對產(chǎn)品信號完整性的要求越來越高,解決信號完整性問題關(guān)系到信號速率是否能夠再次提升,以滿足市場的需求。

      通常SI工程師在產(chǎn)品研發(fā)階段,經(jīng)常會遇到各種各樣的信號完整性問題,就拿高速連接器來說,因為連接器結(jié)構(gòu)復(fù)雜,所以串?dāng)_優(yōu)化也是最困難的,本文通過解析串?dāng)_原理及借用實際工作中經(jīng)驗提出了優(yōu)化串?dāng)_的常用手段。

      2 串?dāng)_產(chǎn)生的原因

      串?dāng)_指的是當(dāng)信號傳輸過程中,電磁能量耦合到其他了其他的傳輸線上,而這個耦合能量是不期望的能量。串?dāng)_在數(shù)字鏈路中普遍存在,包括芯片、PCB、連接器、電纜等。串?dāng)_將會通過改變線路的傳輸特性來影響信號完整性以及時序特征,也會將噪聲耦合入傳輸線,這將損害信號完整性減少噪聲裕量。

      2.1 互感和互容

      從電路角度看,串?dāng)_是由于臨近兩導(dǎo)體之間的互感和互容引起,這兩種現(xiàn)象都是在線路間通過磁場(互感作用)和電場(互容作用)耦合能量產(chǎn)生的[1]。

      感性耦合是由于干擾源上的電流變化產(chǎn)生的磁場在被干擾對象上引起感應(yīng)電壓從而導(dǎo)致的電磁干擾,如圖1.

      圖1 互感耦合原理

      互感是引起串?dāng)_的兩個重要因素之一,互感系數(shù)LM標(biāo)志了一根驅(qū)動傳輸線通過磁場對另外一根傳輸線產(chǎn)生感應(yīng)電流的程度。從本質(zhì)上來說,如果“受害線”和“侵略線”的距離足夠接近,以至于侵略線產(chǎn)生的磁場將受害線包圍其中,如圖2,則在受侵略的傳輸線上將會產(chǎn)生感應(yīng)電流,而這個通過磁場耦合產(chǎn)生的電流在電路模型中就通過互感參數(shù)來表征。

      圖2 傳輸線磁場及電場耦合

      互感 LM的作用下,將根據(jù)侵略線上的電流變化率而在受害線上引起一定的噪聲,噪聲電壓的大小與電流變換率成正比,通??捎上铝泄?1)來計算[2]:

      △υL=Lm di/dt

      (1)

      由于感應(yīng)噪聲正比于信號的變化率,互感在高速數(shù)字電路的應(yīng)用中顯得尤為重要。

      容性耦合是干擾源上的電壓變化在被干擾對象上引起感應(yīng)電流從而導(dǎo)致的電磁干擾,如圖3.

      圖3 互容耦合原理

      互容是引起串?dāng)_的另外一個重要因素,互容是兩導(dǎo)體間簡單的電場耦合,這種耦合在電路模型中以互容的形式表現(xiàn)出來?;ト軨m將產(chǎn)生一個與侵略線上電壓變換率成正比的噪聲電流到受害線,通??梢杂上铝泄?2)來計算:

      △iC= Cmdv/dt

      (2)

      同樣,感應(yīng)噪聲也是正比于信號的變化率,說明互容也是非常重要的。

      2.2 近端串?dāng)_與遠(yuǎn)端串?dāng)_

      容性耦合和感性耦合總是同時發(fā)生的,受害線上同時包含了容性耦合電流與感性耦合電流。在兩根信號線耦合較弱時,總串?dāng)_近似為容性串?dāng)_與感性串?dāng)_的累加。受害線上與攻擊信號傳播方向相反的一端稱為近端,與攻擊信號傳播方向相同的一端稱為遠(yuǎn)端。由于兩種耦合,在受害線的近端產(chǎn)生的串?dāng)_稱為近端串?dāng)_,記為VNEXT,在受害線的遠(yuǎn)端產(chǎn)生的串?dāng)_稱為遠(yuǎn)端串?dāng)_,記為VFEXT。圖4直觀地顯示了兩種耦合電流的產(chǎn)生、流動方向、近端串?dāng)_和遠(yuǎn)端串?dāng)_以及它們之間的關(guān)系。

      圖4 近端串?dāng)_與遠(yuǎn)端串?dāng)_

      從串?dāng)_的產(chǎn)生可以得知,串?dāng)_主要是因為互感和互容耦合引起,互感和互容為串?dāng)_提供了攻擊路徑,所以優(yōu)化串?dāng)_應(yīng)該從耦合上做文章。

      3 降低串?dāng)_的常用手法

      3.1 增大平行走線間距

      對于串?dāng)_來講,增大平行線走線間距是改善串?dāng)_最直接也是最有效的方式,由于串?dāng)_的來源主要是容性耦合和感性耦合,如圖2,拉大走線間距能有效減少走線間的互容和互感,從而減小串?dāng)_。

      如圖5所示,建立一個帶狀線模型,保持其他變量不變,分別設(shè)置間距S1值為10mil、20mil、30mil,對比不同間距串?dāng)_值。

      圖5 帶狀線串?dāng)_模型

      串?dāng)_仿真結(jié)果如圖6所示。

      圖6 不同間距串?dāng)_仿真結(jié)果

      由圖6可知,隨著間距S1不斷增大,串?dāng)_將不斷減小,這也符合串?dāng)_的產(chǎn)生原理,所以增大走線間距是減小串?dāng)_的最有效方式。

      3.2 增加保護(hù)地線

      串?dāng)_的路徑是容性耦合和感性耦合,我們需要明白的是只要是金屬與金屬之間就會產(chǎn)生耦合電感和耦合電容,距離近的耦合大,距離遠(yuǎn)的耦合小。同樣,增加保護(hù)地線,實際上就是提供了信號與保護(hù)地的耦合路徑,串?dāng)_遵循哪兒電容大去兒,哪兒電感小去哪兒的規(guī)律,所以理論上增加保護(hù)地線,將會減小串?dāng)_耦合。

      a.我們按差分信號間距4mm建立模型,當(dāng)間距不變情況下,在差分信號中間增加會留地GND,仿真對比串?dāng)_差異,如圖7所示。

      圖7 兩種不同的串?dāng)_模型

      串?dāng)_仿真結(jié)果:

      圖8 是否帶保護(hù)地仿真結(jié)果對比

      按圖8仿真結(jié)果,增加保護(hù)地能夠減小串?dāng)_,這就是我們經(jīng)??吹礁咚傩盘柖紟в斜Wo(hù)地的原因,因為空間原因,當(dāng)信號間間距不能再增大時,增加保護(hù)地是一個改善串?dāng)_的有效方式。

      通過上述理論,我們知道增加回流地會減小串?dāng)_,我們廠家的PCB板會使用完整的參考平面,這將繼續(xù)增大信號與地的耦合,依據(jù)理論,耦合能量會向電容大和電感小的地方前進(jìn),則使用完整參考平面將會進(jìn)一步減小串?dāng)_。

      b.在CASE1和case2的基礎(chǔ)上,我們增加一個距離信號0.25mm的參考平面,如圖9,對比串?dāng)_值。

      圖9 加屏蔽的串?dāng)_模型

      串?dāng)_仿真結(jié)果如圖10所示。

      圖10 加屏蔽仿真結(jié)果對比

      從圖10仿真結(jié)果可以看出,當(dāng)增加屏蔽后,CASE3和CASE4的串?dāng)_都比不增加屏蔽效果好,且兩種方式串?dāng)_值基本重合,所以增加屏蔽接地能有效的降低串?dāng)_。

      CASE3和CASE4的仿真結(jié)果雖然重合,但并不代表所有的情形,因為文中仿真只到10GHz,所以不代表更高頻段結(jié)果,按照設(shè)計經(jīng)驗更高頻段將會體現(xiàn)出差異值。要想保證CASE4中的串?dāng)_更好,需要保護(hù)地搭接點數(shù)量夠多且密度大,一般需要遵循搭接點距離小于λ/4。對于搭接點過少,且信號速率變得更高的時候,增加保護(hù)地線將會起到相反的效果,會導(dǎo)致串?dāng)_變差且出現(xiàn)諧振,還比不上CASE3,其結(jié)果將會類似后面的CASE5情形,所以使用CASE4需要重點關(guān)注。事實上,當(dāng)在更高速率的產(chǎn)品設(shè)計時,CASE4將會給高頻段串?dāng)_帶來更好的結(jié)果,前提是設(shè)計時能提供更多更密的搭接點。

      我們注意到,帶保護(hù)地線與屏蔽有兩個點首尾搭接,如果不搭接是否會影響串?dāng)_呢?我們按一下建模再分析。

      c.在CASE2基礎(chǔ)上,建立CASE5保護(hù)地線首尾不增加搭接點,CASE6整個保護(hù)地線全部搭接,如圖11,建立模型仿真。

      圖11 保護(hù)地與屏蔽搭接點串?dāng)_模型

      串?dāng)_仿真結(jié)果如圖12所示。

      圖12 保護(hù)地與屏蔽搭接點仿真結(jié)果對比

      從如圖12中可以看出,當(dāng)保護(hù)地和屏蔽無搭接時,串?dāng)_將會惡化,而仿真中的保護(hù)地首尾相連CASE2、無保護(hù)地CASE3以及保護(hù)地與屏蔽全搭接CASE6的仿真可以看出,串?dāng)_基本一致,這是因為信號耦合到保護(hù)地上時,當(dāng)保護(hù)地搭接點數(shù)量足夠時,會給耦合回流提供最短路徑,保護(hù)地上的信號回流會以最短時間最短路徑回到屏蔽上,所以表征出的串?dāng)_結(jié)果相差不大,當(dāng)然,保護(hù)地與屏蔽的搭接點應(yīng)遵循規(guī)律,搭接點與點的距離最好小于λ/4,λ為入射波的波長。

      我們在進(jìn)行高速連接器走線設(shè)計時,應(yīng)盡量避免出現(xiàn)CASE5情況,當(dāng)保護(hù)地與屏蔽未搭接時,信號的回流路徑將被一分為二,而耦合到保護(hù)地上的回流將需要繞到更遠(yuǎn)的地方才能回到屏蔽上,這就直接導(dǎo)致了串?dāng)_變差,嚴(yán)重的將會產(chǎn)生諧振,影響信號完整性。

      由以上案例可知,信號速率越高,回流地的設(shè)計將會起到至關(guān)重要的作用,特別上現(xiàn)在連接器越來越高密度且小型化。

      3.3 最小化平行走線長度

      我們見得最多的走線是平行走線,因為能節(jié)約空間進(jìn)行更多信號的布局。按照電磁場理論,串?dāng)_是因為互感和互容,如果兩條信號線互相垂直,磁感線耦合到另一信號線上的機會將會非常的小,如圖13,串?dāng)_也會很小。如果條件允許空間阻抗,是否可以帶角度布線或者垂直布線呢,其實同平面采用這種方式基本不可行,特別是連接器,垂直走線將會使空間利用率極低,還不如將信號線間距拉大。由于PCB走線不同層可實現(xiàn)垂直布線,可以使用該方法降低層間串?dāng)_。

      圖13 耦合線

      3.4 阻抗匹配

      對于高速數(shù)字信號傳輸,如果阻抗不匹配,就會發(fā)生反射。同理,當(dāng)信號沿傳輸線傳播時,遇到阻抗不匹配,則會發(fā)生反射,而反射的信號同樣會耦合到受害線端,造成串?dāng)_增加,傳輸線上的阻抗不匹配處往往會發(fā)生多次反射,周而復(fù)始,直至幅度衰減為0,如下圖14為反射過程。

      圖14 串?dāng)_反射

      建立一組仿真模型,一組傳輸線阻抗匹配P1,一組增加兩個不匹配點P2,如下圖15,觀察其串?dāng)_結(jié)果。

      圖15 阻抗模型

      其串?dāng)_仿真結(jié)果如圖16所示。

      圖16 阻抗及串?dāng)_對比

      由圖16可知,阻抗不匹配的P2模型隨著頻率增加,串?dāng)_呈明顯的上升趨勢,而阻抗匹配的串?dāng)_增長比較緩慢,所以阻抗匹配有助于改善串?dāng)_。

      I.保持回流地平面完整

      高速連接器及PCB設(shè)計中經(jīng)常會用到完整的屏蔽片作回流地,連接器由于沖制加工等因素,屏蔽片的形狀經(jīng)常會有掏空部分,PCB因為過孔反焊盤及阻抗匹配,也會存在掏空部分。這些空洞會使電磁場的耦合泄露到相鄰的信號線,從而產(chǎn)生串?dāng)_,特別是對于高速背板的相鄰層,對串?dāng)_的影響尤其明顯。

      建立一個相鄰層的模型,如圖17,模型a為相鄰層不掏空,模型b為相鄰層屏蔽增加兩個空洞,仿真對比串?dāng)_大小。

      圖17 相鄰層屏蔽模型

      串?dāng)_仿真結(jié)果:

      圖18 屏蔽對比仿真結(jié)果

      由仿真結(jié)果可知屏蔽完整的a模型串?dāng)_非常好,曲線光滑,而b模型走線兩側(cè)增加空洞后串?dāng)_明顯變差,且在25G左右出現(xiàn)諧振。可見屏蔽完整性會影響串?dāng)_。

      II.使用介電常數(shù)更低的絕緣材料

      就介電常數(shù) E ,本身來說,對串?dāng)_的影響微乎其微。對于圖19所示的橫截面積尺寸,當(dāng)介電常數(shù)為4.2時,阻抗約為50Ω。如果不考慮阻抗控制,保持橫截面幾何結(jié)構(gòu)不變,僅僅換成介電常數(shù)為3.4的板材,容性相對耦合度與感性相對耦合度變化趨勢如圖20所示,橫軸表示介電常數(shù),縱軸表示相對耦合度。圖21為結(jié)構(gòu)完全一致,只是改變了介電常數(shù)的串?dāng)_仿真值,可以看出串?dāng)_基本沒什么變化,介電常數(shù)的變化對于相對耦合度幾乎沒有影響。因此,介電常數(shù) E ,本身并不影響串?dāng)_的大小[2]。

      圖19 層疊結(jié)構(gòu)

      圖20 相對耦合度與介電常數(shù)

      當(dāng)使用小介電常數(shù)的板材時,為了阻抗控制,必須使用更薄的介質(zhì),介電常數(shù)為3.4時,為了阻抗保持為50歐姆,需要修改橫截面尺寸,如圖21所示,介質(zhì)變薄。此時相對耦合度如圖22所示。介電常數(shù)為3.4時,相對耦合度明顯減??;使用介電常數(shù)較小的板材,其串?dāng)_明顯減小。

      圖21 結(jié)構(gòu)相同介電常數(shù)不同的串?dāng)_值

      圖22 介質(zhì)變薄層疊結(jié)構(gòu)

      圖23 阻抗控制的相對耦合度

      介電常數(shù)本身不影響串?dāng)_,但是因為阻抗匹配,使用低介電常數(shù)因為阻抗匹配會拉近信號與地的耦合,因此間接的降低了串?dāng)_。

      4 結(jié)束語

      對于高速類產(chǎn)品,串?dāng)_的優(yōu)化是極其重要的部分,本文通過電磁場理論衍生到實際仿真應(yīng)用,著重描述了串?dāng)_的產(chǎn)生及優(yōu)化方式,為高速連接器及PCB設(shè)計串?dāng)_優(yōu)化提供一些改進(jìn)方向。

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